專利名稱：高密cd盤的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種僅用于重放記錄信息的CD盤，更具體地說(shuō)，涉及一種具有高信道密度的CD盤。
目前，僅用于重放的CD盤在市場(chǎng)上有能記錄聲音，文字及圖像的視頻CD盤(VCD)出售。這種VCD盤與磁性記錄視頻盒帶相比較，具有較短的搜索時(shí)間，并且不與重放媒體接觸而防止損壞信息。然而，由于VCD的容量是有限的，例如，12cm盤的容量為650MB，則其不能為長(zhǎng)時(shí)間重放儲(chǔ)存足夠的圖像信息。為了對(duì)長(zhǎng)時(shí)間重放記錄足夠的圖像信息，需要一種高密盤。


圖1顯示了傳統(tǒng)CD盤的結(jié)構(gòu)及其相應(yīng)的記錄格式。
傳統(tǒng)的CD盤具有一底層1，一反射薄膜2和一保護(hù)層3。底層1上開有大量代表信息單元的坑4。其中，坑4相對(duì)于盤中心按同心圓或螺旋線形排列在由槽和棱組成的信道上。當(dāng)來(lái)自一個(gè)光拾取器(圖中沒有顯示)的激光束5通過(guò)底層1聚焦在反射薄膜2上時(shí)，在記錄表面(坑式信息表面)上就形成了一個(gè)光點(diǎn)6。當(dāng)光點(diǎn)6在坑4上移動(dòng)時(shí)，反射薄膜2上的反射率發(fā)生變化。于是，以反射光的反射率的變化可以檢測(cè)到一個(gè)電信號(hào)，這樣即能讀取記錄在CD盤上的信息，以及讀取用于光點(diǎn)的跟蹤和聚焦所需的位置信息。
根據(jù)光點(diǎn)6的直徑，排列有坑4的信道之間的間距通常是1.6μm，以便光點(diǎn)6不交疊覆蓋相鄰信道的坑。同時(shí)，坑4的深度大約為所用光的波長(zhǎng)的1/5到1/4。
在傳統(tǒng)的CD盤中，為了增加記錄密度，現(xiàn)有的辦法是減小信道的間距來(lái)增加信道密度。然而，僅減小信道的間距以增大信道密度的同時(shí)，由相鄰信道的坑引起光的干涉就產(chǎn)生串?dāng)_，而在重放信號(hào)中會(huì)產(chǎn)生噪音。另外，傳統(tǒng)的CD盤的記錄格式中，與目標(biāo)信道相鄰的一信道上的坑是隨機(jī)排列的，所以不能消除串?dāng)_。因此，為了增加信道密度，必須改變CD盤的傳統(tǒng)記錄格式。
因此，本發(fā)明的目的是，提供一種具有高信道密度的高密度CD盤，其能記錄長(zhǎng)時(shí)間播放的足夠信息。
本發(fā)明的另一目的是，提供一種在重放過(guò)程中不產(chǎn)生串?dāng)_的具有高信道密度的高密CD盤。
為達(dá)到上述目的，本發(fā)明提供了一種包含一記錄表面的高密度CD盤，在這個(gè)記錄表面上代表信息信號(hào)的坑排列在一預(yù)定的軌道上，其中，記錄表面由沿信道交互排列的槽與棱組成，槽與棱上都開有坑。
槽深的最佳范圍是λ7η-λ6η]]>在此，λ是光的波長(zhǎng)，η是磁盤底層的折射率。
參考附圖所示的一最優(yōu)實(shí)施例，就能更加詳細(xì)和具體地介紹本發(fā)明的目的及其優(yōu)點(diǎn)，這些附圖包括圖1是傳統(tǒng)CD盤的結(jié)構(gòu)記錄格式的局部透視圖；圖2是本發(fā)明所提供的高密度CD盤的結(jié)構(gòu)及記錄格式的局部透視圖；圖3是圖2所示的CD盤的斷面圖；圖4A和4B是用來(lái)解釋對(duì)本發(fā)明介紹的高密度CD盤槽深優(yōu)選方法的示意圖；圖5是本發(fā)明介紹的高密CD中串?dāng)_程度隨槽深的變化曲線。
現(xiàn)參照附圖詳述用來(lái)實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的高密CD盤的一優(yōu)選實(shí)施例。
參照?qǐng)D2與圖3，標(biāo)號(hào)10代表一個(gè)透明底層，它的折射率是預(yù)先確定的，能透過(guò)上面提到的激光。底層10的上表面形成記錄表面。記錄表面開了許多槽11和棱12，各條信道以相對(duì)于光盤中心呈同心圓或螺線形，前述槽和棱沿信道相鄰排列。信息記錄在開于槽11和棱12中的一系列坑13上，每個(gè)坑代表一個(gè)單元信息信號(hào)。在底層10上的記錄表面上，即槽11和棱12上，涂有用來(lái)反射激光的金屬薄膜那樣的一層反射薄膜。反射薄膜14上面有一層保護(hù)層15。
如果該相鄰的槽11或相鄰的棱12之間的間距與傳統(tǒng)CD盤的信道的間距相同，那么所得到的信道密度是傳統(tǒng)格式的兩倍。在本發(fā)明中，當(dāng)激光束從光拾取器上投射并聚焦于目標(biāo)槽上，在記錄表面上形成的光點(diǎn)就部分達(dá)到目標(biāo)槽11兩邊的兩棱12(見圖4A與4B)。
