專利名稱：存取區(qū)域紋理存儲介質(zhì)的懸浮式磁頭和具有該磁頭的磁盤設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種用于存取區(qū)域紋理存儲介質(zhì)的懸浮式磁頭和一種具有懸浮式磁頭的磁盤設(shè)備，該磁頭從區(qū)域紋理(zone-texture)存儲介質(zhì)讀取數(shù)據(jù)和/或向其寫入數(shù)據(jù)，其中，存儲介質(zhì)有一數(shù)據(jù)區(qū)和一接觸起停(CSS)區(qū)，同時，將CSS區(qū)的給定懸浮高度設(shè)置成大于數(shù)據(jù)區(qū)的給定懸浮高度。
由現(xiàn)代多媒體系統(tǒng)的軟件處理的信息量已經(jīng)大大地增加。為了跟上這一趨勢，需要有一種磁盤驅(qū)動器，它要求尺寸小并能向像磁盤這樣的記錄介質(zhì)記錄或復(fù)制較大量的信息。
為了滿足上述要求，需要加大被磁盤驅(qū)動器的懸浮式磁頭存取的存貯介質(zhì)的記錄容量。用于加大存儲介質(zhì)的記錄容量的可行方法為在從磁盤上讀取數(shù)據(jù)或向其寫入數(shù)據(jù)時，減少從磁盤表面至懸浮的磁頭之間的距離。但是，如果磁盤表面和磁頭之間的距離過小，則在用磁頭讀取或?qū)懭霐?shù)據(jù)時，磁頭很可能與磁盤接觸。如果磁頭撞擊磁盤，則磁頭可能被損壞，或是可能在磁盤表面上產(chǎn)生裂紋。為了避免磁頭撞擊的問題，必須把存儲介質(zhì)的表面做得盡可能光滑。
但是，如果把磁盤表面做得太光滑，則在從磁盤讀取數(shù)據(jù)或向其寫入數(shù)據(jù)時，磁頭更易于與存儲介質(zhì)接觸或附著于其上。對于懸浮式磁頭，希望即使在將磁盤表面做得光滑時也可解決磁頭撞擊的問題。
就用傳統(tǒng)的懸浮式磁頭進(jìn)行存取的傳統(tǒng)磁盤而言，磁頭離開磁盤表面的懸浮高度要設(shè)定成相對于整個磁盤從最里面的區(qū)域到最外面的區(qū)域都是恒定的。
為了滿足加大磁盤的記錄容量的最新要求，要求把磁盤表面做得盡可能光滑，同時減少磁頭對磁盤的懸浮高度。但是，如果將磁盤表面做得過于光滑，則在從磁盤讀取數(shù)據(jù)或向其寫入數(shù)據(jù)時，磁頭非常容易與磁盤接觸或附著于其上。
另一方面，磁盤通常有一個數(shù)據(jù)區(qū)和一個接觸起停區(qū)(以后均稱之為CSS區(qū))。數(shù)據(jù)區(qū)是為了懸浮式磁頭從磁盤上讀取數(shù)據(jù)或向其寫入數(shù)據(jù)而設(shè)置的。CSS區(qū)是為了當(dāng)磁頭不相對于磁盤進(jìn)行數(shù)據(jù)的讀取或?qū)懭霑r使懸浮式磁頭位于該處而設(shè)置的。
為了避免即使磁盤表面做得光滑時磁頭與磁盤接觸的問題，提出了一種區(qū)域紋理磁盤，其中，將CSS區(qū)的表面做得比數(shù)據(jù)區(qū)的表面粗糙，并將CSS區(qū)的磁頭的給定懸浮高度加大至高于傳統(tǒng)磁盤的給定懸浮高度。
圖24示出了上述區(qū)域紋理磁盤1。區(qū)域紋理磁盤1是為加大的記錄容量而提出的磁盤。如圖24所示，磁盤1在磁盤1靠里面的地方有一接觸起停(CSS)區(qū)2，并在磁盤1靠外面的地方有一數(shù)據(jù)區(qū)3，CSS區(qū)2被數(shù)據(jù)區(qū)3包圍。在CSS區(qū)2的表面上形成細(xì)小的紋理，同時CSS區(qū)2的表面粗糙度要使得磁頭在CSS區(qū)2中很難與磁盤1接觸或附著于其上。數(shù)據(jù)區(qū)3的表面做得比較平坦與光滑，而且磁頭易于在數(shù)據(jù)區(qū)3中靠近磁盤1的表面。
在圖24的區(qū)域紋理磁盤1中，當(dāng)不用磁頭進(jìn)行數(shù)據(jù)的讀取或?qū)懭霑r，磁頭位于CSS區(qū)2中。加大CSS區(qū)2的給定懸浮高度，而且位于CSS區(qū)2中的磁頭很難與磁盤1接觸。當(dāng)磁頭位于數(shù)據(jù)區(qū)3中時，通過磁頭用磁盤1進(jìn)行數(shù)據(jù)的讀取或?qū)懭?。?shù)據(jù)區(qū)3的給定懸浮高度小于CSS區(qū)2的給定懸浮高度。位于數(shù)據(jù)區(qū)3中的磁頭非?？拷疟P1的表面，因此，磁頭能用磁盤1以高的輸出水平進(jìn)行數(shù)據(jù)的讀取或?qū)懭搿?br> 圖25示出了傳統(tǒng)的磁盤設(shè)備10，它具有一存取圖24的區(qū)域紋理磁盤的磁頭。
在圖25的磁盤設(shè)備10中，區(qū)域紋理磁盤1由一主軸電機(jī)12可旋轉(zhuǎn)地夾持，該電機(jī)固定在一基座11上。當(dāng)主軸電機(jī)12運行時，由主軸電動機(jī)沿旋轉(zhuǎn)方向轉(zhuǎn)動區(qū)域紋理磁盤1(用圖25中的箭頭“A”示出)。磁頭13固定在臂14的前緣上。臂14在基座11上可旋轉(zhuǎn)地夾持在一支承部分處。音圈電機(jī)15固定在基座11上并布置在臂14的另一端。當(dāng)音圈電機(jī)15工作時，位于臂14的前緣的磁頭13通過音圈電機(jī)15沿磁盤1的徑向(用圖25中的箭頭“B”示出)繞支承部分旋轉(zhuǎn)。
磁頭13由一空氣流從磁盤1的表面浮起，該空氣流通過主軸電機(jī)12的旋轉(zhuǎn)而在磁盤1的表面上產(chǎn)生。磁盤1通過懸浮的磁頭13進(jìn)行存取。
圖26是傳統(tǒng)磁頭20的透視圖。如圖26所示，傳統(tǒng)的磁頭20有在其中形成的空氣支持面(以后稱為ABS)21。ABS21在彼此處于同一水平上的一內(nèi)軌道22和一外軌道23上形成。當(dāng)傳統(tǒng)的磁頭20面對區(qū)域紋理磁盤1時，內(nèi)軌道22的位置靠近CSS區(qū)2并沿磁盤1的旋轉(zhuǎn)方向“A”延伸，而外軌道23的位置則靠近數(shù)據(jù)區(qū)3并沿磁盤1的旋轉(zhuǎn)方向“A”延伸。
傳統(tǒng)的磁頭20包括一間隙24，它用于用磁盤1進(jìn)行數(shù)據(jù)的讀取或?qū)懭?。間隙24在外軌道23的一個端面上形成，而且該外軌道23的端面沿磁盤1的徑向“B”延伸。
應(yīng)當(dāng)指出，在圖26的傳統(tǒng)磁頭20中，ABS21要做成使得內(nèi)軌道22的高度“a”和外軌道23的高度“b”彼此相等(a＝b)。當(dāng)傳統(tǒng)的磁頭20從磁盤1浮起并在其上方滑過時，內(nèi)軌道22和外軌道23被保持于水平的狀況并與磁盤1的表面平行。
另外還有一種與圖24的區(qū)域紋理磁盤1不同的區(qū)域紋理磁盤。此磁盤在磁盤靠外的位置有CSS區(qū)2，而在磁盤靠內(nèi)的位置有數(shù)據(jù)區(qū)3，并且CSS區(qū)2和數(shù)據(jù)區(qū)3的布置與圖24所示磁盤1的相反。
如上所述，在區(qū)域紋理磁盤1中，CSS區(qū)2的給定懸浮高度加大，而數(shù)據(jù)區(qū)3的給定懸浮高度則小于CSS區(qū)2的給定懸浮高度。當(dāng)傳統(tǒng)的磁頭20存取數(shù)據(jù)區(qū)3最里面的區(qū)域(或在CSS區(qū)2與數(shù)據(jù)區(qū)3之間的邊界)時，磁頭可能由于傳統(tǒng)磁頭20與CSS區(qū)2的干涉而傾斜或與磁盤1接觸。這樣，當(dāng)磁盤1的數(shù)據(jù)區(qū)3的最里面的區(qū)域被傳統(tǒng)的磁頭20存取時，就發(fā)生像磁頭撞擊這樣的磁頭20與磁盤1的接觸。
圖27示出了當(dāng)磁頭20存取磁盤1的數(shù)據(jù)區(qū)3最里面的區(qū)域時，傳統(tǒng)的磁頭20的滑動情況。
如圖27所示，在磁盤1中，將CSS區(qū)2的給定懸浮高度加大，而數(shù)據(jù)區(qū)3的給定懸浮高度則小于CSS區(qū)2。要如此地形成傳統(tǒng)的磁頭20以使內(nèi)軌道22的高度“a”與外軌道23的高度“b”彼此相等。傳統(tǒng)磁頭20的內(nèi)軌道22與外軌道23被保持成水平的狀況并與磁盤1的表面平行。如果磁頭20位于在磁盤1的數(shù)據(jù)區(qū)3和CSS區(qū)2之間的邊界上并進(jìn)一步向內(nèi)移動，則磁頭20接觸磁盤1并且磁頭20可能會被損壞。此外，由于磁頭20與CSS區(qū)2之間的干涉，間隙24不能從數(shù)據(jù)區(qū)3最里面的區(qū)域讀取數(shù)據(jù)或向其寫入數(shù)據(jù)。因此，相對于CSS區(qū)2的給定懸浮高度而言，很難將磁盤1的數(shù)據(jù)區(qū)3的給定懸浮高度做得足夠小。在圖27的情況下，難于使傳統(tǒng)的磁頭20以高的輸出水平用磁盤1進(jìn)行數(shù)據(jù)的讀取或?qū)懭?。這就使之難以滿足對磁盤的加大的記錄容量的要求。
本發(fā)明的一個目的為提供一種懸浮式磁頭，它即使在磁頭存取以介質(zhì)中的接觸起停區(qū)為界的數(shù)據(jù)區(qū)的周邊區(qū)域時也能可靠地以高的輸出水平從存儲介質(zhì)讀取數(shù)據(jù)或向其寫入數(shù)據(jù)。
本發(fā)明的另一目的為提供一種具有一懸浮式磁頭的磁盤設(shè)備，該磁頭能可靠地以高的輸出水平從介質(zhì)中以接觸起停區(qū)為界的數(shù)據(jù)區(qū)的周邊區(qū)域讀取數(shù)據(jù)或向其寫入數(shù)據(jù)。
