Rom單元及其讀取方法和裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種ROM單元及其讀取方法和裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]只讀存儲(chǔ)器(Read-Only Memory, ROM),是一種只能讀出事先所存數(shù)據(jù)的固態(tài)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器。其特性是一旦儲(chǔ)存資料就無(wú)法再將之改變或刪除，通常用在不需經(jīng)常變更資料的電子或電腦系統(tǒng)中，并且資料不會(huì)因?yàn)殡娫搓P(guān)閉而丟失ROM所存數(shù)據(jù)，一般是裝入整機(jī)前事先寫(xiě)好的，整機(jī)工作過(guò)程中只能讀出，而不像隨機(jī)存儲(chǔ)器那樣能快速地、方便地加以改寫(xiě)。ROM所存數(shù)據(jù)穩(wěn)定，斷電后所存數(shù)據(jù)也不會(huì)改變；其結(jié)構(gòu)較簡(jiǎn)單，讀出較方便，因而常用于存儲(chǔ)各種固定程序和數(shù)據(jù)。
[0003]現(xiàn)有技術(shù)中，ROM單元由于只能共用源端，存在著存儲(chǔ)密度低的問(wèn)題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明實(shí)施例解決的是如何提高ROM單元的存儲(chǔ)密度的問(wèn)題。
[0005]為解決上述問(wèn)題，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種ROM單元,所述ROM單元包括:
[0006]至少兩個(gè)只讀存儲(chǔ)單元組，所述只讀存儲(chǔ)單元組包括第一晶體管、第二晶體管，所述第一晶體管和第二晶體管的柵端分別與第一字線和第二字線連接，所述第一晶體管和第二晶體管共用同一源端和同一漏端，且所述漏端適于根據(jù)所述只讀存儲(chǔ)單元組中存儲(chǔ)的信息，空置或分別與第一位線、所述第二位線或者第三位線連接。
[0007]可選地，所述漏端適于根據(jù)所述只讀存儲(chǔ)單元中存儲(chǔ)的信息，空置或分別與所述第一位線、所述第二位線或者第三位線連接，包括:
[0008]所述漏端適于在所述只讀存儲(chǔ)單元組中存儲(chǔ)的信息為00時(shí)，與所述第二位線連接；
[0009]所述漏端適于在所述只讀存儲(chǔ)單元組中存儲(chǔ)的信息為01時(shí)，與所述第一位線連接；
[0010]所述漏端適于在所述只讀存儲(chǔ)單元組中存儲(chǔ)的信息為10時(shí)，與所述第三位線連接；
[0011]所述漏端適于在所述只讀存儲(chǔ)單元組中存儲(chǔ)的信息為11時(shí)，空置。
[0012]可選地，所述第一晶體管、第二晶體管均為金氧半場(chǎng)效晶體管。
[0013]本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種ROM單元的讀取方法，所述方法包括:
[0014]當(dāng)讀取只讀存儲(chǔ)單元組中第一晶體管中存儲(chǔ)的信息時(shí)，同時(shí)讀取所述第一位線和第二位線的信息；當(dāng)所述第一位線與所述第二位線均為高電平狀態(tài)時(shí)，所讀取的所述第一晶體管中存儲(chǔ)的信息為I;當(dāng)所述第一位線與所述第二位線中至少有一條位線為低電平狀態(tài)時(shí)，所讀取的所述第一晶體管中存儲(chǔ)的信息為O ;
[0015]當(dāng)讀取只讀存儲(chǔ)單元組中第二晶體管中存儲(chǔ)的信息時(shí)，同時(shí)讀取所述第二位線和第三位線的信息；當(dāng)所述第二位線與所述第三位線均為高電平狀態(tài)時(shí)，所讀取的所述第二晶體管中存儲(chǔ)的信息為I;當(dāng)所述第二位線與所述第三位線中至少有一條位線為低電平時(shí)，所讀取的所述第二晶體管中存儲(chǔ)的信息為O。
[0016]本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種ROM單元的讀取裝置，所述裝置包括:
[0017]第一讀取單元，適于當(dāng)讀取只讀存儲(chǔ)單元組中第一晶體管中存儲(chǔ)的信息時(shí)，同時(shí)讀取所述第一位線和第二位線的信息；當(dāng)所述第一位線與所述第二位線均為高電平狀態(tài)時(shí)，所述第一晶體管中存儲(chǔ)的信息為I;當(dāng)所述第一位線與所述第二位線中至少有一條位線為低電平狀態(tài)時(shí)，所述第一晶體管中存儲(chǔ)的信息為O ;
[0018]第二讀取單元，適于當(dāng)讀取只讀存儲(chǔ)單元組中第二晶體管中存儲(chǔ)的信息時(shí)，同時(shí)讀取所述第二位線和第三位線的信息；當(dāng)所述第二位線與所述第三位線均為高電平狀態(tài)時(shí)，所讀取的所述第二晶體管中存儲(chǔ)的信息為I;當(dāng)所述第二位線與所述第三位線中至少有一條位線為低電平時(shí)，所讀取的所述第二晶體管中存儲(chǔ)的信息為O。
[0019]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的技術(shù)方案具有以下的優(yōu)點(diǎn):
