專利名稱：：實(shí)現(xiàn)超分辨率的磁-光記錄介質(zhì)及使用該介質(zhì)的再生方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及磁—光記錄介質(zhì)，其中使用激光束記錄信息和再生信息，更具體地講涉及磁—光記錄介質(zhì)和磁—光再生方法，它們能夠?qū)崿F(xiàn)高密度記錄和超分辨率再生。關(guān)于可再寫的高密度記錄系統(tǒng)，磁—光記錄系統(tǒng)已受到很大的注意，其中使用半導(dǎo)體激光束的熱能、通過在磁薄膜中寫磁疇來記錄信息，并且使用磁—光效應(yīng)讀出所記錄的信息。近幾年來，為了進(jìn)一步增加其存儲(chǔ)量，已增加了對提高該磁—光記錄介質(zhì)的記錄密度的要求。一個(gè)光盤，如磁—光記錄介質(zhì)的行記錄密度主要取決于再生光系統(tǒng)中的激光束的波長1和物鏡的孔徑值NA。具體而言，由于再生光波長和物鏡孔徑值被確定時(shí)，光束收斂部分的直徑被確定了，所以可再生的最短標(biāo)記長度受到約λ/2NA的限制。另一方面，軌跡密度主要受相鄰軌跡之間的串音的限制，并取決于類似最短標(biāo)記長度的再生光束點(diǎn)的直徑。因此，為了實(shí)現(xiàn)以常規(guī)光盤的更高密度記錄，必須縮短再生光系統(tǒng)中的激光束波長或者增加物鏡的孔徑值NA。但是，考慮到元件的效率、熱的產(chǎn)生等等情況，縮短激光束波長是不容易的。另一方面，當(dāng)增加物鏡的孔徑值時(shí)，物鏡的處理變得困難，此外，物鏡與光盤間的距離太短以致于產(chǎn)生諸如與光盤碰撞的機(jī)械問題?？紤]到這個(gè)情況，已經(jīng)開發(fā)了改進(jìn)記錄介質(zhì)結(jié)構(gòu)和信息讀出方法的技術(shù)，以便增加記錄密度。例如，在日本專利申請公開3—93056中所公開的磁—光再生方法中，已經(jīng)提出了如圖1A至1C所示的介質(zhì)結(jié)構(gòu)。圖1A是作為超分辨率技術(shù)的一個(gè)例子的光盤截面圖?；?0通常由透明材料如玻璃或聚碳酸酯構(gòu)成。在基底20上，一個(gè)干涉層34，一個(gè)再生層31，一個(gè)中間層32，一個(gè)存儲(chǔ)層33和一個(gè)保護(hù)層35按上述名稱順序?qū)訅涸诨咨?。干涉?4用于增強(qiáng)克耳(Kerr)效應(yīng)，而保護(hù)層35用于保護(hù)磁層。磁層中的每個(gè)箭頭代表磁化強(qiáng)度的方向或者在磁膜中原子的磁矩。光點(diǎn)照射到具有再生層、中間層和存儲(chǔ)層的介質(zhì)上，以在該介質(zhì)上形成溫度分布。在溫度分布中，在高溫度區(qū)的再生層與存儲(chǔ)層之間的磁耦合被具有低居里(Curie)溫度的中間層切斷，在磁耦合被切斷的部分該再生層的磁化強(qiáng)度由一個(gè)外部磁場在一個(gè)方向上排列，以掩蔽光點(diǎn)內(nèi)的存儲(chǔ)層的磁疇信息部分。這樣，周期等于或小于光衍射極限的信號可被再生，以便改進(jìn)行記錄密度。另一方面，如在日本專利申請公開3—93058和4—255946所公開的超分辨率產(chǎn)生方法中，使用了由一個(gè)再生層31，一個(gè)中間層32和一個(gè)存儲(chǔ)層33構(gòu)成的介質(zhì)，如圖2A至2C所示。在再生信息之前，由初始化磁場21以一個(gè)方向排列再生層31的磁化強(qiáng)度，以便掩蔽存儲(chǔ)層33的磁疇信息。此后，光點(diǎn)2照射在介質(zhì)上形成溫度分布。在該溫度分布中，再生層31的初始化狀態(tài)保持在低溫度區(qū)形成一個(gè)前掩蔽4。另一方面，在溫度等于或大于中間層32的居里溫度Tc2的高溫區(qū)中，再生層31的磁化強(qiáng)度被迫朝向再生磁場22的方向，以便形成一個(gè)后掩蔽5。僅在中間溫度區(qū)中，存儲(chǔ)層33的磁疇信息被轉(zhuǎn)移，以減少再生光點(diǎn)的有效尺寸。通過這樣安排，等于或小于光衍射極限的記錄標(biāo)記1可被再生，以便改善行記錄密度。另一方面，在日本專利申請公開6—124500中，已提出一種磁—光記錄介質(zhì)結(jié)構(gòu)，如圖3A至3C中所示，該介質(zhì)提供一種超分辨率技術(shù)實(shí)現(xiàn)超過再生信號的光分辨率的記錄密度。圖3A是作為超分辨率技術(shù)的一個(gè)例子的光盤的截面圖。磁場中的每個(gè)箭頭代表該磁膜中的鐵族元素亞晶格磁化強(qiáng)度的方向。存儲(chǔ)層42是由諸如具有大的垂直磁性異向的TbFeCo，DyFeCo等材料構(gòu)成的薄膜。信息以磁疇的形式保持在存儲(chǔ)層42中，磁疇相對于磁膜表面向上或向下。在室溫下再生層41是一個(gè)同平面磁化膜，當(dāng)溫度增加到T1－掩蔽時(shí)變?yōu)橐粋€(gè)垂直磁化膜。當(dāng)信息再生光從基底20的一側(cè)照射在具有前述介質(zhì)結(jié)構(gòu)的光盤時(shí)，在數(shù)據(jù)軌跡中心的溫度梯度變成圖3C中所示的那樣。當(dāng)從基底20的該側(cè)看這種情況時(shí)，在光點(diǎn)中存在如圖3B中所示的T1－掩蔽的等溫線。如上所述，由于再生層41在溫度低于T1－掩蔽時(shí)是一個(gè)同平面磁化膜，它對那部分的克耳效應(yīng)(形成前掩蔽4)沒有影響，以便保持在存儲(chǔ)層42中的記錄的磁疇被前掩蔽4掩蔽。另一方面，在溫度不小于T1－掩蔽的部分，再生層41變成一個(gè)垂直磁化膜，而且，由于來自存儲(chǔ)層42的交換耦合力，磁化強(qiáng)度的方向變成與記錄的信息相同。因此，存儲(chǔ)層42的記錄磁疇只轉(zhuǎn)移到比光點(diǎn)2的尺寸小的孔徑部分3，以便實(shí)現(xiàn)超分辨率。在前述公知的超分辨率技術(shù)中，由于在低溫度區(qū)的前掩蔽4朝著相鄰軌跡延伸，那些技術(shù)的目的也在于改進(jìn)軌跡密度以及行記錄密度。但是，在日本專利申請公開3—93056所公開的方法中，雖然分辨率可提高而不降低信號均等性，但是它必須加上再生磁場。而且，在日本專利申請公開3—93058和4—255946所公開的方法中，在再生信息之前，必須以一個(gè)方向排列再生層31的磁化強(qiáng)度，以便為此目的的初始化磁場21應(yīng)加到常規(guī)的器件上。而且，在日本專利申請公開6—124500所公開的超分辨率再生方法中，由于只使用前掩蔽4，在為增加分辨率而擴(kuò)展掩蔽區(qū)時(shí)，孔徑3的位置偏離了光點(diǎn)的中心而降低了信號均等性。如上所述，常規(guī)的超分辨率再生方法包含以下問題分辨率不能增加到足夠的程度，磁—光記錄/再生裝置結(jié)構(gòu)復(fù)雜，成本高，體積難以減小等等。本發(fā)明已解決了上述問題，其目的是提供一種磁—光記錄介質(zhì)和使用該介質(zhì)的磁—光信息再生方法，它以簡單的結(jié)構(gòu)、高的信號均等性再生等于或小于光的衍射極限的記錄標(biāo)記，在再生時(shí)它不需要初始化磁場或再生磁場。為了取得上述目的，提供一種磁—光記錄介質(zhì)，包括一個(gè)基底；層壓在該基底上的第一磁層，用于再生信息；層壓在第一磁層上的第二磁層，用于存儲(chǔ)該信息；和第三磁層，配置在第一與第二磁層之間，其居里溫度比第一及第二磁層的居里溫度低，其中第一磁層的一個(gè)區(qū)域的磁化方向是以圍繞該第一磁層的區(qū)域的磁化方向排列，該區(qū)域與第三磁層的一個(gè)區(qū)域相鄰，溫度等于或高于第三磁層的居里溫度。為了達(dá)到上述目的，還提供一種信息再生方法，用于再生存儲(chǔ)在磁—光記錄介質(zhì)中的信息，該記錄介質(zhì)包括一個(gè)基底；層壓在該基底上的第一磁層，用于再生信息；層壓在第一磁層上的第二磁層，用于存儲(chǔ)該信息；和第三磁層，配置在第一與第二磁層之間，其居里溫度比第一及第二磁層的居里溫度低，其中第一磁層的一個(gè)區(qū)域的磁化方向是以圍繞該第一磁層的區(qū)域的磁化方向排列，該區(qū)域與第三磁層的一個(gè)區(qū)域相鄰，溫度等于或高于第三磁層的居里溫度，該信息再生方法包括如下步驟照射一個(gè)光點(diǎn)，第三磁層的溫度增加到接近在該光點(diǎn)內(nèi)高溫度區(qū)中的其居里溫度，以便在該高溫度區(qū)中以圍繞該高溫度區(qū)的第一磁層的磁化方向排列第一磁層的磁化方向；至少在所述光點(diǎn)內(nèi)的中間溫度區(qū)轉(zhuǎn)移存儲(chǔ)在第二磁層的信息到第一磁層；和通過檢測所述光點(diǎn)的反射光的磁—光效應(yīng)再生該信息。圖1A至1C，2A至2C和3A至3C分別表示常規(guī)的超分辨率的方法；圖4是表示根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的磁—光記錄介質(zhì)的磁層的基本層結(jié)構(gòu)的簡圖；圖5A至5C是表示根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例用于該磁—光記錄介質(zhì)的信息再生方法的一種方式的簡圖，其中圖5A是表示在該介質(zhì)上表面上的光點(diǎn)內(nèi)的一個(gè)掩蔽區(qū)和一個(gè)孔徑區(qū)的簡圖，圖5B是表示每層的磁化方向狀態(tài)的簡圖，而圖5C是表示在軌跡方向的溫度分布的簡圖；圖6A至6C是表示根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例用于磁—光記錄介質(zhì)的信息再生方法的另一種方式的簡圖，其中圖6A是表示在該介質(zhì)的上表面上光點(diǎn)內(nèi)的一個(gè)掩蔽區(qū)和一個(gè)孔徑區(qū)的簡圖，圖6B是表示每層的磁化方向狀態(tài)的簡圖，而圖6C是表示在軌跡方向的溫度分布圖；圖7A至7C是說明根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例，光點(diǎn)的高溫區(qū)在磁—光記錄介質(zhì)中被掩蔽的原理示意圖。圖8是表示由于布洛赫(Bloch)磁壁能引起的靜磁場Hleak、Hst和有效磁場Hwb的簡圖，它們被加到轉(zhuǎn)移到再生層的記錄磁疇；圖9A是表示逆平行型層結(jié)構(gòu)的穩(wěn)定磁化狀態(tài)示意圖，其中分別是交換耦合力和靜磁耦合力占優(yōu)勢；圖9B是表示平行型層結(jié)構(gòu)的穩(wěn)定磁化狀態(tài)的示意圖，其中分別是交換耦合力和靜磁耦合力占優(yōu)勢；圖10A至1℃分別表示相對于具有不同補(bǔ)償溫度的GdFeCo的飽和磁化的溫度相關(guān)性的示意圖；圖11是表示GdFeCo的補(bǔ)償溫度和居里溫度的成分相關(guān)性的示意圖12是表示根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例的抗磁場能2Ms2的溫度特性的一個(gè)例子和磁—光記錄介質(zhì)的再生層的垂直磁性異向常數(shù)Ku；圖13A至13C是表示根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例的磁—光記錄介質(zhì)各個(gè)磁層的Ms溫度特性的例子的示意圖；圖14是表示本發(fā)明的磁—光記錄介質(zhì)層結(jié)構(gòu)的一個(gè)例子的示意圖；圖15A和15B是表示界面磁壁的示意圖；圖16是表示GdFeCo再生層的飽和磁化強(qiáng)度的溫度相關(guān)性的示意圖；圖17是表示TbFeCo存儲(chǔ)層的飽和磁化強(qiáng)度的溫度相關(guān)性的示意圖；圖18是表示在中間層的居里溫度上再生層飽和磁化強(qiáng)度的再生層組成—X相關(guān)性的示意圖；圖19是表示在實(shí)驗(yàn)例7至10中C/N和能量(Ewb－Eleak－Est－Ecl)的再生層組成—X相關(guān)性的示意圖；圖20是表示在實(shí)驗(yàn)例11至14中C/N和能量(Ewb－Eleak－Est－Ecl)的再生層組成—X相關(guān)性的示意圖；圖21是表示載波、噪聲、幅度和DC電平的再生功率相關(guān)性的示意圖；圖22是表示C/N的再生磁場相關(guān)性的示意圖；圖23是表示串音的再生功率相關(guān)性的示意圖；圖24是表示根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施例的磁—光記錄介質(zhì)的基本層結(jié)構(gòu)的示意圖25A是表示由于再生層的膜厚引起的掩蔽效應(yīng)的示意圖；圖25B是表示由于再生層的膜厚引起的孔徑效應(yīng)的示意圖；圖26A是表示由于中間層的膜厚引起的掩蔽效應(yīng)的示意圖；圖26B是表示由于中間層的膜厚引起的孔徑效應(yīng)的示意圖；圖27是表示C/N的再生層膜厚相關(guān)性的示意圖；圖28是表示串音的再生層膜厚相關(guān)性的示意圖；圖29是表示C/N的中間層膜厚相關(guān)性的示意圖；圖30是表示串音的中間層膜厚相關(guān)性的示意圖；圖31是表示根據(jù)本發(fā)明的第三實(shí)施例的磁—光記錄介質(zhì)的基本結(jié)構(gòu)的示意圖；圖32是表示載波和噪聲的再生功率相關(guān)性的示意圖；圖33是表示C/N的標(biāo)記長度相關(guān)性的示意圖；圖34是表示串音的再生功率相關(guān)性的示意圖；圖35是表示C/N的再生層Gd含量相關(guān)性的示意圖；圖36是表示串音的再生層Gd含量相關(guān)性的示意圖；圖37是表示C/N的中間層Gd含量相關(guān)性的示意圖；圖38是表示串音的中間層Gd含量相關(guān)性的示意圖；圖39是表示C/N的存儲(chǔ)層Tb含量相關(guān)性的示意圖；圖40是表示第三實(shí)施例的磁—光記錄介質(zhì)的另一個(gè)結(jié)構(gòu)的示意圖；圖41是表示當(dāng)對于第三實(shí)施例的介質(zhì)進(jìn)行磁場調(diào)制記錄時(shí)，載波和噪聲的記錄功率相關(guān)性的示意圖；圖42是表示根據(jù)本發(fā)明的第四實(shí)施例的磁—光記錄介質(zhì)的基本結(jié)構(gòu)的示意圖43是表示載波和噪聲的再生功率相關(guān)性的示意圖；圖44是表示載波、噪聲、幅度和DC電平的再生功率相關(guān)性的示意圖；圖45是表示C/N的再生磁場相關(guān)性的示意圖；圖46是表示C/N的標(biāo)記長度相關(guān)性的示意圖；圖47是表示串音的再生功率相關(guān)性的示意圖；圖48是表示該再生層的C/N與飽和磁化強(qiáng)度之間的關(guān)系的示意圖；圖49是表示該再生層的串音與飽和磁化強(qiáng)度之間的關(guān)系的示意圖；圖50是表示該中間層的C/N與飽和磁化強(qiáng)度之間的關(guān)系的示意圖；圖51是表示該中間層的串音與飽和磁化強(qiáng)度之間的關(guān)系的示意圖；圖52是表示該再生層的飽和磁化強(qiáng)度與補(bǔ)償溫度之間的關(guān)系的示意圖；圖53是表示該中間層的飽和磁化強(qiáng)度與居里溫度之間的關(guān)系的示意圖；圖54是表示再生層的補(bǔ)償溫度和中間層的居里溫度之間的差與C/N之間的關(guān)系的示意圖；圖55是表示存儲(chǔ)層的C/N與飽和磁化強(qiáng)度之間的關(guān)系的示意圖；圖56是表示第四實(shí)施例的磁—光記錄介質(zhì)的另一個(gè)結(jié)構(gòu)的示意圖57是表示當(dāng)對于第四實(shí)施例的介質(zhì)進(jìn)行磁場調(diào)制記錄時(shí)，載波和噪聲的記錄功率相關(guān)性的示意圖；圖58是表示根據(jù)本發(fā)明第五實(shí)施例的磁—光記錄介質(zhì)磁層的基本層結(jié)構(gòu)的示意圖；圖59A至59C是表示根據(jù)本發(fā)明的第五實(shí)施例用于磁—光記錄介質(zhì)的信息再生方法的一種方式的示意圖，其中圖59A是表示在該介質(zhì)的上表面上的光點(diǎn)內(nèi)的掩蔽區(qū)和孔徑區(qū)的示意圖，圖59B是表示每層的磁化方向狀態(tài)的示意圖，圖59C是表示在軌跡方向的溫度分布的示意圖；圖60A至6℃是表示根據(jù)本發(fā)明第五實(shí)施例的磁—光記錄介質(zhì)的信息再生方法的另一種方式的示意圖，其中圖60A是表示在該介質(zhì)上表面上的光點(diǎn)內(nèi)的掩蔽區(qū)和孔徑區(qū)的示意圖，圖60B是表示每層的磁化方向狀態(tài)的示意圖，圖6℃是表示在軌跡方向的溫度分布的示意圖；圖61是表示根據(jù)本發(fā)明第五實(shí)施例的磁—光記錄介質(zhì)層結(jié)構(gòu)的一個(gè)例子的示意圖；圖62是表示根據(jù)本發(fā)明第五實(shí)施例的磁—光記錄介質(zhì)層結(jié)構(gòu)的另一個(gè)例子的示意圖；圖63A和63B是表示根據(jù)本發(fā)明第六實(shí)施例的磁—光記錄介質(zhì)磁層的基本層結(jié)構(gòu)的示意圖；圖64A至64C是表示根據(jù)本發(fā)明第六實(shí)施例用于磁—光記錄介質(zhì)的信息再生方法的一種方式的示意圖，其中圖64A是表示在該介質(zhì)上表面上的光點(diǎn)內(nèi)的掩蔽區(qū)和孔徑區(qū)的示意圖，64B是表示每層磁化方向狀態(tài)的示意圖，64C是表示在軌跡方向的溫度分布的示意圖；圖65A至65C是說明根據(jù)本發(fā)明的第六實(shí)施例在磁—光記錄介質(zhì)中光點(diǎn)的高溫區(qū)被掩蔽的原理的示意圖；圖66是表示由于Bloch磁壁能量引起的靜磁場Hleak，Hst和有效磁場Hwb的示意圖，它們被加到轉(zhuǎn)移到再生層的記錄磁疇；和圖67是表示根據(jù)本發(fā)明第六實(shí)施例的磁—光記錄介質(zhì)層結(jié)構(gòu)的一個(gè)例子的示意圖。第一實(shí)施例下面對照附圖詳細(xì)地?cái)⑹龈鶕?jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的磁—光記錄介質(zhì)和使用該介質(zhì)的信息再生方法。本發(fā)明的磁—光記錄介質(zhì)在半透明的基底上至少有三個(gè)磁層，即從基底的一側(cè)按順序提出是第一磁層、居里溫度比第一磁層和第二磁層的居里溫度低的第三磁層，和為垂直磁化膜的第二磁層(圖4)。在下面，第一磁層將稱為再生層，第二磁層稱為存儲(chǔ)層，而第三磁層稱為中間層。再生層是用于再生在存儲(chǔ)層中保持的磁化信息的一層。與該中間層和該存儲(chǔ)層相比，再生層位于更靠近光入射側(cè)，而且其居里溫度設(shè)定比該中間層和該存儲(chǔ)層的居里溫度更高，防止在再生時(shí)克耳旋轉(zhuǎn)角降低。而且，再生層的矯頑力必須小于該存儲(chǔ)層的矯頑力。最好是該再生層有一個(gè)小的磁性異向和室溫與該居里溫度之間的補(bǔ)償溫度。而且，該再生層的磁化方式是這樣的在室溫和室溫與該居里溫度之間，該再生層是一個(gè)垂直磁化膜，或者在室溫下該再生層是一個(gè)同平面磁化膜，而在室溫與居里溫度之間變?yōu)橐粋€(gè)垂直磁化膜。至于該再生層的具體材料，例如一種稀土鐵族非晶態(tài)合金的材料，諸如GdFeCo、GdTbFeCo、GdDyFeCo、NdGdFeCo等等，主要包含GdFeCo是優(yōu)選的，因?yàn)樗哂懈叩木永餃囟群偷偷某C頑力，而且在高溫區(qū)容易使記錄磁疇收縮，這是本介質(zhì)的主要目的。中間層主要用于局部地傳送和局部地減少或切斷從該存儲(chǔ)層到該再生層的交換耦合力。因此，該中間層位于該再生層與該存儲(chǔ)層之間，并且具有一個(gè)居里溫度，該溫度設(shè)定為高于室溫并且低于該再生層和該存儲(chǔ)層的居里溫度。中間層的居里溫度設(shè)定足夠高以便在光點(diǎn)內(nèi)的低溫部分和中溫部分使從存儲(chǔ)層到再生層的交換耦合力居中，但是要足夠低以便切斷在光點(diǎn)內(nèi)的高溫部分的交換耦合力，因此優(yōu)選地是80℃或更高和220℃或更低，而且更優(yōu)選地是110℃或更高和180°或更低。當(dāng)該再生層具有室溫與居里溫度之間的補(bǔ)償溫度時(shí)，該中間層的居里溫度優(yōu)選地設(shè)定為相對該補(bǔ)償溫度-100℃至+50℃范圍內(nèi)的一個(gè)溫度，更優(yōu)選地為相對該補(bǔ)償溫度-80℃至+20°范圍內(nèi)的一個(gè)溫度。