對檢測誤差估計表格224第2行的示例中，在1.7V的Vcc值處，頁230可以被估計為具有1x10—5的檢測誤差率。電壓設(shè)置模塊104可以訪問存儲在檢測誤差估計表格224中的數(shù)據(jù)。
[0028]繼續(xù)上述示例，誤差校正代碼模塊110可以為電壓設(shè)置模塊104提供誤差校正水平。誤差校正水平232可以是例如誤差的近似百分比，其中誤差校正代碼被配置為用于校正。在另一示例中，誤差校正水平可以是可用于校正來自存儲器的讀取誤差容差水平。這種容差水平可以是對于給定量的數(shù)據(jù)而言誤差校正代碼模塊110能夠校正的誤差的最大百分比。基于誤差校正水平232和檢測誤差估計表格224，電壓設(shè)置模塊104可以被配置為選擇特定電壓，可用于獲取表示誤碼減少的數(shù)量的目標誤碼率的可以是表格224中的最低Va值，其相關(guān)聯(lián)的檢測誤碼率小于誤差校正水平232。對應(yīng)于特定電壓VCC’的信號可以被發(fā)送至電壓調(diào)節(jié)器114。電壓調(diào)節(jié)器114可以控制特定電壓VCC’向閃存芯片120和/或閃存芯片122的施加。在當前示例中，存儲器控制器102的誤差校正水平232可以是5x10—4(或0.05%)。基于檢測誤差估計表格224，電壓設(shè)置模塊104可以選擇1.6V的電壓Vcc ’，因為1.6V是最低電壓，其相關(guān)聯(lián)的檢測誤碼率小于誤差校正水平232(例如1x10—4〈5x10—4)。
[0029]在進一步的示例中，在一些未來時間點處，如可能由閃存狀態(tài)監(jiān)控器108所檢測到的，頁230的降級水平可能會增加。由此，當誤碼率估計器模塊106生成新的或者修改的檢測誤差估計表格224時，每個對應(yīng)電壓的檢測誤碼率可能會增加。檢測誤碼率的這種改變可能導(dǎo)致電壓設(shè)置模塊104選擇更高電壓VCC’(相對于之前的VCC’值)，從而使得檢測誤碼率保持低于誤碼校正水平232。
[0030]圖3描述了圖1的示例系統(tǒng)，示出了根據(jù)本文描述的至少一些實施例設(shè)置的關(guān)于數(shù)據(jù)傳輸?shù)氖纠?。為了清楚和簡潔的目的，圖3中那些與圖1和2中的組件標記相同的組件將不再描述。
[0031]在一個示例中，存儲器控制器102可以接收傳輸被存儲在閃存芯片122中的數(shù)據(jù)的請求。存儲器控制器102可以調(diào)用一個或多個閃存轉(zhuǎn)換層功能，以確定可以存儲所請求的數(shù)據(jù)的物理存儲頁位置。在一個示例中，物理存儲頁可以是位于閃存芯片122上一位置處的頁332。所請求的數(shù)據(jù)可以從閃存芯片122的頁332檢測到。
[0032]傳輸誤差估計表格326可以由誤碼率估計模塊106以有些類似于上述檢測誤差估計表格224的方式生成和/或維護，其可以包括關(guān)于與不同可能的Vccq值相關(guān)聯(lián)的閃存芯片和存儲器控制器102之間傳輸?shù)膫鬏斦`碼率的估計量。例如，針對傳輸誤差估計表格326的第一行，在1.8V的Vccq值處，閃存芯片122可以被估計為具有1x10—6的傳輸誤碼率。在針對傳輸誤差估計表格326的第2行的另一示例中，在1.7V的Vccq值處，閃存芯片122可以被估計為具有2x10—5的傳輸誤碼率。電壓設(shè)置模塊104可以訪問存儲在傳輸誤差估計表格326中的數(shù)據(jù)。
