專利名稱：制造可逆磁阻磁頭的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種制造高頻、高數(shù)據(jù)速率和高磁道密度的磁阻磁頭的方法，具體地說涉及制造在其寫部分的頂部具有讀部分的可逆磁阻磁頭的方法。
已經(jīng)制造了在其讀部分的頂部具有寫部分的標(biāo)準(zhǔn)的磁阻磁頭(MR)。它被用于磁存儲(chǔ)系統(tǒng)中從磁存儲(chǔ)介質(zhì)或盤中檢測(cè)磁編碼信號(hào)并把磁編碼信息寫入存儲(chǔ)介質(zhì)中。在讀的方式下，和來自磁存儲(chǔ)介質(zhì)的轉(zhuǎn)變相關(guān)的與時(shí)間有關(guān)的磁場(chǎng)直接調(diào)制MR元件的電阻率。在操作中，MR電阻的變化可借助于向MR元件通一檢測(cè)電流并檢測(cè)MR元件上的電壓來檢測(cè)。所產(chǎn)生的信號(hào)可被用于從磁存儲(chǔ)介質(zhì)中恢復(fù)信息或數(shù)據(jù)。
實(shí)際的MR元件一般使用鐵磁金屬合金制成，這是因?yàn)樗鼈兙哂懈叩膶?dǎo)磁率，其中的一個(gè)例子是鎳鐵(NiFe)合金。在電絕緣的基片或芯片的表面上淀積鐵磁材料的薄膜。來自磁存儲(chǔ)介質(zhì)的變化的磁場(chǎng)引起MR元件的磁化方向的改變，從而改變檢測(cè)器的電阻。這現(xiàn)象叫作MR效應(yīng)。
MR元件本身包括淀積在構(gòu)成MR元件的磁屏蔽層上的MR材料條。一系列的淀積和蝕刻處理形成MR元件的活性區(qū)部分。活性區(qū)是MR元件檢測(cè)磁存儲(chǔ)介質(zhì)的磁場(chǎng)變化的區(qū)域。變化的磁場(chǎng)使MR元件的電阻率改變。一般的電阻變化的數(shù)量級(jí)為百分之0.5到百分之2.0。上部磁屏蔽作為MR元件和磁存儲(chǔ)介質(zhì)之間的阻檔層，用來防止和磁頭的轉(zhuǎn)變通過相關(guān)的變化的磁場(chǎng)向后和元件耦合。這一磁屏蔽也用來保護(hù)元件不接收和周圍磁存儲(chǔ)介質(zhì)的轉(zhuǎn)變相關(guān)的雜散磁場(chǎng)。
由GMR材料制成的巨型MR是MR傳感器中一個(gè)新的系列。GMR傳感器由多層結(jié)構(gòu)的GMR元件構(gòu)成。這些器件包括磁性材料和非磁性材料層，它們可以是鐵磁和非鐵磁材料的膜或類似的一組膜。坡莫合金或許是或許不是層結(jié)構(gòu)的一部分。在GMR傳感器中，電阻率的改變可以超過百分之65。
影響MR磁頭的性能的一個(gè)問題是磁頭表面可被制成平的或“平面化”的程度。具體地說，在現(xiàn)有的磁頭中MR傳感器的頂部屏蔽具有剛剛高出MR元件的活性區(qū)的一個(gè)傾斜區(qū)(dip)。這使磁道性能變差。平面化不良也可引起磁頭各層之間的電氣短路，例如與MR元件接觸的層和頂部屏蔽層之間或項(xiàng)部屏蔽和相繼制造的層之間的短路。此外，底部屏蔽通常由鐵硅鋁磁合金或其它高導(dǎo)磁性材料制造，這些材料用于制造薄膜是相當(dāng)粗的。這相當(dāng)粗的表面也可以引起底部屏蔽和接觸膜之間的短路問題。使MR讀部分平面化的努力已集中在弄平底部屏蔽，使MR傳感器上方的絕緣層平面化或弄平頂部屏蔽。這些步驟要增加處理時(shí)間，并可能限制設(shè)計(jì)的靈活性。
