導(dǎo)通元件，或從存儲(chǔ)器元件222讀取信息或?qū)⑿畔⒕幊?例如，寫入)到所述存儲(chǔ)器元件中。
[0029]將信息編程到存儲(chǔ)器元件222中可包含致使存儲(chǔ)器元件222具有特定電阻狀態(tài)。因此，從存儲(chǔ)器單元200讀取信息可包含例如響應(yīng)于施加到存儲(chǔ)器單元200的存取組件211的特定電壓而確定存儲(chǔ)器元件222的電阻狀態(tài)。確定電阻的行為可涉及感測(cè)流動(dòng)通過存儲(chǔ)器單元200的電流(或電流的存在)(例如，通過感測(cè)電耦合到存儲(chǔ)器單元的數(shù)據(jù)線的電流)?；陔娏鳒y(cè)量值(在一些實(shí)例中，包含是否完全檢測(cè)到電流)，可確定存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器中的信息的對(duì)應(yīng)值?？梢云渌绞?例如通過感測(cè)電耦合到存儲(chǔ)器單元的數(shù)據(jù)線上的電壓)確定存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器單元200中的信息的值。
[0030]圖1及圖2的存儲(chǔ)器單元100、200中的各者或全部可包含具有與下文所描述的存儲(chǔ)器單元及裝置中的一或多者相似或相同的結(jié)構(gòu)的存儲(chǔ)器單元。
[0031]現(xiàn)參考圖3，其展示存儲(chǔ)器陣列300的一部分的示意性電路圖330及相關(guān)聯(lián)框圖350。與使用常規(guī)電壓感測(cè)技術(shù)來讀取存儲(chǔ)器單元的同時(shí)期存儲(chǔ)器裝置相比，存儲(chǔ)器陣列300可在讀取操作期間使用電流感測(cè)技術(shù)。此外，大多數(shù)同時(shí)期存儲(chǔ)器裝置具有交替耦合到奇數(shù)串及偶數(shù)串以減少歸因于其使用電壓感測(cè)技術(shù)所致的相鄰存儲(chǔ)器串之間的串?dāng)_及電容耦合效應(yīng)的感測(cè)放大器。本文中所描述的電流感測(cè)技術(shù)允許存儲(chǔ)器的串中的每一者耦合到單獨(dú)的感測(cè)電路。因此，電流感測(cè)技術(shù)實(shí)現(xiàn)所有存儲(chǔ)器串的同時(shí)并行讀取，借此增加讀取帶寬。
[0032]存儲(chǔ)器陣列300可對(duì)應(yīng)于圖1的存儲(chǔ)器裝置101的一部分。例如，存儲(chǔ)器陣列300可形成圖1的存儲(chǔ)器陣列102的一部分。存儲(chǔ)器陣列300還可包含與圖1的存儲(chǔ)器控制單元118相似或相同的用于控制存儲(chǔ)器陣列300的存儲(chǔ)器操作(例如，讀取操作、寫入操作及擦除操作)的控制單元。
[0033]如圖3中所展示，存儲(chǔ)器陣列300可包含耦合到第一供應(yīng)節(jié)點(diǎn)(例如，Vdd)以將電力供應(yīng)到上電流源307的導(dǎo)電電壓線301。左側(cè)數(shù)據(jù)線303 (用于載送信號(hào)BL(k))及右側(cè)數(shù)據(jù)線305(用于載送信號(hào)BL(k+l))可各自耦合到對(duì)應(yīng)的上電流源307以將電流提供到上串310存儲(chǔ)器單元311。雖然圖3中展示僅兩個(gè)NAND串，但可使用三個(gè)或三個(gè)以上NAND串。此外，本文中所揭示的標(biāo)的物并不限于NAND存儲(chǔ)器，而是可替代地或額外地包含例如相變存儲(chǔ)器(PCM)、電阻式RAM(RRAM)、導(dǎo)電橋接RAM(CBRAM)及其它存儲(chǔ)器類型的存儲(chǔ)器。
[0034]S⑶選擇晶體管309可使其對(duì)應(yīng)的柵極彼此耦合，且可通過存儲(chǔ)器陣列300的上SGD選擇線335(例如漏極選擇線)上的信號(hào)SGD_U(例如，漏極選擇柵極信號(hào))控制(導(dǎo)通或切斷)。在存儲(chǔ)器陣列300的存儲(chǔ)器操作(例如，讀取操作或?qū)懭氩僮?期間，信號(hào)SGD_U可控制是否將電流從上電流源307提供到上串310(通過數(shù)據(jù)線303、305中的對(duì)應(yīng)的一者)。