本發(fā)明的上述目的通過一種用于從一存儲介質(zhì)讀取數(shù)據(jù)或向其寫入數(shù)據(jù)的磁頭來實現(xiàn)，該存儲介質(zhì)有一數(shù)據(jù)區(qū)和一接觸起停區(qū)，其中，數(shù)據(jù)區(qū)的磁頭給定懸浮高度小于接觸起停區(qū)的磁頭給定懸浮高度，該磁頭包括一第一空氣支承面和一第二空氣支承面，所述第一空氣支承面設(shè)置在介質(zhì)的接觸起停區(qū)附近并在磁頭面對介質(zhì)時沿介質(zhì)的旋轉(zhuǎn)方向延伸，第一空氣支承面在磁頭從介質(zhì)讀取數(shù)據(jù)或向其寫入數(shù)據(jù)時以第一懸浮高度離開介質(zhì)懸?。凰龅诙諝庵С忻嬖O(shè)置在介質(zhì)的數(shù)據(jù)區(qū)附近并在磁頭面對介質(zhì)時平行于第一空氣支承面延伸而且與之隔開一段距離，第二空氣支承面在磁頭從介質(zhì)讀取數(shù)據(jù)或向其寫入數(shù)據(jù)時以第二懸浮高度離開介質(zhì)懸浮；其中，將第一空氣支承面距離一基準(zhǔn)高度面的高度和第二空氣支承面距離基準(zhǔn)高度面的高度都設(shè)置成使第一懸浮高度比介質(zhì)的接觸起停區(qū)的給定懸浮高度大一個預(yù)定高度，而且第二懸浮高度比介質(zhì)的數(shù)據(jù)區(qū)的給定懸浮高度大一個預(yù)定高度。
本發(fā)明的上述目的可通過一種具有一用于從一存儲介質(zhì)讀取數(shù)據(jù)或向其寫入數(shù)據(jù)的磁頭的磁盤設(shè)備來實現(xiàn)，該存儲介質(zhì)有一數(shù)據(jù)區(qū)和一接觸起停區(qū)，其中，數(shù)據(jù)區(qū)的磁頭給定懸浮高度小于接觸起停區(qū)的磁頭給定懸浮高度，該磁頭包括一第一空氣支承面和一第二空氣支承面，所述第一空氣支承面設(shè)置在介質(zhì)的接觸起停區(qū)附近并且在磁頭面對介質(zhì)時沿介質(zhì)的旋轉(zhuǎn)方向延伸，第一空氣支承面在磁頭從介質(zhì)讀取數(shù)據(jù)或向其寫入數(shù)據(jù)時以第一懸浮高度離開介質(zhì)懸??；所述第二空氣支承面設(shè)置在介質(zhì)的數(shù)據(jù)區(qū)附近并且在磁頭面對介質(zhì)時平行于第一空氣支承面延伸而且與之隔開一段距離，第二空氣支承面在磁頭從介質(zhì)讀取數(shù)據(jù)或向其寫入數(shù)據(jù)時以第二懸浮高度離開介質(zhì)懸??；其中，將第一空氣支承面距離一基準(zhǔn)高度面的高度和第二空氣支承面距離該基準(zhǔn)高度面的高度設(shè)置成使第一懸浮高度比介質(zhì)的接觸起停區(qū)的給定懸浮高度大一個預(yù)定高度，并且第二懸浮高度比介質(zhì)的數(shù)據(jù)區(qū)的給定懸浮高度大一個預(yù)定高度。
本發(fā)明的磁頭有可能避免在磁頭從介質(zhì)的被接觸起停區(qū)界限的數(shù)據(jù)區(qū)的周邊區(qū)域讀取數(shù)據(jù)或向其寫入數(shù)據(jù)時磁頭與存儲介質(zhì)的接觸起停區(qū)接觸的問題。即使當(dāng)磁頭存取存儲介質(zhì)中數(shù)據(jù)區(qū)的周邊區(qū)域時，本發(fā)明的磁頭也能可靠地以高的輸出水平用介質(zhì)進(jìn)行數(shù)據(jù)的讀取或?qū)懭搿４送?，具有本發(fā)明的磁頭的磁盤設(shè)備在提供存儲介質(zhì)的加大的記錄容量方面是有效的。
本發(fā)明的上述及其它目的、特征和優(yōu)點可通過配合附圖閱讀下面的詳細(xì)說明而更為清楚。在附圖中，

圖1是本發(fā)明的懸浮式磁頭的第一實施例的視圖；圖2A和圖2B是表示圖1所示磁頭的兩個模型的各自外形尺寸的圖；圖3A和圖3B是圖1所示磁頭的正視圖與俯視圖；圖4A和圖4B是表示圖1所示磁頭在一區(qū)域紋理存儲介質(zhì)上方滑動時的情況的圖；圖5的圖用于說明圖1所示磁頭在存取介質(zhì)的數(shù)據(jù)區(qū)的最里面的區(qū)域時的滑動情況；圖6是本發(fā)明的懸浮式磁頭的第二實施例的視圖；圖7是本發(fā)明的懸浮式磁頭的第三實施例的視圖；圖8是本發(fā)明的懸浮式磁頭的第四實施例的視圖；圖9是圖8所示磁頭的切去部分的剖視圖10A和圖10B是表示圖8所示磁頭在介質(zhì)上的滑動情況的圖；圖11的圖用于說明圖8所示磁頭在存取介質(zhì)的數(shù)據(jù)區(qū)的最里面的區(qū)域時的滑動情況；圖12的圖示出了一種包括圖1所示懸浮式磁頭的另一實施例的磁盤裝置；圖13是圖12所示磁盤裝置中所包含的區(qū)域紋理存儲介質(zhì)的視圖；圖14是圖12中所示的磁頭的實施例的視圖；圖15A和圖15B是圖14所示磁頭的正視圖和俯視圖；圖16A和圖16B是表示圖14所示磁頭在介質(zhì)上的滑動情況的圖；圖17的圖用于說明圖14所示的磁頭在存取介質(zhì)的數(shù)據(jù)區(qū)的最里面的區(qū)域時的滑動情況；圖18是圖6所示懸浮式磁頭的另一實施例的視圖；圖19是圖7所示懸浮式磁頭的另一實施例的視圖；圖20是圖8所示懸浮式磁頭的另一實施例的視圖；圖21是圖20所示磁頭的切去部分的剖視圖；圖22A和圖22B是表示圖20所示的磁頭在介質(zhì)上的滑動情況的圖；圖23的圖用于說明圖20的磁頭在存取介質(zhì)的數(shù)據(jù)區(qū)的最里面的區(qū)域時的滑動情況；圖24是區(qū)域紋理磁盤的視圖；圖25是具有一存取圖24所示磁盤的磁頭的傳統(tǒng)磁盤設(shè)備的視圖；圖26是傳統(tǒng)磁頭的透視圖；以及圖27的圖用于說明圖26的傳統(tǒng)磁頭的滑動情況。
現(xiàn)在參考附圖給出對本發(fā)明優(yōu)選實施例的說明。
圖1示出了本發(fā)明的懸浮式磁頭的第一實施例。
與圖25的磁頭13相似，本實施例的磁頭113設(shè)置在一磁盤設(shè)備100中，以用于存取區(qū)域紋理存儲介質(zhì)1。在磁盤設(shè)備100中，存儲介質(zhì)1由一固定在一基座111上的主軸電機(jī)112可旋轉(zhuǎn)地夾持。當(dāng)主軸電機(jī)112工作時，介質(zhì)1被主軸電機(jī)112沿旋轉(zhuǎn)方向“A”(它與圖24中所示的方向“A”相同)轉(zhuǎn)動。磁頭113固定在一臂114的前緣上。臂114在基座111上可旋轉(zhuǎn)地固持在一支承部分處。一音圈電機(jī)115固定在基座111上并布置在臂114的另一端。當(dāng)音圈電機(jī)115工作時，在臂114前緣的磁頭113由音圈電機(jī)115沿介質(zhì)1的徑向“B”(它與圖25中所示的方向“B”相同)繞支承部分轉(zhuǎn)動。
磁頭113通過一空氣流從介質(zhì)1的表面浮起，該空氣流通過主軸電機(jī)112的旋轉(zhuǎn)在介質(zhì)1的表面上產(chǎn)生。介質(zhì)1的數(shù)據(jù)區(qū)3由磁頭113進(jìn)行存取，以使得由磁頭113從介質(zhì)1讀取數(shù)據(jù)或向其寫入數(shù)據(jù)。
本實施例的懸浮式磁頭113用作一磁變阻(MR)頭或一巨型磁變阻(GMR)頭。該磁頭113用Al2O3Tic的晶片制造。通過采用薄膜制造技術(shù)，在Al2O3Tic的晶片上沉積一磁變阻(MR)層(或一巨型磁變阻(GMR)層)并在Al2O3Tic的晶片上形成墊片等。具有在其上形成的MR層或GMR層和墊片的晶片受到切削和磨削，以致生產(chǎn)出在其上形成有空氣支承面(ABS)131的磁頭113。
如圖1所示，在磁頭113中，在一內(nèi)軌道132和一外軌道133上都設(shè)有ABS 131。當(dāng)磁頭113面對介質(zhì)1時，內(nèi)軌道132靠近CSS區(qū)2并沿介質(zhì)1的旋轉(zhuǎn)方向“A”延伸，而外軌道133則靠近數(shù)據(jù)區(qū)3并沿介質(zhì)1的旋轉(zhuǎn)方向“A”延伸。
磁頭113包括一間隙137，它用于相對于介質(zhì)1進(jìn)行數(shù)據(jù)的讀取或?qū)懭?。間隙137設(shè)置在外軌道133的一個端面上，而且該外軌道133的端面沿介質(zhì)1的徑向“B”延伸。
應(yīng)當(dāng)指出，在本實施例的磁頭113中，內(nèi)軌道132的ABS 131和外軌道133的ABS 131以不對稱的構(gòu)形設(shè)置，以使得在磁頭113存取數(shù)據(jù)區(qū)3的最靠近CSS區(qū)2的區(qū)域時，磁頭113繞一平行于介質(zhì)1的旋轉(zhuǎn)方向“A”的水平軸線保持在一傾斜狀態(tài)，以避免與介質(zhì)1接觸。也就是說，內(nèi)軌道132的高度“a”和外軌道133的高度“b”彼此不同。更具體一些，在本實施例中，內(nèi)軌道132的高度“a”大于外軌道133的高度“b”(a＞b)。
在內(nèi)軌道132的兩側(cè)都設(shè)有沿旋轉(zhuǎn)方向“A”延伸的基準(zhǔn)高度面134?；鶞?zhǔn)高度面134包括一內(nèi)側(cè)基準(zhǔn)高度面134a和一外側(cè)基準(zhǔn)高度面134b。在外軌道133的兩側(cè)都設(shè)有沿旋轉(zhuǎn)方向“A”延伸的基準(zhǔn)高度面135?；鶞?zhǔn)高度面135包括一內(nèi)側(cè)基準(zhǔn)高度面135a和一外側(cè)基準(zhǔn)高度面135b?；鶞?zhǔn)高度面134與基準(zhǔn)高度面135彼此位于同一水平上。通過主軸電機(jī)112的旋轉(zhuǎn)在介質(zhì)1的表面上產(chǎn)生的空氣流由內(nèi)軌道132、外軌道133和基準(zhǔn)高度面134和135控制，而且，磁頭113離開介質(zhì)1懸浮。
在基準(zhǔn)高度面134的兩側(cè)和基準(zhǔn)高度面135的兩側(cè)都設(shè)有下凹部分136。下凹部分136包括一在內(nèi)側(cè)基準(zhǔn)高度面134a內(nèi)側(cè)的下凹部分、一在外側(cè)基準(zhǔn)高度面134b和內(nèi)側(cè)基準(zhǔn)高度面135a之間的下凹部分和一在外側(cè)基準(zhǔn)高度面135b外側(cè)的下凹部分。當(dāng)磁頭113在介質(zhì)1上方滑動時，下凹部分136也用于控制通過主軸電機(jī)112的旋轉(zhuǎn)而在介質(zhì)1的表面上產(chǎn)生的空氣流。
