專利名稱：光學(xué)傳感器和光磁信號(hào)再現(xiàn)裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種光學(xué)傳感器，尤其涉及一種用于光磁信號(hào)再現(xiàn)裝置的光學(xué)傳感器。


圖1表示一種用于光磁盤裝置的光學(xué)傳感器，這種裝置已于1995年12月26日公開(kāi)在Ando等人提出的美國(guó)專利U.S.P.5,479,387中。其中光學(xué)傳感器1由多個(gè)光學(xué)元件2-10組成。光學(xué)傳感器1經(jīng)由光柵元件3，分束器4，準(zhǔn)直透鏡5和物鏡6會(huì)聚由激光二極管2發(fā)出的激光束和由光磁盤11反射的激光束，并經(jīng)由渥拉斯頓(Wollastou)棱鏡7和復(fù)合透鏡8在光探測(cè)器9上成象。
然而，這類光學(xué)傳感器的缺點(diǎn)在于難于使整個(gè)裝置小型化。這種按排的另一個(gè)缺點(diǎn)是，由于多個(gè)光學(xué)部件必需分別組裝，所以可靠性的改善也很困難。這就使所述裝置不適合用于小型光磁盤類再現(xiàn)裝置，其中小尺寸高可靠的光傳感器是攸關(guān)重要的。
圖2A和2B表示1989年10月10日公布的Kume等人的美國(guó)專利U.S.P.4,873,429中公開(kāi)的一種結(jié)構(gòu)。該結(jié)構(gòu)被提出在小型光盤放演裝置中用為光學(xué)傳感器。所述的光學(xué)傳感器21配用一個(gè)激光二極管LD，一個(gè)晶體元件23，一個(gè)在其上具有光探測(cè)器PD1和PD2的半導(dǎo)體基襯24，以及其它的部件。如圖所示，這些部件被包容在一個(gè)外殼22內(nèi)。
光學(xué)傳感器21被設(shè)置在用透明件25封住的外殼22的開(kāi)孔內(nèi)，一個(gè)非偏振的半透光薄膜26設(shè)置在梯形截面的晶體分束元件23的傾斜表面上。第二粘合膜27設(shè)置在分束元件23和光探測(cè)器PD1之間，而第三反射膜28反射在晶體內(nèi)所反射的激光，它被設(shè)置在晶體分束元件23的上表面。
然而，上述的光學(xué)傳感器21不適用于光磁信號(hào)的再現(xiàn)，因?yàn)樵摴鈱W(xué)傳感器21是一種非偏振類型的光學(xué)系統(tǒng)。
本發(fā)明的目的在于提供一種光學(xué)傳感器和光磁信號(hào)再現(xiàn)裝置，它們與傳統(tǒng)的相應(yīng)設(shè)施相比體積小并且可靠性高。
可以由一種光學(xué)傳感器來(lái)實(shí)現(xiàn)上述的和其它目的，這種傳感器包括一個(gè)在其上形成一組光接收元件的半導(dǎo)體基襯；一個(gè)位于半導(dǎo)體基襯上的光發(fā)射元件，它發(fā)射一束光，這束光射向光磁信號(hào)記錄介質(zhì)；一個(gè)偏振分量分離元件，它由一個(gè)雙折射材料部件組成，用于把從光磁信號(hào)記錄介質(zhì)反射的回程光進(jìn)行分離，并用于將被分離的偏振光分量聚焦至預(yù)定的光接收元件上。
光磁信號(hào)記錄介質(zhì)上反射的回程光在由雙折射材料的光軸決定的預(yù)定方向上受到分離。
本發(fā)明的實(shí)質(zhì)、原理和實(shí)用性將從下述結(jié)合附圖的詳細(xì)說(shuō)明變得更為明白，各附圖中相類似的部件采用相同的參考數(shù)字或符號(hào)表示。
