閃存中功率消耗的減小的制作方法
【專利說明】
【背景技術(shù)】
[0001]除非本文中另外指出，本文中所描述的材料不是本申請中權(quán)利要求的現(xiàn)有技術(shù)并且并不能因包含在本部分中而成為現(xiàn)有技術(shù)。
[0002]基于閃存的固態(tài)數(shù)據(jù)存儲設備可以被用于處理密集數(shù)據(jù)存取工作負載。閃存系統(tǒng)可以包括由固態(tài)存儲器控制器控制的大批量晶體管。閃存系統(tǒng)內(nèi)的每個晶體管可以被配置為存儲一比特數(shù)據(jù)。固態(tài)存儲器控制器可以被配置為控制訪問被存儲在閃存存儲系統(tǒng)的晶體管內(nèi)的數(shù)據(jù)。閃存中的晶體管可以具有有限數(shù)量的程序/擦除周期。
[0003]挺述
[0004]在一個示例中，大致描述了一種存儲器控制器。該存儲器控制器包括誤碼率估計器模塊。所述誤碼率估計器模塊可以被配置為估計兩個或更多個誤碼率。所述兩個或更多個誤碼率可以與從存儲器讀取的相應電壓的施加相關(guān)聯(lián)。存儲器控制器可以進一步包括電壓設置模塊。電壓設置模塊可以被配置為與誤碼率估計器模塊通信。電壓設置模塊可以進一步被配置為選擇從存儲器讀取的電壓。所述電壓可以基于所述兩個或更多個誤碼率和基于誤差校正水平而被選擇。所述誤差校正水平可以是可用于校正來自存儲器的讀取誤差的容差水平。
[0005]在一個示例中，描述了一種操作存儲器的方法。該方法可以包括估計兩個或更多個誤碼率。兩個或更多個誤碼率可以與從存儲器讀取的相應電壓的施加相關(guān)聯(lián)。該方法可以進一步包括可用于校正來自存儲器的讀取誤差的識別誤差校正水平。該方法可以進一步包括選擇從存儲器讀取的電壓。電壓可以基于所估計的兩個或更多個誤碼率和所識別的誤差校正水平而被選擇。
[0006]在一個示例中，大致描述了一種計算機可讀存儲介質(zhì)。該計算機可讀存儲介質(zhì)可以包括存儲在其上的一個或多個控制器可執(zhí)行指令。響應于控制器的執(zhí)行，一個或多個控制器可執(zhí)行指令可以使控制器適于執(zhí)行以下步驟或使以下步驟被執(zhí)行:估計兩個或更多個誤碼率。所述兩個或更多個誤碼率可以與從存儲器讀取的相應電壓的施加相關(guān)聯(lián)。響應于控制器的執(zhí)行，所述一個或多個控制器可執(zhí)行指令可以使控制器適于執(zhí)行以下步驟或使以下步驟被執(zhí)行:識別可用于校正來自存儲器的讀取誤差的誤差校正水平。響應于控制器的執(zhí)行，所述一個或多個控制器可執(zhí)行指令可以使控制器適于執(zhí)行以下步驟或使以下步驟被執(zhí)行:選擇從存儲器讀取的電壓。所述電壓可以基于所述兩個或更多個誤碼率和所述誤差校正水平而被選擇。
[0007]前面的概述僅僅是示例性的，而不意在以任何方式進行限制。通過參考附圖以及下面的詳細說明，除了上文所描述的示例性的方案、實施例和特征之外，另外的方案、實施例和特征將變得清晰可見。
【附圖說明】
[0008]通過下面結(jié)合附圖給出的詳細說明和隨附的權(quán)利要求，本公開的前述特征以及其它特征將變得更加清晰。應理解的是，這些附圖僅描繪了依照本公開的多個實施例，因此，不應視為對本發(fā)明范圍的限制，將通過利用附圖結(jié)合附加的具體描述和細節(jié)對本公開進行說明。
[0009]圖1示出了能夠用于實施閃存中功率消耗的減少的示例系統(tǒng)；