在圖1的磁頭113中，在其上設(shè)有間隙137的外軌道133的端面位于磁頭113的出氣口側(cè)上，而外軌道133的相對端面則位于磁頭113的進(jìn)氣口側(cè)上。以后，將前者稱為出口端面，后者稱為入口端面。
內(nèi)軌道132在磁頭113的入口端面?zhèn)劝ㄒ粌A斜的表面132a。外軌道133在磁頭113的入口端面?zhèn)劝ㄒ粌A斜的表面133a。如圖1所示，傾斜的表面132a和傾斜的表面133a當(dāng)它們接近磁頭113的入口端面時也分別更接近基準(zhǔn)高度面134和基準(zhǔn)高度面135。傾斜的表面132a和133a用于將在介質(zhì)1的表面上產(chǎn)生的空氣流供給內(nèi)、外導(dǎo)軌132和133。
磁頭113離開介質(zhì)1的實際懸浮高度取決于內(nèi)軌道132離開基準(zhǔn)高度面134的高度“a”和外軌道133離開基準(zhǔn)高度面135的高度“b”。
在本實施例中，內(nèi)軌道132的高度“a”大于外軌道133的高度“b”(a＞b)。由于這種不對稱的構(gòu)形，內(nèi)軌道132離開介質(zhì)1的實際懸浮高度大于外軌道133的實際懸浮高度。因此，當(dāng)磁頭113存取數(shù)據(jù)區(qū)3的最靠近CSS區(qū)2的區(qū)域時，磁頭113繞平行于介質(zhì)1的旋轉(zhuǎn)方向“A”的水平軸線保持在一傾斜的狀態(tài)，以避免與介質(zhì)1接觸。在本實施例的磁頭113中，內(nèi)軌道132以一高于外軌道133的位置離開介質(zhì)1懸浮。
圖2A和圖2B示出了本實施例的磁頭113的兩個模型中每一個的外形尺寸。圖2A中所示的磁頭113的一個模型被稱為30％滑塊。圖2B所示的磁頭113的一個模型被稱為50％滑塊。
如圖2A所示，30％滑塊有一為1.25mm的總長度“L”，總寬度“W”為1.00mm和總高度“H”為0.3mm。如圖2B所示，50％的滑塊的總長度“L”為2.00mm，總寬度“W”為1.60mm和總高度“H”為0.43mm。
本實施例的磁頭113可用于圖2A的30％滑塊或圖2B的50％滑塊。當(dāng)本實施例的磁頭113用于這些模型中的任一個時，內(nèi)軌道132距離基準(zhǔn)高度面134的高度“a”和外軌道133距離基準(zhǔn)高度面135的高度“b”要確定成使得內(nèi)軌道132與外軌道133之間的實際懸浮高度差大于介質(zhì)1的CSS區(qū)2的給定懸浮高度與其數(shù)據(jù)區(qū)3的給定懸浮高度之間的差。
磁頭113的內(nèi)軌道132與外軌道133之間的實際懸浮高度差被稱為滑動高度失衡或側(cè)傾(roll)。
圖3A和圖3B是本實施例的磁頭的正視圖與俯視圖。
如圖3B所示，在本實施例的磁頭113中，將每個內(nèi)軌道132和外軌道133的寬度設(shè)定為0.18mm。將每個內(nèi)側(cè)基準(zhǔn)高度面134a和內(nèi)側(cè)基準(zhǔn)高度面135a的寬度設(shè)定為0.04mm。將每個外側(cè)基準(zhǔn)高度面134b和外側(cè)基準(zhǔn)高度面135b的寬度設(shè)定為0.15mm。
此外，在本實施例的磁頭113中，內(nèi)軌道132距離基準(zhǔn)高度面134的高度“a”和外軌道133距離基準(zhǔn)高度面135的高度“b”都設(shè)定成使內(nèi)軌道132的實際懸浮高度略大于介質(zhì)1的CSS區(qū)2的給定懸浮高度，并使外軌道133的實際懸浮高度略大于介質(zhì)1的數(shù)據(jù)區(qū)3的給定懸浮高度。例如，將上述的高度“a”和高度“b”設(shè)定成使內(nèi)軌道132的實際懸浮高度比CSS區(qū)2的給定懸浮高度大5nm(納米)，而外軌道133的實際懸浮高度比數(shù)據(jù)區(qū)3的給定懸浮高度大5nm。
因此，當(dāng)本實施例的磁頭113在介質(zhì)1上方滑動時，磁頭113保持在一傾斜的狀態(tài)下，而且不與介質(zhì)1的表面平行。內(nèi)軌道132離開介質(zhì)1以一較高的位置懸浮，而外軌道133則離開介質(zhì)1以一較低的位置懸浮。也就是說，磁頭在從介質(zhì)1讀取數(shù)據(jù)或向其寫入數(shù)據(jù)時相對于臂114的軸線方向側(cè)傾。
圖4A和圖4B示出了本實施例的磁頭在介質(zhì)1上方的滑動情況。圖4A是在從介質(zhì)1的外側(cè)向介質(zhì)1的內(nèi)側(cè)沿介質(zhì)1的徑向“B”看去時，在介質(zhì)1上方滑動的磁頭113的視圖。圖4B是在從磁頭113的出口端面向磁頭113的入口端面沿介質(zhì)1的旋轉(zhuǎn)方向看去時，在介質(zhì)1上方滑動的磁頭113的視圖。
如上所述，在本實施例的磁頭113中，將內(nèi)軌道132距離基準(zhǔn)高度面134的高度“a”設(shè)定成大于外軌道133距離基準(zhǔn)高度面135的高度“b”。如圖4B所示，當(dāng)磁頭113在介質(zhì)1的上方滑動時，將磁頭113保持在一傾斜的狀況，內(nèi)軌道132離開介質(zhì)1在一較高的位置懸浮，而外軌道133距離介質(zhì)在一較低的位置懸浮。換句話說，當(dāng)磁頭113在介質(zhì)1的上方滑動時，磁頭113相對于臂114的軸線方向側(cè)傾。因此，當(dāng)磁頭113的間隙137存取介質(zhì)1的數(shù)據(jù)區(qū)3的最里面的區(qū)域時，內(nèi)軌道132以一高于介質(zhì)1的CSS區(qū)2的給定懸浮高度的位置懸浮。這使本實施例的磁頭113可在磁頭113存取介質(zhì)1的數(shù)據(jù)區(qū)3的最里面的區(qū)域時避免磁頭113與介質(zhì)1的CSS區(qū)2接觸的問題。
圖5示出了本實施例的磁頭在存取介質(zhì)1上數(shù)據(jù)區(qū)3的最里面的區(qū)域時的滑動情況。
如圖5所示，當(dāng)磁頭113在位于介質(zhì)1的數(shù)據(jù)區(qū)3和CSS區(qū)2之間的邊界上方滑動時，內(nèi)軌道132距離介質(zhì)1的CSS區(qū)2在一較高的位置懸浮，而且避免了磁頭113與介質(zhì)1的CSS區(qū)2接觸的問題。在本實施例中，介質(zhì)1的CSS區(qū)2的給定懸浮高度約為35nm，而磁頭113的內(nèi)軌道132的實際懸浮高度約為40nm，它比CSS區(qū)2的給定懸浮高度大5nm。這使本實施例的磁頭可避免磁頭撞擊的問題。
另外，在本實施例中，當(dāng)磁頭113在位于介質(zhì)上的數(shù)據(jù)區(qū)3和CSS區(qū)2之間的邊界上方滑動時，介質(zhì)1的數(shù)據(jù)區(qū)3的給定懸浮高度約為25nm，而磁頭113的外軌道133的實際懸浮高度約為30nm，它比數(shù)據(jù)區(qū)3的給定懸浮高度大5nm。外軌道133的實際懸浮高度與數(shù)據(jù)區(qū)3的給定懸浮高度之間的差對于磁頭113的間隙137從介質(zhì)1讀取數(shù)據(jù)或向其寫入數(shù)據(jù)時是合適的。這使本實施例的磁頭有可能可靠地以高的輸出水平用介質(zhì)1進(jìn)行數(shù)據(jù)的讀取或?qū)懭搿?br> 因此，在本實施例的磁頭中，即使當(dāng)磁頭存取由介質(zhì)1的CSS區(qū)限定界限的數(shù)據(jù)區(qū)的最里面的區(qū)域時，也可以可靠地以高的輸出水平用介質(zhì)進(jìn)行數(shù)據(jù)的讀取或?qū)懭搿?br> 在其中用本實施例的磁頭113存取介質(zhì)1的磁盤設(shè)備中，可提供存儲介質(zhì)的加大的記錄容量。
圖12示出了一磁盤設(shè)備，它包括圖1所示懸浮式磁頭的另一實施例。
如圖12所示，在本實施例的磁盤設(shè)備100中，區(qū)域紋理存儲介質(zhì)110由固定在基座111上的主軸電機(jī)112可轉(zhuǎn)動地夾持。當(dāng)主軸電機(jī)112工作時，介質(zhì)110沿旋轉(zhuǎn)方向“A”由主軸電機(jī)112轉(zhuǎn)動。磁頭113固定在臂114的前緣上。臂114在基座111上可旋轉(zhuǎn)地固持在支承部分處。音圈電機(jī)115固定在基座111上并布置在臂114的另一端。當(dāng)音圈電機(jī)115工作時，位于臂114的前緣的磁頭113通過音圈電機(jī)115沿介質(zhì)110的徑向“B”繞支承部分旋轉(zhuǎn)。
磁頭113用一空氣流從介質(zhì)110的表面浮起，該空氣流通過主軸電機(jī)112的轉(zhuǎn)動而在介質(zhì)110的表面上產(chǎn)生。介質(zhì)110的數(shù)據(jù)區(qū)3通過懸浮的磁頭113存取，由此由該磁頭113向介質(zhì)110讀取數(shù)據(jù)或向其寫入數(shù)據(jù)。
圖13示出了由包含在本實施例的磁盤設(shè)備100中的磁頭113存取的區(qū)域紋理存儲介質(zhì)110。
圖13的存儲介質(zhì)110與圖24所示的介質(zhì)1不同。存儲介質(zhì)110在介質(zhì)110的靠外位置有一CSS區(qū)120，在介質(zhì)110的靠內(nèi)位置有一數(shù)據(jù)區(qū)121。CSS區(qū)120與數(shù)據(jù)區(qū)121在介質(zhì)110中的布置與圖24所示介質(zhì)1的相反。除去數(shù)據(jù)區(qū)121由在介質(zhì)110中的CSS區(qū)120包圍以外，圖13所示介質(zhì)110的所有特征都與圖24的介質(zhì)1的相同。
圖14示出了圖12中的懸浮式磁頭的實施例。在圖14中，與圖1中的對應(yīng)元件相同的那些元件都用同樣的參考標(biāo)號代表，并省略了對其的說明。