影響MR性能的另一個(gè)問題是，在聚合物固化期間GMR磁頭的極薄的層當(dāng)中的內(nèi)部擴(kuò)散，甚至當(dāng)使用低溫聚合物固化時(shí)也存在這問題。這種內(nèi)部擴(kuò)散可以影響GMR磁頭的效率。
在第一方面，本發(fā)明提供一種制造可逆磁阻磁頭的方法，該方法包括在離磁頭的空氣承載表面遠(yuǎn)的基層凹下的部分制造底部磁極；在底部磁極上方放置聚合物絕緣層和導(dǎo)電線圈，其特征在于還包括在聚合物絕緣層的頂面的平面下方的平面的頂部磁極的頂上制造寫間隙；在接近空氣承載面的寫間隙中形成高磁矩材料的極尖；在極尖和寫間隙的頂部制造具有平的頂表的底屏蔽；在底屏蔽的頂部上制造第一讀間隙；在接近空氣承載面的第一讀間隙的部分的頂部形成磁阻元件；在第一讀間隙的部分的頂部制造電接觸，電接頭使磁阻元件和可逆磁阻磁頭的外部的區(qū)域形成電連接；在電接頭和磁阻元件的頂部制造第二個(gè)讀間隙；以及在第二讀間隙的頂部制造頂部屏蔽。
在第二方面中，本發(fā)明提供一種制造磁阻磁頭的方法，該方法包括在遠(yuǎn)離磁頭空氣承載面的基層的凹部制造底部磁極；在底部磁極的上方放置聚合物絕緣層和導(dǎo)電線圈；其特征在于還包括在遠(yuǎn)離空氣承載面的聚合物絕緣層的頂部制造寫間隙，并被設(shè)置在接近空氣承載面的底部磁極的頂部；在寫間隙的頂部形成頂部磁極；
在接近空氣承載面的頂部磁極的頂部制造氧化層；使氧化層的頂部表面和遠(yuǎn)離空氣承載面的頂部磁極的部分的頂表面平面化；在氧化層和頂部磁極的頂上制造底屏蔽；在底部屏蔽的頂上制造第一讀間隙；在和空氣承載面接近的第一讀間隙部分的頂上形成磁阻元件；在第一讀間隙部分的頂部制造電接觸，所述電接觸使磁阻元件和可逆磁阻磁頭的外部區(qū)域電氣相連；在電接觸和磁阻元件的頂部制造第二讀間隙；以及在第二讀間隙的頂部制造頂部屏蔽。
本發(fā)明是一種制造用來從磁存儲(chǔ)介質(zhì)中讀出磁存儲(chǔ)信息的可逆磁阻磁頭的方法。該方法包括下列步驟在遠(yuǎn)離磁阻磁頭的空氣承載面的基層的凹下部分制造底部磁極。在底部磁極上方設(shè)置聚合物絕緣層和連接線圈。在底部磁極的頂上聚合物的頂面下制造寫間隙。在接近空氣承載面的寫間隙中形成高磁矩材料的極尖。在極尖和寫間隙的頂部制造頂部磁極。頂部磁極被弄成平面。在頂部磁極的頂上制造底屏蔽。如果需要可把底部屏蔽弄成平面。另一種方案是，底屏蔽可弄成平面而頂磁極不弄成平面。在底部屏蔽的頂上制造第一讀間隙。在接近空氣承載面的第一讀間隙部分的頂上形成磁阻元件。在第一讀間隙的頂部的頂上制造電接觸，所述電接觸使磁阻元件和磁阻磁頭的外部區(qū)域相連。在電接觸和磁阻元件的頂部制造第二讀間隙層。在第二讀間隙的頂部上制造頂部屏蔽。最后，在頂屏蔽的頂部制造氧化物的基層。
另外，頂磁極和底屏蔽還可以制成一個(gè)元件，并把這樣結(jié)合的頂磁極/底屏蔽的頂表面弄成平面。
現(xiàn)在結(jié)合附圖只以舉例的方式說明本發(fā)明的實(shí)施例，其中