[0035]上串310可包含可耦合到左側(cè)數(shù)據(jù)線303及右側(cè)數(shù)據(jù)線305中的對(duì)應(yīng)的一者(通過選擇晶體管309中的對(duì)應(yīng)的一者)的諸多存儲(chǔ)器單元311。此外，存儲(chǔ)器單元311中的每一者耦合到諸多存取線337中的對(duì)應(yīng)的一者。存取線337可各自載送信號(hào)WL0、WL1、WL2及WL3中的一者，如圖3中所指示。將僅四個(gè)存儲(chǔ)器單元311描繪為在上串310中的每一者中；然而，在上串310中的每一者中可使用更大或更小數(shù)目的存儲(chǔ)器單元311。
[0036]如圖所展示，通過耦合到上SGS選擇晶體管313的上SGS選擇線317的操作，可將共同(例如，源極)節(jié)點(diǎn)319耦合到上串310。上SGS選擇晶體管313可使其對(duì)應(yīng)的柵極彼此耦合，且可通過存儲(chǔ)器陣列300的上SGS選擇線317 (例如，源極選擇線)上的信號(hào)SGS_U(例如，源極選擇柵極信號(hào))控制(例如，導(dǎo)通或切斷)。
[0037]繼續(xù)參考圖3，其左側(cè)數(shù)據(jù)線327及右側(cè)數(shù)據(jù)線329各自展示為可耦合到下串320存儲(chǔ)器單元323的。下串320包含可耦合到左側(cè)數(shù)據(jù)線327及右側(cè)數(shù)據(jù)線329中的對(duì)應(yīng)的一者的諸多存儲(chǔ)器單元323。此外，存儲(chǔ)器單元323中的每一者耦合到諸多存取線339中的對(duì)應(yīng)的一者。存取線339可各自載送信號(hào)WL0、WL1、WL2及WL3中的一者，如圖3中進(jìn)一步所指示。左側(cè)數(shù)據(jù)線327 (用于載送信號(hào)BL(η))及右側(cè)數(shù)據(jù)線329 (用于載送信號(hào)BL(η+1))可各自耦合到對(duì)應(yīng)的單獨(dú)的下電流源331以將電流提供到下串320存儲(chǔ)器單元323。
[0038]下電流源331可耦合到導(dǎo)電線333，所述導(dǎo)電線轉(zhuǎn)而可耦合到第二供應(yīng)節(jié)點(diǎn)(例如，Vss)。S⑶選擇晶體管325可使其對(duì)應(yīng)的柵極彼此耦合，且可通過存儲(chǔ)器陣列300的下SGD選擇線341 (例如，漏極選擇線)上的第二信號(hào)SGD_L(例如，漏極選擇柵極信號(hào))控制(例如，導(dǎo)通或切斷)。在存儲(chǔ)器陣列300的存儲(chǔ)器操作(例如，讀取操作或?qū)懭氩僮?期間，信號(hào)控制是否將電流從下電流源331提供到串320 (例如，通過數(shù)據(jù)線327、329中的對(duì)應(yīng)的一者)。下文參考圖4更詳細(xì)地描述存儲(chǔ)器操作，包含讀取操作。
[0039]正如上串310 —樣，下串320也被描繪為具有可耦合到數(shù)據(jù)線327、329中的對(duì)應(yīng)的一者的僅四個(gè)存儲(chǔ)器單元323 ;然而，在下串320中可使用更大或更小數(shù)目的存儲(chǔ)器單元323。此外，下串320中的存儲(chǔ)器單元323的數(shù)目可不同于上串310中的存儲(chǔ)器單元311的數(shù)目。
[0040]如圖3中所展示，通過耦合到下SGS選擇晶體管315的下SGS選擇線321的操作，可將共同(例如，源極)節(jié)點(diǎn)319耦合到下串320。下SGS選擇晶體管315可使其對(duì)應(yīng)的柵極彼此耦合，且可通過存儲(chǔ)器陣列300的下SGS選擇線321 (例如，源極選擇線)上的信號(hào)SGS_L(例如，源極選擇柵極信號(hào))控制(例如，導(dǎo)通或切斷)。
[0041]可在存儲(chǔ)器陣列300上激活上SGS選擇晶體管313及下SGS選擇晶體管315的任一者或兩者。因此，如由圖3所指示，上串310及下串320可在被激活時(shí)通過共同節(jié)點(diǎn)319(例如，導(dǎo)電線或其它導(dǎo)電結(jié)構(gòu))串聯(lián)耦合到彼此。共同節(jié)點(diǎn)319可包括例如共同源極(例如，源極線、源極槽或源極擴(kuò)散區(qū)域)。如下文參考圖5A及圖5B更詳細(xì)論述，數(shù)據(jù)線303、305、327、329中的每一者耦合到單獨(dú)的感測(cè)電路。因此，可同時(shí)對(duì)左側(cè)串及右側(cè)串兩者上的存儲(chǔ)器單元311、323進(jìn)行操作(例如，從其進(jìn)行讀取)。