圖1是表示傳統(tǒng)的再現(xiàn)光磁信號(hào)所用光學(xué)傳感器的示意側(cè)視圖，圖2A和2B是表示小型光盤再現(xiàn)所用光學(xué)傳感器的示意側(cè)視圖；圖3是表示雙折射效應(yīng)的截面視圖；圖4是表示從光線入射一側(cè)看到的固有偏振方向的示意圖5是表示波法線方向和光能漸進(jìn)方向之間相互關(guān)系的示意圖；圖6A、6B和7A、7B是表示按照第一分離方法，在光經(jīng)過(guò)偏振分量分離元件反射后的分離的光點(diǎn)組示意圖；圖8A、8B和9A、9B是表示按照第二分離方法，在光經(jīng)過(guò)偏振分量分離部件反射后的分離的光點(diǎn)組示意圖；圖10是表示光學(xué)傳感器結(jié)構(gòu)的示意側(cè)視圖；圖11是表示光學(xué)傳感器在光磁信號(hào)再現(xiàn)裝置中安裝位置的示意側(cè)視圖；圖12是表示根據(jù)本發(fā)明的光磁信號(hào)再現(xiàn)裝置的電路布置方塊圖；圖13是表示用于在晶體內(nèi)四次反射光線的偏振分量分離部件的示意圖。
下面將參照附圖對(duì)本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例進(jìn)行說(shuō)明(1)光學(xué)傳感器(1-1)雙折射本發(fā)明的光學(xué)傳感器的特征在于，使用呈現(xiàn)雙折射的材料作為＂偏振分量分離元件＂，其中，根據(jù)入射光的偏振分量對(duì)入射光予以分開(kāi)，被分開(kāi)的光分量在分離元件內(nèi)受到多次反射以便促進(jìn)分離。本發(fā)明的其它特征在于，使用呈現(xiàn)雙折射的雙折射材料的單元部件或單片件形成分束棱鏡或偏振分量分離元件。采用上述結(jié)構(gòu)不需要依次按各自折射橢球的軸向疊置多片雙折射材料，這種雙折射橢球代表不同片的雙折射材料的特性，也無(wú)需仔細(xì)地進(jìn)行考慮。
需指出的是，在入射光通過(guò)偏振元件時(shí)，可以從入射光分離偏振光，而不用在偏振元件內(nèi)受到反射。然而，在這種情形下，重要的是隨著電場(chǎng)密度矢量D的不同(即波法線方向K的不同)在元件的界面處各折射方向是不同的。這種現(xiàn)象表示在圖3中，圖中表示尋常光(0-光)和非常光(沒(méi)有離散的e光)之間的分離。圖3特別表示了在空氣中的會(huì)聚光入射至一個(gè)單軸晶體YVO4(ne＝2.1893，no＝1.9734，λ＝780nm)上的情形。需指出的是，0光表示循從Snell定律的光線，而e光表示不服從該定律的光線。
本發(fā)明實(shí)施例的特征是，入射光線在分離元件內(nèi)受到一次或多次的反射，這種雙折射構(gòu)成了一個(gè)非常重要的特性。雙折射是指一種現(xiàn)象，其中，在電場(chǎng)密度矢量D的振動(dòng)方向不同時(shí)，即使在晶體內(nèi)的波法線矢量k是相同時(shí)，光線的矢量S(等于光波的電場(chǎng)矢量E乘上光波的磁場(chǎng)矢量H)也是不同的。下面將更詳細(xì)地說(shuō)明雙折射。
可以利用折射率橢球的二個(gè)軸向的長(zhǎng)度來(lái)表示通過(guò)雙折射材料行進(jìn)的給定光線的折射，這種橢球的雙軸是在用一個(gè)通過(guò)原點(diǎn)的面表面切割橢球時(shí)形成的，光束的波矢量k互相垂直。此時(shí)，軸方向是相應(yīng)于折射方向(見(jiàn)圖4)的電場(chǎng)密度矢量D的方向。在偏振光以45°角入射時(shí)，該偏振光受到分離，矢量D1和D2之間的差(見(jiàn)圖4)可用于導(dǎo)出光磁信號(hào)。
折射的不同是波法線矢量k的不同(見(jiàn)圖5)。然而，由于折射率是隨著波法線矢量k的不同而改變，所以折射率的改變需予以考慮。
隨折射方向不同所產(chǎn)生的波法線矢量k可由下述方式確定，即用一組折射率和固有偏振矢量D，依據(jù)波法線矢量服從Snell定律的事實(shí)來(lái)確定。
顯然，波法線矢量k的差僅用于分離偏振分量是足夠的。然而，在需要確認(rèn)分離的光線是如何行進(jìn)時(shí)，就需要考慮波法線矢量k移開(kāi)光線矢量S或者從光線矢量S的離散。
利用下述公式來(lái)計(jì)算光線矢量S。首先，利用在雙折射材料中的電場(chǎng)矢量E滿足等式D＝∈E的事實(shí)，得到電場(chǎng)矢量E＝∈-1D，而D和∈是已經(jīng)知道的(因?yàn)檎凵渎蕶E球已經(jīng)知道，所以從∈2＝∈/∈o式也可知道∈)。
