專利名稱：隙間有金屬的磁頭的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種磁頭，特別是一種用于硬盤驅(qū)動(dòng)裝置等的浮動(dòng)磁頭。
一種具有示于圖6的形式的被稱為隙間有金屬(metal-in-gap)型的磁頭公知為是一種用于硬盤驅(qū)動(dòng)的磁頭。這種metal-in-gap型的磁頭包括一類，其中具有預(yù)定厚度并由如Fe-Al-si合金(鋁硅鐵磁合金)，坡莫合金或非晶體合金等磁性金屬制成的涂層2設(shè)置于一第一磁塊1a和一第二磁塊1b的相對(duì)端面之一上，例如設(shè)置于第二磁塊1b的端面上，所述磁塊均由多晶鐵氣體制成，且一磁隙由如SiO2等的非磁性材料構(gòu)成的隙層3形成于磁性涂層2和另一磁塊即第一磁塊1a的相對(duì)端面之間。這種磁頭的另一類中，所述磁性涂層2設(shè)置于第一磁塊1a和第二磁塊1b的兩者上，如圖7所示。一般地，磁記錄介質(zhì)從第一磁塊1a向第二磁塊1b運(yùn)動(dòng)，如圖6中箭頭所示，以讀取該磁記錄介質(zhì)上記錄的信號(hào)或?qū)⑿盘?hào)記錄到磁記錄介質(zhì)上。
這種metal-in-gap型磁頭的優(yōu)點(diǎn)是，與普通的在兩磁塊1a，1b的相對(duì)端面上未設(shè)置磁性涂層的磁頭相比，它能提供一強(qiáng)且尖銳的記錄磁場(chǎng)，因此它作為適用于最近的要求實(shí)現(xiàn)高密度記錄的硬盤驅(qū)動(dòng)的磁頭而引起人們的重視。
然而，在上述的的metal-in-gap型的磁頭中，由于所述磁性涂層2的厚度比第一磁塊1a和第二磁塊1b的厚度薄，在再生信號(hào)的過程中磁力線穿過由多晶鐵氣體制成的第一和第二磁塊1a和1b并在第一和第二磁塊的多晶鐵氧體內(nèi)引起磁疇結(jié)構(gòu)的擾動(dòng)。相應(yīng)地，由第一和第二磁塊1a、1b及磁性涂層2構(gòu)成的磁路被影響而在磁頭再生信號(hào)過程中引起噪音。這些噪音一般被稱作擺動(dòng)噪音，它們會(huì)影響由磁頭再生的波形的不對(duì)稱性，甚至?xí)?dǎo)致磁頭的讀出錯(cuò)誤。特別是當(dāng)磁頭尺寸減小而磁路亦變小時(shí)，這種影響即增大，因此這是減小磁頭尺寸的一大障礙。
作為引起上述擺動(dòng)噪音的原因，不僅是鐵氧體內(nèi)磁疇結(jié)構(gòu)的擾動(dòng)，還有由所述多晶鐵氧體和連接磁芯的連接玻璃間熱膨脹系數(shù)的不同而引起的應(yīng)力應(yīng)變也可被想到，然而，所有這些原因都不是很清楚。解決這些問題的方法包括控制磁性涂層的晶粒取向及在一磁場(chǎng)中濺射等形成該磁性涂層，然而，這些方法帶來了如下問題，即，控制磁性涂層的晶粒取向要求嚴(yán)格的濺射控制而在磁場(chǎng)中濺射的過程要求大型設(shè)備。
因此本發(fā)明的目的在于消除上述不足，根據(jù)本發(fā)明的第一方面，提供了一磁頭，其包括一連接一第一磁塊和一第二磁塊而形成的磁芯，一由軟磁性材料制成的磁性涂層形成于至少第一和第二磁塊之上，該磁性涂層設(shè)置于第一和第二磁塊之間;其中，由軟磁性材料形成的磁性涂層的厚度不小于一軌跡寬度的一半，也不小于一深度長(zhǎng)度，且不大于一表層厚度的兩倍。