本實施例的磁頭113的功能為從圖13的存儲介質(zhì)110讀取數(shù)據(jù)或向其寫入數(shù)據(jù)，其中，CSS區(qū)120位于外周邊，而數(shù)據(jù)區(qū)121位于CSS區(qū)120的內(nèi)側(cè)。
如圖14所示，在本實施例的磁頭113中，在內(nèi)軌道132和外軌道133上都設(shè)有空氣支承面(ABS)131。當(dāng)磁頭113面對區(qū)域紋理存儲介質(zhì)110時，內(nèi)軌道132位于數(shù)據(jù)區(qū)121的附近并沿介質(zhì)110的旋轉(zhuǎn)方向“A”延伸，而外軌道133位于CSS區(qū)120的附近并沿介質(zhì)110的旋轉(zhuǎn)方向“A”延伸。
圖14的磁頭113包括間隙137，它用于相對于介質(zhì)110進(jìn)行數(shù)據(jù)的讀取和寫入。間隙137設(shè)在內(nèi)軌道132的端面上，而該內(nèi)軌道132的端面沿介質(zhì)110的徑向“B”延伸。其上設(shè)有間隙137的端面位于磁頭113的出氣口側(cè)。
應(yīng)當(dāng)指出，在本實施例的磁頭113中，內(nèi)軌道132的ABS131和外軌道133的ABS131以不對稱的結(jié)構(gòu)形狀設(shè)置，以使得當(dāng)磁頭113存取數(shù)據(jù)區(qū)121的最靠近CSS區(qū)120的區(qū)域時，磁頭113繞一平行于介質(zhì)110的旋轉(zhuǎn)方向“A”的水平軸線保持一傾斜的狀況，以避免與介質(zhì)110接觸。這就是說，內(nèi)軌道132距離基準(zhǔn)高度面134的高度“a”小于外軌道133距離基準(zhǔn)高度面135的高度“b”(a＜b)。
如上所述，磁頭113距離介質(zhì)110的實際懸浮高度取決于內(nèi)軌道132距離基準(zhǔn)高度面134的高度“a”和外軌道133距離基準(zhǔn)高度面135的高度“b”。
在本實施例中，內(nèi)軌道132的高度“a”小于外軌道133的高度“b”(a＜b)。由于這種不對稱的構(gòu)形，內(nèi)軌道132距離介質(zhì)110的實際懸浮高度小于外軌道133的實際懸浮高度。因此，當(dāng)磁頭113存取數(shù)據(jù)區(qū)121的最靠近CSS區(qū)120的區(qū)域時，磁頭113繞平行于介質(zhì)110的旋轉(zhuǎn)方向“A”的水平軸線保持在一傾斜的狀態(tài)下，以避免與介質(zhì)110接觸。在本實施例的磁頭113中，內(nèi)軌道132在一距離介質(zhì)110比外軌道133低的位置處懸浮。
圖15A和圖15B是本實施例的磁頭的正視圖和俯視圖。除去內(nèi)軌道132的高度“a”小于外軌道133的高度“b”和在內(nèi)軌道132的端面上形成間隙137外，圖15A和圖15B所示磁頭113的所有特征都與圖3A和圖3B的磁頭113相同。
應(yīng)當(dāng)指出，在本實施例的磁頭中，上述的高度“a”和高度“b”要定成使外軌道133的實際懸浮高度與CSS區(qū)120的給定懸浮高度之差大于5nm，并使內(nèi)軌道132的實際懸浮高度與數(shù)據(jù)區(qū)121的給定懸浮高度之差大于5nm。
圖16A和圖16B示出了本實施例的磁頭在存儲介質(zhì)上方滑動的情況。圖16A是一在介質(zhì)110的上方滑動的磁頭113在從介質(zhì)110的外側(cè)向介質(zhì)110的內(nèi)側(cè)沿介質(zhì)110的徑向“B”看去時的視圖。圖16B是一在介質(zhì)110的上方滑動的磁頭在從磁頭113的出口端面向磁頭113的入口端面沿介質(zhì)110的旋轉(zhuǎn)方向“A”看去時的視圖。
如上所述，在本實施例的磁頭113中，將內(nèi)軌道132距離基準(zhǔn)高度面134的高度“a”設(shè)定成小于外軌道133距離基準(zhǔn)高度面135的高度“b”。如圖16B所示，當(dāng)磁頭113在介質(zhì)110的上方滑動時，磁頭113保持在一傾斜的狀況，內(nèi)軌道132在一距離介質(zhì)110較低的位置處懸浮，而外軌道133則在一離開介質(zhì)110較高的位置處懸浮。換句話說，當(dāng)磁頭113在介質(zhì)110的上方滑動時，磁頭113相對于臂114的軸向偏傾。
因此，當(dāng)磁頭113的間隙137存取由介質(zhì)110中的CSS區(qū)120限界的數(shù)據(jù)區(qū)121的最外區(qū)域時，外軌道133在一比介質(zhì)110的CSS區(qū)120的給定懸浮高度高的位置懸浮。這樣，當(dāng)磁頭存取由介質(zhì)中的CSS區(qū)120限界的數(shù)據(jù)區(qū)121的最外區(qū)域時，可使本實施例的磁頭113避免磁頭113與介質(zhì)110的CSS區(qū)120接觸的問題。
圖17示出了本實施例的磁頭在存取由存儲介質(zhì)中的CSS區(qū)限界的數(shù)據(jù)區(qū)的周邊區(qū)域時的滑動情況。
如圖17所示，當(dāng)磁頭113在位于介質(zhì)110中的數(shù)據(jù)區(qū)121和CSS區(qū)120之間的邊界上方滑動時，外軌道133在一比介質(zhì)110的CSS區(qū)120高的位置懸浮，并使磁頭113與介質(zhì)110的CSS區(qū)120接觸的問題得以避免。在本實施例中，介質(zhì)110的CSS區(qū)120的給定懸浮高度約為35nm，而磁頭113的外軌道133的實際懸浮高度約為40nm，它比CSS區(qū)120的給定懸浮高度大約5nm。這樣便可使本實施例的磁頭避免磁頭撞擊的問題。
此外，在本實施例中，當(dāng)磁頭在位于介質(zhì)110中的數(shù)據(jù)區(qū)121和CSS區(qū)120之間的邊界上方滑動時，介質(zhì)110的數(shù)據(jù)區(qū)12l的給定懸浮高度約為25nm，而磁頭113的內(nèi)軌道132的實際懸浮高度約為30nm，它比數(shù)據(jù)區(qū)121的給定懸浮高度大約5nm。內(nèi)軌道132的實際懸浮高度與數(shù)據(jù)區(qū)121的給定懸浮高度之差對磁頭113的間隙137從介質(zhì)110讀取數(shù)據(jù)或向其寫入數(shù)據(jù)是合適的。這樣使得可使本實施例的磁頭用介質(zhì)110以高的輸出水平可靠地進(jìn)行數(shù)據(jù)的讀取或?qū)懭搿?br> 因此，在本實施例的磁頭中，即使當(dāng)磁頭存取由介質(zhì)中的CSS區(qū)限界的數(shù)據(jù)區(qū)的最外區(qū)域時，仍可以高的輸出水平用介質(zhì)可靠地進(jìn)行數(shù)據(jù)的讀取或?qū)懭搿?br> 在其中的存儲介質(zhì)ll0被本實施例的磁頭113存取的磁盤設(shè)備100中，可提供存儲介質(zhì)的加大的記錄容量。
下面，圖6示出了本發(fā)明的懸浮式磁頭的第二實施例。在圖6中，與圖l中的對應(yīng)元件相同的元件都用同樣的參考標(biāo)號代表，并略去了其的說明。
本實施例的磁頭200的功能為從圖24的存儲介質(zhì)1讀取數(shù)據(jù)或向其寫入數(shù)據(jù)。與圖1的磁頭113相似，將間隙137設(shè)置在外軌道133的端面上。
與圖1的磁頭113相似，本實施例的磁頭200用Al2O3Tic的晶片制造。通過采用薄膜制造技術(shù)，在Al2O3Tic的晶片上形成MR層(或GMR層)、墊片等等。具有在其上形成的MR或GMR層和墊片的晶片經(jīng)過切削和磨削，以生產(chǎn)出具有在其上形成的空氣支承面(ABS)131的磁頭。在切削過程中，內(nèi)軌道132距離基準(zhǔn)高度面134的高度和外軌道133距離基準(zhǔn)高度面135的高度要彼此在同一水平上。這就是說，將內(nèi)軌道132和外軌道133的高度此時都設(shè)定成等于高度“b”。
在上述切削過程以后，通過采用薄膜制造技術(shù)在磁頭的內(nèi)軌道132上沉積一金剛石狀碳(DLC)層。最終得到的內(nèi)軌道132距離基準(zhǔn)高度面134的總高度被設(shè)定成等于上述的內(nèi)軌道132的高度“a”。這就是說，當(dāng)將內(nèi)軌道132上的DLC層的高度設(shè)定成等于“c”時，得到的內(nèi)軌道132距離基準(zhǔn)高度面134的總高度等于高度“b”與高度“c”之和(a＝b+c)。
在上述的實施例中，DLC層只在內(nèi)軌道132上沉積。不過，為了給磁頭的空氣支承面提供一較高的強(qiáng)度，DLC層可以以內(nèi)軌道132和外軌道133的高度同時沉積在內(nèi)軌道132和外軌道133上。
按照磁頭的本實施例，使內(nèi)軌道132與外軌道133彼此找平的切削過程可以用與圖26的傳統(tǒng)磁頭所用的切削方法相同的方式進(jìn)行。只有在生產(chǎn)用于存取存儲介質(zhì)1的本實施例的磁頭時，才需要在磁頭上沉積DLC層，其中，將內(nèi)軌道132的總高度設(shè)定成等于上述的高度“a”。因此，只有對生產(chǎn)本實施例的磁頭才需要調(diào)節(jié)沉積在磁頭上的DLC層的量，并且可以改進(jìn)磁頭生產(chǎn)的多方面的適應(yīng)性。
再有，在磁頭的本實施例中，內(nèi)軌道132的強(qiáng)度可以通過在其上沉積DLC層而得到提高，因此，本實施例可有效地大大提高磁頭的耐用性。
圖18示出了圖6所示的懸浮式磁頭的另一實施例。在圖18中，與圖14中的對應(yīng)元件相同的元件用同樣的參考標(biāo)號代表，并且省略了其的說明。
本實施例的磁頭200的功能為從圖13的存儲介質(zhì)110讀取數(shù)據(jù)或向其寫入數(shù)據(jù)，在該介質(zhì)中，CSS區(qū)120位于外周邊，而數(shù)據(jù)區(qū)121位于CSS區(qū)120的內(nèi)側(cè)。與圖14的磁頭113相似，間隙137設(shè)置在內(nèi)軌道132的端面上。