關(guān)于中間層的材料，例如，稀土鐵族非晶態(tài)合金，諸如TbFe、TbFeCo、GdFe、GdFeCo、GdTbFeCo、GdDyFeCo、DyFe、DyFeCo、TbDyFeCo等是優(yōu)選的。非磁元素諸如Cr、Al、Si、Cu等可被加入以便降低居里溫度。而且，當(dāng)使再生層在低溫是一個(gè)同平面磁化膜來掩蔽低溫區(qū)時(shí)，最好在室溫時(shí)中間層的同平面磁性異向大于在室溫時(shí)再生層的同平面磁性異向，例如，在室溫的中間層的飽和磁化強(qiáng)度Ms大于在室溫的再生層的飽和磁化強(qiáng)度，以便增強(qiáng)在低溫的再生層的同平面磁性異向。存儲(chǔ)層是用于存儲(chǔ)記錄信息的一個(gè)層，因此要求穩(wěn)定地保持磁疇。關(guān)于存儲(chǔ)層的材料，具有大的垂直磁性異向并且能夠穩(wěn)定地保持磁化狀態(tài)的一種材料，例如，稀土鐵族非晶態(tài)合金，諸如TbFeCo、DyFeCo、TbDyFeCo等，拓榴石，鉑族鐵族周期結(jié)構(gòu)膜，諸如Pt/Co、Pd/Co等，或者鉑族鐵族合金，諸如PtCo、PdCo等是優(yōu)選的?？蓪⒅T如Al、Ti、Pt、Nb、Cr等元素加入再生層、中間層和存儲(chǔ)層，用于改善它們的抗腐性。為了增強(qiáng)干涉效應(yīng)和保護(hù)性能，除了前述的再生、中間和存儲(chǔ)層之外，可提供由SiNx、AlOx、TaOx、SiOx等形成的絕緣層。而且，為了改善導(dǎo)熱性，可提供由Al、AlTa、AlTi、TlCr、Cu等形成的并具有良好導(dǎo)熱性的層。而且，可提供一個(gè)初始化層，在該層中磁化強(qiáng)度以一個(gè)方向排列以便執(zhí)行光調(diào)制改寫。而且可提供用于記錄輔助和再生輔助的輔助層來調(diào)節(jié)交換耦合力或靜磁耦合力。此外，可加上由前述絕緣層或聚合樹脂形成的保護(hù)涂層作為保護(hù)膜。下面敘述本發(fā)明的記錄/再生過程。首先，根據(jù)數(shù)據(jù)信號，在本發(fā)明的磁—光記錄介質(zhì)的存儲(chǔ)層中形成磁疇。在第一種記錄方法中，一旦擦除了舊信息之后，在記錄方向加上磁場的情況下調(diào)制激光功率來執(zhí)行記錄。在第二記錄方法中，在加上外部磁場的情況下通過調(diào)制激光功率，新信息被重寫記錄在舊信息上。在這些光調(diào)制記錄方法中，考慮到記錄介質(zhì)的線速度來確定激光束的強(qiáng)度，以便只允許光束內(nèi)的給定區(qū)域達(dá)到接近存儲(chǔ)層的居里溫度，則可形成記錄的磁疇等于或小于光點(diǎn)的直徑。因此，可記錄具有周期等于或小于光衍射極限的信號。另一方面，在第三種記錄方法中，在激光束照射的情況下，通過調(diào)制外部磁場執(zhí)行重寫記錄，該激光束的功率使得存儲(chǔ)層的溫度等于或高于其居里溫度。在這種情況下，通過根據(jù)該線速度設(shè)定大調(diào)制率來形成等于或小于光點(diǎn)直徑的磁疇。因此可記錄具有周期等于或小于光的衍射極限的信號。從下面敘述的機(jī)理中可知道，為了本發(fā)明的超分辨率穩(wěn)定地起作用，圍繞記錄標(biāo)記的磁化強(qiáng)度必須是與該標(biāo)記的方向相反的方向排列。在最普遍的第一種記錄方法中，在加上恒定磁場的情況下，該激光功率以高功率保持恒定，以便初始化(擦除操作)被記錄的軌跡的磁化強(qiáng)度，此后，在磁場方向反向的狀態(tài)下，激光功率進(jìn)行強(qiáng)度調(diào)制，以便形成所要求的記錄標(biāo)記。這時(shí)，當(dāng)該記錄標(biāo)記周圍有一部分，其磁化方向是隨機(jī)的時(shí)候，在再生時(shí)產(chǎn)生了噪聲。因此，一般地執(zhí)行擦除一個(gè)比記錄標(biāo)記更寬的區(qū)域，以便提高再生信號的質(zhì)量。因此，由于記錄磁疇周圍的磁化排列必定在與該磁疇的方向相反的方向，在這種記錄方法中本發(fā)明的超分辨率穩(wěn)定地工作。在第二種記錄方法中，使用一種介質(zhì)，它具有日本專利申請公開NO.62—175948所公開的結(jié)構(gòu)，(除了用于保持所記錄的信息的存儲(chǔ)層之外，這個(gè)介質(zhì)有一個(gè)寫入層，其中在記錄之前磁化強(qiáng)度是以一個(gè)方向排列的)。因此，不需要記錄之前的擦除操作。另一方面，當(dāng)對這個(gè)介質(zhì)執(zhí)行記錄時(shí)，在與寫入層相反的方向加上恒定磁場的情況下，根據(jù)被記錄的信息在ph與pl(ph＞Pl)之間調(diào)制激光強(qiáng)度。當(dāng)由于Th被設(shè)定為基本上等于寫入層的Tc，該介質(zhì)增加到相應(yīng)于Ph的溫度Th時(shí)，該存儲(chǔ)層和該寫入層的磁化強(qiáng)度以外部磁場的方向排列以便形成該磁疇。另一方面，當(dāng)該介質(zhì)只增加到相應(yīng)于Pl的溫度Tl時(shí)，磁化方向變成與寫入層的方向相同。這個(gè)過程出現(xiàn)與事先記錄的磁疇無關(guān)。假定Ph的激光束照射到該介質(zhì)。在這種情況下，雖然形成該記錄磁疇的一部分增加到Th，這時(shí)的溫度分布在二維方向延伸，以便即使激光強(qiáng)度增加到Ph，在磁疇周圍的一部分總是出現(xiàn)溫度只增加到Tl。因此，在該記錄磁疇周圍存在著具有相反磁化方向的部分，以便在這種記錄方法中本發(fā)明的超分辨率也穩(wěn)定地工作。此外，作為另一種記錄方法，可引用磁場調(diào)制記錄，其中前述外部磁場方向交替地改變。在這種記錄方法中，該磁場調(diào)制是在以高功率的DC激光束發(fā)射的情況下進(jìn)行的。為了在先前無磁疇記錄歷史的情況下記錄新信息，形成磁疇的寬度應(yīng)該總是恒定的。因此，在這種情況下，應(yīng)進(jìn)行一些測量，否則，在記錄的磁疇周圍出現(xiàn)一個(gè)區(qū)，其磁化方向是隨機(jī)的，使得本發(fā)明的超分辨率不能穩(wěn)定地工作。因此，在進(jìn)行磁場調(diào)制記錄時(shí)，需要以大于正常記錄功率的一個(gè)功率執(zhí)行初始化，或者在運(yùn)送該介質(zhì)或第一次記錄之前，相對于平臺(tái)和凹槽廣泛地執(zhí)行磁化的初始化。下面敘述本發(fā)明的再生方法。在本發(fā)明中，在不加外部磁場的情況下，通過明顯地與光學(xué)地掩蔽光點(diǎn)內(nèi)的部分區(qū)域?qū)崿F(xiàn)磁的超分辨率。首先，對照附圖敘述磁—光記錄介質(zhì)和磁—光再生方法，其中用后掩蔽形成高溫區(qū)，而其它區(qū)域成為一個(gè)孔徑區(qū)，即，再生層的磁化方式是這樣的在室溫和在室溫與居里溫度之間該再生層是垂直磁化膜。圖7A、7B、和7C是表示過程的示意圖，其中從存儲(chǔ)層轉(zhuǎn)移到再生層的記錄磁疇(在下面簡稱“記錄磁疇”)在光點(diǎn)移動(dòng)的同時(shí)在該高溫區(qū)收縮。為簡單起見，在圖7A至7C中，示出了僅僅一個(gè)記錄磁疇的收縮過程。而且，在這些圖中，稀土鐵族鐵磁性基底被用作磁性材料，空箭頭30代表整個(gè)磁化，黑箭頭31代表鐵族亞晶格磁化，再生層11是一個(gè)RE多的磁層，而存儲(chǔ)層13是一個(gè)TM多的磁層。另一方面，在圖5A至5C中，在再生時(shí)的整個(gè)圖象與該溫度分布一起表示出。由于導(dǎo)熱性的限制，該介質(zhì)的溫度分布從光點(diǎn)的中心以與該光點(diǎn)的移動(dòng)方向相反的方向偏移。如圖7A所示，在光點(diǎn)2已達(dá)到記錄的磁疇1之后不久，記錄的磁疇1不達(dá)到高溫區(qū)5。除了由于來自存儲(chǔ)層13的交換耦合力引起的有效磁場Hwi之外，由于布洛赫磁壁能量產(chǎn)生的有效磁場Hwb和從該介質(zhì)內(nèi)部來的靜磁場Hd都加到記錄的磁疇1。Hwi工作以便穩(wěn)定地保持再生層的記錄磁疇1，而Hwb和Hd以擴(kuò)展和收縮該記錄的磁疇的方向加力。因此，為了再生層11與存儲(chǔ)層13的磁化強(qiáng)度穩(wěn)定地轉(zhuǎn)移，在記錄的磁疇1達(dá)到高溫區(qū)5之前應(yīng)該滿足關(guān)系式(1)所表示的條件。|Hwb－Hd|＜Hcl＋Hwi(T＜Th－掩蔽)···(1)由于來自存儲(chǔ)層13的交換耦合力，再生層11的矯頑力HCl明顯地增加了。因此，關(guān)系式(1)可以容易地建立，以便穩(wěn)定地轉(zhuǎn)移存儲(chǔ)層13的磁化信息，因此可精確地再生記錄的信息。如果再生層11和存儲(chǔ)層13之間的界面磁壁能量是σwi，再生層11的記錄磁疇的飽和磁化強(qiáng)度是Ms1，而且再生層的膜厚是h1，則Hwi由關(guān)系式(2)表示。Hwi＝σwi/2Ms1h1···(2)當(dāng)光點(diǎn)進(jìn)一步移動(dòng)以致記錄的磁疇1進(jìn)入高溫區(qū)5時(shí)，Hwi大約達(dá)到中間層12的居里溫度，使得σwi快速地下降以減少Hwi。因此，再生層11返回到小矯頑力的狀態(tài)以滿足關(guān)系式(3)，使得記錄的磁疇1的布洛赫磁壁8容易移動(dòng)。|Hwb－Hd|＜Hcl＋Hwi(T＞Th－掩蔽)···(3)如果布洛赫磁壁能量是σwb，而且再生層11的記錄的磁疇1的半徑是γ，則Hwb由關(guān)系式(4)表示并且以收縮記錄的磁疇1的方向工作(圖8)。Hwb＝σwb/2Ms1r···(4)因此，當(dāng)Hwb－Hd變?yōu)樵谡?符號為+)占優(yōu)勢，以便滿足關(guān)系式(5)時(shí)，記錄的磁疇1是收縮的。|Hwb－Hd|＜Hcl＋Hwi(T＞Th－掩蔽)···(5)以這種方式，如圖7B所示，記錄的磁疇1是收縮的，而當(dāng)進(jìn)入高溫區(qū)5時(shí)是反向的，而如在圖7C中所示，磁化強(qiáng)度都以擦除的方向排列。特別地，如圖5A至5C所示，由于在光點(diǎn)2內(nèi)的高溫區(qū)5再生層11總是變?yōu)橐圆脸较蚺帕械拇怪贝呕?，于是作為一個(gè)光掩蔽(后掩蔽5)。因此，如圖5A所示，光點(diǎn)2明顯地變窄為一個(gè)排除高溫區(qū)5的區(qū)域，并且作為孔徑區(qū)3，使得能夠檢測周期等于或小于檢測極限的記錄磁疇(記錄的標(biāo)記)。另一方面，在常規(guī)的超分辨率方法中，如日本專利申請公開NO.4—255947所敘述的，使用一個(gè)外部磁場Hr并且根據(jù)關(guān)系式(6)形成一個(gè)掩蔽。Hr＞Hcl＋Hwi···(6)在本發(fā)明中，由于通過改變該介質(zhì)內(nèi)有效磁場的幅度Hwb－Hd而不是使用外部磁場Hr形成掩蔽，所以外部磁場不是必需的?，F(xiàn)在，進(jìn)一步詳細(xì)地?cái)⑹鲈诟邷貢r(shí)使Hwb－Hd在正向占優(yōu)勢的方法。關(guān)系式(5)中的Hd是由外界擦除磁化強(qiáng)度來的漏磁場Hleak，從存儲(chǔ)層13的磁化強(qiáng)度來的靜磁場Hst等形成的，并且由關(guān)系式(7)表示。Hd＝Hleak±Hst···(7)在關(guān)系式(7)中，如圖8所示，Hleak以擴(kuò)展記錄的磁疇1的方向工作。在高溫區(qū)產(chǎn)生正向Hwb－Hd優(yōu)勢的第一個(gè)方法是縮小Hleak的方法，即，減小防止記錄磁疇1反向的磁場。如果使其消失的記錄磁疇周圍的再生層11的飽和磁化強(qiáng)度是Ms1"而且記錄磁疇1的半徑是γ，則Hleak近似地以關(guān)系式(8)表示。Hleak＝4πMs1″h1(h1＋3/2r)···(8)在關(guān)系式(8)中，記錄磁疇的半徑γ和再生層的膜厚h1不能輕易改變。因此，需要縮小Ms1"。這是通過選擇再生層的材料實(shí)現(xiàn)的，它具有室溫與居里溫度之間的補(bǔ)償溫度。由于在補(bǔ)償溫度時(shí)磁化強(qiáng)度被減小，所以Hleak可縮小。下面敘述一個(gè)例子，其中使用GdFeCo作再生層11。圖10A至1℃分別表示具有不同補(bǔ)償溫度的GdFeCo的Ms的溫度相關(guān)性。雖然在再生時(shí)該介質(zhì)上的最大溫度隨著再生功率而不同，圖中所示的最大溫度一般達(dá)到約160℃—220℃，中溫區(qū)是一個(gè)其溫度低于最大溫度約20℃—60℃的區(qū)域。因此，在圖10B和1℃的情況下，Ms1"大，以便Hleak也變大。如果在室溫和居里溫度之間存在補(bǔ)償溫度的成分用于再生層11，則中溫和高溫區(qū)的Ms被減少以便縮小Hd。當(dāng)GdFeCo用于再生層11時(shí)，由于補(bǔ)償溫度主要取決于其成分，特別是圖11中所示的稀土元素(Gd)，在使用主要包含GdFeCo的磁層作為再生層11的情況下，優(yōu)選地設(shè)定Gd含量為25—35at％。第二種方法是一種使Hst在負(fù)向占優(yōu)勢的方法，即，通過存儲(chǔ)層13來的靜磁場Hst促進(jìn)記錄的磁疇1反向。在關(guān)系式(7)中，當(dāng)從交換耦合區(qū)進(jìn)入高溫區(qū)時(shí)，根據(jù)再生層11和存儲(chǔ)層13是平行型的還是逆平行型，確定Hst是以收縮記錄的磁疇1的方向工作還是保持記錄的磁疇1工作。其理由如下如圖9A和9B所示，交換耦合力以交換力大的TM亞晶格磁化強(qiáng)度的方向排列，而靜磁耦合力以整個(gè)磁化強(qiáng)度的方向排列。圖9A表示逆平行型，其中再生層11是RE多，而存儲(chǔ)層13是TM多。在這種情況下，當(dāng)中間層12達(dá)到接近居里溫度而切斷交換耦合時(shí)，由于存儲(chǔ)層13的靜磁耦合力的原因，使得記錄的磁疇1磁化反向(Hst變?yōu)樨?fù)的)。相反地，在圖9B所示的平行型的情況下(在圖中，再生層和存儲(chǔ)層都表示為TM多)，靜磁耦合力以保持交換耦合狀態(tài)的方向(Hst變?yōu)檎?工作。因此，為了反向記錄的磁疇1，需要逆平行型的成分。特別地，例如，再生層11和存儲(chǔ)層13都可設(shè)定為鐵磁性的，而且再生層11和存儲(chǔ)層13中的主要亞晶格磁化的類型可設(shè)定為彼此相反。例如，再生層11和存儲(chǔ)層13由稀土(RE)鐵族(TM)元素合金構(gòu)成，并且安排再生層11為稀土元素亞晶格磁化為主(RE多)，而安排存儲(chǔ)層13為在室溫時(shí)鐵族元素亞晶格磁化為主(TM多)。必須至少在記錄的磁疇1是收縮的溫度(在前述的中溫區(qū)至高溫區(qū)5)取得逆平行成分。在假定該磁疇是圓柱形的基礎(chǔ)上，使用記錄的磁疇1的半徑、從存儲(chǔ)層13的磁疇和存儲(chǔ)層的飽和磁化強(qiáng)度Ms2的距離可以粗略地計(jì)算Hst的值(見Nagoya大學(xué)博士論文第40和41頁，1985年3月TadashiKobayashi的文章“關(guān)于稀土鐵族非晶合金薄膜和磁性及其復(fù)合膜的磁—光效應(yīng)的研究”)。Hst正比于存儲(chǔ)層的飽和磁化Ms2(關(guān)系式9)。Hst∝Ms2···(9)因此，優(yōu)選Ms2設(shè)定為這樣的一個(gè)大值，以致不降低記錄信息的穩(wěn)定性，或者導(dǎo)致擦除磁化的反向。進(jìn)一步，來自存儲(chǔ)層13的靜磁場Hst也在去除方向?qū)Υ呕瘡?qiáng)度起作用。然而，如果在去除方向的磁化強(qiáng)度由Hst反轉(zhuǎn)，則磁壁在高溫區(qū)域5的擴(kuò)展范圍內(nèi)形成，以使該磁壁的能量大大地增加。因此，磁化強(qiáng)度的反轉(zhuǎn)沒有發(fā)生，并且在去除方向的磁化強(qiáng)度被保持。這樣，在高溫區(qū)5中，總定向于去除方向的磁化強(qiáng)度的一個(gè)區(qū)域被產(chǎn)生，這個(gè)區(qū)域變?yōu)楹笱诒?。如果反轉(zhuǎn)磁疇的半徑是R，則在去除磁化強(qiáng)度被反轉(zhuǎn)情況下的布洛赫磁壁能的有效磁場Hwb’由關(guān)系式(10)表示。Hwb′＝σwb/2Ms1R···(10)因此，去除磁化強(qiáng)度不能由Hst反轉(zhuǎn)的條件由關(guān)系式(11)表示。Hwb′＞Hst···(11)只有在前面的兩個(gè)方法(即減少Hleak的方法和在反方向增加Hst的方法)之一可以被使用。另一方面，如果組合使用這兩個(gè)方法，則在最大范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)超分辨效果。如上所述，利用本發(fā)明的磁光記錄介質(zhì)，不使用外磁場該磁化強(qiáng)度就能在再生時(shí)在光點(diǎn)的高溫區(qū)域5中以一致的方向被定向，以便光學(xué)地掩蔽存儲(chǔ)層13的磁化強(qiáng)度。進(jìn)一步，在室溫和在室溫與居里溫度之間再生層為垂直磁化膜的介質(zhì)中，由于孔徑區(qū)域3在除高溫區(qū)域5外的實(shí)質(zhì)上所有區(qū)域上擴(kuò)展，所以，再生層11即使在低溫區(qū)域也在足夠的范圍內(nèi)改變?yōu)榇怪贝呕ぃ员惴€(wěn)定地轉(zhuǎn)變存儲(chǔ)層13的磁化強(qiáng)度。因此，與再生層11比較，在進(jìn)一步范圍中磁化強(qiáng)度以垂直方向定向的材料(具有大于再生層11的矯頑力的材料)，例如TbTe，DyFe，TbFeCo和DyFeCo可以優(yōu)選地用于中間層12。利用這種材料，界面磁壁能量σwi被增加以使再生層11由于交換耦合力而能夠穩(wěn)定地轉(zhuǎn)移存儲(chǔ)層13的磁化強(qiáng)度信息。進(jìn)一步，在再生層11具有小的垂直磁性異向時(shí)，例如，即使僅在再生層變?yōu)橐粋€(gè)同平面磁化膜時(shí)，使用在進(jìn)一步范圍內(nèi)以垂直方向定向磁化強(qiáng)度的中間層層壓在再生層11上，再生層11的垂直磁性異向充分地增加，以允許孔徑區(qū)域精確地轉(zhuǎn)移存儲(chǔ)層13的磁化強(qiáng)度信息。掩蔽的構(gòu)成在上面用磁場的關(guān)系表達(dá)式已經(jīng)描述了。另一方面，掩蔽的構(gòu)成還可以使用能量關(guān)系表達(dá)式進(jìn)行描述。特別是當(dāng)Ms接近0時(shí)，該磁場，即使施加很大，也不能有效地對記錄的磁疇起作用。從而，更可取的是用能量來描述它，這是因?yàn)檠诒蔚臉?gòu)成能更確切地被斷定。為了以能量關(guān)系式進(jìn)行描述，前面的定義和磁場關(guān)系表達(dá)式可以分別乘以2Ms1。因此，關(guān)系式(1)，(2)，(3)，(4)，(5)，(7)和(8)由關(guān)系式(12)，(13)，(14)，(15)，(16)，(17)和(18)所表示。在這些關(guān)系式中，Ewb表示布洛赫磁壁能量，Ed表示來自加于記錄磁疇布洛赫磁壁的介質(zhì)內(nèi)部的靜磁場能量，Ewi表示跟第二磁層的交換耦合能量，以及Ec1表示第一磁層的矯頑力能量。|Ewb－Ed|＜Ec1＋Ewi(T＜Th－掩蔽)···(12)Ewi＝σwi/h1···(13)|Ewb－Ed|＞Ec1＋Ewi(T＞Th－掩蔽)···(14)Ewb＝σwb/r···(15)|Ewb－Ed|＞Ec1＋Ewi(T＞Th－掩蔽)···(16)Ed＝Eleak＋Est···(17)Eleak＝8πMs12h1(h1＋3/2r)···(18)進(jìn)一步，前面已描述該方法，其中存儲(chǔ)層13的磁化強(qiáng)度信息僅在光點(diǎn)2內(nèi)的高溫區(qū)域5中被光學(xué)地掩蔽?，F(xiàn)在，除高溫區(qū)域5外的低溫區(qū)域也被掩蔽以便僅在中間溫度區(qū)域檢測磁化強(qiáng)度的方法將在下面被描述，即一個(gè)磁—光記錄介質(zhì)和再生層磁化方式是再生層在室溫為一同平面磁化膜及在室溫與居里溫度之間變換成垂直磁化膜的信息再生方法。圖6A，6B和6C分別示出了掩蔽及孔徑區(qū)的結(jié)構(gòu)，對于具有目前方式的介質(zhì)的磁化強(qiáng)度狀態(tài)及溫度分布。在這種情況下，在室溫為同平面磁化膜及在高溫變?yōu)榇怪贝呕さ拇呕け挥糜谠偕鷮?1。下面將說明一個(gè)這種磁化膜的例子?？偟膩碚f，在單層磁膜的情況下，如果飽和磁化強(qiáng)度為Ms及垂直磁性異向能量為Ku，則知道其磁化強(qiáng)度的主方向由關(guān)系式(19)定義的有效垂直磁性異向常數(shù)K來確定。