根據(jù)本發(fā)明的第二方面，所述磁性涂層設(shè)置于所述第一和第二磁塊兩者上，并且設(shè)置于第二磁塊上的磁性涂層的厚度不小于設(shè)置于如本發(fā)明第一方面所述的磁頭的第一磁塊上的涂層厚度的1.5倍。
通過采用上述磁頭結(jié)構(gòu)，磁力線在磁頭再生信號(hào)的過程中不太容易穿過磁芯的多晶鐵氧體部分，且多晶鐵氧體部分中的磁疇結(jié)構(gòu)不受影響。相應(yīng)地，在磁頭再生信號(hào)過程中不會(huì)產(chǎn)生擺動(dòng)噪音，并且非對(duì)稱性的穩(wěn)定程度和磁頭再生特性得到改善并使得獲得高密度記錄成為可能。
附圖的簡(jiǎn)要說明

圖1是根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的磁芯的剖視圖;
圖2是根據(jù)本發(fā)明的一磁芯和一滑塊的示意圖;
圖3顯示了本發(fā)明的另一實(shí)施例;
圖4是一顯示磁性涂層厚度與非對(duì)稱性變化關(guān)系的曲線;
圖5是一顯示磁性涂層厚度比與非對(duì)稱性變化關(guān)系的曲線;
圖6是一習(xí)用磁芯的剖視圖;
圖7是另一習(xí)用磁芯的剖視圖。
以下將參照附圖對(duì)本發(fā)明實(shí)施例詳細(xì)描述。
圖1和圖2顯示了根據(jù)本發(fā)明的磁芯的一個(gè)實(shí)施例，圖3顯示了另一實(shí)施例。
在一實(shí)施例的磁頭中，由Fe-Al-Si(鋁硅鐵磁合金)等制成的一磁性涂層由如濺射等方法形成于由多晶鐵氧體制成的一第一磁塊1a和一第二磁塊1b相對(duì)端面之一上，例如，形成于第二磁塊的端面上，如圖1所示。然后一如SiO2的非磁性體的隙層3被形成以構(gòu)成一磁芯10。該磁芯即形成一如圖1中曲線所示的磁路。圖1頂部的箭頭顯示磁記錄介質(zhì)的運(yùn)動(dòng)方向，而L顯示一深度長(zhǎng)度。
在所述磁芯10中，軌跡的周邊被連接玻璃所保護(hù)，如圖2所示。在本實(shí)施例中，所述第一磁塊側(cè)1a成為前側(cè)，而所述第二磁塊側(cè)1b成為后側(cè)。所述第一磁塊1a與一滑塊5做成為一體，而所述第二磁塊1b由連接玻璃4連接于所述第一磁塊1a。磁記錄介質(zhì)沿圖中箭頭所示方向運(yùn)動(dòng)。W表示一軌跡寬且磁頭在軌跡寬W內(nèi)記錄和再生信號(hào)。
圖4是一顯示磁頭的磁性涂層2的厚度和非對(duì)稱性變化的關(guān)系的曲線，其中橫坐標(biāo)軸表示磁性涂層2的厚度(單位μm)，而縱坐標(biāo)軸表示非對(duì)稱性變化(單位nS)。至于磁頭，采用了一軌跡寬度W為8μm而深度長(zhǎng)度L為4μm的磁頭。由圖中可看出，當(dāng)厚度不大于4μm時(shí)，非對(duì)稱性變壞。相應(yīng)地，磁性涂層2的厚度應(yīng)大于軌跡寬度W的一半，或深度長(zhǎng)度L。然而，當(dāng)所述磁性涂層的厚度增大，渦流損失亦增大。渦流損失的增大導(dǎo)致再生信號(hào)輸出的降低，因此該厚度不能增大到超過所需。一般地，當(dāng)涂層2的厚度大于表層厚度δ＝(ρ/πfμeff)1/2的兩倍時(shí)(其中，ρ是一特定電阻，f是一頻率，而μeff是一磁導(dǎo)率)，渦流損失增大的影響即不能忽略，涂層2的厚度應(yīng)控制在不大于該表層深度的兩倍。典型地，在此類磁頭中，軌跡寬度被定為6～11μm，且深度長(zhǎng)度被定為2～10μm，而表層厚度δ此時(shí)約為11μm。根據(jù)該磁頭的規(guī)格，軌跡寬度的一半不一定等于深度長(zhǎng)度，在這種情況下，要求磁性涂層的厚度比該二尺寸都大，以使本發(fā)明完全有效。