圖1A是現(xiàn)有技術(shù)中磁阻磁頭的層結(jié)構(gòu)圖；圖1B是現(xiàn)有的磁阻磁頭的空氣承載面的層結(jié)構(gòu)圖；圖2是在平面化之前的磁阻磁頭的寫部分的底部磁極的層結(jié)構(gòu)圖；圖3是在平面化之后的磁阻磁頭的寫部分的底部磁極的層結(jié)構(gòu)圖；圖4是寫部分的底部的層結(jié)構(gòu)圖，表示在寫間隙中凹下的溝道；圖5是磁阻磁頭的寫部分的層結(jié)構(gòu)圖；圖6是使用本發(fā)明的寫部分的底部實(shí)施例的層結(jié)構(gòu)圖，表示在寫間隙中凹下的溝道；圖7是圖6的實(shí)施例的層結(jié)構(gòu)圖；圖8A-8C是磁阻磁頭的寫部分的空氣承載面的層結(jié)構(gòu)，表示制造極尖的另一種方法；圖9A-9D是磁阻磁頭的寫部分的空氣承載面的層結(jié)構(gòu)，表示制造極尖的另一種方法；圖10是磁阻磁頭的寫部分的空氣承載面的層的截面圖；圖11完整的磁阻磁頭的層結(jié)構(gòu)的截面圖；圖12是完整的磁阻磁頭的空氣承載面的層結(jié)構(gòu)的截面圖。
圖1A是現(xiàn)有的磁阻(MR)磁頭10的層結(jié)構(gòu)的截面圖。圖1的MR磁頭表示一種標(biāo)準(zhǔn)的MR磁頭，它具有位于磁頭的讀部分的頂部的寫部分。MR磁頭10包括基層氧化物12，底屏蔽14，第一讀間隙氧化物層16，電接觸18，MR元件20，第二讀間隙氧化物層22，頂屏蔽/底磁極24，寫間隙氧化物層26，聚合物絕緣層28a，28b和28c，導(dǎo)電線圈層30a和30b，以及頂極32。
底屏蔽14被淀積在基層氧化物12上。然后在底屏蔽14上淀積第一讀間隙氧化物層16。接著，在磁碭中淀積MR元件20并被成形。MR元件20是MR磁頭10在讀操作期間檢測(cè)與來自磁存儲(chǔ)介質(zhì)的轉(zhuǎn)變有關(guān)的磁場(chǎng)的部分。電接觸18然后被淀積在MR元件20和第一讀間隙氧化物層16上。然后淀積第二讀間隙氧化物層22。兩個(gè)氧化物層16和22包括讀間隙，在其內(nèi)部制造MR元件20。接著，頂屏蔽/底極24被淀積。頂屏蔽/底極24一般用來提供MR磁頭10的讀部分以及MR磁頭的寫部分的底極的頂屏蔽。
淀積寫間隙氧化物層26，接著淀積聚合物絕緣層28a，導(dǎo)電線圈層30a，聚合物絕緣層28b，導(dǎo)電線圈層30b以及聚合物絕緣層28c。最后，淀積頂極32從而完成MR磁頭10的制造。頂屏蔽/底極24和頂極32在寫操作期間提供MR磁頭10的寫能力。導(dǎo)電線圈30和聚合物絕緣層28的數(shù)量由MR磁頭10的寫部分的所需電感確定。不過，每個(gè)聚合物絕緣層必須在200℃至400℃之間的溫度下被固化，其時(shí)間長(zhǎng)短取決于具體的聚合物。只有這一用于固化處理的溫度范圍的下半部分才能避免MR磁頭10的讀部分的磁特性的可能劣化。此外，高于200℃的任何固化溫度將使GMR器件的磁性能變差。這限制了可用作MR磁頭讀部分的絕緣層的聚合物的選擇。
如圖1B所示，MR磁頭10被這樣制造，使其第二讀間隙氧化物層22的頂面不是平的或不進(jìn)行平面化。第二讀間隙氧化物層22的非平面的表面要求MR磁頭10的相繼淀積的層也不是平的或平面化。具體地說，用基層氧化物層33覆蓋的頂極32可以偏離MR磁頭10的中心，這可以劣化從MR磁頭10寫的磁道的質(zhì)量。此外，希望MR磁頭10的每個(gè)淀積層是一平的或被平面化，以防止以后淀積的層縮短而使MR磁頭10不能操作。
