專利名稱：掩膜只讀存儲器的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及半導體存儲器，更具體地說，本發(fā)明涉及掩膜只讀存儲器。
通常使用在金屬刻饋后將數(shù)據(jù)編程的方法，以降低掩膜只讀存儲器(以下稱為掩膜ROM)的周轉(zhuǎn)時間(TurnAroundTime，TAT)。


圖1是一布局圖，說明常規(guī)NAND(與非)型掩膜ROM，其中有多個MOS晶體管串聯(lián)連接。擴散區(qū)3與另一擴散區(qū)由一從場氧化層制得的隔離區(qū)1相隔開，這兩擴散區(qū)在第一方向上互相平行，隔離區(qū)1則在第一方向上延伸。多晶硅層的字線5沿一與第一方向成直角的第二方向延伸，并平行于另一字線。金屬層的位線11和13在隔離區(qū)1和與它相鄰的隔離區(qū)3的上方沿第一方向延伸，并通過第一和第二接觸區(qū)7和9與字線5相接觸。字線5和與之相鄰的擴散區(qū)3組成一編程區(qū)15，編程區(qū)15的雜質(zhì)是在給定數(shù)據(jù)編入掩膜ROM時注入的。
在這種情況下，將數(shù)據(jù)編程時，不論它是在組成字線的多晶硅層形成之前，或是在高濃度的n型(或p型)擴散區(qū)形成之后，都可以將所需數(shù)據(jù)編程。然而，在通過一光刻工序刻制金屬層以形成位線之后編程數(shù)據(jù)的情況下，雜質(zhì)可能不能通過與位線重疊的區(qū)域和該擴散區(qū)。因此，所需數(shù)據(jù)不能編入一編程區(qū)。
因此，本發(fā)明的一個目的是要提供一種掩膜ROM，這種掩膜ROM即使形成位線后也能編程數(shù)據(jù)。
根據(jù)本發(fā)明的一個設計方案，位線只形成在擴散區(qū)之間的隔離區(qū)上。
為了更全面地理解本發(fā)明，應連同附圖閱讀下面的詳細說明，附圖中圖1是常用的掩膜ROM的布局草圖;及圖2是體現(xiàn)本發(fā)明的一例掩膜ROM的布局草圖。
現(xiàn)參看圖2，一擴散區(qū)23與另一擴散區(qū)23平行且在第一方向上延伸，并由一用場氧化層形成的隔離區(qū)21與另一擴散區(qū)相隔開，該隔離區(qū)21在第一方向上延伸。多晶硅層的字線25在與第一方向成直角的第二方向上延伸，且平行于另一條字線。金屬層的位線31和33在對應于隔離區(qū)21的區(qū)域里沿第一方向上延伸，該區(qū)域在字線布線的上方，并通過第一和第二接觸區(qū)27和29與字線25接觸。
字線25和與它相鄰的擴散區(qū)23組成一編程區(qū)35，在掩膜ROM中編程數(shù)據(jù)時將雜質(zhì)注入該編程區(qū)。此外，由于位線與該擴散區(qū)隔開一已知間隔，用以編程數(shù)據(jù)的雜質(zhì)就被注入字線的底部。
如上所述，在一掩膜ROM中，借助于在隔離區(qū)上部的上方不重疊擴散區(qū)而形成位線，可以容易地在編程區(qū)中編程所需數(shù)據(jù)。因此，可以大大降低存儲器裝置的TAT。此外，由于位線間的間隔擴大了，位線之間的電容也可以減少。
盡管這里具體指出了和敘述了本發(fā)明的最佳實施例，本領域的技術人員可以理解在不偏離本發(fā)明精神和范圍內(nèi)可以作出上述的形式上和細節(jié)上的改變。
權利要求
1.一種掩膜只讀存儲器，其特征在于，它包括一給定導電類型的擴散區(qū)，該擴散區(qū)在第一方向延伸，并以一隔離區(qū)與另一擴散區(qū)隔開；一字線在垂直于所說方向的第二方向上延伸，并和相隔開的另一字線平行；以及一位線，沿所說第一方向上在和所說隔離區(qū)相對應的區(qū)域里延伸，并通過一給定的接觸區(qū)和所說字線接觸，所說區(qū)域位于該字線布線的上方。
全文摘要
一種在半導體存儲器中的掩膜只讀存儲器有一給定導電類型的擴散區(qū)在第一方向上延伸并以隔離區(qū)與另一擴散區(qū)隔開；一字線在和第一方向垂直的第二方向上延伸，且和另一字線平行；一位線沿第一方向在一區(qū)域里延伸，該區(qū)域在字線布線上方形成并對應于擴散區(qū)之間的隔離區(qū)，該位線通過給定的接觸區(qū)和字線接觸。因位線和擴散區(qū)隔開一給定間隔，故周轉(zhuǎn)時間(TAT)可以大大降低。
文檔編號G11C17/12GK1070279SQ92109280
公開日1993年3月24日 申請日期1992年8月10日 優(yōu)先權日1991年9月4日
發(fā)明者趙星熙, 李炯坤, 崔正達 申請人:三星電子株式會社