K＝Ku－2πMs2···(19)其中2πMs2表示抗磁場能量。當(dāng)K為正時(shí)，磁化膜變?yōu)橐粋€(gè)垂直磁化膜。另一方面，當(dāng)K為負(fù)時(shí)，磁化膜變?yōu)橐粋€(gè)同平面磁膜。因此，如圖12所示，根據(jù)溫度在Ku和2πMs2間改變量值關(guān)系的磁化膜對于從同平面磁化膜轉(zhuǎn)變?yōu)榇怪贝呕な怯行У?。在這種再生層11中，在溫度等于或低于在這個(gè)溫度達(dá)到再生存儲(chǔ)層13磁化信息的區(qū)域(圖6A中的孔徑區(qū)3)的溫度T1－掩蔽的低溫區(qū)域中建立起關(guān)系式(20)。因而，低溫區(qū)變?yōu)橥矫娲呕?前掩蔽4)以掩蔽存儲(chǔ)層13的磁化信息。Ku＜2πMs2，K＜0(T＜T1－掩蔽)···(20)另一方面，當(dāng)介質(zhì)的溫度T增加時(shí)，Ms被減少而快速地減小2πMs2。因此，2πMs2和Ku間的量值關(guān)系被逆轉(zhuǎn)以符合關(guān)系式(21)。Ku＞2πMs2，K＞0(T1－掩蔽＜T)···(21)因而，同平面磁化膜轉(zhuǎn)變?yōu)樾纬煽讖絽^(qū)3的垂直磁化膜。進(jìn)一步，在溫度等于或高于Th－掩蔽時(shí)，后掩蔽5如前所述在高溫區(qū)域5中形成。如圖6A至6C所示，在這個(gè)方法中，再生層11在低溫區(qū)4中變?yōu)橥矫娲呕ず驮诖呕瘡?qiáng)度總是定向于去除方向的高溫區(qū)5中變?yōu)榇怪贝呕?，以便它們都作為光掩蔽。只有再生?1的中間溫度區(qū)變?yōu)橐粋€(gè)垂直磁化膜，在那，存儲(chǔ)層13的信號由于變換耦合而被改變，以便中間溫度區(qū)變?yōu)樾畔z測區(qū)(孔徑區(qū)3)。在這種方法中，由于除高溫區(qū)域5之外的低溫區(qū)域4被掩蔽，所以在臨近軌跡上的信息(圖6A中槽6a、6b)也能被掩蔽。因此，串音被減少而改善了軌跡的密度。進(jìn)一步，如上所述，在中溫區(qū)用作檢測區(qū)的方法中，在激光點(diǎn)2中的孔徑區(qū)3變?yōu)閵A在高溫區(qū)5和低溫區(qū)4之間的一個(gè)窄區(qū)域。進(jìn)一步，即使在激光功率波動(dòng)時(shí)，孔徑區(qū)3的寬度也沒改變，而是保持恒定。這樣，即使執(zhí)行較高密度記錄時(shí)，再生也能滿意地具有超分辨率完成，以便即使在發(fā)生激光功率波動(dòng)時(shí)也能實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定地再生。進(jìn)一步，在本發(fā)明中，由于檢測區(qū)域被置于激光點(diǎn)中心附近，所以就可以期望更好的C/N比。如前所述，圖10A至10C分別示出了具有不同補(bǔ)償溫度的GdFeCo的Ms的溫度相關(guān)性。在它們當(dāng)中，在如圖10A所示的補(bǔ)償溫度存在于室溫和居里溫度之間的組成中，由于飽和磁化強(qiáng)度在比室溫高和比居里溫度低的溫度范圍被減至0，因此在抗磁場能量和垂直磁性異向常數(shù)間產(chǎn)生了交叉，以至發(fā)生了從同平面磁化膜向垂直磁化膜的轉(zhuǎn)變。另一方面，在圖10B和10C中，這種轉(zhuǎn)變不會(huì)發(fā)生。因此，作為再生層11的材料，例如在室溫和居里溫度間具有補(bǔ)償溫度的材料是最佳的，并且進(jìn)一步，在室溫時(shí)磁性異向小于抗磁場能量2πMs2的材料是最可取的。當(dāng)經(jīng)存儲(chǔ)層13、中間層12及之類的層層壓這個(gè)磁化膜時(shí)，由于來自存儲(chǔ)層13的交換耦合力的作用，Ku明顯地增加了。因此，發(fā)生躍變到垂直磁化膜的溫度偏移至與沒有這種分層情況相比為較低溫度端。然而，通過在單層狀態(tài)中設(shè)置垂直磁化強(qiáng)度的轉(zhuǎn)變溫度為較高的值，就能安排磁化膜在室溫為同平面磁化膜并在溫度增加時(shí)變?yōu)榇怪贝呕?，即使在磁化膜與存儲(chǔ)層13層壓在一起的情況下。在這種情況下，再生層11變?yōu)橥矫娲呕さ臈l件由關(guān)系式(20′)表示。Ku＋Ew13＜2πMs2···(20′)其中Ew13表示由于來自存儲(chǔ)層13的交換耦合力定向再生層11的磁化強(qiáng)度于垂直方向的能量。另一方面，再生層11變?yōu)榇怪贝呕さ臈l件由關(guān)系式(21′)表示。Ku＋Ew13＞2πMs2···(21′)中間層12可以是具有大的垂直磁性異向的垂直磁化膜。然而，當(dāng)具有大垂直磁性異向的中間層12層壓在室溫為同平面磁化膜的再生層11上時(shí)，界面磁壁就趨于透入到如圖15A所示的再生層11側(cè)，以便存儲(chǔ)層13的磁化信息不能被充分地掩蔽。由此看來，對于中間層12最好使用磁層，如圖15B所示在接近室溫的低溫區(qū)中它具有足夠小的垂直磁性異向，在再生層11和存儲(chǔ)層13之間作為磁壁部分，換句話說，它具有大的同平面磁性異向。對于磁壁部分工作的，具有小磁壁能量的磁性材料，如GdFe或GdFeCo，最好用于中間層。同平面的各向異性是大的事實(shí)相應(yīng)于在關(guān)系式(19)中的K是較小值(K是負(fù)值而其絕對值是大的)的事實(shí)。為了使在室溫的中間層12的K小于在室溫的再生層11的K，例如當(dāng)使用稀土鐵族元素合金，如GdFe，GdFeCo或之類的時(shí)候，在室溫的中間層12的Ms通過增加稀土元素(Gd)的比率而大于再生層11的Ms。進(jìn)一步，通過增加Co的含量減小Ku也是有效的。在它們中間，由于在中間層12接近居里溫度時(shí)Ms被減小，以致垂直各向異性在孔徑區(qū)被增加，所以最好采用增加Ms的方法。然而，由于當(dāng)中間層12的同平面各向異性被增加的太多時(shí)再生層11不能變?yōu)樵诳讖絽^(qū)中足夠容量的垂直磁化膜，所以其同平面各向異性增加到了不惡化信號質(zhì)量的程度。很自然，在再生層11變?yōu)榇怪贝呕ぶ?，中間層被安排到達(dá)到居里溫度，并且交換耦合至存儲(chǔ)層13。換句話說，有必要安排再生層11在室溫時(shí)為一個(gè)同平面磁化膜，并至少在中間層12的居里溫度和室溫之間變?yōu)橐粋€(gè)垂直磁化膜。這個(gè)介質(zhì)的再生層11，中間層12和存儲(chǔ)層13的Ms溫度相關(guān)性的例子分別示于圖13A至13C。在這些圖中，正Ms表示富RE，而負(fù)Ms表示富TM。本發(fā)明將進(jìn)一步通過實(shí)驗(yàn)的例子來詳細(xì)地描述。但本發(fā)明不限于這些實(shí)驗(yàn)的例子。首先，再生層在室溫和在室溫與居里溫度之間為垂直磁化膜的磁—光記錄介質(zhì)被制備和測定，這將在下面的實(shí)驗(yàn)例子1和2中被描述。(實(shí)驗(yàn)例1)Si，Gd，Tb，F(xiàn)e和Co靶子被附在一個(gè)DC磁控管濺射裝置，并且具有直徑130mm的玻璃基底和具有平臺(tái)和槽的聚碳酸酯基底被固定于離各靶子150mm距離位置的一個(gè)基底支架上。此后，該腔的內(nèi)部由低溫泵排空至1×10-5Pa或更小的高真空。在排空期間，Ar氣體被引入腔內(nèi)至0.4Pa，此后，900厚的SiN干涉層，400厚的GdFeCo再生層，50厚的TbFeCo中間層，350厚的TbFeCo存儲(chǔ)層和700厚的SiN保護(hù)層被依上面所述順序形成，因此得到了具有圖14所示結(jié)構(gòu)的本發(fā)明的磁—光記錄介質(zhì)。在各SiN電介質(zhì)層的形成時(shí)，除Ar氣體外，引入了N2氣體，并由DC反應(yīng)濺射形成SiN層，調(diào)整Ar和N2氣體的混合比，以得到2.2的折射指數(shù)。GdFeCo再生層的組成是Gd30(Fe65Co35)70和在室溫呈現(xiàn)富RE，196emu/cc的Ms，240℃的補(bǔ)償溫度和300℃或更高的居里溫度。TbFeCo中間層的構(gòu)成是Tb18(Fe97Co3)82和在室溫呈現(xiàn)富TM，-95emu/cc的Ms及135℃的居里溫度。TbFeCo存儲(chǔ)層的組成是Tb18(Fe88Co12)82和在室溫呈現(xiàn)富TM，-120emu/cc的Ms及220℃的居里溫度。在磁—光記錄介質(zhì)中記錄0.78μm標(biāo)志長度的磁疇之后，在830nm半導(dǎo)體激光束的照射下用偏振顯微鏡能觀察到該磁疇。在增加該激光功率時(shí)，可以證實(shí)所記錄的磁疇被減少并且在一定激光功率該光點(diǎn)的中心(高溫區(qū))磁化強(qiáng)度被定向于去除方向。接著，利用這個(gè)磁—光記錄介質(zhì)測量記錄/再生特性。測量通過設(shè)置物鏡的N.A.為0.55，激光束波長為780nm，記錄功率在7—13mW的范圍和再生功率在2.5—3.5mW的范圍來進(jìn)行，以便提供最高的C/N比。線速率被設(shè)置于9m/s。首先，在介質(zhì)上完整地執(zhí)行擦除，而且此后，5.8MHz，11.3MHz和15MHz(分別相應(yīng)于標(biāo)志長度0.78μm、0.40μmand0.30μm)的載波信號被記錄在存儲(chǔ)層，以檢測C/N的標(biāo)志長度關(guān)系。接著，測量與臨近軌跡的串音(以下稱為“串音”)。具體地說，如前面方法那樣，在平臺(tái)上在記錄0.78μm標(biāo)志長度的信號和測量一個(gè)載波電平C1之后，在跟蹤數(shù)據(jù)被去除的臨近槽時(shí)同樣地測量一個(gè)載波電平C2，并且由(C2/C1)比表示串音。由于根據(jù)假設(shè)數(shù)據(jù)被記錄在平臺(tái)和槽上執(zhí)行該實(shí)驗(yàn)，所以有效軌跡間隔是0.8μm。測試C/N比和串音不應(yīng)用初始化磁場和再生磁場。表1示出了各層的組成和材料值以及C/N比和串音的結(jié)果。(實(shí)驗(yàn)例2)使用與實(shí)驗(yàn)例1中同樣的裝置，900厚的SiN干涉層，400厚的GdFeCo再生層，60厚的DyFeCo中間層，350厚的TbFeCo存儲(chǔ)層和700厚的SiN保護(hù)層按名稱的順序在聚碳酸酯基底上形成。這樣，得到了具有圖14所示結(jié)構(gòu)的本發(fā)明的磁—光記錄介質(zhì)。GdFeCo再生層的組成是Gd28(Fe65Co35)72和在室溫呈現(xiàn)富RE，160emu/cc的Ms，180℃的補(bǔ)償溫度和300℃或更高的居里溫度。DyFeCo中間層的組成是Dy20(Fe97Co3)80和在室溫呈現(xiàn)富TM，-80emu/cc的Ms及128℃的居里溫度。TbFeCo存儲(chǔ)層的組成是Tb18(Fe88Co12)82和在室溫下呈現(xiàn)富TM，-120emu/cc的Ms及220℃的居里溫度。接著，使用這種磁—光記錄介質(zhì)，如實(shí)驗(yàn)例1中那樣檢查C/N的標(biāo)志長度關(guān)系和串音。其結(jié)果示于表1。現(xiàn)在，再生層在室溫為一個(gè)同平面磁化膜及在室溫和居里溫度間變?yōu)榇怪贝呕さ拇拧庥涗浗橘|(zhì)被制備和測定，這將在下面的實(shí)驗(yàn)例3，4，5和6中被描述。(實(shí)驗(yàn)例3)使用與實(shí)驗(yàn)例1中那樣的裝置和方法，900厚的SiN干涉層，400厚的GdFeCo再生層，100厚的GdFe中間層，300厚的TbFeCo存儲(chǔ)層和700厚的SiN保護(hù)層依名稱的順序在聚碳酸酯基底上形成，因此得到了具有圖14所示結(jié)構(gòu)的樣品。GdFeCo再生層的組成被設(shè)置為在室溫下呈現(xiàn)富RE，218emu/cc的Ms，238℃的補(bǔ)償溫度和300℃或更大的居里溫度。GdFe中間層的組成被設(shè)置為在室溫下呈現(xiàn)富RE，475emu/cc的Ms和190℃的居里溫度。TbFeCo存儲(chǔ)層的組成被設(shè)置為在室溫下呈現(xiàn)富TM，-150emu/cc的Ms和260℃的居里溫度。接著，使用這個(gè)磁—光記錄介質(zhì)，如在實(shí)驗(yàn)例1中那樣去測定記錄/再生特性。結(jié)果示于表1。(實(shí)驗(yàn)例4)使用與實(shí)驗(yàn)例1中同樣的裝置和方法，900厚的SiN干涉層，450厚的GdFeCo再生層，80厚的GdFe中間層，320厚的TbFeCo存儲(chǔ)層和700厚的SiN保護(hù)層依名稱的順序在聚碳酸酯基底上形成，因此得到了具有圖14所示結(jié)構(gòu)的樣品。GdFeCo再生層的組成被設(shè)置為在室溫下呈現(xiàn)富RE，170emu/cc的Ms，190℃的補(bǔ)償溫度和300℃或更高的居里溫度。GdFe中間層的組成被設(shè)置為在室溫下呈現(xiàn)富RE，540emu/cc的Ms和165℃的居里溫度。TbFeCo存儲(chǔ)層的組成被設(shè)置為在室溫下呈現(xiàn)富TM，-50emu/cc的Ms和240℃的居里溫度。接著，使用這個(gè)磁—光記錄介質(zhì)，如在實(shí)驗(yàn)例1中那樣去評價(jià)該記錄/再生特性。該結(jié)果示于表1。(實(shí)驗(yàn)例5)使用與實(shí)驗(yàn)例1中同樣的裝置和方法，900厚的SiN干涉層，380厚的GdFeCo再生層，120厚的GdFe中間層，350厚的TbFeCo存儲(chǔ)層和700厚的SiN保護(hù)層依名稱的順序在聚碳酸酯基底上形成，因此得到了具有圖14所示結(jié)構(gòu)的樣品。GdFeCo再生層的組成被設(shè)置為在室溫下呈現(xiàn)富RE，280emu/cc的Ms，290℃的補(bǔ)償溫度和300℃或更高的居里溫度。GdFe中間層的組成被設(shè)置為在室溫下呈現(xiàn)富RE，420emu/cc的Ms和195℃的居里溫度。TbFeCo存儲(chǔ)層的組成被設(shè)置為在室溫下呈現(xiàn)富TM，-200emu/cc的Ms和220℃的居里溫度。接著，使用這個(gè)磁—光記錄介質(zhì)，如在實(shí)驗(yàn)例1中那樣評價(jià)該記錄/再生特性。該結(jié)果示于表1。(實(shí)驗(yàn)例6)使用與實(shí)施例1中同樣的裝置和方法，900厚的SiN干涉層，430厚的GdFeCo再生層，130厚的GdFeCo中間層，350厚的TbFeCo存儲(chǔ)層和700厚的SiN保護(hù)層依名稱的順序在聚碳酸酯基底上形成，因此得到了具有圖14所示結(jié)構(gòu)的樣品。GdFeCo再生層的組成被設(shè)置為在室溫下呈現(xiàn)富RE，250emu/cc的Ms，260℃的補(bǔ)償溫度和300℃或更高的居里溫度。GdFeCo中間層的組成被設(shè)置為在室溫下呈現(xiàn)富RE，480emu/cc的Ms和176℃的居里溫度。TbFeCo存儲(chǔ)層的組成被設(shè)置為在室溫下呈現(xiàn)富TM，-240emu/cc的Ms和270℃的居里溫度。接著，使用這個(gè)磁—光記錄介質(zhì)，如在實(shí)驗(yàn)例1中那樣評價(jià)該記錄/再生特性。該結(jié)果示于表1中。現(xiàn)在，已知的超分辨率磁—光記錄介質(zhì)被制備，并且用如前述各實(shí)驗(yàn)例中的同樣方法進(jìn)行對其評價(jià)。(比較例1)首先，與在日本專利申請公開NO3—93056中所描述的相同的介質(zhì)被制備和測定。使用與實(shí)驗(yàn)例1中相同的膜形成裝置和方法，900厚的SiN干涉層，300厚的GdFeCo再生層，100厚的TbFeCoAl中間層，400厚的TbFeCo存儲(chǔ)層和700厚的SiN保護(hù)層依名稱順序在一個(gè)玻璃基底上形成，這樣得到了比較例1的磁—光記錄介質(zhì)。GdFeCo再生層的組成被設(shè)置為在室溫下呈現(xiàn)富TM，-180emu/cc的Ms和300℃或更高的居里溫度。TbFeCoAl中間層的組成被設(shè)置為在室溫下呈現(xiàn)富TM，-160emu/cc的Ms和140℃的居里溫度。TbFeCo存儲(chǔ)層的組成被設(shè)置為在室溫下呈現(xiàn)富TM，-150emu/cc的Ms和2500的居里溫度。接著，使用這個(gè)磁—光記錄介質(zhì)，如在實(shí)驗(yàn)例1中那樣測量記錄/再生特性。但在這種情況下，在再生時(shí)，通過改變在0Oe，200Oe和400Oe之間再生磁場的量把再生磁場以垂直方向加給該介質(zhì)。該結(jié)果示于表1中。(比較例2)接著，如在日本專利申請公開NO3—255946描述的相同的介質(zhì)被制備和評價(jià)。使用與實(shí)驗(yàn)例1中相同的膜形成裝置和方法，900厚的SiN干涉層，300厚的GdFeCo再生層，100厚的TbFeCoAl中間層，160厚的GdFeCo輔助層，400厚的TbFeCo存儲(chǔ)層和700厚的SiN保護(hù)層依名稱的順序在一個(gè)玻璃基底上形成，這樣得到了比較例2的磁—光記錄介質(zhì)。GdFeCo再生層的組成被設(shè)置為在室溫下呈現(xiàn)富TM，-160emu/cc的Ms和300℃或更高的居里溫度。TbFeCoAl中間層的組成被設(shè)置為在室溫下呈現(xiàn)富TM，-160emu/cc的Ms和140℃的居里溫度。GdFeCo輔助層的組成被設(shè)置為在室溫下呈現(xiàn)富TM，-160emu/cc的Ms和280℃的居里溫度。TbFeCo存儲(chǔ)層的組成被設(shè)置為在室溫下呈現(xiàn)富TM，-150emu/cc的Ms和250℃的居里溫度。接著，使用這個(gè)磁—光記錄介質(zhì)，如實(shí)驗(yàn)例1那樣測量記錄/再生特性。但在這種情況下，在再生之前，在0Oe，1,000Oe和2,000Oe之間改變初始化磁場的量把垂直方向的初始化磁場加給該介質(zhì)，并且在0Oe，200Oe和400Oe之間改變再生磁場的量把再生磁場加給該介質(zhì)。該結(jié)果示于表1中。(比較例3)接著，如在日本專利申請公開No.6—124500中所描述的相同的介質(zhì)被制備和評價(jià)。使用與實(shí)驗(yàn)例1中同樣的膜形成裝置和方法，900厚的SiN中間層，400厚的GdFeCo再生層，400厚的TbFeCo存儲(chǔ)層和700厚的SiN保護(hù)層依名稱的順序在玻璃基底上形成，這樣得到了比較例3的磁—光記錄介質(zhì)。GdFeCo再生層的組成被設(shè)置為在室溫下呈現(xiàn)富RE，180emu/cc的Ms，240℃的補(bǔ)償溫度和300℃或更高的居里溫度。TbFeCo存儲(chǔ)層的組成被設(shè)置為在室溫下呈現(xiàn)富TM，150emu/cc的Ms和250℃的居里溫度。接著，使用這個(gè)磁—光記錄介質(zhì)，如在實(shí)驗(yàn)例1中那樣測量記錄/再生特性。結(jié)果示于表1中。根據(jù)前面實(shí)驗(yàn)例1至6的測量結(jié)果，特別是根據(jù)在任何一個(gè)介質(zhì)中短標(biāo)志長度的測量結(jié)果，用短的標(biāo)志長度得到了高的C/N比，而沒有應(yīng)用再生磁場。進(jìn)一步，在再生層在室溫為一個(gè)同平面磁化膜并在室溫和居里溫度之間變?yōu)榇怪贝呕さ慕橘|(zhì)中，C/N和串音的改善都看到了。另一方面，在比較例1的介質(zhì)中，不施加400Oe的再生磁場就不能得到足夠高的C/N比。進(jìn)一步，所示的串音為壞的結(jié)果。另一方面，在比較例2的介質(zhì)中，不施加足夠的初始化磁場和再生磁場就看不到C/N和串音的改善。進(jìn)一步，在比較例3中，未得到足夠高的C/N比。因此，在本發(fā)明的磁—光記錄介質(zhì)中，C/N比或C/N與串音都能夠改善，而不施加再生磁場或初始化磁場與再生磁場。因此，行記錄密度或行記錄密度和軌跡密度都能改善。接著，前述能量關(guān)系表達(dá)式(12)至(18)的驗(yàn)證在實(shí)驗(yàn)例7至10和10至15以及比較例4至8中進(jìn)行。(實(shí)驗(yàn)例7)Si，Gd，Tb，F(xiàn)e和Co靶子被放在DC磁控管濺射裝置上，并且具有130mm直徑的玻璃基底及有平臺(tái)和槽的聚碳酸酯基底被固定于離各靶子位置150mm的基底支架上。之后，該腔內(nèi)由低溫泵排空至1×10-5Pa或更低的高度真空。