圖2是表示底極56的空氣承載面52附近的層結(jié)構(gòu)的截面圖?？赡娴腗R磁頭50包括基層54，底極56，具有頂面60和下沉部分62的聚合物絕緣層58以及導(dǎo)電線圈64。讀出沿51相對(duì)于空氣承載面52被識(shí)別。
在一個(gè)實(shí)施例中，為了制造可逆磁頭50，由板狀坡莫合金制成的底極56被首先淀積在基層54凹部?；鶎?4中的凹部通過化學(xué)蝕刻和離子銑制成。聚合物絕緣層58和導(dǎo)電線圈64填充底極56以上的部分。一般由銅制造的導(dǎo)電線圈64可排成一排置于聚合物絕緣層58中，或如圖2所示，可以多排設(shè)置。導(dǎo)電線圈64和聚合物絕緣層58的數(shù)量影響可逆MR磁頭50寫部分的電感。
如圖2所示，聚合物絕緣層58的頂面60可以有些不規(guī)則。由于在固化處理期間損失的聚合物而出現(xiàn)下沉部分62。在本發(fā)明中，重要的是聚合物絕緣層58的頂面60被弄平或平面化，從而使淀積在頂面60的頂上的可逆MR磁頭50的其余的層被淀積在平的表面上。這樣，便必須消除包括下沉部分62的頂面60的任何粗糙的不平的部分。
如圖3所示，包括下沉部分62的頂面60的所有不平的粗糙部分已被消除了。這一般用下面兩種方法之一實(shí)現(xiàn)。首先，形成聚合物絕緣層58的聚合物材料被這樣淀積，使得頂面60高于底極56。然后對(duì)頂面60進(jìn)行涂覆反應(yīng)離子深腐蝕處理與/或化學(xué)機(jī)械拋光，直到聚合物絕緣層58的頂面60光滑并和底極56相齊為止。第二，形成聚合物絕緣層58的聚合物材料可被沉積使其具有粗糙的頂面60和下沉部62(如圖2所示)?？梢赃@樣淀積硅石層，使其頂面略高于底極56。然后，在硅石層的頂上涂覆光刻膠。當(dāng)光刻膠變硬時(shí)，由于表面張力會(huì)相當(dāng)平整。然后可對(duì)光刻膠和硅石層進(jìn)行涂覆反應(yīng)離子深腐蝕處理，使得以相同的速度除去硅石和光刻膠，直到聚合物絕緣層58的頂面60光滑且完全平坦為止。
如圖4所示，可逆MR磁頭50還包括具有頂表面68和溝道70的寫間隙氧化物層66。寫間隙氧化物層66被淀積在聚合物絕緣層58的頂面60的頂上。寫間隙氧化物層66可由各種絕緣材料制成，例如氧化硅，氧化鋁或鉆石狀的碳。溝道70位于空氣承載面52附近，被用離子銑成寫間隙氧化物層66，從而限定溝道70下方的實(shí)際的寫間隙66a。這使得可以極精確地限定極尖72(見圖5和圖10)。其理由是，在平的表面上涂上光刻膠，從而用光刻膠掩模對(duì)特征更精確地顯影(development)，溝道70下方的空氣承載面處的寫間隙氧化物層66a的高度范圍約為0.1至1.0微米，最佳范圍為大約0.2至0.8微米。
如圖5所示，極尖72位于可逆MR磁頭50的空氣承載面52的尾沿73處。極尖72是由高磁矩材料例如氮化鐵或鈷鐵制成的插入件。高磁矩材料比在標(biāo)準(zhǔn)的MR磁頭中使用的坡莫合金能夠支持較大密度的磁通。形成極尖72的高磁矩插入件使磁通集中因而可以寫窄的磁道。