[0010]圖2描述了圖1的示例系統(tǒng)，示出了關(guān)于誤碼率估計器的其他細節(jié)；
[0011 ]圖3描述了圖1的示例系統(tǒng)，示出了關(guān)于數(shù)據(jù)傳輸?shù)氖纠?br>[0012]圖4描述了圖1的示例系統(tǒng)，示出了關(guān)于數(shù)據(jù)傳輸和檢測的示例；
[0013]圖5描述了實施閃存中功率消耗的減少的示例方法的流程圖；
[0014]圖6示出了能夠用于實施閃存中功率消耗的減少的示例計算機程序產(chǎn)品；
[0015]圖7是示出了被設置用以實施閃存中功率消耗的減少的示例計算設備的框圖，以上附圖均根據(jù)本文中所描述的至少一些實施例被布置。
【具體實施方式】
[0016]在下面的詳細說明中，將參考附圖，附圖構(gòu)成了詳細說明的一部分。在附圖中，除非上下文指出，否則相同的符號通常表示相同的部件。在詳細說明、附圖和權(quán)利要求中所描述的示例性實施例不意在限制?？梢允褂闷渌鼘嵤├?，并且可以做出其它改變，而不偏離本文呈現(xiàn)的主題的精神或范圍。將易于理解的是，如本文大致描述且如圖中所圖示的，本公開的方案能夠以各種不同配置來布置、替代、組合、分離和設計，所有這些都在本文中明確地構(gòu)思出。
[0017]本公開一般地尤其涉及與閃存中功率消耗的減少相關(guān)的方法、裝置、系統(tǒng)、設備和計算機程序產(chǎn)品。
[0018]簡言之，本文描述的技術(shù)大致為用于減少閃存中功率消耗的系統(tǒng)、設備和方法。在一些示例中，誤碼率估計器模塊可以估計兩個或更多個誤碼率。兩個或更多個誤碼率可以與從存儲器讀取的相應電壓的施加相關(guān)聯(lián)。電壓設置模塊可以被配置為與誤碼率估計器模塊通信。電壓設置模塊可以被配置為選擇從存儲器讀取的電壓。所述電壓可以基于兩個或更多個誤碼率以及基于誤差校正水平而被選擇。所述誤差校正水平可以是可用來校正來自存儲器的讀取誤差的容差水平。
[0019]圖1示出了根據(jù)本文描述的至少一些實施例的能夠用于實施閃存中功率消耗的減少的示例系統(tǒng)。示例存儲設備100可以包括存儲器控制器102。存儲設備100可以包括一個或多個芯片。存儲器控制器102可以是專用芯片或者可以被集成至另一芯片，例如微處理器。存儲器控制器102可以控制一個或多個閃存芯片120、122的讀數(shù)。讀數(shù)可以包括存儲在閃存芯片120、122中一個位置處一個或多個位兀的檢測和/或傳輸。
[0020]存儲器控制器102可以包括誤碼率估計器模塊106。誤碼率可以是經(jīng)歷檢測誤碼或者傳輸誤碼的概率。誤碼率估計器模塊106可以估計關(guān)于與所施加的不同閃存核供應電壓("VCC")相關(guān)聯(lián)的閃存檢測操作的誤碼率。另外，誤碼率估計器模塊106可以通過不同的輸入/輸出供應電壓(〃VCCQ〃)估計數(shù)據(jù)從閃存芯片120、122轉(zhuǎn)移至存儲器控制器102的傳輸誤碼率。
[0021]存儲器控制器102可以包括電壓設置模塊104。電壓設置模塊104可以被配置為選擇電壓Vcc和/或Vccq以減少存儲設備100的功率消耗。電壓設置模塊104可以向電壓調(diào)節(jié)器114發(fā)送輸出/信號。電壓調(diào)節(jié)器114可以被配置為控制不同電壓對一個或多個閃存芯片120、122的施加。雖然描述了兩個閃存芯片(120和122)，但可以使用任意數(shù)量的閃存芯片。閃存芯片120、122可以是NAND閃存或者NOR閃存和/或其他類型的閃存。閃存芯片120、122可以是可擦除且可再編程的。閃存芯片120、122可以經(jīng)由鏈路128而與存儲器控制器102通信。鏈路128可以是例如總線。