在排空期間，Ar氣體被引入腔內(nèi)至0.5Pa，并且此后，900厚的SiN干涉層，400厚的GdFeCo再生層，100厚的TbFeCo中間層，350厚的TbFeCo存儲(chǔ)層和700厚的SiN保護(hù)層依名稱順序形成，這樣得到了具有圖14結(jié)構(gòu)的本發(fā)明的磁—光記錄介質(zhì)。在各SiN電介質(zhì)層的形成時(shí)，除Ar氣體之外N2氣體也被引入，并且SiN層由DC反應(yīng)性濺射形成，調(diào)整Ar和N2氣體的混合比，以得到2.1的折射指數(shù)。GdFeCo再生層的組成是Gdx(Fe57Co43)100-x(組成比的數(shù)值為原子比(％)；此后同樣適用)，并且X被設(shè)置為25％。下面，飽和磁化強(qiáng)度的極性將在稀土元素亞晶格磁化占優(yōu)勢的情況下描述為正和在鐵族元素亞晶格磁化占優(yōu)勢的情況下為負(fù)。TbFeCo中間層的組成是Tb20(Fe97Co3)80。這個(gè)組成的膜被單獨(dú)地測量和在室溫下為-120emu/cc的Ms3和155℃的居里溫度。由于本例的介質(zhì)是只形成后掩蔽的前孔徑檢測(FAD)型的介質(zhì)，所以具有大的垂直磁性異向的TbFeCo被用于中間層以盡可能避免形成前掩蔽。TbFeCo存儲(chǔ)層的組成是Tb20(Fe80Co20)80。這個(gè)組成的膜被單獨(dú)地測量以觀察飽和磁化強(qiáng)度Ms2的溫度相關(guān)性，及在室溫下呈現(xiàn)-240emu/cc的Ms2和250℃的居里溫度。Ms2溫度相關(guān)性示于圖17中。(實(shí)驗(yàn)例8)接著，使用與實(shí)驗(yàn)例7中同樣的裝置和方法，制備具有象實(shí)驗(yàn)例7那樣結(jié)構(gòu)的本發(fā)明的磁—光記錄介質(zhì)。中間層和存儲(chǔ)層分別具有如在實(shí)驗(yàn)例7中的中間層和存儲(chǔ)層同樣的膜厚和組成。再生層也具有如實(shí)驗(yàn)例7相同的膜厚度，但其組成卻被改變了。具體地說，X在Gdx(Fe57Co43)100-x中被設(shè)置為26％。這種組成的膜被單獨(dú)測量以便觀察飽和磁化強(qiáng)度Ms1的溫度相關(guān)性，在室溫呈現(xiàn)151emu/cc的Ms1，172℃的補(bǔ)償溫度和300℃或更高的居里溫度。Ms1的溫度相關(guān)性示于圖16中。(實(shí)驗(yàn)例9)接著，使用與實(shí)驗(yàn)例7中同樣的裝置和方法，制備具有除再生層的組成外與實(shí)施例7同樣結(jié)構(gòu)的本發(fā)明的磁—光記錄介質(zhì)。具體地說，在再生層的組成中，X在Gdx(Fe57Co43)100-x中被設(shè)置為28％。這種組成的膜被單獨(dú)地測量，以便觀察飽和磁化強(qiáng)度Ms1的溫度相關(guān)性，在室溫下呈現(xiàn)236emu/cc的Ms1，225℃的補(bǔ)償溫度和300℃或更高的居里溫度。Ms1的溫度相關(guān)性示于圖16中。(實(shí)驗(yàn)例10)接著，使用與實(shí)驗(yàn)例7中同樣的裝置和方法，制備具有除再生層的組成外與實(shí)驗(yàn)例7同樣結(jié)構(gòu)的本發(fā)明的磁—光記錄介質(zhì)。具體地說，在再生層的組成中，X在Gdx(Fe57Co43)100-x中被設(shè)置為31％。這種組成的膜被單獨(dú)地測量，以便觀察飽和磁化強(qiáng)度Ms1的溫度相關(guān)性，在室溫下呈現(xiàn)325emu/cc的Ms1，275℃的補(bǔ)償溫度和300℃或更高的居里溫度。Ms1的溫度相關(guān)性示于圖16中。(比較例4)接著，使用與實(shí)驗(yàn)例7中同樣的裝置和方法，制備具有象實(shí)驗(yàn)例7那樣結(jié)構(gòu)的比較例4的磁—光記錄介質(zhì)。中間層和存儲(chǔ)層分別具有與實(shí)驗(yàn)例7中的中間層和存儲(chǔ)層同樣的膜厚和組成。再生層也具有與實(shí)施例7相同的膜厚度，但其組成被改變了，具體地說，X在Gdx(Fe57Co43)100-x中被設(shè)置為23％。在具有前面磁化特性的磁性膜被層壓的狀態(tài)中，它被檢查是否在高溫區(qū)形成了一個(gè)掩蔽。在介質(zhì)內(nèi)靜磁能中來自再生層和存儲(chǔ)層的磁化能量為主的情況下，例如在除再生層和存儲(chǔ)層之外的磁層厚度相對小的情況下，為了在高溫區(qū)形成掩蔽，必須根據(jù)前面的能量關(guān)系表達(dá)式建立關(guān)系式(22)。Ewb－Eleak－Est＞Ecl＋Ewi···(22)首先，得到了施加于轉(zhuǎn)移到再生層的記錄磁疇的Bloch磁壁的能量(Bloch磁壁能量Ewb，來自再生層的靜止磁場能量Eleak，來自存儲(chǔ)層的靜止磁場能量Est)。由于關(guān)系式(22)中的各項(xiàng)取決于溫度，為了精確，各項(xiàng)表示相對溫度，以便確定是否建立關(guān)系式(22)。另一方面，由于在中間層達(dá)到居里溫度附近時(shí)，Ewi快速減少，所以在中間層到達(dá)居里溫度之前關(guān)系式(22)中不均等的標(biāo)號被建立是經(jīng)常的。用這種觀點(diǎn)，檢查是否關(guān)系式(22)在中間層的居里溫度被建立。在這個(gè)時(shí)候，Ewi可以認(rèn)為是0。為了計(jì)算，在中間層達(dá)到居里溫度時(shí)，再生層的Bloch磁壁能量Ewb和再生層及存儲(chǔ)層的飽和磁化強(qiáng)度是必須的。因此首先，計(jì)算這些物質(zhì)性的各值。假設(shè)再生層和存儲(chǔ)層缺少中間層的居里溫度周圍，即約155℃左右的交換耦合力。在這個(gè)溫度的值被用作物質(zhì)性值。當(dāng)以單層膜形式的再生層測量時(shí)，再生層的Bloch磁壁能量σwb就不取決于在這個(gè)實(shí)驗(yàn)范圍內(nèi)的其組成，并且在約155℃時(shí)約為1.9erg/cc。進(jìn)一步，存儲(chǔ)層的Ms2從圖17中獲得是-225emu/cc。另一方面，再生層的Ms1依賴再生層的組成而不同并獲得如表3所示的值。使用這些物質(zhì)性值計(jì)算這些能量。首先，把σwb＝1.9erg/cc和r＝0.2μm代入關(guān)系式(15)，得到了Ewb＝9.50×104。進(jìn)一步，獲得Eleak所必要的Ms1用下述方式得到。具體地說，相應(yīng)于各再生層的Ms1值被標(biāo)繪。由于在補(bǔ)償組成附近Ms1的精確測量是不容易的，所以相應(yīng)于Gdx(Fe57Co43)100-x(x＝21％)的值被單獨(dú)地測量，并且根據(jù)這個(gè)Ms1和其它的Ms1值，相應(yīng)于X＝23，25的Ms1值被標(biāo)繪如圖18中所示，以便推測Ms1值。使用h1＝30nm和r＝0.2μm，從關(guān)系式(18)中得到Eleak。進(jìn)一步，由關(guān)系式(23)表示Est。Est＝2Ms1Hst···(23)因此，首先計(jì)算Hst。Hst可以以簡化的方式根據(jù)關(guān)系式(24)進(jìn)行計(jì)算。在關(guān)系式(24)和(25)中，a表示存儲(chǔ)層記錄磁疇的半徑，h2表示存儲(chǔ)層的膜厚以及(r，θ，Z)表示在極座標(biāo)系統(tǒng)中的測量點(diǎn)的座標(biāo)，在膜厚方向施加磁場Hst，在光入射側(cè)，該極座標(biāo)系統(tǒng)具有在存儲(chǔ)層中記錄磁疇的端面中心的原點(diǎn)，其中γ表示在半徑方向上的距離，θ表示角度和Z表示朝著光入射側(cè)的距離。Hst=(4&pi;Ms2)&Integral;0&pi;{k(r/a,z/a,&theta;)-k(r/a,(z+h)/a,&theta;)}d&theta;]]>---(24)k(r/a，z/a，θ)和f(r，z，θ)分別由關(guān)系式(25)和(26)定義。k(r/a，z/a，θ)≡－(1/π){(z/a)/f(r，z，θ)}{1＋f(r，z，θ)}/{1－(r/a)cosθ＋f(r，z，θ)}···(25)f(r,z,&theta;)&equiv;(1+(r/a)2+(z/a)2-2(z/a)cos&theta;)---(26)]]>僅在再生層的記錄磁疇被觀察下，除存儲(chǔ)層的記錄磁疇之外來自存儲(chǔ)層記錄磁疇的靜止磁場的影響不是那么大。因此，為了簡單起見，關(guān)系式(24)只在再生層的記錄磁疇被看到下涉及存儲(chǔ)層的記錄磁疇。然而，為了更精確，最好計(jì)算來自存儲(chǔ)層中所有磁化強(qiáng)度的靜磁化能量。這也被應(yīng)用于以簡化方式計(jì)算由關(guān)系式(8)定義的Hleak。使用計(jì)算器計(jì)算關(guān)系式(24)的結(jié)果，在記錄磁疇直徑為0.4πm(a＝0.2πm)的情況下，得到Hst/(4πMs2)＝0.15。使用這個(gè)值，Ms1和Ms2，Est被得到。其結(jié)果示于表3中。進(jìn)一步，矯頑力能量Ec由關(guān)系式(27)表達(dá)。Ec＝2Ms1·Hcl···(27)根據(jù)再生層飽和磁化強(qiáng)度和矯頑力的溫度關(guān)系，在這個(gè)實(shí)驗(yàn)例中155℃處的Ec僅在小程度上取決于再生層組成，并且因此對于任何組成基本上為6×104erg/cc。這些能量值示于表3中。如前面所描述的，為了在高溫區(qū)形成掩蔽層，關(guān)系式(22)將被建立。由于Ewi＝0，用于示出是否再生層的記錄磁疇被縮小和反向的表達(dá)式Ewb－Eleak－Est－Ec相對于再生層的組成X示于圖19中。根據(jù)圖19，當(dāng)X≥25％時(shí)，關(guān)系式(28)將被建立，以期待再生層的記錄磁疇會(huì)縮小和反向，并且后掩蔽將被形成。Ewb－Eleak－Est－Ecl＞0···(28)另一方面，當(dāng)X≤24％時(shí)，關(guān)系式(29)被建立，以期望后掩蔽不被形成。Ewb－Eleak－Est－Ecl＜0···(29)接下來，使用這個(gè)盤狀磁—光記錄介質(zhì)測量記錄/再生特性。利用設(shè)置物鏡的N.A.為0.55，激光束的波長為780nm，記錄功率在7—13mW范圍內(nèi)和再生功率為2.4mW來進(jìn)行測量。線速度被設(shè)置為9m/s，并且再生時(shí)不加外磁場。首先，在整個(gè)介質(zhì)上進(jìn)行去除，并且此后，5.8MHz，11.3MHz和15MHz的載波信號(分別相應(yīng)于標(biāo)記長度0.78μnm，0.40μm和0.30μm)被記錄在存儲(chǔ)層，以便檢測C/N的標(biāo)記長度關(guān)系。當(dāng)進(jìn)行標(biāo)記長度0.78μm的記錄時(shí)，對所有盤得到了48dB或更高的C/N比。另一方面，執(zhí)行標(biāo)記長度0.30μm的記錄時(shí)，對于實(shí)驗(yàn)例7至10的介質(zhì)得到35dB或更高的C/N比，而對于比較例4的介質(zhì)得到20dB或更高的C/N比。在標(biāo)記長度0.40μm的C/N比與能量一起相對于再生層的組成示于圖19中。如在圖19中所看到的，當(dāng)在再生層的組成Gdx(Fe57Co43)100-x中X≥25％時(shí)，C/N比為40dB或更高，以便得到一個(gè)好的值。另一方面，當(dāng)X＝23％時(shí)，C/N比惡化了。當(dāng)把這個(gè)與前面的能量關(guān)系式相比較時(shí)，就能高興地看到它很好地符合了能量計(jì)算的結(jié)果。這揭示了滿足前面能量狀態(tài)表達(dá)式的本發(fā)明的介質(zhì)顯示了極好的再生特性。(實(shí)驗(yàn)例11)接下來，制備再生層在室溫為同平面磁化膜并在室溫和居里溫度間變?yōu)榇怪贝呕さ那笆龅拇拧庥涗浗橘|(zhì)。首先Si，Gd，Tb，F(xiàn)e和Co靶子被放在DC磁控管濺射裝置上，并且具有直徑130mm的一個(gè)玻璃基底及有平臺(tái)和槽的聚碳酸酯基底被固定于離各靶子位置150mm的基底支架上。之后，該腔內(nèi)由低溫泵排空至1×10-5Pa或更低的高度真空。在排空期間，Ar氣體被引入腔內(nèi)至0.5Pa，并且此后，900厚的SiN干涉層，400厚的GdFeCo再生層，100厚的GdFe中間層，350厚的TbFeCo存儲(chǔ)層和700厚的SiN保護(hù)層依名稱的順序被形成，這樣得到了具有圖14結(jié)構(gòu)的本發(fā)明的磁—光記錄介質(zhì)。在各SiN電介質(zhì)層形成時(shí)，除Ar氣體之外，N2氣體也被引入，并且SiN層由DC反應(yīng)濺射形成，調(diào)整Ar和N2氣體的混合比，以得到2.1的折射指數(shù)。GdFeCo再生層的組成是Gdx(Fe58Co42)100-x，及X被置為27％。這個(gè)組成的膜被單獨(dú)地測量以觀察飽和磁化強(qiáng)度Ms1(emu/cc)的溫度關(guān)系，并在室溫呈現(xiàn)150emu/cc的Ms1，188℃的補(bǔ)償溫度和300℃或更高的居里溫度。GdFe中間層的組成是Gd37Fe63。這個(gè)組成的膜被單獨(dú)地測量并在室溫呈現(xiàn)420emu/cc的飽和磁化強(qiáng)度Ms3和198℃的居里溫度。在本介質(zhì)中，具有小垂直磁性異向和大飽和磁化強(qiáng)度的GdFe被用于中間層，以便再生層在室溫附近變?yōu)橥矫娲呕ひ宰阋孕纬汕把诒?。TbFeCo存儲(chǔ)層的組成是Tb20(Fe80Co20)80。該組成的膜被單獨(dú)地測量以觀察飽和磁化強(qiáng)度Ms2的溫度關(guān)系，和在室溫呈現(xiàn)一240emu/cc的Ms2及250℃的居里溫度。Ms2的溫度關(guān)系示于圖17中。(實(shí)驗(yàn)例12)其后，使用與實(shí)驗(yàn)例11中同樣的裝置和方法，具有象在實(shí)驗(yàn)例11中同樣結(jié)構(gòu)的本發(fā)明的磁—光記錄介質(zhì)被制備。中間層和存儲(chǔ)層分別具有與實(shí)驗(yàn)例11中的中間層和存儲(chǔ)層同樣的膜厚和組成。再生層也具有與實(shí)驗(yàn)例11同樣的膜厚，但其組成改變了。具體地說，在Gdx(Fe58Co42)100-x中x設(shè)定為28％。這個(gè)組成的膜被單獨(dú)地測量以觀察飽和磁化強(qiáng)度Ms1的溫度關(guān)系，并在室溫呈現(xiàn)200emu/cc的Ms1，205℃的補(bǔ)償溫度和300℃或更高的居里溫度的。(實(shí)驗(yàn)例13)其后，使用與實(shí)驗(yàn)例11中同樣的裝置和方法，制備具有除再生層的組成之外與在實(shí)驗(yàn)例11中同樣結(jié)構(gòu)的本發(fā)明的磁—光記錄介質(zhì)。具體地說，在再生層的組成中，在Gdx(Fe58Co42)100-x中的X被設(shè)置為29％。這個(gè)組成的膜被單獨(dú)地測量以觀察飽和磁化強(qiáng)度Ms1的溫度關(guān)系，和在室溫下呈現(xiàn)240emu/cc的Ms1，225℃的補(bǔ)償溫度及300℃或更高的居里溫度。(實(shí)驗(yàn)例14)其后，使用與實(shí)驗(yàn)例11中同樣的裝置和方法，制備具有除再生層的組成之外與在實(shí)驗(yàn)例11中同樣結(jié)構(gòu)的本發(fā)明的磁—光記錄介質(zhì)。具體地說，在再生層的組成中，在Gdx(Fe58Co42)100-x中的X被設(shè)置為31％。這個(gè)組成的膜被單獨(dú)地測量以觀察飽和磁化強(qiáng)度Ms1的溫度關(guān)系，和在室溫下呈現(xiàn)310emu/cc的Ms1，260℃的補(bǔ)償溫度及300℃或更高的居里溫度。(比較例5)接著，使用與實(shí)驗(yàn)例11中同樣的裝置和方法，制備具有象在實(shí)驗(yàn)例11中相同結(jié)構(gòu)的比較例5的磁—光記錄介質(zhì)。中間層和存儲(chǔ)層分別具有與實(shí)驗(yàn)例11中的中間層和存儲(chǔ)層同樣的膜厚和組成。再生層也具有與實(shí)驗(yàn)例11同樣的膜厚，但其組成改變了。具體地說，在Gdx(Fe58Co42)100-x中的X被設(shè)置為25％。這個(gè)組成的膜被單獨(dú)地測量以觀察飽和磁化強(qiáng)度Ms1的溫度關(guān)系，和在室溫呈現(xiàn)51emu/cc的Ms1，150℃的補(bǔ)償溫度及300℃或更高的居里溫度。(比較例6)其后，使用與實(shí)驗(yàn)例11中同樣的裝置和方法，制備具有象在實(shí)驗(yàn)便11中相同結(jié)構(gòu)的比較例6的磁—光記錄介質(zhì)。中間層和存儲(chǔ)層分別具有與實(shí)驗(yàn)例11中的中間層和存儲(chǔ)層同樣的膜厚和組成。再生層也具有與實(shí)驗(yàn)例11同樣的膜厚，但其組成改變了。具體地說，在Gdx(Fe58Co42)100-x中的X被設(shè)置為26％。在具有前面磁化特性的磁化膜被層壓的狀態(tài)中，當(dāng)來自存儲(chǔ)層的交換耦合力在記錄標(biāo)記長度0.4μm的情況下失去時(shí)，在高溫區(qū)域的掩蔽形成條件就得到了。假設(shè)再生層和存儲(chǔ)層在約200℃失去了交換耦合力。這個(gè)溫度下的值就被取為物質(zhì)性值。當(dāng)以單層膜的形式測量再生層時(shí)，再生層的Bloch磁壁能量σwb不取決于在實(shí)驗(yàn)例中的組成，在約200℃為1.5erg/cc左右。進(jìn)一步，獲得存儲(chǔ)層的飽和磁化強(qiáng)度Ms2為-180emu/cc。另一方面，再生層的飽和磁化強(qiáng)度Ms1依賴于再生層的組成而不同，并得到為表4所示的值。使用這些物質(zhì)性值，計(jì)算出有效磁場。首先，用σwb＝1.5erg/cc和r＝0.2μm代入關(guān)系式(15)，得到Ewb＝7.50×104erg/cc。以與實(shí)驗(yàn)例7至10中相同的方式用相應(yīng)于各再生層得到的h1＝30nm，r＝0.2μm和Ms1得出Eleak。用如前所述的Hst＝0.15，Ms1和Ms2計(jì)算出Est。根據(jù)飽和磁化強(qiáng)度的溫度關(guān)系和再生層的矯頑力，在約200℃的矯頑力的能量Ec僅在小程度上取決于在這個(gè)實(shí)驗(yàn)例中再生層的組成，因此對于任何組成基本上為6×104erg/cc。這些能量值示于表4中。進(jìn)一步，表示再生層記錄磁疇是否縮小和反向的表達(dá)式Ewb－Eleak－Est－Ec示于涉及再生層組成X的圖20中。根據(jù)圖20，當(dāng)X＞26％時(shí)，關(guān)系式(28)被建立以期望能使再生層的記錄磁疇縮小和反向，因此能形成后掩蔽。Ewb－Eleak－Est－Ecl＞0···(28)另一方面，當(dāng)X≤26％時(shí)，關(guān)系式(29)被建立，以期望后掩蔽不能形成。因此，期望C/N比被惡化。Ewb－Eleak－Est－Ecl＜0···(29)接著，使用這個(gè)磁—光記錄介質(zhì)測量記錄/再生特性。該測量通過設(shè)置物鏡的N.A.為0.55，激光束波長為780nm，記錄功率在7至13mW的范圍以及再生功率為3.4mW來進(jìn)行。線速度被設(shè)置為9m/s，并在再生時(shí)未加外磁場。首先，在整個(gè)介質(zhì)上進(jìn)行去除，此后，5.8MHz，11.3MHz和15MHz的載波信號(分別相應(yīng)于標(biāo)記長度0.78um，0.40um和0.30um)被記錄在存儲(chǔ)層上，以便檢查C/N的標(biāo)記長度關(guān)系。當(dāng)進(jìn)行標(biāo)記長度0.78μm的記錄時(shí)，所有盤得到了48dB或更高的C/N比。另一方面，當(dāng)進(jìn)行標(biāo)記長度0.30μm的記錄時(shí)，對于實(shí)驗(yàn)例11至14中的本發(fā)明的介質(zhì)得到了35dB或更高的C/N比。而對于比較例5和6的介質(zhì)未得到25dB或更高的C/N比。在標(biāo)記長度0.40μm的C/N比相對于再生層組成示于圖20中。如在圖20中看到的，當(dāng)在再生層組成Gdx(Fe58Co42)100-x中的X＞26％時(shí)，C/N比為40dB或更高，以便得到良好的值。另一方面，當(dāng)X＝25％，26％時(shí)，C/N比惡化了。當(dāng)把這個(gè)與前面的能量關(guān)系式相比時(shí)，高興的是它很好的符合了能量計(jì)算結(jié)果。