形成極尖72的高磁矩材料被鍍?cè)诨虮粸R射在溝道70內(nèi)，直到它明顯地高于寫間隙氧化物層66的頂面68為止。高磁矩插入件的厚度取決于寫入部分的磁性材料。該厚度的一般范圍為0.5到2.0微米，對(duì)于極尖的磁道寬度的一般值的范圍為2.0到5.0微米。在一個(gè)使用例如鈷鐵(Co90 Fe10)的鍍層插入件的最佳實(shí)施例中，可以使用例如鎳釩(Ni80 V20)的非磁籽晶層，然后它形成一對(duì)寫間隙。然后對(duì)高磁矩材料的凸出的部分加上掩模，在其周圍鍍上坡莫合金，從而獲得一個(gè)近似水平的表面。然后除去插入件上方的掩模并鍍上所需厚度的完整的屏蔽，頂極/底屏蔽74組合的頂面很可能不規(guī)則，可用化學(xué)機(jī)械拋光除去。
圖6和圖7是本發(fā)明第一實(shí)施例的層結(jié)構(gòu)圖。它們和圖4圖5類似。因此，相同的層和元件都標(biāo)以相同的標(biāo)號(hào)，如圖6、圖7所示，聚合物絕緣層58大于圖4、圖5所示的絕緣層。因此，淀積在聚合物絕緣層58頂部的寫間隙氧化物層66沒有平的頂面68。在本發(fā)明的這一實(shí)施例中，遠(yuǎn)離空氣承載面52的間隙氧化物層66比前一實(shí)施例中的薄得多。在間隙氧化物層66的頂上制造頂極67。頂極67可用高磁矩材料制成。接著，用上述的方法淀積氧化物75并被弄平。氧化物75例如可以是硅石。然后在頂極61和氧化物75的頂上淀積底屏蔽74，然后可以把它弄平。這可能未必需要，因?yàn)檠趸?5已被弄平。
在圖6圖7所示的實(shí)施例中，在屏蔽74被淀積之前淀積頂極67并弄平。當(dāng)然可以不先把頂極67弄平而在其頂上淀積底屏蔽74并然后把底屏蔽74弄平。還可以用一個(gè)組合的頂極/底屏蔽元件代替頂極67和底屏蔽74而省略氧化物層75。組合的頂極/底屏蔽的頂面應(yīng)該被弄平。
圖6和圖7的實(shí)施例提供了一種好的分辨率零截面(definitionZero throot)，這對(duì)于好的性能是需要的。
圖8A至8C是制造極尖72的第二種不同方法的層結(jié)構(gòu)圖。在圖8A至8C中，極尖72被鍍或?yàn)R射到溝道70中。然后對(duì)形成極尖72的極材料進(jìn)行離子銑，從而提供極尖72的合適的寬度。然后在寫間隙氧化物層66的頂面68和極尖72的頂上制造底屏蔽74，接著把底屏蔽74弄成平面。
圖9A-9D是形成極尖72的第三種方法的層結(jié)構(gòu)圖。如圖9A-9D所示，一層高磁矩材料被鍍或射到寫間隙氧化物層66的頂上。然后對(duì)極尖72的側(cè)面進(jìn)行離子銑，從而使其具有合適的寬度。剝離光刻膠層71可被涂在極尖72的頂上，并可以制造附加的氧化物層。然后可以制造底層蔽74，并把其弄平。
雖然上述的參照?qǐng)D5和圖8A到圖8C以及圖9A到圖9C說明的形成極尖72的方法全都是針對(duì)形成圖2至圖5和圖10中所示的一種MR磁頭進(jìn)行說明的，但參照這些圖中任一個(gè)圖說明的所有方法都可以用于參照?qǐng)D6圖7所述的使用本發(fā)明的MR磁頭中。