[0042]在實(shí)施例中，單獨(dú)的串可堆疊成三維存儲(chǔ)器裝置。此外，物理存儲(chǔ)器陣列內(nèi)的互連布線可用于將所述陣列的相似部分耦合在一起。例如，耦合到上串310的存取線337中的每一者可通過互連布線耦合到耦合至下串320的存取線339中的對(duì)應(yīng)的一者。通過電耦合對(duì)應(yīng)存取線337、339，可實(shí)質(zhì)上同時(shí)將偏置電壓信號(hào)(例如，WL3)放置在所述存取線的適當(dāng)者中的每一者上。
[0043]如本文中所使用，例如參考圖3，術(shù)語“上”及“下”、“右”及“左”、“第一”、“第二”、
“第三”及“第四”僅用于協(xié)助所屬領(lǐng)域的一般技術(shù)人員參照所述圖式理解標(biāo)的物。因此，術(shù)語“上”及“下”未必與實(shí)際電路中的任何特定物理放置相關(guān)。例如，在一些實(shí)施例中，每一存儲(chǔ)器組件310、320中的存儲(chǔ)器單元311、323可在物理上位于存儲(chǔ)器陣列300的多層級(jí)中，使得存儲(chǔ)器單元311、323在存儲(chǔ)器陣列300的多層級(jí)中可堆疊在彼此之上。在一些實(shí)施例中，上串310的存儲(chǔ)器單元311可在物理上位于第一數(shù)目的層級(jí)中(例如，層級(jí)4到7)，且下串320的存儲(chǔ)器單元323可在物理上位于第二數(shù)目的層級(jí)中(例如，層級(jí)O到3)。
[0044]現(xiàn)參考圖4，其展示圖3的示意性電路圖330，其中指示在存儲(chǔ)器陣列300的讀取操作期間的電流。已省略圖3的元件符號(hào)中的各者以免使在所述讀取操作期間的電流的概念化不清楚。
[0045]圖4將第一存儲(chǔ)器單元串401及第二存儲(chǔ)器單元串403展示為上串310且將第三存儲(chǔ)器單元串405及第四存儲(chǔ)器單元串407展示為下串320。同時(shí)參考圖3及圖4，第一存儲(chǔ)器單元串401包括可耦合到左側(cè)數(shù)據(jù)線303的存儲(chǔ)器單元311，且第二存儲(chǔ)器單元串403包括可耦合到右側(cè)數(shù)據(jù)線305的存儲(chǔ)器單元311 ;其中兩個(gè)串401、403定位成實(shí)質(zhì)上平行于且相鄰于彼此。第三存儲(chǔ)器單元串405包括可耦合到左側(cè)數(shù)據(jù)線327的存儲(chǔ)器單元323，且第四存儲(chǔ)器單元串407包括可耦合到右側(cè)數(shù)據(jù)線329的存儲(chǔ)器單元323，兩個(gè)串405、407定位成實(shí)質(zhì)上平行于且相鄰于彼此。
[0046]在讀取操作期間，可耦合到左側(cè)數(shù)據(jù)線303、327的兩個(gè)串401、405可同時(shí)導(dǎo)電，及/或可耦合到右側(cè)數(shù)據(jù)線307、329的兩個(gè)串403、407可同時(shí)導(dǎo)電。為了便于理解對(duì)以下讀取操作的描述，可假設(shè)將讀取在可耦合到左側(cè)數(shù)據(jù)線303、327中的對(duì)應(yīng)的一者的第一存儲(chǔ)器單元串401及第三存儲(chǔ)器單元串405兩者中的存儲(chǔ)器單元311、323中的一或多者。應(yīng)注意，相似或相同操作還可應(yīng)用到在可耦合到右側(cè)數(shù)據(jù)線305、329中的對(duì)應(yīng)的一者的第二存儲(chǔ)器單元串403及第四存儲(chǔ)器單元串407兩者中的存儲(chǔ)器單元311、323中的一或多者。
[0047]因此，為了開始串401、405中的存儲(chǔ)器單元的讀取操作，激活(例如，導(dǎo)通)選擇晶體管309、313、315、325且提供通過第一存儲(chǔ)器單元串401及第三存儲(chǔ)器單元串405的讀取電流I_LOAD。對(duì)于串401、405中待讀取的每一存儲(chǔ)器單元311、323，信號(hào)WLO、WL1、WL2及WL3中的一或多者被確證在存取線337、339中的相應(yīng)者上。
[0048]繼續(xù)參考圖4，在讀取操作期間，電流Icewuppek流動(dòng)通過第一存儲(chǔ)器單元串401，且電流I?AUQWEK流動(dòng)通過第三存儲(chǔ)器單元串405。如下文更詳細(xì)描述，在所述讀取操作期間，第三存儲(chǔ)器單元串405將接收在第一存儲(chǔ)器單元