[0033]繼續(xù)上述示例，誤差校正代碼模塊110可以為電壓設(shè)置模塊104提供誤差校正水平232。基于誤差校正水平232和傳輸誤差估計表格326，電壓設(shè)置模塊104可以被配置為選擇特定電壓Vccci ’ ο Vccq ’可以是表格326中的最低Vccq值，其相關(guān)聯(lián)的傳輸誤碼率小于誤差校正水平232。對應(yīng)于特定電壓Vccq’的信號可以被發(fā)送至電壓調(diào)節(jié)器114。電壓調(diào)節(jié)器114可以控制特定電壓Vccq’向閃存芯片120和/或閃存芯片122的施加。在當前示例中，存儲器控制器102的誤差校正水平232可以是3x10—4(或0.03%)?；趥鬏斦`差估計表格326，電壓設(shè)置模塊104可以選擇1.7V的特定電壓VCCQ’，因為1.7V是最低電壓，其相關(guān)聯(lián)的傳輸誤碼率小于誤差校正水平232(例如2x10—5〈3xl0—4)。
[0034]在進一步的示例中，在一些未來時間點處，如可能由閃存狀態(tài)監(jiān)控器108所檢測到的，不同Vccq值的相應(yīng)傳輸誤碼率可能會增加。誤碼率估計器模塊106可以生成新的傳輸誤差估計表格326(或者更新現(xiàn)有的傳輸誤差估計表格326)。誤碼率的增加可能導(dǎo)致電壓設(shè)置模塊104選擇更高電壓VCCQ’(相對于之前的Vccq’值)，從而使得傳輸誤碼率保持低于誤碼校正水平232。
[0035]圖4描述了圖1的示例系統(tǒng)，示出了根據(jù)本文描述的至少一些實施例設(shè)置的關(guān)于數(shù)據(jù)傳輸和檢測的示例。為了清楚和簡潔的目的，圖4中那些與圖1、2和3中的組件標記相同的組件將不再描述。
[0036]電壓VCC’和Vccq’可以被同時和/或分離(例如按順序)調(diào)整，以減少閃存芯片中的功率消耗。在一個示例中，存儲器控制器102可以接收讀取閃存芯片122中的數(shù)據(jù)的請求。存儲器控制器102可以調(diào)用一個或多個閃存轉(zhuǎn)換層功能，以確定存儲所請求的數(shù)據(jù)的物理存儲頁位置。在一個示例中，物理存儲頁可以是位于閃存芯片122上的頁432。所請求的數(shù)據(jù)可以從閃存芯片122的頁432檢測到。
[0037]傳輸誤差估計表格428可以包括關(guān)于與不同可能的Vccq值相關(guān)聯(lián)的閃存芯片和存儲器控制器1 2之間傳輸?shù)膫鬏斦`碼率的估計量。例如，針對傳輸誤差估計表格4 2 8的第一行，在3.3V的Vccq值處，閃存芯片122可以被估計為具有1x10—6的傳輸誤碼率。在針對傳輸誤差估計表格428的第2行的另一示例中，在3.2V的Vccq值處，頁432可以被估計為具有2x10—5的傳輸誤碼率。電壓設(shè)置模塊104可以訪問存儲在傳輸誤差估計表格428中的數(shù)據(jù)。
[0038]同時或者另外，存儲器控制器102可以接收讀取存儲在閃存芯片120中的數(shù)據(jù)的請求。存儲器控制器102可以調(diào)用一個或多個閃存轉(zhuǎn)換層功能，以確定可以存儲所請求的數(shù)據(jù)的物理存儲頁位置。在這一示例中，物理存儲頁可以是位于閃存芯片120上的頁430。閃存狀態(tài)監(jiān)控器108可以為誤碼率估計器模塊106提供閃存芯片120的頁430的降級水平?；谒峁┑捻?30的降級水平，誤碼率估計器模塊106可以生成(或更新)檢測誤差估計表格424。檢測誤差估計表格424可以是例如存儲在誤碼率估計器模塊106中或另一存儲器中的數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)。