圖10是可逆MR磁頭50的寫部分的空氣承載面52的層結(jié)構(gòu)圖。如圖10所示，極尖72位于底極56的正上方；寫間隙氧化物層66A的基本部分位于底極56和極尖72之間。作為寫間隙氧化物層66的基本距離的底極56和極尖72之間的距離范圍大約為1,000至10,000埃，最佳范圍大約為2,000至8,000埃。在一個(gè)最佳實(shí)施例中，底極56的高度范圍為大約2.0至4.0微米，形成在聚合物絕緣層58的頂面60和頂面68之間的寫間隙氧化物層66的高度范圍約為2,000至8,000埃，極尖72的高度范圍約為5,000至20,000埃，在寫間隙氧化物層66的頂面68和底屏蔽74的頂面76之間的底屏蔽74的高度范圍約為1.5至4.0微米。
圖11是包括可逆MR磁頭50的寫部分和讀部分的整個(gè)的可逆MR磁頭50的層結(jié)構(gòu)。一旦把底屏蔽74淀積被弄平之后，就可在底屏蔽74的平面上淀積讀部分的其余的層。在一系列平面上的淀積減輕了短路，這在標(biāo)準(zhǔn)的MR磁頭中是一個(gè)主要問題。
一旦可逆MR磁頭50的寫部分被制成之后，便在底屏蔽74的頂上淀積第一讀間隙氧化物層78。在一個(gè)最佳實(shí)施例中，第一讀間隙氧化物層78的高度小于4000埃。在可逆MR磁頭50的尾沿73附近的第一讀間隙氧化物層78上制造MR元件80。MR元件80可以是一片膜或合成膜的結(jié)構(gòu)。MR元件80的特定例子不影響本發(fā)明的可用性。然后淀積電接觸82，接著是第二讀間隙氧化物層84，頂屏蔽86，以及基層氧化物層88。在一個(gè)最佳實(shí)施例中，第二讀間隙氧化物層84的高度小于4000埃。此外，根據(jù)具體應(yīng)用如果需要可在MR讀部分中加入邊界控制穩(wěn)定層，永久磁性穩(wěn)定層，與/或防止感應(yīng)的或低電路電阻的附加接觸層。
圖12是表示讀寫部分的可逆MR磁頭50的層結(jié)構(gòu)圖。如圖12所示，底極56，極尖72，以及MR元件80被互相對(duì)齊。本發(fā)明改善了MR傳感器對(duì)于極尖和頂極的對(duì)齊精度，因?yàn)橹挥幸粋€(gè)或兩個(gè)中間掩模層使掩模對(duì)準(zhǔn)復(fù)雜化，而在先有技術(shù)的非可逆MR磁頭中有10個(gè)或更多個(gè)中間掩模層，在形成可從磁存儲(chǔ)介質(zhì)中精確地讀寫信息的MR磁頭時(shí)，底極56，極尖72以及MR元件80的對(duì)齊是重要的。
圖11、12所示的可逆MR磁頭50具有圖2至5以及圖10所示類型的寫部分。在圖11、12所示的可逆MR磁頭的結(jié)構(gòu)也可用于參照?qǐng)D6和圖7所述的使用本發(fā)明的寫部分中。
本發(fā)明的可逆MR磁頭50有若干優(yōu)點(diǎn)。首先，實(shí)現(xiàn)了頂極的精確限定。第二，MR元件80和頂極72之間的距離比現(xiàn)有技術(shù)減小了。這便允許可逆MR磁頭50以較高的線密度在盤上寫信息。第三，頂極的平面化使得讀部分和寫部分偏移(to be off set)，而頂極上沒有例如圖1B現(xiàn)有技術(shù)所示的下沉部分。第四，對(duì)頂屏蔽使用鐵硅鋁磁合金或其它粗糙的膜由于粗糙將不會(huì)引起短路，因?yàn)橹挥许斊帘伪砻嫔戏降哪な歉采w層。