還有，對(duì)于磁場(chǎng)矢量H和磁通量密度矢量B，如圖5所見(jiàn)，等式H//B//KXD成立。由于磁場(chǎng)矢量H的方向是已知的，所以可以由先前確定的電場(chǎng)矢量E，利用式S＝EXH來(lái)確定光線矢量S。
反射時(shí)此等式也成立。通常，雙折射材料以類似于上面提到的方式在界面沿兩個(gè)方向分離，這是由于雙折射材料相對(duì)于光波表面矢量k和固有矢量D呈現(xiàn)不同折射率的原因。
有關(guān)上述的論點(diǎn)，在圖3中的e光線(具有離散的)表現(xiàn)出一種光線受到移動(dòng)的情況。參見(jiàn)圖3，它表示在晶體內(nèi)不發(fā)生反射的情況。
(1-2)偏振分量分離元件(Y方向分離型)下面將對(duì)根據(jù)本發(fā)明這一方面說(shuō)明偏振分量分離元件的結(jié)構(gòu)。所述的偏振分量分離元件其單軸晶體的光軸位于垂直于如圖6A所示的反射表面法線的表面上。采用使入射光在晶體內(nèi)至少受到一次反射的方式來(lái)使用偏振分量分離元件。在這些條件下，P偏振分量和S偏振分量沿圖6B所示的Y軸方向受到分離。圖7A和7B表示，在上述情況下，光點(diǎn)是如何聚焦到光電探測(cè)器PD1，PD2和PD3上的，下面將預(yù)詳細(xì)公開(kāi)的聚焦光點(diǎn)＂ooo＂和＂eee＂，以一種傾斜的分離方式會(huì)聚在以系列安置的光電探測(cè)器PD2和PD3上。在本實(shí)施例中，例如＂oeo＂表示受到二次反射分離的＂尋常光→非常光→尋常光＂的光線成分。
在所述的偏振分量分離元件的情況下，晶體的光學(xué)特性受到抑制，致使反射前后在P-偏振分量和S-偏振分量中既不發(fā)生相位差，也不產(chǎn)生反射率之差。在光學(xué)性能受到抑制時(shí)，固有的偏振分量矢量D和S偏振分量之間的關(guān)系，以及固有的偏振分量矢量D和P偏振分量之間的關(guān)系在反射前后保持不變。此外，固有折射率在反射前后是一致的。于是，不能實(shí)現(xiàn)光線在反射表面上的分離，只有兩個(gè)光點(diǎn)＂ooo＂和＂eee＂受到完全地分離，并分別聚焦到光電探測(cè)器PD2和PD3上。
即使在產(chǎn)生相位差和反射率之差，以及反射前后光點(diǎn)受到分離時(shí)，由于反射過(guò)程使第一分離的光點(diǎn)稍微受到擴(kuò)展，但是第二光點(diǎn)清晰地被分離成兩個(gè)點(diǎn)群。當(dāng)對(duì)這兩個(gè)光點(diǎn)所得的差分輸出預(yù)以測(cè)定時(shí)，就可以得到光磁信號(hào)。
需要指出的是，上述偏振分量分離元件具有單軸晶體結(jié)構(gòu)。在晶體具有雙軸晶體結(jié)構(gòu)的情況下，一個(gè)相應(yīng)于與偏離晶體的折射光向的中間折射率具有較大折射率差的折射率的方向建立在垂直于反射面的法線的表面內(nèi)。在這種情況下，入射光線在晶體內(nèi)至少還受到一次反射。作為參考，三個(gè)中的兩個(gè)近似的折射率被置定為＂no＂，而其余一個(gè)被置定為＂ne＂，致使折射率很容易設(shè)定。
還有，在這種結(jié)構(gòu)中，如果相應(yīng)于晶體的三個(gè)折射率之外的中間折射率的一個(gè)方向設(shè)定為平行于反射面的法線的方向，則＂no＂和＂ne＂之間的差顯然變大(即光線的分離角可能變大)，從而可以取得可實(shí)用的分束功能。
在雙軸晶體的情況下，所能獲得的效果類似于在單軸晶體中所獲得的效果。由此，可以從大量的晶體材料選擇中來(lái)選取偏振分量分離元件，增加設(shè)計(jì)的自由度。
(1-3)偏振分量分離元件(x方向分離型)需指出的是，上面已給出有關(guān)偏振分量分離元件中光點(diǎn)受到在Y方向內(nèi)分離的說(shuō)明。然而，根據(jù)本發(fā)明，第二種分離可以出現(xiàn)在X方向上。