與圖14的磁頭113相似，本實施例的磁頭200用Al2O3Tic的晶片制造。通過采用薄膜制造技術(shù)，在Al2O3Tic的晶片上形成MR層(或GMR層)、墊片等等。使具有在其上形成的MR或GMR層和墊片的晶片受到切削和磨削，從而生產(chǎn)出具有在其上形成的空氣支承面(ABS)131的磁頭。在切削過程中，使內(nèi)軌道132距離基準(zhǔn)高度面134的高度和外軌道133距離基準(zhǔn)高度面135的高度彼此在同一水平上。這就是說，將內(nèi)軌道132和外軌道133的高度此時都設(shè)定成等于高度“a”。
在上述的切削過程以后，通過采用薄膜制造技術(shù)在磁頭的外軌道133上沉積一金剛石狀碳(DLC)層。所得到的外軌道133距離基準(zhǔn)高度面135的總高度被設(shè)定成等于上述的外軌道133的高度“b”。這就是說，當(dāng)將外軌道133上的DLC層的高度設(shè)定成等于“c”時，得到的外軌道133離開基準(zhǔn)高度面135的總高度等于高度“a”與高度“c”之和(b＝a+c)。
按照磁頭的本實施例，使內(nèi)軌道132與外軌道133彼此找平的切削過程可以用與圖26的傳統(tǒng)磁頭所用的切削方法相同的方式進(jìn)行。只有在生產(chǎn)用于存取存儲介質(zhì)110的本實施例的磁頭時，才需要在磁頭上沉積DLC層，其中將外軌道133的總高度設(shè)定成等于上述的高度“b”。由于只有對于生產(chǎn)本實施例的磁頭才需要調(diào)節(jié)沉積在磁頭上的DLC層的量，所以可以通過本實施例改進(jìn)磁頭生產(chǎn)的多方面的適應(yīng)性。
再有，在磁頭的本實施例中，磁頭113的強(qiáng)度可以通過在其上沉積DLC層而得到提高，而且在提高磁頭的耐用性方面，本實施例是有效的。
在圖1和圖6所示的上述實施例中，通過將內(nèi)軌道132的高度設(shè)定成大于外軌道133的高度而將磁頭的內(nèi)軌道132的實際懸浮高度做得大于介質(zhì)的CSS區(qū)的給定懸浮高度。另一種方案是，通過將內(nèi)軌道132的寬度設(shè)定成大于外軌道133的寬度而使磁頭的內(nèi)軌道132的實際懸浮高度大于介質(zhì)的CSS區(qū)的給定懸浮高度。
下面，圖7示出了本發(fā)明的懸浮式磁頭的第三實施例。在圖7中，與圖1的對應(yīng)元件相同的元件都用同樣的參考標(biāo)號代表，并略去了其的說明。
本實施例的磁頭250的功能為從圖24的存儲介質(zhì)1讀取數(shù)據(jù)或向其寫入數(shù)據(jù)。與圖1的磁頭113相似，間隙137設(shè)置在外軌道133的端面上。
如圖7所示，在本實施例的磁頭250中，將內(nèi)軌道132(或ABS)沿介質(zhì)徑向的寬度“W1”加大，并且將外軌道133(或ABS)的沿存儲介質(zhì)徑向的寬度“W2”設(shè)定成小于內(nèi)軌道132的寬度“W1”。
在本實施例中，將內(nèi)軌道132離開基準(zhǔn)高度面134的高度“a”設(shè)定為等于外軌道133離開基準(zhǔn)高度面135的高度“b”(a＝b)。磁頭113離開存儲介質(zhì)的實際懸浮高度取決于內(nèi)軌道132沿介質(zhì)徑向的寬度“W1”和外軌道133沿介質(zhì)徑向的寬度“W2”。內(nèi)軌道132的寬度“W1”和外軌道133的寬度“W2”要設(shè)定成使內(nèi)軌道132的實際懸浮高度略大于介質(zhì)1的CSS區(qū)2的給定懸浮高度，而外軌道133的實際懸浮高度略大于介質(zhì)1的數(shù)據(jù)區(qū)3的給定懸浮高度。
具體地說，在本實施例中，上述的寬度“W1”和寬度“W2”要設(shè)定成使內(nèi)軌道132的實際懸浮高度與CSS區(qū)2的給定懸浮高度之差大于5nm，并且外軌道133的實際懸浮高度與數(shù)據(jù)區(qū)3的給定懸浮高度之差大于5nm，這與圖1的磁頭113中的情況相似。
外軌道133的實際懸浮高度與數(shù)據(jù)區(qū)3的給定懸浮高度之差對于磁頭250的間隙137從介質(zhì)1讀取數(shù)據(jù)或向其寫入數(shù)據(jù)是合適的。這樣本實施例的磁頭可以以高的輸出水平用介質(zhì)1可靠地進(jìn)行數(shù)據(jù)的讀取或?qū)懭搿?br> 因此，在本實施例的磁頭中，即使當(dāng)磁頭存取由介質(zhì)1的CSS區(qū)限界的數(shù)據(jù)區(qū)的最內(nèi)區(qū)域時，也可以避免磁頭250與介質(zhì)1的CSS區(qū)2接觸的問題，并且有可能用介質(zhì)1以高的輸出水平可靠地進(jìn)行數(shù)據(jù)的讀取或?qū)懭搿?br> 在其中的介質(zhì)1由本實施例的磁頭250存取的磁盤設(shè)備中，有可能提供存儲介質(zhì)的加大的記錄容量。
圖19示出了圖7所示的懸浮式磁頭的另一實施例。在圖19中，與圖7的對應(yīng)元件相同的元件都用同樣的參考標(biāo)號代表，并略去對其的說明。
本實施例的磁頭250的功能為從圖13的存儲介質(zhì)讀取數(shù)據(jù)或向其寫入數(shù)據(jù)，在該介質(zhì)中，CSS區(qū)120位于外周邊，而數(shù)據(jù)區(qū)121位于CSS區(qū)120的內(nèi)側(cè)。與圖14的磁頭113相似，間隙137設(shè)置在內(nèi)軌道132的端面上。
如圖19所示，內(nèi)軌道132(或ABS)的沿介質(zhì)徑向的寬度“W1”被減小，而外軌道133(或ABS)的沿存儲介質(zhì)徑向的寬度“W2”則被加大，以便大于內(nèi)軌道132的寬度“W1”(W1＜W2)。
在本實施例中，將內(nèi)軌道132離開基準(zhǔn)高度面134的高度“a”設(shè)定成等于外軌道133離開基準(zhǔn)高度面135的高度“b”(a＝b)。磁頭250離開存儲介質(zhì)的實際懸浮高度取決于內(nèi)軌道132沿介質(zhì)徑向的寬度“W1”和外軌道133沿介質(zhì)徑向的寬度“W2”。內(nèi)軌道132的寬度“W1”和外軌道133的寬度“W2”要設(shè)定成使得內(nèi)軌道132的實際懸浮高度略大于介質(zhì)110的CSS區(qū)120的給定懸浮高度，而且外軌道133的實際懸浮高度略大于介質(zhì)110的數(shù)據(jù)區(qū)121的給定懸浮高度。
具體地說，在本實施例中，將上述的寬度“W1”和寬度“W2”設(shè)定成不同的，以使內(nèi)軌道132的實際懸浮高度與CSS區(qū)120的給定懸浮高度之差大于5nm，而外軌道133的實際懸浮高度與數(shù)據(jù)區(qū)121的給定懸浮高度之差大于5nm，這與圖14的磁頭113中的情況相似。
外軌道133的實際懸浮高度與數(shù)據(jù)區(qū)3的給定懸浮高度之差對于磁頭250的間隙137從介質(zhì)110讀取數(shù)據(jù)或向其寫入數(shù)據(jù)是合適的。這樣，本實施例的磁頭可用介質(zhì)110以高的輸出水平可靠地進(jìn)行數(shù)據(jù)的讀取或?qū)懭搿?br> 因此，在本實施例的磁頭250中，當(dāng)磁頭存取由介質(zhì)中的CSS區(qū)限界的數(shù)據(jù)區(qū)的最外區(qū)域時，可以避免磁頭250與介質(zhì)110的CSS區(qū)120接觸的問題，并且可以高的輸出水平用介質(zhì)110可靠地進(jìn)行數(shù)據(jù)的讀取或?qū)懭搿?br> 在用本實施例的磁頭250存取介質(zhì)110的磁盤設(shè)備中，有可能提供存儲介質(zhì)的加大的記錄容量。
下面，圖8示出了本發(fā)明的懸浮式磁頭的第四實施例。在圖8中，與圖1的對應(yīng)元件相同的元件都用同樣的參考標(biāo)號代表，并省略了對其的說明。
如圖8所示，在本實施例的磁頭300中，將內(nèi)軌道132離開基準(zhǔn)高度面134的高度“a”設(shè)定成等于外軌道133離開基準(zhǔn)高度面135的高度“b”(a＝b)，并且當(dāng)磁頭300在存儲介質(zhì)1的上方滑動時在內(nèi)軌道132的出氣口端部形成一切去部分(在圖9中用參考標(biāo)號301標(biāo)出)。內(nèi)軌道132上的切去部分301在磁頭300面對介質(zhì)1時位于磁頭300底部的出口端側(cè)上。
在本實施例的磁頭300中，將內(nèi)軌道132的切去部分301沿介質(zhì)1的旋轉(zhuǎn)方向A的長度設(shè)定成使內(nèi)軌道132的最低位置比外軌道133的最低位置高出一預(yù)定的高度。將此預(yù)定高度設(shè)定成略大于介質(zhì)1的CSS區(qū)2的給定懸浮高度與介質(zhì)1的數(shù)據(jù)區(qū)3的給定懸浮高度之差。
圖9是本實施例的磁頭300的切去部分301的橫向剖視圖。
如圖9所示，在本實施例的磁頭300中，將切去部分301沿介質(zhì)1的旋轉(zhuǎn)方向A的長度“X”設(shè)定成當(dāng)磁頭300與介質(zhì)1的表面成一傾斜角“θ”(例如該θ角為100μrad.)并在介質(zhì)1的上方滑動時，使內(nèi)軌道132的最低位置“P1”或“P2”比外軌道133的最低位置“P0”高出一預(yù)定的高度(該預(yù)定高度例如為10nm)。此預(yù)定高度略大于介質(zhì)1的CSS區(qū)2的給定懸浮高度與介質(zhì)1的數(shù)據(jù)區(qū)3的給定懸浮高度之間的差。
例如，假定傾斜角θ為100μrad.，內(nèi)軌道132離開基準(zhǔn)高度面134的實際懸浮高度為40nm，而外軌道133離開基準(zhǔn)高度面135的實際懸浮高度為40nm，則切去部分301的長度“X”由式X＝10nm/sinθ確定，式中，內(nèi)軌道132的最低位置“P1”或“P2”與外軌道133的最低位置“P0”之間的差等于10nm。
在本實施例的磁頭300中，如圖9所示，內(nèi)軌道132的切去部分301有大約為40μm的深度。