第五，在形成讀部分之前形成寫部分使得能夠使用高溫固化聚合物例如聚酰亞胺和苯環(huán)丁烷(BCB)而不會(huì)使MR傳感器的磁性能或其它性能劣化。第六，在形成讀部分之前形成寫部分使得可以使用旋轉(zhuǎn)閥(spin valve)和巨(giant)MR傳感器，因?yàn)楦邷鼐酆衔锕袒梢鹪诰轒R傳感器或旋轉(zhuǎn)閥的極薄層當(dāng)中的內(nèi)部擴(kuò)散，這樣便使其無效。通過在讀部分形成之前完成全部高溫固化，對(duì)巨MR與/或旋轉(zhuǎn)閥傳感器的使用加上了新的限制。具體地說，用于讀部分和寫部分的材料可比現(xiàn)有技術(shù)互相獨(dú)立地最佳化到較大的程度。
在上述說明中，極尖用高磁矩材料制成，但也可以用非高磁矩材料制成。
雖然參照最佳實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了說明，但本領(lǐng)域的技術(shù)人員將會(huì)理解，不脫離本發(fā)明的構(gòu)思可在形式上和細(xì)節(jié)上作出多種改變。
以上的說明以舉例的方式被給出了，可以理解，本領(lǐng)域的技術(shù)人員不脫離本發(fā)明的范圍可以作出各種修正。
權(quán)利要求
1.一種制造可逆磁阻磁頭的方法，該方法包括在遠(yuǎn)離磁頭的空氣承載面(52)的基層(54)的凹部制造底極(56)；在底極的上方設(shè)置聚合物絕緣層(58)和導(dǎo)電線圈(64)；其特征在于包括在聚合物絕緣層的頂面的平面下方的一個(gè)平面的頂極的頂上制造寫間隙；在接近空氣承載面的寫間隙中制造高磁矩材料的極尖(72)；在極尖和寫間隙的頂上制造具有弄成平面的頂面的底屏蔽(74)；在底屏蔽的頂上制造第一讀間隙(78)；在接近空氣承載面的第一讀間隙的部分的頂上形成磁阻元件(80)；在第一讀間隙部分的頂上制造電接觸(82)，所述電接觸連接磁阻元件和可逆磁阻磁頭的外部區(qū)域；在電接觸和磁阻元件的頂上制造第二個(gè)讀間隙(84)；以及在第二讀間隙的頂上制造頂屏蔽(86)。
2.如權(quán)利要求1的方法，其中制造具有平面的頂面的底屏蔽的步驟還包括在極尖和寫間隙的頂上制造頂極(67)；把頂極的頂面弄成平面；以及在頂極的頂上制造底屏蔽。
3.如權(quán)利要求2的方法，其中使頂極的頂面成為平面的步驟包括在頂極的頂面的頂上淀積氧化物層(75)；在氧化物層的頂上涂上光刻膠層；并且反應(yīng)離子蝕刻氧化層和光刻膠層，直到頂極的頂面基本光滑為止。
4.如權(quán)利要求1至3任何一個(gè)所述的方法，還包括使底屏蔽的頂面成為平面的步驟。
5.如前面任一權(quán)利要求的方法，其中制造底極的步驟還包括把聚合物鍍?cè)诨鶎又校?br> 6.如前面任一權(quán)利要求的方法，其中底極由鍍的坡莫合金制成。
7.如前面任一權(quán)利要求的方法，其中寫間隙由硅石，鉆石狀碳或氧化鋁制成。
8.如前面任一權(quán)利要求的方法，還包括在寫間隙中離子銑溝道(70)；以及用高磁矩材料填充溝道。
9.如前面任一權(quán)利要求的方法，其中在接近空氣承載面的寫間隙中形成高磁矩材料的極尖的步驟還包括在接近空氣承載面的寫間隙中銑出溝道(70)；在溝道中鍍以高磁矩材料的極尖，使得極尖的頂面高于寫間隙的頂面(68)；并且離子銑極尖的第一、第二側(cè)，以便提供極尖的合適寬度。