這揭示了滿足前述能量條件表達(dá)式的本發(fā)明介質(zhì)顯示了極好的再生特性。另一方面，對于X＝26％的盤，由于對于后掩蔽形成條件的偏差相對地小，所以與不是超分辨率介質(zhì)的普通介質(zhì)相比已經(jīng)得到了良好的C/N比。然而，為了得到足夠高的C/N比，本發(fā)明的條件是必要的。進(jìn)一步，用X＝31％，盡管后掩蔽形成的條件在能量表達(dá)式方面已滿足，但C/N比稍微地惡化為40dB或更少。在對X＝31％的盤從再生層側(cè)光照下通過從室溫增加溫度，測量克耳(Kerr)環(huán)(通過標(biāo)繪相對于垂直加到膜厚方向磁場的樣品的Kerr旋轉(zhuǎn)角得到的環(huán)，用780nm激光束測量)，闡明了在溫度增加到達(dá)中間層居里溫度之前，在足夠的范圍內(nèi)再生層不會(huì)變?yōu)榇怪贝呕?。因此，找到了引起C/N惡化的原因是本發(fā)明介質(zhì)所必須的條件，而不是能量關(guān)系式，也就是說，再生層應(yīng)是至少在中間層達(dá)到居里溫度之前變?yōu)榇怪贝呕さ囊粋€(gè)磁化層的條件未被滿足。(實(shí)驗(yàn)例15)最后考慮相對于本發(fā)明的磁—光記錄介質(zhì)的特性的各個(gè)方面，它們將在實(shí)驗(yàn)例15和比較例7及8中示出。Si，Gd，F(xiàn)e和Co靶子被放在DC磁控管濺射裝置上，并且具有130mm直徑的一個(gè)玻璃基底及有1.6um間距的平臺(tái)和槽的聚碳酸酯基底被固定于離各靶子位置150mm的基底支架上。之后，該腔內(nèi)由低溫泵排空至1×10-5Pa或更低的高度真空。在排空期間，Ar氣體被引入腔內(nèi)至0.4Pa，此后，900厚的SiN干涉層，400厚的Gd28(Fe60Co40)72再生層，100厚的Gd37Fe63中間層，300厚的Tb20(Fe80Co20)80存儲(chǔ)層和700厚的SiN保護(hù)層依名稱的順序被形成，這樣得到了具有圖14結(jié)構(gòu)的本發(fā)明的磁—光記錄介質(zhì)。這個(gè)介質(zhì)為在其中形成后掩蔽和前掩蔽的雙掩蔽型。在各SiN電介質(zhì)層形成時(shí)，除Ar氣體之外，N2氣體也被引入，并且SiN層由DC反應(yīng)濺射形成，調(diào)整Ar和N2氣體的混合比，以得到2.1的折射指數(shù)。Gd28(Fe60Co40)72再生層在室溫是稀土元素亞晶格磁化強(qiáng)度占優(yōu)勢，并且被設(shè)置為呈現(xiàn)180emu/cc的飽和磁化強(qiáng)度Ms1，215℃的補(bǔ)償溫度Tcomp1和300℃或更高居里溫度。Gd37Fe63中間層在室溫是稀土元素亞晶格磁化強(qiáng)度占優(yōu)勢，并且被設(shè)置為呈現(xiàn)450emu/cc的飽和磁化強(qiáng)度和190℃的居里溫度Tc3。Tb20(Fe80Co20)80存儲(chǔ)層是鐵族元素晶格磁化強(qiáng)度占優(yōu)勢，并且被設(shè)置為呈現(xiàn)-240emu/cc的飽和磁化強(qiáng)度Ms2和250℃的居里溫度Tc2。如前面的實(shí)驗(yàn)例所述，對于這個(gè)介質(zhì)執(zhí)行能量計(jì)算，并得到EWb－ELeak－Est－Ecl＝1×105erg(爾格)/cc。因此，計(jì)算結(jié)果表示后掩蔽的形成。在磁—光記錄介質(zhì)中記錄0.78μm標(biāo)記長度的磁疇之后，在830nm半導(dǎo)體激光束的照射下用偏光顯微鏡觀察該磁疇。當(dāng)增加激光功率時(shí)，確定記錄的磁疇被縮小并且在一定的激光功率下在光點(diǎn)的中心(高溫度區(qū))在去除方向定向磁化強(qiáng)度。接著，使用這個(gè)磁—光記錄介質(zhì)測量記錄/再生特性。通過設(shè)定物鏡的N.A.為0.53，激光束波長為780nm(使用光頭)，線速度為9m/s和記錄功率是10mW執(zhí)行測量。首先，在整個(gè)介質(zhì)上執(zhí)行去除，此后以11.3MHz的頻率調(diào)制激光束來記錄0.40μm長度的標(biāo)記。然后通過改變再生功率從0.8mW到4.4mW測量C/N比的變化。其結(jié)果示于圖21。在本發(fā)明的磁—光記錄介質(zhì)中，因?yàn)楫?dāng)再生的功率是1.0mW或更少時(shí)介質(zhì)的溫度沒有足夠地增加，再生層的磁化強(qiáng)度在膜平面內(nèi)基本上是定向的。因此，由于在存儲(chǔ)層記錄的標(biāo)記被再生層掩蔽，所以基本上得不到C/N比。另一方面，當(dāng)再生的功率增加到約2.0mW至2.8mW時(shí)，在再生點(diǎn)內(nèi)形成一個(gè)中溫區(qū)，即孔徑區(qū)，以轉(zhuǎn)移存儲(chǔ)層的磁疇到再生層，以便增加C/N比。這時(shí)該孔徑區(qū)的結(jié)構(gòu)基本上與使用同平面膜的常規(guī)的二層結(jié)構(gòu)的超分辨率相同。因此，雖然產(chǎn)生超分辨率現(xiàn)象，因?yàn)樵摽讖絽^(qū)的尺寸和位置不是最佳的，僅能得到約36dB的C/N比。當(dāng)再生的功率進(jìn)一步增加到3.2mW至4.0mW時(shí)，在中間層達(dá)到居里溫度的點(diǎn)內(nèi)，出現(xiàn)一個(gè)部分，即形成一個(gè)后掩蔽。然后如圖5A所示，相對于該點(diǎn)孔徑結(jié)構(gòu)變?yōu)樽罴眩员愕玫?5dB的C/N比。另一方面，當(dāng)再生功率超過4.0mW時(shí)，最高的溫度超過存儲(chǔ)層的居里溫度，則記錄數(shù)據(jù)被破壞，降低了C/N比。其次，為了進(jìn)一步支持本發(fā)明的磁—光記錄介質(zhì)中后掩蔽的形成，測量再生信號的幅度和DC電平。在記錄標(biāo)記長度是0.4um的情況下，當(dāng)再生功率超過3mW時(shí)，載波電平迅速地增加，以便能夠確定后掩蔽的形成。對于在相同介質(zhì)中記錄的0.8μm標(biāo)記從再生信號中獲得幅度和DC電平。在去除側(cè)DC電平取正號，在常規(guī)光盤的情況下，甚至當(dāng)再生功率改變時(shí)，孔徑構(gòu)成也不變。因此，當(dāng)再生功率在沒有使存儲(chǔ)層達(dá)到居里溫度的范圍內(nèi)時(shí)，再生信號的幅度和再生功率之間的關(guān)系形成通過原點(diǎn)的直線。而且，在點(diǎn)光線的全部寬度上沒有記錄標(biāo)記，去除狀態(tài)部分保留在標(biāo)記的兩側(cè)。因此，甚至當(dāng)用50％的占空度記錄標(biāo)記時(shí)，再生信號的DC電平不變?yōu)?，但是偏離到去除側(cè)。因此，幅度和DC電平相對于再生功率二者的每一種關(guān)系形成具有正斜率通過原點(diǎn)的直線。另一可選擇方案是，當(dāng)由于功率增加再生層的克爾旋轉(zhuǎn)角的降低是在電平不能忽略時(shí)，根據(jù)這樣的電平形成的曲線略微向上突出。另一方面，在本發(fā)明的超分辨率盤的情況下，直線不通過原點(diǎn)，而且其斜率圍繞3mW再生功率改變。這被認(rèn)為如下當(dāng)再生功率是0.5mW或更少時(shí)，甚至最高的溫度部分沒有達(dá)到再生層從同平面磁化膜轉(zhuǎn)移到垂直磁化膜的溫度。因此，再生層的磁化強(qiáng)度是在同平面內(nèi)，即在點(diǎn)內(nèi)的所有區(qū)域內(nèi)被掩蔽。這樣，幅度和DC電平都是0，另一方面，當(dāng)再生功率超過0.5mW時(shí)，在該點(diǎn)內(nèi)的再生層的一部分變?yōu)榇怪贝呕ぁ．?dāng)功率進(jìn)一步增加時(shí)，因?yàn)榭讖絽^(qū)域的擴(kuò)展，幅度和DC電平二者隨超過與再生功率的比例關(guān)系的斜率而迅速增加。但是，再生功率超過3mW時(shí)，后掩蔽在點(diǎn)內(nèi)開始形成，以便磁化強(qiáng)度的方向定位于后掩蔽部分的去除方向。在后掩蔽出現(xiàn)之前，這部分為信號再生工作，但是，當(dāng)后掩蔽出現(xiàn)時(shí)，由于在去除方向是掩蔽的，這部分不為信號再生而工作。因此，DC電平穿過3mW的再生功率在去除方向迅速地增加，而再生信號的幅度降低。從前面的結(jié)果看出，本發(fā)明超分辨率盤的后掩蔽特性已被支持。而且，為了證實(shí)不加外部再生磁場產(chǎn)生本發(fā)明的超分辨率的效果，與再生磁場有關(guān)的檢查結(jié)果示于圖22。以如下的方式得到圖22。在用前面的方式把0.4mm標(biāo)記記錄在盤上之后，當(dāng)用3.2mW的再生功率實(shí)現(xiàn)信號再生時(shí)，改變再生磁場，并在這時(shí)畫出C/N比的變化。從這個(gè)圖清楚看出，在再生磁場±200Oe的范圍內(nèi)，穩(wěn)定地得到45dB的C/N比。接著，測量具有相鄰軌跡的串音(以后稱"串音")。首先，在平臺(tái)和槽上整個(gè)地執(zhí)行去除，而且此后，0.78μm標(biāo)記長度的信號如前述方式記錄在平臺(tái)上，以便測量載波電平CL。接著，測量根據(jù)跟蹤相鄰槽的載波電平CG。串音用CL/CG之比表示。因?yàn)樵诩俣〝?shù)據(jù)被記錄在平臺(tái)和槽二者之上而進(jìn)行試驗(yàn)，有效的軌跡間距是0.8μm。其結(jié)果如圖23所示。從圖中清楚地看出，在3.2mW至4.0mW的再生功率的范圍內(nèi)串音被壓縮到約-28dB，所述的范圍對于該介質(zhì)是最佳的。雖然在圖23中沒有示出，對于實(shí)驗(yàn)例13的介質(zhì)以相同方式執(zhí)行串音測量，但相對于2.5mW至4.0mW的再生功率的范圍內(nèi)，得到在-32dB和-35dB之范圍內(nèi)的串音值。不施加初始化磁場都得到前述的數(shù)據(jù)，使用象常規(guī)信息記錄/再生設(shè)備一樣的信息記錄/再生設(shè)備對以高密度記錄標(biāo)記獲得好的結(jié)果。接著，進(jìn)行對于傳統(tǒng)的已知的介質(zhì)結(jié)構(gòu)與以前相同方式的實(shí)驗(yàn)并與本發(fā)明介質(zhì)進(jìn)行比較。(比較例7)使用與實(shí)驗(yàn)例15相同的設(shè)備和方法，在聚碳酸酯基底上依名稱順序形成900厚度的SiN干涉層，800厚的Tb20(Fe80Co20)80存儲(chǔ)層和700厚的SiN保護(hù)層。換句話說，制備僅具有在實(shí)驗(yàn)例15中所用存儲(chǔ)層作磁化層的單層盤。首先，把各種尺寸的標(biāo)記記錄在介質(zhì)上，如像實(shí)驗(yàn)例15那樣測量C/N比。再生的功率被置在從2.0至3.8mW的范圍內(nèi)，以便獲得最高的C/N比。結(jié)果，當(dāng)標(biāo)記長度是大的，即0.78μm時(shí)，雖然得到足夠高的C/N比，但是，標(biāo)記長度是小的，即接近于光系統(tǒng)的截止頻率時(shí)，分辨率迅速地降低，因而在標(biāo)記長度為0.4μm時(shí)僅得到26dB的C/N比。而且，在串音的測量中，因?yàn)?.8μm的有效軌跡間距相對于再生點(diǎn)來說是窄的，而且，在單層盤的情況下，提供無掩蔽效應(yīng)，因此僅得到如圖23所示的約-22dB的串音。(比較例8)使用與實(shí)驗(yàn)例15相同的設(shè)備和方法，在聚碳酸酯基底上依次形成900A厚度的SiN干涉層，700A厚的Gd28(Fe60Co40)72再生層，300A厚的Tb20(Fe0Co20)80存儲(chǔ)層和700A厚的SiN保護(hù)層，這樣得到比較例8的介質(zhì)。首先，在介質(zhì)上記錄0.40μm標(biāo)記長度的標(biāo)記，并測量載波和噪聲的再生功率相關(guān)性。因?yàn)樯踔吝@種比較例的介質(zhì)通過使用同平面磁化膜在低溫度時(shí)提供超分辨率效應(yīng)，所以載波電平增加，和實(shí)驗(yàn)例15中本發(fā)明的介質(zhì)中一樣，再生功率的范圍在0.8mW和2.8mW。但是，在這個(gè)比較例的兩層超分辨介質(zhì)中，即使當(dāng)再生功率增加到3mW或更大時(shí)，因?yàn)楹笱诒螞]有出現(xiàn)，與在實(shí)驗(yàn)例15中本發(fā)明的介質(zhì)中一樣的載波快速增加沒有觀察到。在這個(gè)比較例的介質(zhì)中，在標(biāo)記長度是0.40μm的情況下，最大僅得到37dB的C/N比。接著，在這個(gè)比較例的介質(zhì)上記錄各種尺寸的標(biāo)記，并測量空間頻率特性。結(jié)果是這樣的，雖然在高頻區(qū)分辨率增加(與單層盤相比較)，但因?yàn)闆]有提供后掩蔽效應(yīng)，而且孔徑區(qū)和點(diǎn)之間的位置關(guān)系不是最佳，所以與實(shí)驗(yàn)例15的盤相比較分辨率是低劣的。而且，關(guān)于串音，得到約-30dB的串音，等效于實(shí)驗(yàn)例15中本發(fā)明的介質(zhì)的串音。但是，在2.0mW和4.0mW之間再生功率的范圍內(nèi)，這個(gè)比較例的串音與實(shí)驗(yàn)例13中本發(fā)明的介質(zhì)相比較惡化約2dB至3dB。表1</tables>(正的Ms表示富RE，而負(fù)的Ms表示TM多。)表1(續(xù))(正的MS表示富RE，而且負(fù)的MS表示富TM。)表1(續(xù)(正的MS表示富RE，而且負(fù)的MS表示富TM。)表1(續(xù))表1(續(xù))表1(續(xù))表2E＋X表示10+X表3E+X表示10+X(第二實(shí)施例)當(dāng)在室溫表示同平面磁性異向的磁層被用作第一實(shí)施例的介質(zhì)中的再生層時(shí)，磁—光記錄介質(zhì)應(yīng)在設(shè)計(jì)中不僅考慮光的影響，而且還要考慮在室溫和再生溫度下每個(gè)磁層的磁化特性，以便獲得好的掩蔽效應(yīng)。在第二個(gè)實(shí)施例中，將描述在上一方面要考慮的介質(zhì)。下面參見附圖將詳細(xì)描述根據(jù)本發(fā)明的第二優(yōu)選實(shí)施例的磁—光記錄介質(zhì)和使用該介質(zhì)再生信息的方法。本發(fā)明的磁—光記錄介質(zhì)至少有三個(gè)磁化層，即第一磁化層為垂直磁化膜，第三磁化層具有比第一磁化層和第二磁化層低的居里溫度，第二磁化層是垂直磁化膜(圖24)。以下，第一磁化層將稱為再生層，第二磁化層稱為存儲(chǔ)層和第三磁化層稱為中間層。存儲(chǔ)層113是一個(gè)存儲(chǔ)記錄信息的層，因此要求穩(wěn)定地保持磁疇。作為存儲(chǔ)層的材料優(yōu)選具有大的垂直磁性異向，而且能穩(wěn)定地保持磁化狀態(tài)的材料，例如，稀土鐵族非結(jié)晶合金，如TbFeCo，DyFeCo，TbDyFeCo或其它同類東西，金鋼砂，鉑系鐵族周期結(jié)構(gòu)膜，如Pt/Co，Pd/Co或其它同類東西，或鉑系鐵族合金例如，PtCo，PdCo或其它同類東西。為了穩(wěn)定地保持磁疇，存儲(chǔ)層113的膜厚度是10nm或更大是需要的。實(shí)際上，為了降低記錄功率，三個(gè)磁化層的總的膜厚度，即存儲(chǔ)層113，再生層111和中間層112的總厚度最好是比較小的，這樣存儲(chǔ)層的膜厚度最好是50nm或更薄。再生層111是用于再生在存儲(chǔ)層113保持的磁化信息的一層。再生層111具有這樣的磁化特性，即在室溫它是同平面磁化膜，而在室溫和其居里溫度之間的給定溫度或更高溫度它變?yōu)榇怪贝呕?。再生?11與中間層112及存儲(chǔ)層113相比較位置更靠近光入射側(cè)，而且它的居里溫度被設(shè)置得至少高于中間層112和存儲(chǔ)層113的居里溫度，用于防止在再生時(shí)克爾旋轉(zhuǎn)角的惡化。作為再生層111的材料最好是稀土鐵族非結(jié)晶合金，例如，主要包含GdFeCo的材料?？梢约由蟃b，Dy或其它同類東西。而且，稀土輕金屬，例如，Nd，Pr，Sm或其它類似的東西可以加入，用于防止在較短波長時(shí)克爾旋轉(zhuǎn)角的惡化。最好地，再生層具有小的磁性異向，并且補(bǔ)償室溫在室溫和居里溫度之間。這個(gè)補(bǔ)償溫度被置于接近于中間層112的居里溫度，具體地，相對于中間層112的居里溫度在-50℃至100℃范圍，和最好地，相對于中間層112的居里溫度在-20℃至+80℃的范圍，這些將在后面描述。在本發(fā)明的磁—光記錄介質(zhì)中，再生層111的膜厚度被選擇至20nm或更厚。在本發(fā)明的磁—光記錄介質(zhì)中，因?yàn)榇鎯?chǔ)層13在室溫顯示垂直的磁性異向，而再生層111和中間層112在室溫顯示同平面磁性異向，因而在存儲(chǔ)層113和再生和中間層111和112之間形成界面磁壁。因?yàn)榫哂写蟠怪贝判援愊虻牟牧嫌糜诖鎯?chǔ)層113，界面磁壁的多數(shù)形成在中間層112和再生層111的一側(cè)。因此，即使組成是相同的，當(dāng)再生層111是薄的時(shí)候，在室溫下磁壁透過中間層112延伸到光入射側(cè)再生層111的表面。如圖25A所示。這樣，掩蔽效應(yīng)變?yōu)椴蛔阋越档虲/N比。從這個(gè)觀點(diǎn)來看，再生層111的膜厚度要求是20nm或更大。相反，當(dāng)再生層111太厚時(shí)，如圖25B所示，因?yàn)榇鎯?chǔ)層113的交換耦合力沒有到達(dá)再生層111的光射入側(cè)表面，甚至在由再生功率產(chǎn)生的溫度時(shí)，磁化強(qiáng)度沒有被定向在垂直方向，以便降低再生信號的電平。從這個(gè)觀點(diǎn)來看，要求再生層111的膜厚度是100nm或更薄。而且，再生層111的膜厚度影響介質(zhì)的溫度分布和在低溫區(qū)的掩蔽效應(yīng)。相鄰軌道的串音也改變，取決于膜的厚度。最好地，再生層111的膜厚被選擇在不少于25nm和不多于50nm，以便對于窄軌跡間距來說介質(zhì)變?yōu)橛行?。中間層112主要用于從存儲(chǔ)層113至再生層111的交換耦合力的部分傳遞和部分地截止。該中間層112具有磁化特性，以便在室溫下是同平面磁化膜，而在室溫和其居里溫度間的給定溫度或更高的溫度變?yōu)榇怪钡拇呕?。該中間層112被放置在再生層111和存儲(chǔ)層113之間，而且其居里溫度被設(shè)置在比室溫高和比再生層111和存儲(chǔ)層113低的溫度。中間層112的居里溫度被設(shè)置得足夠地高，以在光點(diǎn)內(nèi)的低溫部分和中間溫度部分從存儲(chǔ)層113至再生層111傳遞交換耦合力，但是要足夠地低，使得在光點(diǎn)內(nèi)在最高溫度部分截止交換耦合力，因此最好地是100℃或更高和220℃或更低，和更加好地，120℃或更高和180℃或更低。作為中間層112的材料，例如，稀土鐵族非晶合金，如GdFeCo，GdCo，GdDyFeCo，TbFeCo，DyFeCo，TbDyFeCo或其它類似東西為最好。非磁性元素，例如，Cr，Al，Si，Cu或其它類似的東西可被加入，用于降低居里溫度。在本發(fā)明的磁—光記錄介質(zhì)中，中間層112的膜厚度被選擇為不少于3nm和不大于30nm。當(dāng)中間層112的膜厚度小于3nm時(shí)，磁膜的磁特性的穩(wěn)定性被惡化，或由于生產(chǎn)的不一致性不能夠得到固有的磁特性。而且，有一個(gè)問題是，即使當(dāng)中間層用產(chǎn)生的針孔達(dá)到居里溫度時(shí)，再生層111和存儲(chǔ)層113間的交換耦合不被截止。而且，當(dāng)中間層112的膜厚是小的時(shí)候，如圖26A所示，在室溫時(shí)在中間層112和再生層111內(nèi)形成磁壁的速率增加，穿透再生層111，以便在再生層111的掩蔽效應(yīng)變?yōu)椴煌耆倪@個(gè)觀點(diǎn)來看，中間層112的膜厚度應(yīng)選為3nm或更大。另一方面，因?yàn)橹虚g層112的飽和磁化強(qiáng)度MS大于再生層111的，當(dāng)中間層112的膜厚度是大的時(shí)候，如圖26B所示，中間層112就不能在中間溫度部分傳遞交換耦合力從存儲(chǔ)層113到再生層111，因而磁化強(qiáng)度向再生層111的轉(zhuǎn)移甚至在由再生功率產(chǎn)生的溫度下變?yōu)椴煌耆?。因此，再生信號的電平被降低。從這個(gè)觀點(diǎn)看，中間層112的膜厚度要求是30nm或更薄。中間層112的膜厚度影響低溫區(qū)域的掩蔽條件，即再生層111有同平面各向異性的溫度區(qū)，而且因此還影響與相鄰軌跡的串音。