技術(shù)編號：6742755
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及半導體存儲器，更具體地說，本發(fā)明涉及掩膜只讀存儲器。通常使用在金屬刻饋后將數(shù)據(jù)編程的方法，以降低掩膜只讀存儲器(以下稱為掩膜ROM)的周轉(zhuǎn)時間(TurnAroundTime，TAT)。附圖說明圖1是一布局圖，說明常規(guī)NAND(與非)型掩膜ROM，其中有多個MOS晶體管串聯(lián)連接。擴散區(qū)3與另一擴散區(qū)由一從場氧化層制得的隔離區(qū)1相隔開，這兩擴散區(qū)在第一方向上互相平行，隔離區(qū)1則在第一方向上延伸。多晶硅層的字線5沿一與第一方向成直角的第二方向延伸，并平...
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