如圖8A所示，采用這種偏振分量分離元件，將單軸晶體的光軸設(shè)定在與入射到晶體上的初始光線的入射面之法線和反射面的法線平行的表面內(nèi)，入射光線在晶體內(nèi)至少受到一次反射。同時(shí)，在圖8B和圖9A和9B所示的X軸方向P偏振分量和S偏振分量受到分離。
按照這種方式，偏振分量的分離方向只能通過(guò)改變光軸的位置，甚至在使用單軸晶體時(shí)，才能得到改變，由此可將伺服誤差的檢測(cè)方法和PD分離方法用在光學(xué)系統(tǒng)的設(shè)計(jì)中。
順便提到，如果把雙軸晶體用于偏振分量分離元件中，則將一個(gè)偏離晶體的折射率方向的相應(yīng)于具有較大折射率差的折射率的方向設(shè)定在平行于初始光線入射在晶體上的入射表面的法線，以及平行于反射表面的法線的平面內(nèi)。與這樣的步驟一樣，可以得到上述的類似效果。
此外，在該結(jié)構(gòu)中，把不同于晶體的三個(gè)折射率的反映中間折射率的方向設(shè)定成，該方向既平行于入射到晶體上的初始光線的入射面，又平行于它的反射面的法線方向。于是，＂no＂和＂ne＂之間的差明顯地增大，致使光線的分離角加大，其結(jié)果是，可以得到實(shí)用的偏振分束器。
另外，在所述雙軸晶體情況中，可以獲得類似于用單軸晶體所獲取的效果。因此，對(duì)偏振分量分離元件可能有晶體材料的寬的選擇和設(shè)計(jì)的自由度。
由于對(duì)進(jìn)行的疊合不需要很精密，所以可以很容易加工高精度的偏振分量分離元件。
此外，在偏振分量分離元件由單片雙折射材料組成時(shí)，這種偏振分量分離元件隨著時(shí)間的進(jìn)程不會(huì)出現(xiàn)任何改變。
(2)光磁信號(hào)再現(xiàn)裝置圖10表示一種光學(xué)傳感器，它采用上述偏振分量分離元件。還有，圖11表示一種利用所述光學(xué)傳感器的光磁信號(hào)記錄和再現(xiàn)裝置的光學(xué)系統(tǒng)。圖12表示適用于本發(fā)明偏振分量分離元件實(shí)施例的電路布置方塊圖。
如圖10所示，光學(xué)傳感器41包括，一個(gè)激光二極管LD，一個(gè)位于半導(dǎo)體基襯42上的偏振分量分離元件43，在基襯上集成有光電探測(cè)器PD1至PD3。圖中的偏振分量分離元件43是一個(gè)上述類型的晶體元件，在光線晶體內(nèi)受到兩次反射。這里，所述偏振分量分離元件43具有梯形的截面，將其設(shè)置成，由偏振分束膜44反射激光束，該分束膜位于正對(duì)著激光二極管LD的分離元件43的傾斜表面上，反射的光入射到光磁盤的記錄表面上。作為參考，偏振分束膜44其Ts＝35％，Tp＝70％。
從光磁盤記錄面反射的回程光經(jīng)由偏振分束膜44進(jìn)入晶體43，使一部分回程光經(jīng)過(guò)半透膜45射向位于偏振分量分離元件43底部的光電探測(cè)器PD1上。另一方面，從偏振分量分離元件43底部反射的激光被射向位于偏振分量分離元件43上表面的反射膜46上，使光再次受到反射，并會(huì)聚到位于偏振分量分離元件43的底部的光電探測(cè)器PD2和PD3上。
從光電探測(cè)器PD1-PD3輸出電信號(hào)經(jīng)過(guò)一個(gè)I/V放大器53進(jìn)行電流-電壓變換，然后加至矩陣放大器54(見(jiàn)圖12)。
同時(shí)，矩陣放大器54在由光電探測(cè)器PD2和PD3所得的輸出信號(hào)中輸出一個(gè)差值信號(hào)作為光磁信號(hào)S3，同樣也輸出一個(gè)和值信號(hào)，或者至少一個(gè)輸出信號(hào)作為凹痕信號(hào)S4。矩陣放大器54通過(guò)運(yùn)算，并從光電探測(cè)器PD2和PD3至少一個(gè)的輸出信號(hào)中輸出一個(gè)聚焦誤差信號(hào)S2，用于計(jì)算，并從光電探測(cè)器PD1-PD3中的至少一個(gè)輸出一個(gè)尋軌誤差信號(hào)S1。