最好地，中間層112的膜厚度被選擇為不小于5nm和不大于20nm，以便介質(zhì)對于窄的軌跡間距有效。元素，例如，Al，Ti，Pt，Nb，Cr或其它類似物可被加到再生層111，中間層112和存儲(chǔ)層113，用以改進(jìn)它們的抗腐蝕性。為了增強(qiáng)干涉效應(yīng)和保護(hù)性能，除前面的再生，中間和存儲(chǔ)層外，可提供由SiNx，AlOx，TaOx，SiOx或其它類似物形成的介電層。而且，為了改進(jìn)熱傳導(dǎo)性，Al，AlTa，AlTi，TlCr，Cu或其它類似物形成的層，可提供好的熱傳導(dǎo)性。進(jìn)一步，可提供一個(gè)初始化層，在該層中為了實(shí)現(xiàn)光調(diào)制重寫，以一個(gè)方向調(diào)整磁化強(qiáng)度。為了記錄輔助和再生輔助可提供輔助層，調(diào)整交換耦合力或磁靜態(tài)耦合力。而且，前面的介電層或聚合物樹脂形成的保護(hù)涂層可被加上作為保護(hù)膜。因?yàn)樵诘诙?shí)施例中涉及介質(zhì)的數(shù)據(jù)信號的記錄和再生與第一實(shí)施例中相同，為了簡略在這里省略說明。(實(shí)驗(yàn)例15)Si，Gd，Tb，F(xiàn)e和Co靶被貼附到DC磁控管濺射裝置，將一個(gè)具有130mm直徑的玻璃基底和具有平臺(tái)和槽的聚碳酸酯基底固定到基底支架上，該支架被設(shè)置在離各個(gè)靶150mm距離的位置。此后，容器的內(nèi)部由低溫泵抽真空到1×10-5Pa或更低的高真空。在抽空期間，Ar氣體引入到容器達(dá)到0.4Pa，此后，依次形成90nm厚度的SiN干涉層，20nm厚度的GdFeCo再生層，10nm厚度的GdFe中間層，30nm厚度的TbFeCo存儲(chǔ)層和70nm厚度的SiN保護(hù)層，這樣得到了具有圖24所示結(jié)構(gòu)的介質(zhì)。在形成每個(gè)SiN介電層時(shí)，除Ar氣體外還引入N2氣體，并且通過DC反應(yīng)濺射形成SiN層，調(diào)整Ar和N2氣體的混合比，以便得到2.1的折射指數(shù)。GdFeCo再生層的組成是Gd28(Fe60Co40)72，在室溫呈現(xiàn)富RE，222emu/cc的飽和磁化強(qiáng)度MS，215℃的補(bǔ)償溫度和300℃或更高的居里溫度。GdFe中間層的組成是Gd40Fe60，在室溫呈現(xiàn)富TM，420emu/cc的飽和磁化強(qiáng)度MS和190℃的居里溫度。TbFeCo存儲(chǔ)層的組成是Tb20(Fe80Co20)80，在室溫呈現(xiàn)富TM，200emu/cc的飽和磁化強(qiáng)度MS和270℃的居里溫度。使用這個(gè)磁—光記錄介質(zhì)測量記錄/再生特性。通過設(shè)置物鏡的N.A.為0.55，激光束波長為780nm，記錄功率在7至15mW的范圍和再生功率在2.5至4.0mW的范圍執(zhí)行測量，以便提供最高的C/N比。線速率被置于9m/s。首先，在整個(gè)介質(zhì)上執(zhí)行除去，并且此后，11.3MHz(相應(yīng)于標(biāo)記長度0.40μm)的載波信號被記錄在存儲(chǔ)層，以便檢查C/N比。接著，測量相鄰軌跡的串音(以下稱“串音”)。通過設(shè)定透鏡的N.A.為0.55，激光束波長為780nm，記錄功率在7至15mW的范圍和線速度為9m/s來進(jìn)行測量。首先，在介質(zhì)的平臺(tái)和溝槽上整個(gè)地執(zhí)行去除，此后，5.8MHz(相應(yīng)于標(biāo)記長度0.78μm)的載波信號被記錄在存儲(chǔ)層，以便測量載波的CL。接著測量在跟蹤相鄰溝槽上的載波CG。用CL－CG的差值表示串音。因?yàn)閳?zhí)行的實(shí)驗(yàn)假定數(shù)據(jù)被記錄在平臺(tái)和槽二者上，有效的軌跡間距是0.8μm。在表4中表示了在最佳條件下C/N比的測量結(jié)果和在相同再生功率下的串音。(實(shí)驗(yàn)例16至22)磁—光記錄介質(zhì)具有與實(shí)驗(yàn)例15中相同的結(jié)構(gòu)和材料。而作為第一磁化層的再生層的膜厚度不同。在實(shí)驗(yàn)例16至22中各個(gè)再生層的膜厚度表示在表4中。用與實(shí)驗(yàn)例15相同的方式測量在最佳條件下的C/N比和在相同再生功率下的串音。測量結(jié)果表示在表4中。(比較例7至9)如表5所示，磁—光記錄介質(zhì)具有與實(shí)驗(yàn)例15相同的結(jié)構(gòu)和材料，但是作為第一磁化層的再生層的膜厚度不同。記錄相應(yīng)于標(biāo)記長度0.4μm的信號并測量C/N比。測量結(jié)果表示在表5中。圖27是根據(jù)相對于再生層的膜厚度的C/N比表示實(shí)驗(yàn)例15至22和比較例7至9的測量結(jié)果的圖。在再生層的膜厚度不小于20nm和不大于100nm的范圍內(nèi)得到43dB的C/N比。而且在再生層的膜厚度不小于25nm和不大于50nm的范圍內(nèi)串音被壓縮到-30dB或更少。因此，通過使用本發(fā)明，獲得C/N比足夠地高用于好的信息再生。而且，通過選擇再生層的膜厚度不小于25nm和不大于50nm，除了行記錄密度之外能改進(jìn)軌跡密度。(實(shí)驗(yàn)例23至30)使用與實(shí)驗(yàn)例15相同的裝置和方法，依次形成90nm厚度的SiN干涉層，40nm厚度的GdFeCo再生層、30nm厚度的GdFe中間層，TbFeCo存儲(chǔ)層和70nm厚度的SiN保護(hù)層，這樣獲得圖24所示結(jié)構(gòu)的介質(zhì)。在表6中表示實(shí)驗(yàn)例23至30的各個(gè)中間層的膜厚度。關(guān)于本發(fā)明的這些介質(zhì)，記錄11.3MHz(相應(yīng)于標(biāo)記長度0.40μm)的載波信號，以與實(shí)驗(yàn)例15相同的方式測量C/N比。測量結(jié)果表示在表6中。在中間層膜厚度不小于3nm且不大于30nm的范圍內(nèi)得到40dB或更大的C/N比。因此，能夠得到希望的好的信息再生。中間層的膜厚度不少于5nm且不大于20nm的范圍內(nèi)串音被壓縮到-30dB或更低。這表明中間層的膜厚的最佳化對于窄的軌跡間距也是有效的。(比較例10，11)使用在與實(shí)驗(yàn)例23至30相同的裝置和方法，制備具有與實(shí)驗(yàn)例23至30相同的結(jié)構(gòu)和材料的磁—光記錄介質(zhì)，但是中間層的膜厚度不同。各個(gè)中間層的膜厚度表示在表7。與在實(shí)驗(yàn)例23至30相同的方式測量C/N比和串音。測量結(jié)果表示在表7中。圖29是根據(jù)相對于中間層膜厚度的C/N比，表示實(shí)驗(yàn)例23至30和比較例10和11的測量結(jié)果，和圖30是根據(jù)相對于中間層膜厚度的串音表示實(shí)驗(yàn)例23至30和比較例10和11的測量結(jié)果。在中間層的膜厚度不小于3nm和不大于30nm的范圍內(nèi)得到40dB或更高的C/N比。而且在不小于5nm和不大于30nm的范圍內(nèi)C/N比達(dá)到43dB。為了不僅改進(jìn)行記錄密度，還改進(jìn)軌跡密度，中間層的膜厚度最好選擇在不小于5nm和不大于20nm，在這里串音被壓縮到-30dB。表4表5表6p><p>表7<(第3實(shí)施例)在第三實(shí)施例中，將描述為獲得好的掩蔽效應(yīng)再生層和中間層的最佳組成，其中在室溫顯示同平面磁性異向的磁層用于作為第一實(shí)施例的介質(zhì)中的再生層。以下，將參照附圖詳細(xì)描述本發(fā)明的第三實(shí)施例。圖31表示第三實(shí)施例的光盤剖面圖。如圖31所示，在這個(gè)實(shí)施例中使用的光盤中，干涉層214，第一磁層(以后稱"再生層")211，第三磁層(以后稱"中間層")212，第二磁層(以下稱"存儲(chǔ)層")213和保護(hù)層215依名稱順序?qū)訅涸诨?20上。通?；?20由透明材料，例如玻璃或聚碳酸酯構(gòu)成。這些層的每一層可使用DC磁控管濺射設(shè)備連續(xù)濺射或連續(xù)沉積形成。干涉層214用于加強(qiáng)磁—光效應(yīng)并且例如由透明介電材料構(gòu)成，例如Si3N4，AlN，SiO2，SiO，ZnS，MgF2或其它類似的物質(zhì)。保護(hù)層215用于保護(hù)磁層并由類似于干涉層214那樣的材料構(gòu)成。干涉層214和保護(hù)層215與本發(fā)明的本質(zhì)無關(guān)，這樣可以省略，因此，下面將不對其詳細(xì)說明。在圖31中雖然沒有表示出，保護(hù)層215可用硬的涂覆材料，例如紫外線—固化樹脂，用于保護(hù)該膜或使用磁場調(diào)制的重寫磁頭。再生層211是用于產(chǎn)生保持在存儲(chǔ)層213內(nèi)的磁化信息的一層。再生層211有這樣的磁化特性，在室溫它是在同平面磁化膜，而在室溫和其居里溫度之間的給定的溫度或更高溫度，它變成垂直磁化膜。再生層211與中間層212和存儲(chǔ)層213相比，被放置更接近于光入射側(cè)，而且其居里溫度被置于至少比中間層212和存儲(chǔ)層213的溫度高，以便防止在再生時(shí)克爾旋轉(zhuǎn)角的變壞。作為再生層211的材料，最好是具有小垂直磁性異向的稀土—鐵族非晶合金，特別是GdFeCo。為了在較短波長時(shí)增加克爾旋轉(zhuǎn)角，可加入稀土輕金屬，例如，Nd，Pr，Sm或其它類似物質(zhì)。最好地，再生層具有在室溫和居里溫度之間的補(bǔ)償溫度。這個(gè)補(bǔ)償溫度被置于接近中間層212的居里溫度，具體地，相對于中間層212的居里溫度在-50℃至+100℃的范圍，和最好地相對于中間層212的居里溫度在-20℃至+80℃的范圍，這將在后面描述。而且，組成范圍是置于Gdx(Fe100-yCoy)100-x，其中24≤x≤32(原子的％)和20≤y≤50(原子的％)。中間層212提供如下三個(gè)用途(1)在室溫附近，該中間層212調(diào)節(jié)再生層211和存儲(chǔ)層213之間的磁壁能量并有助于再生層211為同平面磁化膜。這導(dǎo)致有助于降低再生層的膜厚度。(2)當(dāng)達(dá)到給定溫度或更高溫度時(shí)，中間層212與再生層211一道轉(zhuǎn)變?yōu)榇怪贝呕?，以從存?chǔ)層213到再生層211傳送交換耦合。(3)在中間層212的居里溫度或更高溫度下，中間層212截止再生層211和存儲(chǔ)層213之間的交換耦合。為了實(shí)現(xiàn)這些目的，該中間層212被放置在再生層211和存儲(chǔ)層213之間，而且中間層212的居里溫度高于室溫而低于再生層211和存儲(chǔ)層213的居里溫度。中間層212的居里溫度被設(shè)置得足夠地高，以便在光點(diǎn)內(nèi)的中間溫度部分，傳送交換耦合力從存儲(chǔ)層213到再生層211，但是應(yīng)足夠地低，以使在光點(diǎn)內(nèi)最高溫度部分截止交換耦合力，而且最好地是100℃或更高和220℃或更低，而更好地是120℃或更高和180℃或更低。作為中間層212的材料，例如稀土鐵族非晶合金，具體地，最好是GdFeCo。為了降低居里溫度可加入非磁元素，例如Cr，Al，Si，Cu或其它類似的元素。而且，組成范圍設(shè)置為Gdp(Fe100-qCoq)100-P，其中25≤p≤50(原子的％)和0≤q≤20(原子的％)。存儲(chǔ)層213是一個(gè)用于存儲(chǔ)記錄信息的層，因此要求穩(wěn)定地保持不大于1μm的非常小的磁疇。作為存儲(chǔ)層213的材料，最好是這種材料具有大的垂直磁性異向，而且能穩(wěn)定地保持磁化狀態(tài)，例如，稀土—鐵族非晶合金，例如，TbFeCo，DyFeCo，TbDyFeCo或其它類似的物質(zhì)，金鋼砂，鉑系—鐵族周期結(jié)構(gòu)膜，如Pt/Co，Pd/Co，或其它類似的物質(zhì)，或鉑系—鐵族合金，如PtCo，PdCo或其它類似物質(zhì)。為了改進(jìn)其防腐蝕性，可以把元素，例如Al，Ti，Pt，Nb，Cr或其它類似的元素加到再生層211，中間層212和存儲(chǔ)層213。而且，為了改進(jìn)熱傳導(dǎo)性，可提供由Al，AlTa，AlTi，TlCr，Cu或其它類似的物質(zhì)形成并具有好的熱傳導(dǎo)性的層。而且，可以提供一種初始化層，在該層中，為了實(shí)現(xiàn)光調(diào)制重寫，磁化強(qiáng)度被調(diào)在一個(gè)方向上。而且，可提供用于記錄輔助和再生輔助的輔助層以調(diào)整交換耦合力或靜磁耦合力。因?yàn)樯婕霸诘谌龑?shí)施例中介質(zhì)的數(shù)據(jù)信號的記錄和再生與第一實(shí)施例是相同的，為了簡單它的說明將被省略。本發(fā)明的第三實(shí)施例將通過實(shí)驗(yàn)例的方式進(jìn)一步詳細(xì)描述。但是，本發(fā)明不限于這些實(shí)驗(yàn)例。(實(shí)驗(yàn)例31)Si，Gd，Tb，F(xiàn)e和Co靶被貼附到DC磁控管濺射裝置，一個(gè)具有130mm直徑的玻璃基底和具有平臺(tái)和1.6μm間距的槽的聚碳酸酯基底被固定到基底支架上，該支架設(shè)置于離各個(gè)靶150mm距離的位置。此后，容器的內(nèi)部由低溫泵抽真空到1×10-5Pa或更低的高真空，在抽空期間，Ar氣體引入到容器達(dá)到0.4Pa，此后，依次形成90nm厚度的SiN干涉層，40nm厚度的Gd28(Fe60Co40)72再生層，10nm厚度的Gd37Fe63中間層，30nm厚度的Tb20(Fe80Co20)80存儲(chǔ)層和70nm厚度的SiN保護(hù)層，這樣得到具有圖31所示結(jié)構(gòu)的介質(zhì)。在每個(gè)SiN介電層的形成時(shí)，除了引入Ar氣體外還引入N2氣體，由DC反應(yīng)濺射形成SiN層，調(diào)整Ar和N2氣體的混合比，以便得到2.1的折射指數(shù)。Gd28(Fe60Co40)72再生層在室溫時(shí)是稀土元素亞晶格磁化占優(yōu)勢的，而且被置于呈現(xiàn)225emu/cc的飽和磁化強(qiáng)度MS，217℃的補(bǔ)償溫度和300℃或更高的居里溫度。Gd37Fe63中間層在室溫時(shí)是稀土元素亞晶格磁化占優(yōu)勢的，而且被置于呈現(xiàn)470emu/cc的飽和磁化強(qiáng)度MS，和190℃的居里溫度。Tb20(Fe80Co20)80存儲(chǔ)層是鐵族元素非晶格磁化占優(yōu)勢的，而且被置于呈現(xiàn)250emu/cc的飽和磁化強(qiáng)度MS，和270℃的居里溫度。在在磁—光記錄介質(zhì)內(nèi)記錄0.78μm標(biāo)記長度的磁疇之后，在830nm半導(dǎo)體激光束的照射下，用偏振顯微鏡觀察該磁疇。當(dāng)增加激光功率時(shí)，證實(shí)記錄的磁疇被縮小并且在一定的激光功率下，光點(diǎn)的中心(高溫區(qū))磁化強(qiáng)度在除去方向定向。接著，使用這個(gè)磁—光記錄介質(zhì)測量記錄/再生特性。通過設(shè)定物鏡N.A.為0.53，激光束波長是780nm(使用光頭)，線速度是9m/s和記錄功率是10mW進(jìn)行測量。首先，完全在介質(zhì)上實(shí)現(xiàn)除去，而且此后，0.40μm長度的標(biāo)記以11.3MHz的頻率通過調(diào)制激光束被記錄。接著，通過改變再生功率從0.8mW至4.4mW測量C/N比的變化。結(jié)果表示在圖32。在本發(fā)明的磁—光記錄介質(zhì)中，因?yàn)榻橘|(zhì)的溫度不足夠地增加，同時(shí)再生功率是1.0mW或更低，再生層的磁化強(qiáng)度基本上被定向在膜同平面內(nèi)。因此，因?yàn)樵诖鎯?chǔ)層內(nèi)記錄的標(biāo)記由再生層掩蔽，基本上不能得到C/N比。另一方面，當(dāng)再生功率增加到約2.0mW至2.8mW時(shí)，在再生點(diǎn)內(nèi)形成中間溫度區(qū)，即孔徑區(qū)，以便轉(zhuǎn)移存儲(chǔ)層的磁疇到再生層，增加C/N比。這時(shí)孔徑區(qū)的結(jié)構(gòu)基本上與圖3B所示的使用同平面膜的傳統(tǒng)的兩層結(jié)構(gòu)超分辨相同。因此雖然超分辨現(xiàn)象產(chǎn)生，因?yàn)榭讖絽^(qū)的尺寸和位置不是最佳，僅能得到C/N比約為36dB。當(dāng)再生功率進(jìn)一步增加到3.2mW至4mW時(shí)，出現(xiàn)中間層達(dá)到居里溫度的點(diǎn)內(nèi)部分，即形成后掩蔽。然后，如圖6A所示，孔徑結(jié)構(gòu)相對于該點(diǎn)變?yōu)樽罴?，以便獲得45dB的C/N比。另一方面，當(dāng)再生的功率超過4.0mW時(shí)，最高溫度超過存儲(chǔ)層的居里溫度，所以記錄的數(shù)據(jù)被破壞，降低C/N比。接著，通過改變激光束調(diào)制頻率檢查C/N的標(biāo)記長度相關(guān)性，在記錄時(shí)對于相同的介質(zhì)，頻率在5.8MHz，9.0MHz，11.3MHz和15MHz(分別相應(yīng)于標(biāo)記長度0.78μm，0.50μm，0.40μm，和0.30μm)之間。結(jié)果如圖33所示。如該圖所示，在本發(fā)明的記錄介質(zhì)中，獲得好的空間頻率特性。接著，測量相鄰軌跡的串音(以后稱為"串音")。首先，在整個(gè)平臺(tái)和槽上執(zhí)行除去，此后，以以前的方式在平臺(tái)上記錄0.78μm標(biāo)記長度的信號，以測量載波電平CL。接著，測量根據(jù)跟蹤相鄰槽的載波電平CG。用CL/CG比表示串音。因?yàn)檫M(jìn)行實(shí)驗(yàn)時(shí)假定在平臺(tái)和槽上二處記錄數(shù)據(jù)，有效軌跡間距是0.8μm。結(jié)果表示于圖34。從圖中清楚地看出，對于在介質(zhì)的最佳范圍，即再生功率3.2mW至4.0mW的范圍內(nèi)串音被壓縮至約-28dB。這就表明，本發(fā)明的介質(zhì)對于窄軌跡間距也是有效的。無需應(yīng)用初始化磁場和再生磁場完全獲得前述的數(shù)據(jù)，使用像傳統(tǒng)的信息記錄/再生設(shè)備一樣的信息記錄/再生設(shè)備，對以高密度記錄的標(biāo)記，獲得好的結(jié)果。對于實(shí)施例31在最佳條件下的C/N比和在相同再生功率下的串音測量結(jié)果表示在表8中。(實(shí)驗(yàn)例32)使用與實(shí)驗(yàn)例31相同的裝置和方法，在聚碳酸酯基底上依名稱順序形成90nm厚度的SiN干涉層，40nm厚度的Gdx(Fe60Co40)100-x再生層，10nm厚的GdpFe100-p中間層，30nm厚度的Tb20(Fe80Co20)80存儲(chǔ)層和70nm厚度的SiN保護(hù)層，這樣得到具有圖31所示結(jié)構(gòu)的介質(zhì)。在這個(gè)實(shí)驗(yàn)例中，再生層和中間層分別的Gd含量x和p分別作各種各樣的改變，以便檢查相對于組成的特性變化。在與實(shí)驗(yàn)例31相同條件下，當(dāng)在各樣品上記錄0.40μm標(biāo)記時(shí)，在再生層內(nèi)Gd含量x(at％)和C/N之間的關(guān)系表示在圖35。例如，當(dāng)觀看曲線具有中間層的Gd含量P(at％)是30時(shí)，它是一個(gè)向上突起的曲線且具有最大值約x＝30。這種考慮如下當(dāng)x是小的時(shí)候，再生層的飽和磁化強(qiáng)度MS變小，使得再生層的同平面各向異性降低。因此，由于與存儲(chǔ)層的交換耦合，磁化強(qiáng)度呈垂直的溫度被降低，所以前掩蔽效應(yīng)被減弱，降低了C/N。相反，當(dāng)x是太大的時(shí)候，前掩蔽效應(yīng)變?yōu)槿绱酥畯?qiáng)，以致于在孔徑充分打開之前，中間層達(dá)到居里溫度，因此也使C/N變壞。前掩蔽效應(yīng)，因再生層和中間層的同平面各向異性之間的平衡而確定，這樣，當(dāng)再生層的同平面各向異性是弱的時(shí)候，中間層的同平面各向異性應(yīng)當(dāng)增強(qiáng)。具體地，當(dāng)中間層的Gd含量P增加時(shí)，x的最佳值降低。因此，如圖35所示，由于改變p，C/N的峰位置移動(dòng)。如后所述，在使用同平面磁化膜的常規(guī)的雙層超分辨介質(zhì)中，相對于0.40μm標(biāo)記長度得到約37dB的C/N。與這個(gè)相比較，可以看到由本發(fā)明的介質(zhì)獲得優(yōu)異超分辨的效果。