圖10A和圖10B示出了本實施例的磁頭在存儲介質(zhì)的上方的滑動情況。圖10A是在從介質(zhì)1的外側(cè)向介質(zhì)1的內(nèi)側(cè)沿介質(zhì)1的徑向“B”看去時，在介質(zhì)1的上方滑動的磁頭300的視圖。圖10B是在從磁頭300的出口端面向磁頭300的入口端面沿介質(zhì)1的旋轉(zhuǎn)方向“A”看去時，在介質(zhì)1的上方滑動的磁頭300的視圖。
如上所述，在本實施例的磁頭300中，內(nèi)軌道132離開基準(zhǔn)高度面134的高度“a”被設(shè)定為等于外軌道133離開基準(zhǔn)高度面135的高度“b”。在內(nèi)軌道132上形成切去部分301。如圖10B所示，當(dāng)磁頭300在介質(zhì)1上方滑動時，磁頭300基本上保持處于一水平狀態(tài)。
但是，在本實施例中，內(nèi)軌道132在距介質(zhì)1的較高位置懸浮，而外軌道133在一距介質(zhì)1的較低位置懸浮。如圖10A和圖10B所示，內(nèi)軌道132的最低位置總是比外軌道133的最低位置高出預(yù)定的高度(例如10nm左右)。內(nèi)軌道132中的切去部分301的長度被設(shè)定成使內(nèi)軌道132的最低位置比外軌道133的最低位置高出預(yù)定的高度。該預(yù)定的高度略大于介質(zhì)1的CSS區(qū)2的給定懸浮高度與介質(zhì)1的數(shù)據(jù)區(qū)3的給定懸浮高度之間的差。
因此，在本實施例的磁頭300中，內(nèi)軌道132的ABS 131和外軌道133的ABS 131按不對稱的構(gòu)形設(shè)置，并且內(nèi)軌道132在內(nèi)軌道132的出氣口端部有切去部分301，以使得當(dāng)磁頭300存取數(shù)據(jù)區(qū)3的最靠近CSS區(qū)2的區(qū)域時，將磁頭保持在一平行于介質(zhì)1的旋轉(zhuǎn)方向“A”的水平狀況，以避免與介質(zhì)1接觸。
因此，當(dāng)磁頭300的間隙137存取介質(zhì)1的數(shù)據(jù)區(qū)3的最內(nèi)區(qū)域時，內(nèi)軌道132的最低位置略高于介質(zhì)1的CSS區(qū)2的給定懸浮高度。這樣本實施例的磁頭300可在磁頭300存取介質(zhì)1的數(shù)據(jù)區(qū)3的最內(nèi)區(qū)域時避免磁頭300與介質(zhì)1的CSS區(qū)2接觸的問題。
圖11示出了本實施例的磁頭在存取存儲介質(zhì)中的數(shù)據(jù)區(qū)的最內(nèi)區(qū)域時的滑動情況。
如圖11所示，當(dāng)磁頭300在位于介質(zhì)1上的數(shù)據(jù)區(qū)3與CSS區(qū)2之間的邊界上方滑動時，將內(nèi)軌道132的最低位置設(shè)定成比在磁頭300底部上的外軌道133的最低位置高約10nm。內(nèi)軌道132的最低位置與外軌道133的最低位置之間的差值與介質(zhì)1的CSS區(qū)2的給定懸浮高度與介質(zhì)1的數(shù)據(jù)區(qū)3的給定懸浮高度之差恰當(dāng)?shù)叵嗟?。因此，?dāng)磁頭300在由介質(zhì)1上的CSS區(qū)2限界的數(shù)據(jù)區(qū)3的最內(nèi)區(qū)域上方滑動時，磁頭300與介質(zhì)1的CSS區(qū)2接觸的問題得以避免。
具體地說，在本實施例中，介質(zhì)1的CSS區(qū)2的給定懸浮高度約為35nm，而磁頭300的內(nèi)軌道132的實際懸浮高度略大于CSS區(qū)2的給定懸浮高度。此外，在本實施例中，介質(zhì)1的數(shù)據(jù)區(qū)3的給定懸浮高度約為25nm，而磁頭300的外軌道133的實際懸浮高度略大于數(shù)據(jù)區(qū)3的給定懸浮高度。外軌道133的實際懸浮高度與數(shù)據(jù)區(qū)3的給定懸浮高度之差對磁頭300的間隙137從介質(zhì)1讀取數(shù)據(jù)或向其寫入數(shù)據(jù)是恰當(dāng)?shù)?。這樣，本實施例的磁頭300可以高的輸出水平用介質(zhì)1可靠地進(jìn)行數(shù)據(jù)的讀取或?qū)懭搿?br> 因此，在本實施例的磁頭300中，當(dāng)磁頭存取由介質(zhì)中的CSS區(qū)限界的數(shù)據(jù)區(qū)的最內(nèi)區(qū)域時，可以以高的輸出水平用介質(zhì)可靠地進(jìn)行數(shù)據(jù)的讀取或?qū)懭?。在用本實施例的磁頭300存取存貯介質(zhì)的磁盤設(shè)備中，有可能提供存儲介質(zhì)的加大的記錄容量。
圖20示出了圖8所示的懸浮式磁頭的另一實施例。在圖20中，與圖8的對應(yīng)元件相同的元件都用同樣的參考標(biāo)號代表，并省去了對其的說明。
本實施例的磁頭300的功能為從圖13的存貯介質(zhì)110讀取數(shù)據(jù)或向其寫入數(shù)據(jù)，在該介質(zhì)中，CSS區(qū)120位于外周邊，而數(shù)據(jù)區(qū)121位于CSS區(qū)120的內(nèi)側(cè)。與圖14的磁頭113的情況相似，在內(nèi)軌道132的端面上設(shè)有間隙137。
如圖20所示，在本實施例的磁頭300中，將內(nèi)軌道132的離開基準(zhǔn)高度面134的高度“a”設(shè)定成等于外軌道133離開基準(zhǔn)高度面135的高度“b”(a＝b)，并且當(dāng)磁頭300在存儲介質(zhì)110的上方滑動時在外軌道133的最低位置形成切去部分(在圖21中用參考標(biāo)號301標(biāo)出)。外軌道133上的切去部分301在磁頭300面對介質(zhì)110時位于磁頭300底部的出口端側(cè)。
在本實施例的磁頭300中，外軌道133的切去部分301沿介質(zhì)110的旋轉(zhuǎn)方向A的長度被設(shè)定成使外軌道133的最低位置比內(nèi)軌道132的最低位置高出預(yù)定的高度值。將該預(yù)定的值設(shè)定成略大于介質(zhì)110的CSS區(qū)2的給定懸浮高度與介質(zhì)110的數(shù)據(jù)區(qū)121的給定懸浮高度之差。
圖21是本實施例的磁頭300的切去部分301的橫向剖視圖。
在圖21中，與圖9的對應(yīng)元件相同的元件用同樣的參考標(biāo)號代表，并略去對其的說明。
如圖21所示，在本實施例的磁頭300中，外軌道133包括一切去部分301。切去部分301沿介質(zhì)110的旋轉(zhuǎn)方向A的長度“X”要設(shè)定成當(dāng)磁頭300與介質(zhì)110的表面成一傾斜角“θ”(例如，θ＝100μrad.)并在介質(zhì)110的上方滑動時，使外軌道133的最低位置“P1”或“P2”比內(nèi)軌道132的最低位置“P0”高出預(yù)定的高度(它例如等于10nm)。預(yù)定的高度略大于介質(zhì)110的CSS區(qū)120的給定懸浮高度與介質(zhì)110的數(shù)據(jù)區(qū)121的給定懸浮高度之差。
例如，假設(shè)傾斜角θ為100μrad.，內(nèi)軌道132離開基準(zhǔn)高度面134的實際懸浮高度為40nm，外軌道133離開基準(zhǔn)高度面135的實際懸浮高度為40nm，則切去部分301的長度“X”由式子X＝10nm/sinθ確定，式中，外軌道133的最低位置“P1”或“P2”與內(nèi)軌道132的最低位置“P0”之間的差值等于10nm。
在本實施例的磁頭300中，如圖21所示，外軌道133的切去部分301有40μm左右的深度。
圖22A和圖22B示出了本實施例的磁頭300在存儲介質(zhì)110的上方的滑動情況。圖22A是在從介質(zhì)110的外側(cè)向介質(zhì)110的內(nèi)側(cè)沿介質(zhì)110的徑向“B”看去時，在介質(zhì)110的上方滑動的磁頭300的視圖。圖22B是在從磁頭300的出口端面向磁頭300的入口端面沿介質(zhì)110的旋轉(zhuǎn)方向“A”看去時，在介質(zhì)110的上方滑動的磁頭300的視圖。
如上所述，在本實施例的磁頭300中，內(nèi)軌道132離開基準(zhǔn)高度面134的高度“a”被設(shè)定成等于外軌道133離開基準(zhǔn)高度面135的高度“b”。在外軌道133上形成切去部分301。如圖22B所示，當(dāng)磁頭300在介質(zhì)110的上方滑動時，磁頭300基本上保持處于一水平的狀態(tài)。
不過，在本實施例中，內(nèi)軌道132在一距介質(zhì)110較低的位置懸浮，而外軌道133則在一距介質(zhì)110較高的位置懸浮。如圖22A和圖22B所示，外軌道133的最低位置總是比內(nèi)軌道132的最低位置高出預(yù)定的高度(例如10nm左右)。將在外軌道133中的切去部分301的長度設(shè)定成使外軌道133的最低位置比內(nèi)軌道132的最低位置高出預(yù)定的高度。該預(yù)定的高度略大于介質(zhì)110的CSS區(qū)120的給定懸浮高度與介質(zhì)110的數(shù)據(jù)區(qū)121的給定懸浮高度之間的差。
因此，在本實施例的磁頭300中，內(nèi)軌道132的ABS131和外軌道133的ABS131按不對稱的構(gòu)形設(shè)置，并且外軌道133在外軌道133的出氣口端部有切去部分301，以致當(dāng)磁頭300存取數(shù)據(jù)區(qū)121的最靠近CSS區(qū)120的區(qū)域時，磁頭平行于介質(zhì)110的旋轉(zhuǎn)方向“A”保持在一水平狀態(tài)下，以避免與介質(zhì)110接觸。
因此，當(dāng)磁頭300的間隙137存取介質(zhì)110的數(shù)據(jù)區(qū)121的最外區(qū)域時，外軌道133的最低位置略高于介質(zhì)110的CSS區(qū)120的給定懸浮高度。這樣本實施例的磁頭300有可能在磁頭300存取介質(zhì)110的數(shù)據(jù)區(qū)121的最外區(qū)域時避免磁頭300與介質(zhì)110的CSS區(qū)120接觸的問題。