根據(jù)輸入的光磁信號(hào)S3和凹痕信號(hào)S4，由解調(diào)和釋碼電路55再現(xiàn)記錄在光磁盤54內(nèi)的信息，并把信號(hào)輸入到后階段的處理電路中。在該實(shí)施例中，偏振分量分離元件43可以是，LN(LiNbO3，單軸晶體)或是KTP(KTiOPO4，雙軸晶體)。
根據(jù)上述結(jié)構(gòu)，采用滿足上述條件偏振分量分離元件43和光發(fā)射元件，可以使光學(xué)傳感器小型化和結(jié)構(gòu)緊湊。而采用這種類型的光學(xué)傳感器可以使調(diào)節(jié)過(guò)程簡(jiǎn)化，并提高可靠性。還有，利用這樣一種小尺寸的光學(xué)傳感器可以實(shí)現(xiàn)與慣用的裝置相比具有小尺寸光磁信號(hào)再現(xiàn)的裝置。
(3)另一種實(shí)施例在上述的實(shí)施例中，入射到偏振分量分離元件上的光線在雙折射晶體內(nèi)只受到兩次反射。然而，反射的次數(shù)不限于兩次，還可以是三次或更多次。當(dāng)反射次數(shù)增加時(shí)，光點(diǎn)的分離和加工容限一起均可得到改善。還有，在這種情況下，可把偏振分量分離元件做得薄一些，仍舊可以取得足夠的光點(diǎn)分離。例如，圖13表示一個(gè)偏振分量分離元件43′，光在晶體內(nèi)的反射次數(shù)是四次，如圖所示在面a、b、c、d上的反射。增加反射次數(shù)對(duì)分離分辨率的效果可以從該圖的下部圖示中一目了然。
上面介紹了采用一種用于光磁盤中的光學(xué)傳感器的實(shí)施例。然而，本發(fā)明不限于這種使用，本發(fā)明也能用在從再寫袖珍光盤(MD-CD)或諸如光帶的光記錄介質(zhì)讀出信息的光學(xué)傳感器上。同樣，本發(fā)明不限于光磁盤再現(xiàn)裝置的使用，也可以用在諸如光帶記錄器的光記錄裝置上。
如上所述，按照本發(fā)明，通過(guò)利用單片(塊)雙折射材料形成一種偏振分量分離元件，使得不再需要多個(gè)元件的精確疊合。
本發(fā)明已結(jié)合優(yōu)選實(shí)施例作出了描述，顯然本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員可以在不偏離權(quán)利要求書限制的基本精神和范圍內(nèi)作出多種改變和改進(jìn)。
權(quán)利要求
1.一種光學(xué)傳感裝置，它包括一個(gè)半導(dǎo)體基襯，其上形成多個(gè)光接收元件；一個(gè)光發(fā)射元件，用于發(fā)射光束；一個(gè)偏振分量分離元件，用于分離所述的光束，其特征在于，所述偏振光分離元件由雙折射材料部件組成，由雙折射材料部件把分離的光束導(dǎo)向光接收元件。
2.一種如權(quán)利要求1的光學(xué)傳感裝置，其特征在于所述偏振分量分離元件設(shè)置在所述光接收元件上。
3.一種如權(quán)利要求1的光學(xué)傳感裝置，其特征在于所述偏振分量分離元件由單軸的雙折射材料晶體制成。
4.一種如權(quán)利要求1的光學(xué)傳感裝置，其特征在于所述偏振分量分離元件由雙軸的雙折射材料晶體制成。
5.一種如權(quán)利要求3的光學(xué)傳感裝置，其特征在于所述的偏振分量分離元件包括或者在所述元件內(nèi)，或者在鄰近所述晶體的交界面至少一次反射所述光束的裝置。
6.一種如權(quán)利要求4的光學(xué)傳感裝置，其特征在于，所述偏振分量分離元件在所述的偏振分量分離元件內(nèi)，或者在靠近所述晶體的界面處至少一次反射所述的光束。
7.一種如權(quán)利要求5的光學(xué)傳感裝置，其特征在于，所述單軸晶體的光軸位于垂直于所述反射面的法線的表面內(nèi)。
8.一種如權(quán)利要求5的光學(xué)傳感裝置，其特征在于，把一個(gè)不同于所述雙軸晶體的折射率方向的相應(yīng)于與中間折射率具有較大折射率差的折射率方向設(shè)定在垂直于反射表面法線的表面內(nèi)。