為了保證信息再生的高可靠性，需要C/N不低于43dB。在本發(fā)明的超分辨介質(zhì)中再生層中Gd含量x(at％)優(yōu)選在25≤x≤32的范圍。為了保證較高的可靠性，最好是C/N為約45dB。因此，更好的是Gd含量x被置于26≤x≤30的范圍。接著，以與實(shí)驗(yàn)例31相同的方式對這個(gè)實(shí)驗(yàn)例的介質(zhì)的每一個(gè)測量串音。其結(jié)果表示在圖36。例如，當(dāng)觀看曲線具有中間層的Gd含量p(at％)是30時(shí)，它是一個(gè)向下突起的曲線，并且具有最小值約x＝30。這是由如下原因產(chǎn)生的對于中間層的相同組成，當(dāng)x是大的時(shí)候，再生層的同平面各向異性是如此之大，以致前掩蔽效應(yīng)變得太強(qiáng)。因此，因?yàn)樵谄脚_(tái)的載波電平?jīng)]有增加，所以與在槽處的再生相比較，差異不明顯。相反，當(dāng)x是小的時(shí)候，前掩蔽效應(yīng)變小，所以在槽處的再生易于遭受串音的影響。因此，關(guān)于串音，最佳值存在于再生和中間層的同平面各向異性間的最平衡的位置?？紤]到在執(zhí)行關(guān)于單層TbFeCo盤后面描述的測量中獲得約-22dB的串音，當(dāng)x≥24時(shí)，前掩蔽效應(yīng)出現(xiàn)在本發(fā)明的超分辨介質(zhì)中。因此，前掩蔽在從C/N的觀點(diǎn)得到的前面描述的Gd含量x(at％)的范圍內(nèi)形成，因此對于串音也是有效的。根據(jù)中間層中Gd含量p(at％)，相同的數(shù)據(jù)表示在圖33和34中。圖37表示C/N數(shù)據(jù)，與圖35相似，是向上突出形式的曲線，這是由如下原因產(chǎn)生的當(dāng)中間層的Gd含量是小的時(shí)候，它們的同平面各向異性是小的，而且它們的居里溫度增加。因此，如果再生功率增加，直至中間層達(dá)到居里溫度，孔徑在點(diǎn)內(nèi)擴(kuò)展到一個(gè)特別范圍，因此，分辨率被降低。相反，當(dāng)中間層的Gd含量是大的時(shí)候，中間層用低的再生功率達(dá)到居里溫度，所以與存儲(chǔ)層的交換耦合沒有實(shí)現(xiàn)足夠的電平。如前所述，為了保證信息再生的高可靠性，需要C/N不低于43dB。因此，在本發(fā)明的超分辨率介質(zhì)中，中間層的Gd含量p(at％)在20≤p≤50的范圍是最好的。也如前所述，為了保證較高的可靠性，最好是C/N為約45dB。因此，Gd含量p被置在30≤p≤45的范圍更好。另一方面，從圖38表示的串音數(shù)據(jù)可以看出，串音相對于中間層的Gd含量大大地改變。這是因?yàn)?，中間層的Gd含量影響同平面各向異性和再生功率二者的降低，中間層的Gd含量大大地影響前掩蔽效應(yīng)。根據(jù)圖38所示的結(jié)果，在提供C/N不少于43dB的組成中串音沒有需要改進(jìn)。當(dāng)使用由單層TbFeCo盤獲得的-22dB作為一個(gè)基準(zhǔn)時(shí)，當(dāng)p≥25時(shí)得到前掩蔽效應(yīng)。從前面的結(jié)果可知，本發(fā)明的中間層的Gd含量p(at％)最好被置于25≤p≤50，而更好地的是30≤p≤45。在這個(gè)實(shí)驗(yàn)例中得到的數(shù)據(jù)的一部分表示在表8。在這個(gè)實(shí)驗(yàn)例中，為了比較，再生層和中間層的膜厚度分別是40nm和10nm。但是，當(dāng)考慮再生層的掩蔽效應(yīng)時(shí)，再生層的膜厚度可以具有不小于20nm的值。而且，考慮到中間層用來在居里溫度或更高時(shí)截止在再生層和存儲(chǔ)層之間的交換耦合，中間層的膜厚度可以具有不小于3nm的值。而且，為了穩(wěn)定地保持磁疇，存儲(chǔ)層的膜厚度可以具有不小于10nm的值，結(jié)果可得到實(shí)現(xiàn)本發(fā)明效果的介質(zhì)。相反，考慮到用于信息的記錄/再生需要的功率，最好地是壓縮總的磁化層的膜厚度至200nm或更薄。因此，當(dāng)膜厚度是在前述的范圍內(nèi)時(shí)，它是在本發(fā)明的范圍內(nèi)。(實(shí)驗(yàn)例33)使用與實(shí)驗(yàn)例31相同的裝置和方法，在聚碳酸酯基底上依名稱順序形成90nm厚度的SiN干涉層，40nm厚度的Gdx(Fe100-yCoy)100-x再生層，10nm厚度的GdpFe100-p中間層，30nm厚度的Tb20(Fe80Co20)80存儲(chǔ)層和70nm厚度的SiN保護(hù)層。這樣得到具有圖31所示結(jié)構(gòu)的介質(zhì)。在這個(gè)實(shí)驗(yàn)例中，再生層中的Co含量y(at％)相對于在實(shí)驗(yàn)例32中得到的再生層和中間層的Gd含量x和p被各式各樣地改變。GdFeCo合金中Co含量影響各種各樣的物質(zhì)性值，特別地，影響垂直磁性異向Ku和居里溫度Tc。本發(fā)明的再生層不僅提供掩蔽效應(yīng)，而且提高孔徑區(qū)的克爾效應(yīng)。因?yàn)楦鶕?jù)偏振光束輻射到垂直磁化膜上得到的克爾旋轉(zhuǎn)角一般是材料的居里溫度越高就越大。因?yàn)樵偕盘柕馁|(zhì)量隨克爾旋轉(zhuǎn)角的增大而提高，最好是再生層的居里溫度被置于一定的高值。當(dāng)GdFeCo合金中的Co含量被降低時(shí)，居里溫度趨向于降低，因此希望加Co到一定的范圍。在這個(gè)實(shí)驗(yàn)例中，Gd24(Fe80Co20)76被用于再生層。結(jié)果表示在表8中，其中甚至對于0.40μm標(biāo)記得到了42dB的C/N。因此，證實(shí)了本發(fā)明的效果，但是，當(dāng)降低再生層中的Co含量至19at％或更低時(shí)，由于居里溫度的降低，C/N被降到39dB。另一方面，當(dāng)再生層的Co含量太大時(shí)，再生層難以轉(zhuǎn)變?yōu)榇怪贝呕ぃ踔镣ㄟ^激光束加熱，這是由于垂直磁性異向的降低，即，與存儲(chǔ)層的交換耦合變?nèi)酰訡/N降低。結(jié)果表示在表8中，其中Gd32(Fe50Co50)68被用于再生層。如所示，甚至對于0.40μm標(biāo)記得到C/N為32dB。但是，當(dāng)存儲(chǔ)層中Co含量增加到51％或更大，由于孔徑部分的不充分的交換耦合，C/N被降到38dB。從前面的結(jié)果看出，本發(fā)明的再生層中的Co含量y(at％)最好被設(shè)置為20≤y≤50。(實(shí)驗(yàn)例34)使用與實(shí)驗(yàn)例31中相同的裝置和方法，在聚碳酸酯基底上依名稱順序形成90nm厚度的SiN干涉層，40nm厚度的Gdx(Fe100-yCoy)100-x再生層，10nm厚度的Gdp(Fe100-qCoq)100-p中間層，30nm厚度的Tb20(Fe80Co20)80存儲(chǔ)層和70nm厚度的SiN保護(hù)層。這樣得到具有圖31所示結(jié)構(gòu)的介質(zhì)。在這個(gè)實(shí)驗(yàn)例中，在中間層中Co含量q(at％)相對于在實(shí)驗(yàn)例32和33中得到的再生層和中間層的Gd含量x和p以及Co含量y被各式各樣地改變。中間層的鈷含量與居里溫度有關(guān)且是確定介質(zhì)的再生功率的重要因子之一。例如，假設(shè)當(dāng)線速度是9m/s時(shí)，再生功率是4mW或更大些，考慮到功率極限用擦抹數(shù)的激光功率將要求7mW或更大些。另外，在光調(diào)制記錄期間因?yàn)榧す夤馐敲}沖形式的，記錄功率將要求約為13mW，以便驅(qū)動(dòng)單元的可靠性是極端受限制的。因此，當(dāng)數(shù)據(jù)再生時(shí)激光功率最好設(shè)置為4mW或更小些，和最好是設(shè)置為3mW或更小些。為此，中間層的居里溫度應(yīng)當(dāng)是220℃或更小些。表8中所示的數(shù)據(jù)是中間層利用Gd45(Fe80Co20)35得到的。當(dāng)鈷含量在中間層為20at％時(shí)，居里溫度變?yōu)?20℃，這樣可靠的信息再生是可能的。但是，當(dāng)鈷含量超過20at％時(shí)，再生功率增加，極大地降低驅(qū)動(dòng)單元的可靠性。這個(gè)實(shí)驗(yàn)例子已經(jīng)按照對于中間層利用GdFeCo作了解釋。另外一方面，僅考慮居里溫度，通過添加為了防腐蝕目的的非磁性元素，諸如Al或Cr，降低了居里溫度。在這種情況下，甚至鈷含量超過20at％，由于添加了非磁性元素，也能夠獲得可接受的居里溫度。然而，由于添加非磁性元素，作為磁性物質(zhì)的特性整體上惡化了，另外，由于添加鈷，減弱了垂直磁性異向。因此，在孔徑位置與存儲(chǔ)層的交換耦合變?nèi)?，這樣獲得具有良好S/N的再生信號變得困難。從上述的觀點(diǎn)看，最好是，作為主要成分中間層由Gdp(Fe100-qCoq)100-p構(gòu)成，和鈷含量q(at％)甚至在另一元素添加時(shí)，也設(shè)置為0≤q≤20。(實(shí)驗(yàn)例35)利用與實(shí)驗(yàn)例31相同的裝置與方法，以名稱順序在聚碳酸酯基底上形成90nm厚度的SiN干涉層、40nm厚度的Gdx(Fe100-yCoy)100-x再生層、10nm厚度的Gdp(Fe100-qCoq)100-p中間層、30nm厚度的Tba(Fe100-bCob)100-a存儲(chǔ)層和10nm厚度的SiN保護(hù)層，因此得到具有如圖31所示結(jié)構(gòu)的介質(zhì)。在這個(gè)實(shí)驗(yàn)例中，存儲(chǔ)層中Tb含量a(at％)和Co含量b(at％)相對于在實(shí)驗(yàn)例32、33和34中獲得的再生層和中間層的Gd含量x和p以及Co含量y和q有多種變化。圖39表示存儲(chǔ)層中Tb含量(at％)與C/N之間的關(guān)系，其中標(biāo)記長度是0.40μm。另一方面，在存儲(chǔ)層中Co的含量b(at％)取決于Tb含量而調(diào)整，以便保持居里溫度在約270℃恒定。如圖所示，存儲(chǔ)層的組成極限從C/N的方面看足夠地大，以便C/N在18≤a≤31范圍內(nèi)基本上恒定。當(dāng)Tb含量a變得不大于18at％時(shí)，飽和磁化強(qiáng)度變得不低于250emu/cc(鐵族元素亞晶格磁化占優(yōu)勢的)，因而反磁場的影響變大。結(jié)果，另外的較小的磁疇(微疇)在磁疇中形成或引起磁疇結(jié)構(gòu)的變形，以致于增加噪聲分量，惡化C/N。相反，當(dāng)Tb含量a變得不低于31at％時(shí)，飽和磁化強(qiáng)度變得不低于200emu/cc(稀士元素亞晶格磁化占優(yōu)勢的)，而且另外，補(bǔ)償溫度變得不低于200℃。在這種情況下，因?yàn)榇鎯?chǔ)層的補(bǔ)償溫度變得高于中間層的居里溫度，存儲(chǔ)層在與再生層的交換耦合切斷的溫度處于稀土元素亞晶格磁化占優(yōu)勢。然后，因?yàn)閺拇鎯?chǔ)層作用于再生層的靜磁耦合力是與在低溫下交換耦合力以相同方向取向的，它在如下方面起作用，以防止轉(zhuǎn)移到再生層的磁疇因后掩蔽而反向。因此，超分辨率的效果被減弱，降低C/N。在圖39所示的結(jié)果與利用同平面磁化膜的常規(guī)分兩層的超分辨率磁—光記錄介質(zhì)獲得的數(shù)據(jù)相比較，顯示出本發(fā)明在14≤a≤33范圍獲得的效果。為了保證改善可靠性的42dB或更大的C/N，16≤a≤32的范圍是更為可取的。另外，為了從補(bǔ)償極限的觀點(diǎn)保證穩(wěn)定的C/N，18≤a≤31的范圍是更為可取的。(實(shí)驗(yàn)例36)利用與實(shí)驗(yàn)例31相同的裝置與方法，以名稱順序在聚碳酸酯基底上形成90nm厚度的SiN干涉層、40nm厚度的Gdx(Fe100-yCoy)100-x再生層、10nm厚度的Gdp(Fe100-qCoq)100-p中間層、30nm厚度的Tba(Fe100-bCob)100-a存儲(chǔ)層、和70nm厚度的SiN保護(hù)層，從而獲得如圖31結(jié)構(gòu)的介質(zhì)。在該實(shí)施例中，在存儲(chǔ)層中的Co含量b(at％)相對于在實(shí)驗(yàn)例32、33、34和35獲得的再生層和中間層中的Gd含量x與p和Co含量y與q和存儲(chǔ)層中的Tb含量a有非常大的變化。該結(jié)果的一個(gè)例子表示在表1。在存儲(chǔ)層中Co含量與居里溫度有關(guān)且在記錄時(shí)用于確定激光功率是一個(gè)重要參數(shù)。考慮到保持在介質(zhì)上數(shù)據(jù)的穩(wěn)定性，存儲(chǔ)層的居里溫度要求設(shè)置為某一高值。就此而論，最好存儲(chǔ)層的居里溫度約為180℃至280℃。因此，為了保證在實(shí)驗(yàn)例35描述的Tb含量范圍的居里溫度，最好Co含量b(at％)設(shè)置為14≤b≤45。(實(shí)驗(yàn)例37)利用與實(shí)驗(yàn)例31相同的裝置與方法，以名稱順序在聚碳酸酯基底上形成厚度90nm的SiN干涉層、厚度40nm的Gd28(Fe60Co40)72再生層、10nm厚度的Gd37Fe63中間層、厚度30nm的Tb20(Fe80Co20)80的存儲(chǔ)層和70nm厚度的SiN保護(hù)層，且還形成60nm的熱輻射層用于改善熱特性，因此獲得具有圖40所示的結(jié)構(gòu)的介質(zhì)。從現(xiàn)有技術(shù)已知通過增加熱輻層可以改善熱特性的線速度相關(guān)性。另外在本發(fā)明中，記錄功率與再生功率的線速度相關(guān)性是通過增加熱輻射層改善的。雖然按照實(shí)驗(yàn)例31到36所述在光調(diào)制記錄中得到這種效果，類似的效果還可以在磁場調(diào)制記錄中獲得。在磁場調(diào)制記錄的情況下，已知按照記錄時(shí)介質(zhì)溫度分布的組態(tài)，記錄的標(biāo)記變?yōu)楣危?所謂的箭—羽標(biāo)記)。通過設(shè)置熱輻射層，產(chǎn)生一種使標(biāo)記的弧度部分的曲度減小的效應(yīng)。圖41表示對于本實(shí)驗(yàn)例的介質(zhì)執(zhí)行磁場調(diào)制記錄時(shí)，記錄功率與載波和噪聲的關(guān)系。從圖可以看出，按照這個(gè)實(shí)驗(yàn)例，即使在磁場調(diào)制記錄情況下，C/N也是良好的，即相對于小的標(biāo)記(0.40μm)的情況也有44dB，從而有可能實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的超分辨率的效果。(實(shí)驗(yàn)例38)利用與實(shí)驗(yàn)例31相同的裝置與方法，以名稱順序在聚碳酸酯基底上形成90nm厚度的SiN干涉層、40nm厚度的Gd28(Fe60Co40)72再生層、10nm厚度的Gd37Fe63中間層、30nm厚度的Dy25(Fe70Co30)75存儲(chǔ)層和70nm厚度的SiN保護(hù)層，因此獲得具有如圖31所示結(jié)構(gòu)的介質(zhì)。在這個(gè)實(shí)驗(yàn)例中，DyFeCo代替TbFeCo用于存儲(chǔ)層。在C/N和串音方面獲得象實(shí)驗(yàn)例31那樣良好的結(jié)果。已經(jīng)證實(shí)本發(fā)明不限于TbFeCo存儲(chǔ)層。下面，為了使本發(fā)明的效果更明顯，執(zhí)行相對于為了比較的常規(guī)介質(zhì)結(jié)構(gòu)的類似的實(shí)驗(yàn)。(比較例12)利用與實(shí)驗(yàn)例31相同的裝備和方法依名稱順序在聚碳酸酯基底上形成90nm厚度的SiN干涉層、80nm厚度的Tb20(Fe80Co20)80存儲(chǔ)層、70nm厚度的SiN保護(hù)層。換句話說，制備了僅具有用于實(shí)驗(yàn)例31的存儲(chǔ)層作磁層的單層盤。首先，0.40μm的標(biāo)記被記錄在介質(zhì)上，和測量再生功率與載波和噪聲的關(guān)系。其結(jié)果表示在圖32。如從圖中所見，雖然載波電平隨著再生功率增加而增加，但斜率是逐漸上升的，因?yàn)樵诒景l(fā)明的介質(zhì)中不能獲得可觀察到的掩蔽作用。接著，各種大小的標(biāo)記被記錄在這個(gè)比較例的介質(zhì)上，測量該空間頻率特性。其結(jié)果表示在圖33，在圖中可以看到，雖然當(dāng)標(biāo)記長度大到例如0.78μm時(shí)獲得足夠高的C/N，但當(dāng)超過光學(xué)系統(tǒng)的截止頻率時(shí)分辨率急劇地下降。另外，在串音的測量中，因?yàn)?.8μm的有效軌跡間距相對于再生光點(diǎn)是窄的，且另外在單層盤的情況下未提供掩蔽作用，所以如圖34所示僅獲得約-22dB的串音。(比較例13)利用與實(shí)驗(yàn)例31相同的裝置和方法依名稱順序在聚碳酸酯基底上形成90nm厚度的SiN干涉層、70nm厚度的Gd28(Fe60Co40)72再生層、30nm厚度的Tb20(Fe80Co20)80存儲(chǔ)層和70nm厚度的SiN保護(hù)層，因此獲得具有圖3A所示結(jié)構(gòu)的介質(zhì)。首先，0.40μm標(biāo)記長度的標(biāo)記被記錄在介質(zhì)上，測量再生功率與載波和噪聲的關(guān)系。其結(jié)果表示在圖32。如圖所見，因?yàn)樯踔吝@個(gè)比較例的介質(zhì)利用在低溫度下同平面磁化膜提供超分辨率的效果，和在實(shí)驗(yàn)例31中的本發(fā)明的介質(zhì)一樣，在0.8mW和2.8mW之間的再生功率范圍內(nèi)，載波電平被增加。但是，在這個(gè)比較例的兩層超分辨率介質(zhì)中，因?yàn)槲闯霈F(xiàn)后掩蔽，甚至再生功率增加到3mW或更大，和在實(shí)驗(yàn)例31中的本發(fā)明的介質(zhì)一樣，沒有觀察到快速的載波增加。接著，各種大小的標(biāo)記被記錄在這個(gè)比較例的介質(zhì)上，測量空間頻率特性。如圖33所示，其結(jié)果是這樣的，雖然與單層盤比較，在高頻率范圍分辨率增加，但因?yàn)槲刺峁┖笱诒涡Ч铱讖絽^(qū)和光點(diǎn)之間位置上的關(guān)系不是最佳的，所以與實(shí)驗(yàn)例31的盤比較，分辨率是低劣的。另一方面，至于串音，前掩蔽大大地影響，但后掩蔽不影響。因此，如圖34所示，得到約為-30dB的串音，這一串音等效于實(shí)驗(yàn)例31的介質(zhì)所獲得的串音。表8>表8(續(xù)(第四實(shí)施例)在第四實(shí)施例中，將描述中間層的居里溫度和再生層的補(bǔ)償溫度之間的優(yōu)選關(guān)系，其中在室溫表示為同平面磁性異向的磁化層在第一實(shí)施例的介質(zhì)中被用作再生層。下面，將參考附圖說細(xì)描述本發(fā)明的第四實(shí)施例。圖42表示第四實(shí)施例中光盤的剖面圖。如圖42所示，在用于這個(gè)實(shí)施例的光盤中，干涉層314，第一磁性層(下文稱為"再生層")311、第三磁性層(下文稱為"中間層")312，第二磁性層(下文稱為"存儲(chǔ)層")313和保護(hù)層315依名稱順序?qū)訅涸诨?20上?；?20通常是由諸如玻璃或聚碳酸酯這樣的透明材料構(gòu)成的。這些層的每一層都是利用DC磁控管濺射設(shè)備通過連續(xù)濺射或連續(xù)沉積形成的。干涉層314是用于增強(qiáng)磁—光效應(yīng)且它例如是由透明介電材料，諸如Si3N4、AlN、SiO2、SiO、ZnS、MgF2或類似的材料構(gòu)成。保護(hù)層315用于保護(hù)磁性層且是由與干涉層314相似的材料構(gòu)成的。干涉層314和保護(hù)層315與本發(fā)明的實(shí)質(zhì)內(nèi)容無關(guān)，因此這部分將不詳細(xì)說明。雖然在圖42中未表示出，保護(hù)層315可以利用硬包覆材料，諸如紫外線固化樹脂以保護(hù)膜或者利用一種磁場調(diào)制重寫磁頭。再生層311是用于再生保持在存儲(chǔ)層313中磁化信息的層。再生層311具有一種磁化特性，在室溫它是一種同平面磁化膜和在室溫和它的居里溫度之間的給定的溫度或更高溫度，變?yōu)橐环N垂直磁化膜。再生層311與中間層312和存儲(chǔ)層313相比更接近于光入射側(cè)，且它的居里溫度設(shè)置得高于至少中間層312和存儲(chǔ)層313的，以在再生時(shí)防止克爾旋轉(zhuǎn)角的惡化。另外，再生層311具有在室溫與居里溫度之間的補(bǔ)償溫度Tcomp1，滿足以下條件-20℃≤Tcomp1－Tc3≤80℃其中Tc3代表中間層的居里溫度。