由于棱12上有坑13，所以可能產(chǎn)生串?dāng)_(crosstalk)。然而，根據(jù)本發(fā)明，可以通過(guò)調(diào)節(jié)槽11的深度d來(lái)優(yōu)化記錄格式，從而降低串?dāng)_程度，但必須建立在下述條件上。
串?dāng)_可以解釋為以槽部上反射回的光和以棱部上反射回的光之間的相互干涉。例如，如圖4A和4B中所示，如果坑13以間距q按預(yù)定的大小僅排列在槽11上，而棱部12上沒有記錄信息，且光點(diǎn)6沿著棱部12的中心移動(dòng)，則反射光的強(qiáng)度隨著相鄰槽11上開的坑13而變化，其變化周期為q。即，該強(qiáng)度變化幅度可定義為串?dāng)_。
當(dāng)光點(diǎn)16處于圖4A和4B所示位置時(shí)，來(lái)自槽區(qū)11和棱區(qū)12的反射光的相位差可分別表達(dá)為4πλd,]]>4πλd+π]]>其中λ是激光束的波長(zhǎng)，d是槽11的深度。
用來(lái)確定相位差的干涉程度的條件是cos(4πλd)=cos(4πλd+π)]]>d=λ8]]>當(dāng)坑13僅排列于棱12上，光點(diǎn)16聚焦于槽11的中心時(shí)，用來(lái)確定相位差的干涉程度的條件為，cos(4πλd)=cos(4πλd-π)]]>d=λ8]]>這里的結(jié)果與上面的結(jié)果相同。
即，當(dāng)槽11的深度大約為光的波長(zhǎng)的1/8時(shí)，串?dāng)_最小。
上面是高密CD盤記錄格式的一個(gè)簡(jiǎn)化例子，這里沒有考慮上述底層的折射率。
下面是一些可以利用的實(shí)際條件。它們是根據(jù)Hopkins衍射理論通過(guò)計(jì)算機(jī)模擬而得到的根據(jù)槽深來(lái)測(cè)量串?dāng)_程度的數(shù)據(jù)。
激光波長(zhǎng)λ680nm物鏡的孔徑0.6槽和棱的寬度 0.7μm信道間距 1.4μm坑間距1.1μm坑深 λ/4n(n＝1.51，底層折射率)坑長(zhǎng) 0.55μm坑寬 0.5μm當(dāng)僅變化槽深時(shí)，測(cè)得的串?dāng)_程度如圖5所示。在圖上，表示槽深的水平軸的單位為nm，表示串?dāng)_程度的垂直軸的單位為dB。根據(jù)此圖，當(dāng)槽深大約為70nm時(shí)，即，在λ/7η～λ/6η之間，串?dāng)_顯著減小。這里，串?dāng)_程度還會(huì)隨相鄰信道的坑的形狀而變化，但其串?dāng)_程度很小，這種變化小得可以忽略不計(jì)。
正如上面所述，根據(jù)本發(fā)明，信道被分為槽和棱，槽和棱上都開有代表信息信號(hào)的坑，從而將信道密度增加到兩倍，進(jìn)一步地說(shuō)，本發(fā)明提供了一種高密CD盤，可長(zhǎng)時(shí)間重放，并且沒有由于串?dāng)_而帶來(lái)的噪音。所以，本發(fā)明在提高CD盤作為儲(chǔ)存大量聲音，文字及圖像信息的媒質(zhì)的實(shí)用性上是有效的。
另外，根據(jù)本發(fā)明，在高密CD盤中，信道信號(hào)也可以根據(jù)由槽和棱的深度而引起的光強(qiáng)的變化來(lái)進(jìn)行簡(jiǎn)單地檢測(cè)。這樣，對(duì)傳統(tǒng)CD盤不適用的通過(guò)推拉式方法(push-pull method)控制信道在這里可以使用，并且可簡(jiǎn)化光拾取的光學(xué)系統(tǒng)。
權(quán)利要求
1.一種高密CD盤，包括一個(gè)記錄表面，其上面沿一預(yù)定信道排列著代表信息信號(hào)的坑，其中上述記錄表面由沿著上述信道交替排列的槽和棱組成，上述槽和上述棱上都開著上述的坑。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高密CD盤，其中上述槽的深度范圍是λ7ηλ6η]]>這里λ是光的波長(zhǎng)，η是光盤底層的折射率。
全文摘要
一種高密CD盤,其具有用來(lái)記錄長(zhǎng)時(shí)間播放的信息。為了增加信道密度,一底層上面的記錄表面被分成槽和棱以形成信道,槽和棱上都排列有代表信息信號(hào)的坑。其中,槽的深度是根據(jù)光的波長(zhǎng)和底層折射率進(jìn)行優(yōu)選確定的,所以降低了重放過(guò)程中由于相鄰槽和棱上的坑而產(chǎn)生的串?dāng)_。本發(fā)明在提高CD盤作為儲(chǔ)存大量圖像信息的媒質(zhì)的實(shí)用性上是有效的。
文檔編號(hào)G11B7/24GK1171594SQ9611057
公開日1998年1月28日 申請(qǐng)日期1996年7月23日 優(yōu)先權(quán)日1996年7月23日
發(fā)明者李溶宰, 樸昞皓, 鄭教龐 申請(qǐng)人:三星電子株式會(huì)社