圖23示出了本實施例的磁頭300在存取由存儲介質(zhì)110上的CSS區(qū)120限界的數(shù)據(jù)區(qū)121的最外區(qū)域時的滑動情況。
如圖23所示，當(dāng)磁頭300在位于介質(zhì)110上的數(shù)據(jù)區(qū)121與CSS區(qū)120之間的邊界上方滑動時，將外軌道133的最低位置設(shè)定成比在磁頭300底部上的內(nèi)軌道132的最低位置高大約10nm。外軌道133的最低位置與內(nèi)軌道132的最低位置之間的差值適當(dāng)?shù)嘏c介質(zhì)110的CSS區(qū)120的給定懸浮高度與介質(zhì)110的數(shù)據(jù)區(qū)121的給定懸浮高度之差相等。因此，當(dāng)磁頭300在由介質(zhì)110上的CSS區(qū)120限界的數(shù)據(jù)區(qū)121的最外區(qū)域上方滑動時，避免了磁頭300與介質(zhì)110的CSS區(qū)120接觸的問題。
具體地說，在本實施例中，介質(zhì)110的CSS區(qū)120的給定懸浮高度約為35nm，而磁頭300的外軌道133的實際懸浮高度略大于CSS區(qū)120的給定懸浮高度。此外，在本實施例中，介質(zhì)110的數(shù)據(jù)區(qū)121的給定懸浮高度約為25nm，而磁頭300的內(nèi)軌道132的實際懸浮高度略大于數(shù)據(jù)區(qū)121的給定懸浮高度。內(nèi)軌道132的實際懸浮高度與數(shù)據(jù)區(qū)121的給定懸浮高度之差對磁頭300的間隙137從介質(zhì)110讀取數(shù)據(jù)或向其寫入數(shù)據(jù)是恰當(dāng)?shù)摹＿@樣本實施例的磁頭300有可能以高的輸出水平用介質(zhì)110可靠地進(jìn)行數(shù)據(jù)的讀取或?qū)懭搿?br> 因此，在本實施例的磁頭300中，當(dāng)磁頭存取由介質(zhì)上的CSS區(qū)限界的數(shù)據(jù)區(qū)的最外區(qū)域時，可以高的輸出水平用介質(zhì)可靠地進(jìn)行數(shù)據(jù)的讀取或?qū)懭搿?br> 在用本實施例的磁頭300存取存儲介質(zhì)110的磁盤設(shè)備中，有可能提供存儲介質(zhì)的加大的記錄容量。
此外，本發(fā)明并不限于上述的實施例，在不脫離本發(fā)明的范圍的前提下可以進(jìn)行各種改變與改進(jìn)。
權(quán)利要求
1.一種用于從一存儲介質(zhì)讀取數(shù)據(jù)和/或向其寫入數(shù)據(jù)的磁頭，其中，存儲介質(zhì)有一數(shù)據(jù)區(qū)和一接觸起停區(qū)，而且將接觸起停區(qū)的給定懸浮高度設(shè)置成大于數(shù)據(jù)區(qū)的給定懸浮高度，上述磁頭包括一第一空氣支承面(131，132)，它設(shè)置在接觸起停區(qū)(2)的附近并且在磁頭(113，200，250)面對介質(zhì)時沿介質(zhì)(1)的旋轉(zhuǎn)方向(A)延伸，上述第一空氣支承面在使介質(zhì)旋轉(zhuǎn)并且磁頭存取數(shù)據(jù)區(qū)(3)時以一超過接觸起停區(qū)的給定懸浮高度的第一懸浮高度懸??；和一第二空氣支承面(131，133)，它設(shè)置成離開接觸起停區(qū)(2)并在磁頭面對介質(zhì)(1)時平行于上述第一空氣支承面延伸而且與后者隔開一段距離，上述第二空氣支承面在使介質(zhì)旋轉(zhuǎn)并且磁頭存取數(shù)據(jù)區(qū)時以一超過數(shù)據(jù)區(qū)(3)的給定懸浮高度的第二懸浮高度懸浮，其中，第一和第二空氣支承面(131，132，133)按不對稱的構(gòu)形設(shè)置，以致當(dāng)磁頭存取數(shù)據(jù)區(qū)(3)的與接觸起停區(qū)(2)最靠近的區(qū)域時，磁頭(113，200，250)繞一平行于介質(zhì)(1)的旋轉(zhuǎn)方向(A)的水平軸線保持處于一傾斜的狀態(tài)，以避免與介質(zhì)接觸。
2.如權(quán)利要求1所述的磁頭，其特征為，存儲介質(zhì)(1)有在介質(zhì)的靠外位置的數(shù)據(jù)區(qū)(3)和在介質(zhì)的靠內(nèi)位置的接觸起停區(qū)(2)而且磁頭(113，200，250)有一其上設(shè)有第一空氣支承面(131)的內(nèi)軌道(132)和一其上設(shè)有第二空氣支承面(131)的外軌道(133)。
3.如權(quán)利要求2所述的磁頭，其特征為，第一空氣支承面(131，132)有一相對于基準(zhǔn)高度面(134)的高度，它大于第二空氣支承面(131，133)相對于基準(zhǔn)高度面(135)的高度。
4.如權(quán)利要求3所述的磁頭，其特征為，第一空氣支承面(131，132)有一設(shè)置在其上的層壓層(DLC)，上述層壓層有一基本上等于第一空氣支承面(131，132)和第二空氣支承面(131，133)之間的高度差的厚度。
5.如權(quán)利要求2所述的磁頭，其特征為，內(nèi)軌道(132)有一沿介質(zhì)(1)的徑向(B)的寬度，它大于外軌道(133)沿介質(zhì)的徑向的寬度，由此第一空氣支承面(131，132)有一表面積大于第二空氣支承面(131，133)的表面積。
6.如權(quán)利要求1所述的磁頭，其特征為，第一空氣支承面(131，132)有一沿介質(zhì)(1)的徑向(B)的寬度，它大于第二空氣支承面(131，133)沿介質(zhì)的徑向的寬度，由此第一空氣支承面有一表面積大于第二空氣支承面的表面積。
7.一種用于從一存儲介質(zhì)讀取數(shù)據(jù)和/或向其寫入數(shù)據(jù)的磁頭，其中，存儲介質(zhì)有一在介質(zhì)的靠外位置的數(shù)據(jù)區(qū)和一在介質(zhì)的靠內(nèi)位置的接觸起停區(qū)，而且將接觸起停區(qū)的給定懸浮高度設(shè)置成大于數(shù)據(jù)區(qū)的給定懸浮高度，上述磁頭包括一內(nèi)軌道(132)，在其上設(shè)置的一第一空氣支承面(131)鄰近接觸起停區(qū)(2)并在磁頭(300)面對介質(zhì)時沿介質(zhì)(1)的旋轉(zhuǎn)方向(A)延伸，上述第一空氣支承面在使介質(zhì)旋轉(zhuǎn)并且磁頭存取數(shù)據(jù)區(qū)(3)時以一超過接觸起停區(qū)的給定懸浮高度的第一懸浮高度懸?。缓鸵煌廛壍?133)，在其上設(shè)置的一第二空氣支承面(131)離開接觸起停區(qū)(2)并在磁頭(300)面對介質(zhì)(1)時與上述第一空氣支承面隔開一段距離同時與之平行地延伸，上述第二空氣支承面在使介質(zhì)旋轉(zhuǎn)并且磁頭存取數(shù)據(jù)區(qū)時以一超過數(shù)據(jù)(3)的給定懸浮高度的第二懸浮高度懸浮，其中，第一和第二空氣支承面(131，132，133)按不對稱的構(gòu)形設(shè)置，內(nèi)軌道(132)在內(nèi)軌道的一出氣口端部有一切去部分(301)，以致當(dāng)磁頭存取數(shù)據(jù)區(qū)(3)的與接觸起停區(qū)(2)最靠近的區(qū)域時，磁頭(300)保持在一平行于介質(zhì)(1)的旋轉(zhuǎn)方向(A)的水平狀態(tài)下，以避免與介質(zhì)接觸。
8.如權(quán)利要求1所述的磁頭，其特征為，存儲介質(zhì)(110)有在介質(zhì)的靠內(nèi)位置的數(shù)據(jù)區(qū)(121)和在介質(zhì)的靠外位置的接觸起停區(qū)(120)，而且磁頭(113，200，250)有一其上設(shè)有第二空氣支承面(131)的內(nèi)軌道(132)和一其上設(shè)有第一空氣支承面(131)的外軌道(133)。
9.如權(quán)利要求8所述的磁頭，其特征為，第一空氣支承面(131，133)有一相對于一基準(zhǔn)高度面(135)的高度，它大于第二空氣支承面(131，132)相對于基準(zhǔn)高度面(134)的高度。
10.如權(quán)利要求9所述的磁頭，其特征為，第一空氣支承面(131，133)有一設(shè)置在其上的層壓層(DLC)，上述層壓層有一基本上等于第一空氣支承面(131，133)和第二空氣支承面(131，132)之間的高度差的厚度。
11.如權(quán)利要求8所述的磁頭，其特征為，外軌道(133)有一沿介質(zhì)(110)的徑向(B)的寬度，它大于內(nèi)軌道(132)沿介質(zhì)的徑向的寬度，以使第一空氣支承面(131，133)有一表面積大于第二空氣支承面(131，132)的表面積。
12.一種用于從一存儲介質(zhì)讀取數(shù)據(jù)和/或向其寫入數(shù)據(jù)的磁頭，其中，存儲介質(zhì)有一在介質(zhì)的靠內(nèi)位置的數(shù)據(jù)區(qū)和一在介質(zhì)的靠外位置的接觸起停區(qū)，而且將接觸起停區(qū)的給定懸浮高度設(shè)置成大于數(shù)據(jù)區(qū)的給定懸浮高度，上述磁頭包括一內(nèi)軌道(132)，在其上設(shè)置的一第一空氣支承面(131)與接觸起停區(qū)(120)隔開并在磁頭(300)面對介質(zhì)時沿介質(zhì)(110)的旋轉(zhuǎn)方向(A)延伸，上述第一空氣支承面在使介質(zhì)旋轉(zhuǎn)并且磁頭存取數(shù)據(jù)區(qū)(121)時以一超過接觸起停區(qū)的給定懸浮高度的第一懸浮高度懸浮；和一外軌道(133)，在其上設(shè)置的一第二空氣支承面(131)鄰近接觸起停區(qū)(120)并在磁頭(300)面對介質(zhì)時與上述第一空氣支承面隔開一段距離同時與之平行地延伸，上述第二空氣支承面在使介質(zhì)旋轉(zhuǎn)并且磁頭存取數(shù)據(jù)區(qū)時以一超過數(shù)據(jù)區(qū)(121)的給定懸浮高度的第二懸浮高度懸浮。其中，第一和第二空氣支承面(131，132，133)按不對稱的構(gòu)形設(shè)置，外軌道(133)在外軌道的出氣口端部有一切去部分(301)，以致當(dāng)磁頭存取數(shù)據(jù)區(qū)(121)的與接觸起停區(qū)(120)最靠近的區(qū)域時，磁頭(300)保持在一平行于介質(zhì)(110)的旋轉(zhuǎn)方向(A)的水平狀態(tài)下，以避免與介質(zhì)接觸。