[0020]通過(guò)為ROM單元設(shè)置三條位線，使得只讀存儲(chǔ)單元組中第一晶體管和第二晶體管可以在共用同一源端和漏端的情況下，通過(guò)將所述漏端與不同的位線連接，以實(shí)現(xiàn)第一晶體管和第二晶體管中存儲(chǔ)的信息的相互獨(dú)立，因此，可以減小所述ROM單元的縱向尺寸，提高ROM單元的存儲(chǔ)密度。
【附圖說(shuō)明】
[0021]圖1是現(xiàn)有技術(shù)中的一種ROM單元的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0022]圖2是現(xiàn)有技術(shù)中的另一種ROM單元的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0023]圖3是本發(fā)明實(shí)施例中的一種ROM單元的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0024]圖4是本發(fā)明實(shí)施例中的一種ROM單元中只讀存儲(chǔ)單元組之間共用漏端的示意圖；
[0025]圖5是本發(fā)明實(shí)施例中的一種ROM單元的結(jié)構(gòu)印制版圖；
[0026]圖6是本發(fā)明實(shí)施例中的一種ROM單元的讀取方法的流程圖；
[0027]圖7是本發(fā)明實(shí)施例中的一種ROM單元的讀取裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0028]請(qǐng)參見(jiàn)圖1和圖2所示，現(xiàn)有技術(shù)中ROM單元可以包括:第一晶體管11和第二晶體管12，其中，第一晶體管11和第二晶體管12之間采用背靠背的連接方式，第一晶體管11和第二晶體管12通過(guò)同一源端與地線(VSS)連接。這種共用源端的晶體管連接方式，可以減少ROM單元所占用的存儲(chǔ)面積。
[0029]為了實(shí)現(xiàn)第一晶體管11和第二晶體管12之間共用同一源端，現(xiàn)有技術(shù)中，第一晶體管11與第二晶體管12之間結(jié)構(gòu)關(guān)系主要有如下兩種方式:
[0030]一種方式是將所述第一晶體管11和第二晶體管12的有源區(qū)斷開(kāi)，形成隔離區(qū)。
[0031]另一種方式是將所述第一晶體管11和第二晶體管12的有源區(qū)連接在一起，并同時(shí)在有源區(qū)上增加一層與VSS連接的多晶硅，以形成一關(guān)斷狀態(tài)的第三晶體管13。由于所述第三晶體管13為關(guān)斷狀態(tài)，可以在第一晶體管11和第二晶體管12之間形成隔離區(qū)，使得第一晶體管11與第二晶體管12中存儲(chǔ)的信息之間互不影響。
[0032]雖然第一晶體管11與第二晶體管12之間共用同一源端，可以在一定程度上節(jié)省ROM單元所占用的面積，但是，由于所述第三晶體管的存在，且第三晶體管中并未存儲(chǔ)有任何的信息，因此，現(xiàn)有技術(shù)中的ROM單元仍然存在著存儲(chǔ)密度低的問(wèn)題。
[0033]為解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的上述問(wèn)題，本發(fā)明實(shí)施例采用的技術(shù)方案通過(guò)為ROM單元設(shè)置三條位線，可以減小所述ROM單元的縱向尺寸，提高ROM單元的存儲(chǔ)密度。
[0034]為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更為明顯易懂，下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施例做詳細(xì)的說(shuō)明。
[0035]圖3示出了本發(fā)明實(shí)施例中的一種ROM單元的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖3所示的ROM單元，至少可以包括:
[0036]只讀存儲(chǔ)單元組301和只讀存儲(chǔ)單元組302，所述只讀存儲(chǔ)單元組301和只讀存儲(chǔ)單元組302具有相同的結(jié)構(gòu)，可以分別包括第一晶體管、第二晶體管。其中，第一晶體管和第二晶體管的柵端分別與第一字線WLl和第二字線WL2連接，所述第一晶體管和第二晶體管共用同一源端和同一漏端，且所述漏端適于根據(jù)所述只讀存儲(chǔ)單元組301中存儲(chǔ)的信息，空置或分別與第一位線BL1、所述第二位線BL2或者第三位線BL3連接。
[0037]在具體實(shí)施中，所述漏端根據(jù)所述只讀存儲(chǔ)單元中存儲(chǔ)的信息，空置或第一位線BLl、所述第二位線BL2或者第三位線BL3，可以包括:
[0038]當(dāng)所述只讀存儲(chǔ)單元組中存儲(chǔ)的信息為00時(shí)，也即第一字線WLl編程為0，第二字線WL2編程為O時(shí)，所述漏端可以通過(guò)編程孔與所述第二位線BL2連接。
[0039]當(dāng)所述只讀存儲(chǔ)單元組中存儲(chǔ)的信息為01時(shí)，也即第一字線WLl編程為0，第二字線WL2編程為I時(shí)，所述漏端可以通過(guò)編程孔與所述第一位線BLl連接。