10.如權(quán)利要求1至8任何一個(gè)的方法，其中在接近空氣承載面的寫間隙中形成高磁矩材料的極尖的步驟還包括在接近空氣承載面的寫間隙中離子銑溝道(70)；在溝道中濺射高磁矩材料的極尖，使得極尖的頂面高于寫間隙的頂面(68)；以及離子銑極尖的第一第二側(cè)，從而提供極尖的合適的寬度。
11.如權(quán)利要求1至8的任何一種所述的方法，其中在接近空氣承載面的寫間隙中形成高磁矩材料的極尖的步驟還包括在聚合物的頂面的頂上制造第一寫間隙層；在接近空氣承載面的第一寫間隙層的頂面上鍍極尖使得極尖的頂面處在第一平面；離子銑極尖第一第二側(cè)面從而提供極尖的合適寬度；在極尖的頂上制造剝離光刻膠層(71)；在第一寫間隙層的頂上制造第二寫間隙層，使第二寫間隙層的頂面處于第一平面；除去剝離光刻膠層。
12.如權(quán)利要求1至8任何一個(gè)的方法，其中在接近空氣承載面的寫間隙中形成高磁矩極尖的步驟還包括在聚合物的頂面的頂上制造第一寫間隙層；在接近空氣承載面的第一寫間隙層的頂面上濺射極尖，使得極尖的頂面處于第一平面；離子銑極尖的第一第二側(cè)面，從而提供極尖的合適的寬度；在極尖的頂上制造剝離光刻膠層(71)；在第一寫間隙層的頂上制造第二寫間隙，使得第二寫間隙層的頂面處于第一平面；除去剝離光刻膠層。
13.如權(quán)利要求11或12的方法，還包括在第二寫間隙層和極尖的頂上制造第三寫間隙層。
14.一種制造可逆磁阻磁頭的方法，該方法包括在遠(yuǎn)離磁頭的空氣承載面(52)的基層(54)的凹部制造底極(56)；在底極上方制造聚合物絕緣層(58)和層電線圈(64)，其特征在于還包括在遠(yuǎn)離空氣承載面的聚合物絕緣層的頂上制造寫間隙(66A)并使其位于接近空氣承載面的底極的頂上；在寫間隙的頂上形成頂極(67)；在接近空氣承載面的頂極的頂上制造氧化物層(75)；把遠(yuǎn)離空氣承載面的頂極的部分頂面和氧化物層的頂面弄成平面；在氧化物層和頂極的頂上制造底屏蔽(74)；在底屏蔽的頂上制造第一讀間隙(78)；在接近空氣承載面的第一讀間隙部分的頂上形成磁阻元件(80)；在第一讀間隙部分的頂上制造電接觸(82)，電接觸電氣地連接磁阻元件和可逆磁阻磁頭的外部區(qū)域；在電接觸和磁阻元件的頂上制造第二讀間隙(84)；以及在第二讀間隙的頂上制造頂屏蔽(86)。
全文摘要
披露了一種制造可逆磁阻磁頭的方法。該方法包括制造一個(gè)寫部分，它包括位于有槽的基片(54)內(nèi)的底極(56)。底極被填充銅線圈(64)和聚合物(58)。在聚合物部分上制造寫間隙(64A)，極尖(72)以及頂極(67)。頂極的頂面被弄成平面，并在頂極上制造底屏蔽(74)，從而形成基本平滑的平面，在其上可以放置讀部分。在寫部分的頂上制造讀部分，它包括第一讀間隙(78)，磁阻元件(80)，第二讀間隙(84)以及屏蔽(86)。
文檔編號(hào)G11B5/31GK1143794SQ9611101
公開日1997年2月26日 申請(qǐng)日期1996年6月7日 優(yōu)先權(quán)日1995年6月7日
發(fā)明者A·E·舒爾茨, F·E·施泰堡, K·P·阿什, B·S·扎克 申請(qǐng)人:海門科技公司