13.一種具有一種用于從一存儲介質(zhì)讀取數(shù)據(jù)和/或向其寫入數(shù)據(jù)的磁頭的磁盤設(shè)備，其中，存儲介質(zhì)有一數(shù)據(jù)區(qū)和一接觸起停區(qū)，而且接觸起停區(qū)的給定懸浮高度被設(shè)置成大于數(shù)據(jù)區(qū)的給定懸浮高度，磁頭包括一第一空氣支承面(131，133)，它設(shè)置在接觸起停區(qū)(2)的附近并在磁頭(113，200，250)面對介質(zhì)時沿介質(zhì)(1)的旋轉(zhuǎn)方向(A)延伸，上述第一空氣支承面在介質(zhì)旋轉(zhuǎn)并且磁頭存取數(shù)據(jù)區(qū)(3)時以一超過接觸起停區(qū)的給定懸浮高度的第一懸浮高度懸浮；和一第二空氣支承面(131，133)，它設(shè)置成離開接觸起停區(qū)(2)并在磁頭(113，200，250)面對介質(zhì)(1)時平行于上述第一空氣支承面延伸而且與之隔開一段距離，上述第二空氣支承面在介質(zhì)旋轉(zhuǎn)并且磁頭存取數(shù)據(jù)區(qū)時以一超過數(shù)據(jù)區(qū)(3)的給定懸浮高度的第二懸浮高度懸浮，其中，第一和第二空氣支承面(131，132，133)按不對稱的構(gòu)形設(shè)置，以致當(dāng)磁頭存取數(shù)據(jù)區(qū)(3)的與接觸起停區(qū)(2)最靠近的區(qū)域時，磁頭(113，200，250)繞一平行于介質(zhì)(1)的旋轉(zhuǎn)方向(A)的水平軸線保持在一傾斜的狀態(tài)下，以避免與介質(zhì)接觸。
14.如權(quán)利要求13所述的磁盤設(shè)備，其特征為，存儲介質(zhì)(1)有在介質(zhì)的靠外位置的數(shù)據(jù)區(qū)(3)和在介質(zhì)的靠內(nèi)位置的接觸起停區(qū)(2)，而且磁頭(113，200，250)有一其上設(shè)有第一空氣支承面(131)的內(nèi)軌道(132)和一其上設(shè)有第二空氣支承面(131)的外軌道(133)。
15.如權(quán)利要求14所述的磁盤設(shè)備，其特征為，第一空氣支承面(131，132)有一相對于一基準(zhǔn)高度面(134)的高度，它大于第二空氣支承面(131，133)相對于基準(zhǔn)高度面(135)的高度。
16.如權(quán)利要求15所述的磁盤設(shè)備，其特征為，第一空氣支承面(131，132)有一設(shè)置在其上的層壓層(DLC)，上述層壓層有一基本上等于第一空氣支承面(131，132)和第二空氣支承面(131，133)之間的高度差的厚度。
17.如權(quán)利要求14所述的磁盤設(shè)備，其特征為，內(nèi)軌道(132)有一沿介質(zhì)(1)的徑向(B)的寬度，它大于外軌道(133)沿介質(zhì)的徑向的寬度，以使第一空氣支承面(131，132)有一表面積大于第二空氣支承面(131，133)的表面積。
18.如權(quán)利要求13所述的磁盤設(shè)備，其特征為，第一空氣支承面(131，132)有一沿介質(zhì)(1)的徑向(B)的寬度，它大于第二空氣支承面(131，133)沿介質(zhì)的徑向的寬度，以使第一空氣支承面有一表面積大于第二空氣支承面的表面積。
19.一種具有一用于從一存儲介質(zhì)讀取數(shù)據(jù)和/或向其寫入數(shù)據(jù)的磁頭的磁盤設(shè)備，其中，存儲介質(zhì)有一在介質(zhì)的靠外位置的數(shù)據(jù)區(qū)和一在介質(zhì)的靠內(nèi)位置的接觸起停區(qū)，并且將接觸起停區(qū)的給定懸浮高度設(shè)置成大于數(shù)據(jù)區(qū)的給定懸浮高度，上述磁頭包括一內(nèi)軌道(132)，在其上設(shè)置的一第一空氣支承區(qū)(131)鄰近接觸起停區(qū)(2)并在磁頭(300)面對介質(zhì)時沿介質(zhì)(1)的旋轉(zhuǎn)方向(A)延伸，上述第一空氣支承面在介質(zhì)旋轉(zhuǎn)并且磁頭存取數(shù)據(jù)區(qū)(3)時以一超過接觸起停區(qū)的給定懸浮高度的第一懸浮高度懸?。缓鸵煌廛壍?133)，在其上設(shè)置的一第二空氣支承面(131)離開接觸起停區(qū)(2)并在磁頭(300)面對介質(zhì)(1)時與上述第一空氣支承面隔開一段距離同時與之平行地延伸，上述第二空氣支承面在介質(zhì)旋轉(zhuǎn)并且磁頭存取數(shù)據(jù)區(qū)時以一超過數(shù)據(jù)區(qū)(3)的給定懸浮高度的第二懸浮高度懸浮，其中，第一和第二空氣支承面(131，132，133)按不對稱的構(gòu)形設(shè)置，內(nèi)軌道(132)在內(nèi)軌道的一出氣口端部有一切去部分(301)，以致當(dāng)磁頭存取數(shù)據(jù)區(qū)(3)的與接觸起停區(qū)(2)最靠近的區(qū)域時，磁頭(300)保持在一平行于介質(zhì)(1)的旋轉(zhuǎn)方向(A)的水平狀態(tài)下，以避免與介質(zhì)接觸。
20.如權(quán)利要求13所述的磁盤設(shè)備，其特征為，存儲介質(zhì)(110)有在介質(zhì)的靠內(nèi)位置的數(shù)據(jù)區(qū)(121)和在介質(zhì)的靠外位置的接觸起停區(qū)(120)，而且磁頭(113，200，250)有一其上設(shè)有第二空氣支承面(131)的內(nèi)軌道(132)和一其上設(shè)有第一空氣支承面(131)的外軌道(133)。
21.如權(quán)利要求20所述的磁盤設(shè)備，其特征為，第一空氣支承面(131，132)有一相對于一基準(zhǔn)高度面(135)的高度，它大于第二空氣支承面(131，133)相對于基準(zhǔn)高度面(134)的高度。
22.如權(quán)利要求21所述的磁盤設(shè)備，其特征為，第一空氣支承面(131，133)有一設(shè)置在其上的層壓層(DLC)，上述層壓層有一基本上等于第一空氣支承面(131，133)和第二空氣支承面(131，132)之間的高度差的厚度。
23.如權(quán)利要求20所述的磁盤設(shè)備，其特征為，外軌道(133)有一沿介質(zhì)(110)的徑向(B)的寬度，它大于內(nèi)軌道(132)沿介質(zhì)的徑向的寬度，以使第一空氣支承面(131，133)有一表面積大于第二空氣支承面(131，133)的表面積。
24.一種具有一用于從一存儲介質(zhì)讀取數(shù)據(jù)和/或向其寫入數(shù)據(jù)的磁頭的磁盤設(shè)備，其中，存儲介質(zhì)有一在介質(zhì)的靠內(nèi)位置的數(shù)據(jù)區(qū)和一在介質(zhì)的靠外位置的接觸起停區(qū)，并且將接觸起停區(qū)的給定懸浮高度設(shè)置成大于數(shù)據(jù)區(qū)的給定懸浮高度，上述磁頭包括一內(nèi)軌道(132)，在其上設(shè)置的一第一空氣支承面(131)離開接觸起停區(qū)(120)并在磁頭(300)面對介質(zhì)時沿介質(zhì)(110)的旋轉(zhuǎn)方向(A)延伸，上述第一空氣支承面在介質(zhì)旋轉(zhuǎn)并且磁頭存取數(shù)據(jù)區(qū)(121)時以一超過接觸起停區(qū)的給定懸浮高度的第一懸浮高度懸浮；和一外軌道(133)，在其上設(shè)置的一第二空氣支承面(131)鄰近接觸起停區(qū)(120)并在磁頭(300)面對介質(zhì)(110)時與上述第一空氣支承面隔開一段距離同時與之平行地延伸，上述第二空氣支承面在介質(zhì)旋轉(zhuǎn)并且磁頭存取數(shù)據(jù)區(qū)時以一超過數(shù)據(jù)區(qū)(121)的給定懸浮高度的第二懸浮高度懸浮，其中，第一和第二空氣支承面(131，132，133)按不對稱的構(gòu)形設(shè)置，外軌道(133)在外軌道的一出氣口端部有一切去部分(301)，以致當(dāng)磁頭存取數(shù)據(jù)區(qū)(121)的與接觸起停區(qū)(120)最靠近的區(qū)域時，磁頭(300)保持在一平行于介質(zhì)(110)的旋轉(zhuǎn)方向(A)的水平狀態(tài)下，以避免與介質(zhì)接觸。
全文摘要
一種磁頭包括一第一空氣支承面,它設(shè)置在存儲介質(zhì)的接觸起停區(qū)附近并在磁頭面對介質(zhì)時沿介質(zhì)的旋轉(zhuǎn)方向延伸。第二空氣支承面與接觸起停區(qū)離開并在磁頭面對介質(zhì)時平行于第一空氣支承面延伸。當(dāng)介質(zhì)旋轉(zhuǎn)并且磁頭存取數(shù)據(jù)區(qū)時,第二空氣支承面超過數(shù)據(jù)區(qū)的給定懸浮高度地懸浮。第一和第二空氣支承面按不對稱的構(gòu)形設(shè)置,以使當(dāng)磁頭存取數(shù)據(jù)區(qū)的與接觸起停區(qū)最靠近的區(qū)域時,磁頭繞一平行于旋轉(zhuǎn)方向的水平軸線保持一傾斜的狀態(tài),以避免與介質(zhì)接觸。
文檔編號G11B21/21GK1197273SQ9810571
公開日1998年10月28日 申請日期1998年3月17日 優(yōu)先權(quán)日1997年3月18日
發(fā)明者巖本徹, 半田洋一, 巖松弘晃, 澤井厚, 菖蒲田普美雄, 佐佐木雄史 申請人:富士通株式會社