9.一種如權(quán)利要求6的光學(xué)傳感裝置，其特征在于，把一個(gè)不同于所述晶體的三個(gè)折射率方向的相應(yīng)于中間折射率的方向設(shè)定在平行于反射表面法線的方向上。
10.一種光學(xué)傳感器，它包括一個(gè)半導(dǎo)體基襯，在其上形成多個(gè)光接收區(qū)；一個(gè)光發(fā)射元件，用于發(fā)射光束，所述的光發(fā)射元件被安裝在所述的半導(dǎo)體基襯上；一個(gè)偏振分離棱鏡，用于分離所述的光束，并安置在所述的光接收元件上；其特征在于所述的偏振分離棱鏡由一片雙折射材料組成，它包括在所述偏振分離棱鏡內(nèi)或者在鄰近棱鏡的界面內(nèi)至少一次反射所述光束的裝置。
11.一種如權(quán)利要求10的光學(xué)傳感裝置，其特征在于，所述的棱鏡具有接收所述光束的第一表面，部分透過(guò)所述光束和反射所述光束其它部分的第二表面，以及反射所述光束的第三表面，所述第二表面位于整個(gè)所述光接收區(qū)的上方。
12.一種如權(quán)利要求11的光學(xué)傳感裝置，其特征在于，所述第一表面正對(duì)于所述的光發(fā)射元件。
13.一種如權(quán)利要求11的光學(xué)傳感裝置，其特征在于，所述第一表面支承一個(gè)偏振分束膜。
14.一種如權(quán)利要求10的光學(xué)傳感裝置，其特征在于，所述偏振分離棱鏡由單軸的雙折射材料組成。
15.一種如權(quán)利要求10的光學(xué)傳感裝置，其特征在于，所述偏振分離棱鏡由雙軸的雙折射材料組成。
16.一種光磁信號(hào)再現(xiàn)裝置，它包括一個(gè)半導(dǎo)體基襯，在其上形成多個(gè)光探測(cè)元件；一個(gè)光發(fā)射元件，用于發(fā)射光束；一個(gè)偏振分量分離元件，用于分開(kāi)所述的光束，所述的偏振分量分離元件由一個(gè)雙折射材料部件組成，用于分開(kāi)所述的光束，和把分開(kāi)的光束導(dǎo)向所述的光接收元件。一個(gè)信號(hào)處理電路，用于依據(jù)所述光探測(cè)元件的輸出來(lái)再現(xiàn)光磁信號(hào)。
17.一種如權(quán)利要求16的再現(xiàn)裝置，其特征在于，所述的棱鏡具有用于接收光束的第一表面，透過(guò)部分所述光束和反射其余部分光束的第二表面，反射所述光束的第三表面，所述第二表面設(shè)置在所述接收元件上。
18.一種如權(quán)利要求16的再現(xiàn)裝置，其特征在于，所述光發(fā)射元件形成在所述半導(dǎo)體基襯上。
19.一種如權(quán)利要求16的再現(xiàn)裝置，其特征在于，所述的信號(hào)處理電路依據(jù)光探測(cè)元件的輸出產(chǎn)生一個(gè)聚焦誤差信號(hào)和一個(gè)導(dǎo)軌信號(hào)。
20.一種如權(quán)利要求16的再現(xiàn)裝置，其特征在于，所述的偏振分量分離元件安置在所述的光接收元件上。
21.一種如權(quán)利要求16的再現(xiàn)裝置，其特征在于所述的偏振分量分離元件在所述的偏振分量分離元件中，或在鄰近所述晶體的界面內(nèi)至少一次反射所述的光束。
全文摘要
一種光學(xué)傳感器，它包括一個(gè)作為雙折射材料部件或單片形成的偏振分量分離元件，分離元件不需要對(duì)疊置片的光軸進(jìn)行仔細(xì)的適配，在構(gòu)成分離元件的雙折射晶體內(nèi)的多次反射提高了偏振分量的分離和分辨率，這種提高是從離開(kāi)介質(zhì)表面的后面反射激光束所獲取的。
文檔編號(hào)G11B7/12GK1165371SQ96110928
公開(kāi)日1997年11月19日 申請(qǐng)日期1996年6月23日 優(yōu)先權(quán)日1995年6月23日
發(fā)明者西紀(jì)彰, 齊藤公博, 松本秀一, 服部真人 申請(qǐng)人:索尼公司