[0022]存儲器控制器102可以包括閃存狀態(tài)監(jiān)控器108。閃存狀態(tài)監(jiān)控器108可以被配置為確定閃存芯片120、122的降級水平。例如，閃存狀態(tài)監(jiān)控器108可以通過確定由閃存芯片120執(zhí)行的程序和/或擦除周期的數(shù)量來確定閃存芯片120的降級水平。隨著閃存降級，閃存可能對檢測誤碼和/或傳輸誤碼更敏感。
[0023]為了校正檢測和/或傳輸誤碼，存儲器控制器102可以包括誤差校正代碼模塊110。檢測誤碼可以包括檢測來自閃存芯片120、122的數(shù)據(jù)中的誤差。傳輸誤碼可以包括在鏈路128上將數(shù)據(jù)從閃存芯片120、122傳輸至存儲器控制器102中的誤差。誤差校正代碼模塊110可以被配置為校正存儲設備100內(nèi)的檢測或傳輸誤差。誤差校正代碼模塊110可以通過例如將冗余數(shù)據(jù)(或“同位(parity)”數(shù)據(jù))添加至位串來校正誤差。添加冗余數(shù)據(jù)可以容許位元被恢復，即使在位元檢測和/或傳輸期間引入了多個誤差時。存儲設備100的各種模塊和其他組件可以被可操作地彼此耦合，例如經(jīng)由鏈路128和/或?qū)蓚€或更多個組件耦合在一起的其他結(jié)構(gòu)。
[0024]圖2示出了圖1的示例系統(tǒng)，其中示出了根據(jù)本文描述的至少一些實施例設置的關(guān)于誤碼率估計器(例如誤碼率估計器模塊106)的其他細節(jié)。為了清楚和簡潔的目的，圖2中那些與圖1中的組件標記相同的組件將不再描述。
[0025]在一個示例中，存儲器控制器102可以生成能夠用于選擇電壓的電壓和誤碼率的表格。例如，存儲器控制器102可以接收檢測存儲在閃存芯片120中的數(shù)據(jù)的請求。檢測數(shù)據(jù)的請求可以是例如施加電壓Vcc以獲取存儲在閃存芯片120的門中的數(shù)據(jù)。所檢測的數(shù)據(jù)可以之后從相應的芯片被傳輸至存儲器控制器102。
[0026]為了檢測存儲的數(shù)據(jù)，存儲器控制器102可以調(diào)用一個或多個閃存轉(zhuǎn)換層功能，以確定可以存儲所請求的數(shù)據(jù)的物理存儲頁位置。在這個示例中，物理存儲頁可以是頁230，在閃存芯片120上一位置處。閃存狀態(tài)監(jiān)控器108可以具有閃存芯片120的頁230的降級水平的誤碼率估計器模塊106。降級水平可以通過例如使用程序/擦除周期信息和/或最后檢測頁230的誤碼統(tǒng)計記錄來確定。程序/擦除周期信息可以包括閃存的特定頁已經(jīng)被寫、擦除和之后再寫的次數(shù)?；谒峁┑捻?30的降級水平，誤碼率估計器模塊106可以生成檢測誤差估計表格224。檢測誤差估計表格225可以是例如存儲在誤碼率估計器模塊106中或者另一存儲器中的數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)。
[0027]檢測誤差估計表格224可以包括關(guān)于針對施加不同可能Vcc值的閃存芯片120、122中的頁中數(shù)據(jù)檢測的檢測誤碼率的估計量。例如，針對檢測誤差估計表格224的第一行，在1.8V的Va值處，頁230可以被估計為具有1x10—6的檢測誤差率。在針