[0039]檢測誤差估計表格424可以包括檢測不同可能的Vcc值的閃存芯片120中頁320的檢測誤碼率的估計量。例如，針對檢測誤差估計表格424的第一行，在1.8V的Va值處，頁430可以被估計為具有1x10—6的檢測誤差率。在針對檢測誤差估計表格424第2行的另一示例中，在1.7V的Vcc值處，頁430可以被估計為具有1x10—5的檢測誤差率。電壓設(shè)置模塊104可以訪問存儲在檢測誤差估計表格424中的數(shù)據(jù)。
[0040]繼續(xù)上述示例，誤差校正代碼模塊110可以為電壓設(shè)置模塊104提供誤差校正代碼模塊110的誤差校正水平232。誤差校正水平232可以是例如誤差的百分比，其中誤差校正代碼被配置為用于校正?；谡`差校正水平232、檢測誤差估計表格424和傳輸誤差估計表格428，電壓設(shè)置模塊104可以被配置為選擇特定電壓Vcc’和Vccq' oVcc'和Vccq’可以是表格424和428中的最低Va和VaQ組合值，其組合的關(guān)聯(lián)誤碼率(檢測誤碼率+傳輸誤碼率)小于誤差校正水平232。在表格424和428中存在多個總和為相同的最低組合值的Vcc和Vccq組合的示例中，電壓設(shè)置模塊104可以檢驗可用的可能Vcc和Vccq組合，并且選擇導(dǎo)致最低整體功率消耗的VCC+VCCQ組合。對應(yīng)于特定電壓VCC’和Vccq’的信號可以被發(fā)送至電壓調(diào)節(jié)器114。電壓調(diào)節(jié)器114可以控制特定電壓Vcc’和Vccq’向閃存芯片120和/或閃存芯片122的施加。在當前示例中，存儲器控制器102的誤差校正水平232可以是3x10—4(或0.03%)。基于檢測誤差估計表格424和傳輸誤差估計表格428，電壓設(shè)置模塊104可以選擇1.6V的特定電壓Vcc ’和3.2V的特定電壓Vccq ’。1.6V和3.2V可以表示最低電壓，其組合的關(guān)聯(lián)誤碼率小于誤差校正水平232(例如 1x10—4+2xl0—5= I.2x10—4〈3xl0—4)。[0041 ] 根據(jù)上述示例，電壓設(shè)置模塊104可以將對應(yīng)于特定電壓Vcc ’和Vccq’的信號發(fā)送至電壓調(diào)節(jié)器114。電壓調(diào)節(jié)器可以控制指定VCC’和/或VCCQ’電壓對閃存芯片120和/或閃存芯片122的施加。
[0042]在其他可能的特征中，根據(jù)本公開的系統(tǒng)可以利用誤差校正代碼優(yōu)勢來減少閃存檢測和傳輸操作的能量消耗。另外，根據(jù)本公開的系統(tǒng)可以實現(xiàn)這種功率節(jié)省優(yōu)點，而不會危害數(shù)據(jù)檢測/傳輸操作的完整性。系統(tǒng)可以在存儲設(shè)備相對新且已經(jīng)經(jīng)歷極少降級時利用額外的可用誤差校正代碼容差。功率消耗的減少與使用基于閃存的存儲系統(tǒng)的移動設(shè)備具有特定關(guān)聯(lián)性。
[0043]圖5描述了根據(jù)本文描述的至少一些實施例布置的實施閃存中功率消耗的減少的示例方法的流程圖。在一些示例中，圖5中的方法可以使用上述存儲設(shè)備100實施，并且可以用于減少閃存中的功率消耗。示例方法可以包括由一個或多個方框S2、S4和/或S6所示出的一個或多個操作、動作或功能。雖然圖示為離散的方框，基于期望的實施方式，各方框可以劃分成額外的方框、組合成較少的方框，或者被去除。圖5中的方法可以由包括