本發(fā)明的另一實(shí)施例描述如下。
圖3顯示了根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的磁芯的剖面圖。與圖1所示實(shí)施例不同之處在于，一磁性涂層2a設(shè)置于前側(cè)的第一磁塊1a上。圖5是一顯示設(shè)置于第二磁塊1b(后側(cè))上的磁性涂層2的厚度和設(shè)置于第一磁塊1a(前側(cè))上的磁性涂層2a的厚度的比值與非對(duì)稱性變化的關(guān)系的曲線。其中橫坐標(biāo)軸表示后側(cè)的磁性涂層2的厚度T和前側(cè)的磁性涂層2a的厚度D的比值，而縱坐標(biāo)軸表示非對(duì)稱性變化。由圖中可看出，當(dāng)T/D大于1.5時(shí)，非對(duì)稱性變化急劇減小。即使在此情況下，磁性涂層2和2a的厚度最好分別控制在不大于表層深度δ(約為11μm)的兩倍，以控制渦流損失的影響。
雖然本發(fā)明的實(shí)施例已如上描述，但本發(fā)明的技術(shù)范圍并不限于上述實(shí)施例的浮動(dòng)磁頭，而可應(yīng)用于一磁帶錄象機(jī)的圖象用磁頭或一薄膜磁頭等。
如上所述，根據(jù)本發(fā)明，提供了一種具有低擺動(dòng)噪音和穩(wěn)定的非對(duì)稱性再生波形的磁頭。相應(yīng)地，可防止錯(cuò)誤讀取并使減小磁頭尺寸成為可能。
另外，根據(jù)本發(fā)明，諸如嚴(yán)格的濺射率控制或在磁場(chǎng)中完成濺射的麻煩可被消除。
權(quán)利要求
1.一種磁頭，包括一由連接一第一磁頭和一第二磁塊而形成的磁芯，一由軟磁性材料制成的形成于至少所述第一和第二磁塊之一上的磁性涂層，該磁性涂層設(shè)置于第一和第二磁塊之間，其中，該由軟磁性材料形成的磁性涂層的厚度不小于一軌跡寬度的一半及一深度長(zhǎng)度，且不大于一表層厚度的兩倍。
2.如權(quán)利要求1的一種磁頭，其中，所述磁性涂層設(shè)置于所述第一和第二磁塊二者上，且設(shè)置于所述第二磁塊上的磁性涂層的厚度不小于設(shè)置于所述第一磁塊上的涂層的厚度的1.5倍。
全文摘要
一種磁頭，其通過防止在磁心產(chǎn)生擺動(dòng)噪音以及改善再生波形的非對(duì)稱性而不會(huì)在再生過程中產(chǎn)生錯(cuò)誤讀取，其中，磁性涂層形成于第一磁塊及第二磁塊的至少一個(gè)上，其厚度小于一軌跡寬度的一半及一深度長(zhǎng)度，且不大于一表層厚度的兩倍，并且設(shè)于第二磁塊的磁性涂層的厚度不小于設(shè)于第一磁塊的磁性涂層的1.5倍。
文檔編號(hào)G11B5/23GK1070277SQ92110148
公開日1993年3月24日 申請(qǐng)日期1992年9月3日 優(yōu)先權(quán)日1991年9月3日
發(fā)明者新田敦已, 野島剛, 齊藤昭次 申請(qǐng)人:阿魯普斯電氣株式會(huì)社