作為再生層311的具體材料，例如，具有小垂直磁性異向的主要含GdFeCo的稀土鐵族非晶合金，諸如GdFeCo、GdTbFeCo、GdDyFeCo或類似物是優(yōu)選的，因?yàn)樗鼈兙哂懈叩木永餃囟群偷偷某C頑力且容易在高溫區(qū)產(chǎn)生記錄磁疇的收縮，這些都是本介質(zhì)的主要目的。特別希望用GdFeCo?？梢蕴砑酉⊥凛p金屬，諸如Nd、Pr、Sm等等，用于在短波長增加克爾旋轉(zhuǎn)角。設(shè)置中間層312是為了以下三個(gè)目的(1)在室溫下，中間層312調(diào)節(jié)再生層311與存儲(chǔ)層313之間的磁壁能量和幫助再生層311形成同平面的磁化膜。這對減小再生層膜的厚度做出貢獻(xiàn)。(2)當(dāng)達(dá)到給定溫度或更高溫度時(shí)，中間層312與再生層311一起轉(zhuǎn)變?yōu)榇怪贝呕?，從存?chǔ)層313向再生層311傳送交換耦合。(3)在中間層312的居里溫度或高于該溫度時(shí)，中間層312切斷再生層311與存儲(chǔ)層313的交換耦合。為了實(shí)現(xiàn)這些目的，中間層312位于再生層311與存儲(chǔ)層313之間，和具有設(shè)置為高于室溫和低于再生層311與存儲(chǔ)層313的居里溫度的居里溫度。中間層312的居里溫度設(shè)置得高到足以在光點(diǎn)中的中溫部分從存儲(chǔ)層313向再生層311傳送交換耦合力，但低到足以在光點(diǎn)中的最高溫度部分切斷交換耦合力，因此最好是80℃或高于80℃和220℃或低于220℃，更好是110℃或高于110℃和180℃或低于180℃。作為中間層312的材料，例如稀土鐵族非晶合金，例如TbFe、TbFeCo、GdFe、GdFeCo、GdTbFeCo、GdDyFeCo、DyFe、DyFeCo、TbDyFeCo等等是優(yōu)選的。非磁性元素，諸如，Cr、Al、Si、Cu等等可以添加用于降低居里溫度。另外，當(dāng)通過使再生層在低溫度下形成一個(gè)同平面磁化膜掩蔽一個(gè)低溫區(qū)時(shí)，最好是中間層在室溫下的同平面磁性異向大于再生層在室溫下的磁性異向，例如，中間層在室溫下的飽和磁化強(qiáng)度Ms大于再生層在室溫下的飽和磁化強(qiáng)度，為了加強(qiáng)再生層在低溫下的同平面磁性異向。存儲(chǔ)層313是一個(gè)用于存儲(chǔ)記錄的信息的層，因此要求穩(wěn)定地保持不大于1μm的非常小的磁疇。作為存儲(chǔ)層313的材料，具有大的垂直磁性異向和能夠穩(wěn)定地保持磁化狀態(tài)的材料，例如，稀土鐵族非晶合金，諸如TbFeCo、DyFeCo、TbDyFeCo等等，石榴石、鉑族鐵族周期結(jié)構(gòu)薄膜、諸如，Pt/Co、Pd/Co等等，或鉑族鐵族合金，諸如PtCo、PdCo等等是優(yōu)選的。諸如Al、Ti、Pt、Nb、Cr等等元素可以添加到再生層311、中間層312和存儲(chǔ)層313，用于改善它們的耐腐蝕性。另外，為了改善導(dǎo)熱性，可以設(shè)置由Al、AlTa、AlTi、TlCr、Cu等形成的和具有良好導(dǎo)熱性的層。另外，可以設(shè)置一個(gè)磁化強(qiáng)度在一個(gè)方向上排列的初始化層，用于執(zhí)行光調(diào)制重寫。另外，可以設(shè)置用于記錄輔助和再生輔助的輔助層，以調(diào)整交換耦合力或靜磁耦合力。因?yàn)樯婕暗谒膶?shí)施例介質(zhì)的數(shù)據(jù)信號的記錄與再生是與第一實(shí)施例相同的，為了簡化對其的解釋將被省略。在第一實(shí)施例解釋的再生過程中，為了在光點(diǎn)中形成后掩蔽，中間層在光點(diǎn)中應(yīng)當(dāng)在最高溫度區(qū)達(dá)到居里溫度。用于信息再生的激光功率通常在介質(zhì)上設(shè)置為不大于4mW，因?yàn)槿绻笥?mW，相對于記錄時(shí)的激光功率的余量就變小了。考慮到通過再生功率的輻射溫度達(dá)到約220℃，中間層的居里溫度應(yīng)當(dāng)設(shè)為220℃或低一些。相反，因?yàn)楹笱诒螌H在光點(diǎn)部分形成，如果沒有激光束照射中間層達(dá)到居里溫度，則前掩蔽和孔徑均不形成，以致于信號不能被再生。在磁—光記錄/再生設(shè)備中的溫度通?？蛇_(dá)到50℃到60℃。因此，中間層的居里溫度應(yīng)當(dāng)為80℃或更高些，否則不能實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定的信息再生。從這一點(diǎn)來看，中間層的居里溫度應(yīng)設(shè)在80℃到220℃的范圍。當(dāng)中間層達(dá)到居里溫度左右時(shí)，穩(wěn)定形成后掩蔽的一個(gè)條件是如在第一實(shí)施例所描述的那樣Hleak非常小。正如在關(guān)系式(10)中所示，Hleak正比于記錄的的磁疇附近的飽和磁化強(qiáng)度Ms1"。因此要求Ms1"要小。因此，滿足了前述的條件，條件是當(dāng)中間層達(dá)到居里溫度附近時(shí)，再生層達(dá)到補(bǔ)償溫度附近。下一步，將考慮Hst，Hst構(gòu)成形成后掩蔽的另一個(gè)條件。Hst代表當(dāng)中間層達(dá)到居里溫度附近時(shí)，從存儲(chǔ)層的記錄磁疇作用到再生層的靜磁耦合力。當(dāng)存儲(chǔ)層與再生層是反平行類型時(shí)，Hst的工作方向使轉(zhuǎn)移的磁疇反向，以便形成后掩蔽。另一方面，在平行類型情況下，Hst工作在阻止形成后掩蔽的方向。具體來講，Hst工作在形成后掩蔽的方向，條件是例如當(dāng)存儲(chǔ)層是鐵族元素亞晶格磁化占優(yōu)勢時(shí)，在中間層的居里溫度Tc3周圍的溫度，再生層是稀土元素亞晶格磁化占優(yōu)勢。這意味著，當(dāng)再生層的補(bǔ)償溫度Tcomp1高于中間層的居里溫度Tc3時(shí)，Hst形成后掩蔽的作用是大的。如上所述，為減小Hleak的磁疇保持效應(yīng)和增加Hst的磁疇收縮效應(yīng)，再生層的補(bǔ)償溫度Tcomp1設(shè)置為略高于中間層的居里溫度Tc3，其中形成的后掩蔽最穩(wěn)定。另一方面，如果Tcomp1低，Hst的磁疇收縮效應(yīng)減小，以至于后掩蔽不能穩(wěn)定的形成，從而降低了再生的信號的質(zhì)量。相反，如果Tcomp1太高，Ms1"增加提高Hleak，以致于再生層的磁疇甚至中間層達(dá)到居里溫度時(shí)收縮困難，從而也降低了再生信號的質(zhì)量。具體來說，Tcomp1－Tc3設(shè)置為數(shù)十度(℃)，和更具體地講，設(shè)置為不低于-20℃和不高于80℃，本發(fā)明的效果變得最大。本發(fā)明通過實(shí)驗(yàn)例更詳細(xì)地描述。但是，本發(fā)明不限于這些實(shí)驗(yàn)例。(實(shí)驗(yàn)例37)Si、Gd、Tb、Fe和Co靶被裝在DC磁控管濺射設(shè)備，具有130mm直徑的玻璃基底和具有平面和116μm間距槽的聚碳酸酯基底固定在基底支架上，該支架設(shè)置在與各個(gè)靶子分隔開150mm的位置。而后，腔內(nèi)由低溫泵抽真空到1×10-5Pa或小些的高真空。在抽真空期間，引入Ar氣到腔中達(dá)到0.4Pa，和而后，形成依名稱順序?yàn)?0nm厚度的SiN干涉層、40nm厚度的Gd28(Fe60Co40)72再生層，10nm厚度的Gd37Fe63中間層、30nm厚度的Tb20(Fe80Co20)80存儲(chǔ)層和70nm厚度的SiN保護(hù)層，因此獲得具有如圖42所示結(jié)構(gòu)的介質(zhì)。當(dāng)形成每個(gè)SiN介電質(zhì)層時(shí)，除Ar氣外還引入N2氣體，通過DC反應(yīng)濺射形成SiN層、調(diào)整Ar和N2氣體的混合比率，以便獲得2.1的折射指數(shù)。Gd28(Fe80Co20)72再生層在室溫下是稀土元素亞晶格磁化占優(yōu)勢的，且被設(shè)置為呈現(xiàn)180emu/cc的飽和磁化強(qiáng)度Ms1、215℃的補(bǔ)償溫度Tcomp1和300℃或更高的居里溫度。Gd37Fe63中間層在室溫下是稀土元素亞晶格磁化占優(yōu)勢，且被設(shè)置為呈現(xiàn)450emu/cc的飽和磁化強(qiáng)度Ms3和190℃的居里溫度Tc3。Tb20(Fe80Co20)80存儲(chǔ)層是鐵族元素亞晶格磁化占優(yōu)勢，且被設(shè)置為呈現(xiàn)-250emu/cc的飽和磁化強(qiáng)度Ms2和270℃的居里溫度Tc2。下面，將描述在稀土元素亞晶格磁化占優(yōu)勢的情況下飽和磁化強(qiáng)度的極性為正和鐵族元素亞晶格磁化占優(yōu)勢的情況下極性為負(fù)。在磁—光記錄介質(zhì)中記錄0.78μm標(biāo)記長度的磁疇以后，該磁疇在830nm半導(dǎo)體激光束的照射下由偏光顯微鏡觀察到。當(dāng)增加激光功率時(shí)，已證實(shí)，記錄的磁疇被縮小，磁化強(qiáng)度在某一激光功率下在光點(diǎn)的中心(高溫區(qū))向去除方向取向。接下來，利用這個(gè)磁—光記錄介質(zhì)測量記錄/再生特性。測量是通過設(shè)置物鏡的N.A.為0.53、780nm(利用一種光學(xué)頭)的激光束波長，9m/s的線速度和10mW的記錄功率實(shí)現(xiàn)的。首先，在介質(zhì)上全面地執(zhí)行去除，和然后，通過在11.3MHz頻率調(diào)制激光束，記錄0.40μm長度的標(biāo)記。接著，通過從0.8mW到4.4mW改變再生功率測量C/N比的變化。其結(jié)果如圖43所示。在本發(fā)明的磁—光記錄介質(zhì)中，因?yàn)楫?dāng)再生功率為1.0mW或低一些時(shí)，介質(zhì)的溫度不能足夠的增加，再生層的磁化強(qiáng)度基本上在膜平面中取向。因此，因在存儲(chǔ)層中記錄的標(biāo)記被再生層掩蔽，實(shí)質(zhì)上未能獲得C/N比。另一方面，當(dāng)再生功率增加到約2.0mW到2.8mW時(shí)，中溫區(qū)，也就是孔徑區(qū)在再生光點(diǎn)內(nèi)形成，轉(zhuǎn)移存儲(chǔ)層的磁疇到再生層，以至于增加C/N比。此時(shí)，孔徑區(qū)的構(gòu)成實(shí)質(zhì)上是與利用如圖3B所示的同平面膜的常規(guī)兩層結(jié)構(gòu)的超分辨率相同的。因此，雖然產(chǎn)生超分辨率現(xiàn)象，但因?yàn)榭讖絽^(qū)的大小和位置不是最佳的，所以僅能獲得約36dB的C/N比。當(dāng)再生功率進(jìn)一步增加到3.2mW至4.0mW時(shí)，在光點(diǎn)內(nèi)出現(xiàn)一個(gè)中間層達(dá)到居里溫度的部分，即，形成后掩蔽。然后，如圖6A所示，相對于光點(diǎn)孔徑構(gòu)成變?yōu)樽罴?，這樣，獲得45dB的C/N比。另一方面，當(dāng)再生功率超過4.0mW，最高溫度超過存儲(chǔ)層的居里溫度，以至于記錄的數(shù)據(jù)被損壞，減小C/N比。下一步，測量再生信號的幅度和直流電平，用于支持本發(fā)明的磁—光記錄介質(zhì)后掩蔽的形成。表示在圖44的載波和噪聲是與以前描述的數(shù)據(jù)相同的。在記錄的標(biāo)記長度為0.4μm的情況下，當(dāng)再生功率超過3mW時(shí)，載波電平快速增加，可以證實(shí)后掩蔽的形成。對于記錄在相同介質(zhì)的0.8μm標(biāo)記的再生信號得到幅度和直流電平。在去除側(cè)直流電平取正號。在常規(guī)光盤的情況下，甚至當(dāng)再生功率改變時(shí)，孔徑構(gòu)成不變化。因此，當(dāng)再生功率在未使存儲(chǔ)層達(dá)到居里溫度的范圍內(nèi)時(shí)，再生信號的幅度與再生功率之間的關(guān)系形成一條通過原點(diǎn)的直線。另外，標(biāo)記不是通過光點(diǎn)的全寬度被記錄的，以至于抹去狀態(tài)部分保留該標(biāo)記的兩側(cè)。因此，甚至當(dāng)標(biāo)記是以50％的占空比被記錄時(shí)，再生的信號的直流電平也不變?yōu)?，但是，偏移到了去除側(cè)(圖44的正側(cè))。因此，幅度和直流電平兩者相對于再生功率的每個(gè)關(guān)系形成一條具有正斜率通過原點(diǎn)的直線。另外一種情況，當(dāng)由于功率增加再生層的克爾旋轉(zhuǎn)角減小到不能忽略時(shí)，取決于這樣一個(gè)程度，形成一條略向上凸的曲線。另一方面，在本發(fā)明的超分辨率盤的情況下，直線不通過原點(diǎn)，和另外，其斜率在3mW再生功率附近變化。這被考慮為如下方面當(dāng)再功率為0.5mW或更小時(shí)，甚至于最高溫度部分也不能達(dá)到再生層從同平面磁化膜轉(zhuǎn)移到垂直磁化膜的溫度。因此，再生層的磁化強(qiáng)度是同平面的，也就是在光點(diǎn)中所有范圍被掩蔽。因此，幅度和直流電平都是0。另一方面，當(dāng)再生功率超過0.5mW，光點(diǎn)內(nèi)的一部分再生層變?yōu)榇怪贝呕?。?dāng)功率進(jìn)一步增加時(shí)，因?yàn)榭讖絽^(qū)擴(kuò)大，幅度和直流電平均隨超過與再生功率成正比的關(guān)系的斜率迅速地增加。然而，當(dāng)再生功率超過3mW時(shí)，在光點(diǎn)中開始形成后掩蔽，以至于磁化方向在后掩蔽部分沿去除方向。這部分用于后掩蔽出現(xiàn)之前的信號再生，但是不用于當(dāng)后掩蔽出現(xiàn)時(shí)作為去除方向的掩蔽的信號再生。因此，越過3mW再生功率，在去除方向的直流電平迅速增加了，同時(shí)再生信號的幅度減小了。從上述的結(jié)果，已經(jīng)支持了本發(fā)明的超分辨率光盤的后掩蔽性質(zhì)。另外，為證實(shí)不從外部施加再生磁場，就產(chǎn)生本發(fā)明的超分辨率的效果，關(guān)于依賴于再生磁場的檢驗(yàn)結(jié)果如圖45所示。圖45是以下述方式獲得的。在0.4μm標(biāo)記按上述方式記錄在盤上以后，在以3.2mW再生功率執(zhí)行信號再生的同時(shí)，改變再生磁場，和在該時(shí)間上繪制出C/N比的變化。從該圖中清楚看出，在再生磁場±2000e的范圍內(nèi)穩(wěn)定地獲得45dB的C/N比。接下來，在記錄時(shí)，通過相對于同樣介質(zhì)在5.8MHz、9.0MHz、11.3MHz和15MHz(分別對應(yīng)于0.78μm、0.50μm、0.40μm和0.30μm標(biāo)記長度)之間改變激光束調(diào)制頻率檢驗(yàn)C/N與標(biāo)記長度的關(guān)系。結(jié)果如圖46所示。如圖中所示，最好的空間頻率特性是在本發(fā)明的記錄介質(zhì)獲得的。接下來，測量與鄰近軌跡相鄰的串音(下文稱為"串音")。首先，在平臺(tái)和槽全面執(zhí)行去除，和然后，0.78μm標(biāo)記長度的信號按照前述的方式記錄在平臺(tái)上，以便測量載波電平CL。而后，測量在跟蹤?quán)徑蹠r(shí)的載波電平CG。串音由CL/CG比表示。因?yàn)閷?shí)驗(yàn)是在假設(shè)數(shù)據(jù)記錄在平臺(tái)和槽中執(zhí)行的，有效軌跡間距是0.8μm。其結(jié)果如圖47所示。從圖中清楚看出，在對該介質(zhì)是最佳范圍的再生功率3.2mW到4.0mW范圍內(nèi)，串音被壓縮為約-28dB。這表明本介質(zhì)對于窄軌跡間距也是有效的。上述數(shù)據(jù)在不加初始化磁場的情況下全都被獲得，和利用類似于常規(guī)的信息記錄/再生裝置的信息記錄/再生裝置對于在高密度下記錄的標(biāo)記獲得良好的結(jié)果。在實(shí)驗(yàn)例37中，在最佳條件下的C/N比和相同的再生功率下串音的測量結(jié)果表示表9。(實(shí)驗(yàn)例38)利用與實(shí)驗(yàn)例37相同的裝置與方法，在聚碳酸酯基底上依名稱順序形成90nm厚度的SiN干涉層、40nm厚度的GdFeCo再生層，10nm厚度的GdGeCo中間層、30nm厚度的TbFeCo存儲(chǔ)層和70nm厚度的SiN保護(hù)層，因此得到如圖42所示結(jié)構(gòu)的介質(zhì)。在這個(gè)例子中，通過改變再生層和中間層的組成，這些層的飽和磁化強(qiáng)度、補(bǔ)償溫度和居里溫度變化，以檢驗(yàn)相對于這些物質(zhì)性值的各種特性的變化。在與實(shí)驗(yàn)例37相同條件下當(dāng)在相應(yīng)樣品上記錄0.40μm的標(biāo)記時(shí)，再生層的飽和磁化強(qiáng)度Ms1(emu/cc)和C/N的關(guān)系表示在圖48中。例如，當(dāng)看到具有中間層的飽和磁場強(qiáng)度MS3(emu/cc)是100的曲線，這是向上凸的和具有最大值約為Ms1＝260的曲線。這是按以下方面考慮的當(dāng)再生層的飽和磁化強(qiáng)度Ms1小的時(shí)候，再生層的同平面各向異性減弱。因此，由于與存儲(chǔ)層的交換耦合，磁化強(qiáng)度垂直排列的溫度降低了，這樣前掩蔽效應(yīng)減弱，減小C/N。相反，當(dāng)Ms1太大時(shí)，前掩蔽效應(yīng)變得如此之強(qiáng)，以致于在孔徑充分開放之前中間層就達(dá)到了居里溫度，從而也使C/N變壞。前掩蔽效應(yīng)是由于再生層與中間層的同平面各向異性之間的平衡確定的，以至于當(dāng)再生層的同平面各向異性減弱時(shí)，中間層的同平面各向異性應(yīng)當(dāng)被增強(qiáng)了。具體來說，當(dāng)中間層的飽和磁化強(qiáng)度Ms3增強(qiáng)時(shí)，Ms1的最佳值減小了。因此，如圖48所示，由于Ms3的變化C/N的峰值位置位移了。正如在下文將要描述的那樣，在常規(guī)的利用同平面磁化膜的兩層超分辨率介質(zhì)中，對于0.40μm標(biāo)記長度而言獲得約37dB的C/N。與這個(gè)相比較，可以看出，最好的超分辨率效果是由本發(fā)明的介質(zhì)實(shí)現(xiàn)的。為了確保信息再生的高可靠性，不低于43dB的C/N是需要的。最好是，再生層在室溫下的飽和磁化強(qiáng)度Ms1在本發(fā)明的超分辨率介質(zhì)下在20≤Ms1≤340范圍(稀土元素亞晶格磁化占優(yōu)勢)。為了保證較高的可靠性，最好是C/N約為45dB。因此，更好是Ms1設(shè)置在100≤Ms1≤260范圍。接下來，對于這個(gè)實(shí)驗(yàn)例的多個(gè)介質(zhì)以與實(shí)驗(yàn)例37相同的方式測量串音。其結(jié)果表示在圖49。例如，當(dāng)觀察中間層的飽和磁化強(qiáng)度Ms3(emu/cc)是100的曲線時(shí)，該曲線向上凸起和具有約為Ms1＝260的最低值。這是由下面原因引起的相對于中間層的相同組成，當(dāng)Ms1大的時(shí)候，再生層的同平面各向異性如此之大，以至于前掩蔽效應(yīng)變得太強(qiáng)。因此，因?yàn)樵谄脚_(tái)上的載波電平?jīng)]有增加，與在槽中的再生相比較區(qū)別不明顯。相反，當(dāng)Ms1小的時(shí)候，前掩蔽效應(yīng)變小以至于在槽中的再生易于受到串音的干擾。因此，涉及串音，最佳值還存在于再生層與中間層的同平面各向異性之間的最平衡的位置。考慮到下文描述的對于單層TbFeCo盤執(zhí)行的測量所得到的約-22dB的串音，假設(shè)本發(fā)明的效果全面表現(xiàn)出的串音電平是-25dB。因此，前掩蔽在從C/N的觀點(diǎn)得到上文的Ms1的范圍內(nèi)形成，因此對串音也是有效的。依照中間層的飽和磁化強(qiáng)度Ms3(emu/cc)同樣的數(shù)據(jù)表示在圖50和51。圖50表示類似于圖48的向上凸曲線形式的C/N數(shù)據(jù)。這是由于以下原因引起的當(dāng)中間層的飽和磁化強(qiáng)度Ms3小的時(shí)候，其同平面各向異性小。因此，如果再生功率增加直至中間層達(dá)到居里溫度，孔徑在光點(diǎn)內(nèi)擴(kuò)展到一個(gè)最大程度，以至于分辨率降低。相反，當(dāng)中間層的飽和磁化強(qiáng)度Ms3大，在中間層達(dá)到居里溫度之前與存儲(chǔ)層的交換耦合未執(zhí)行到一個(gè)足夠的水平。如前所述，為了保證信息再生的高可靠性，C/N不低于43dB是需要的。因此，最好是，本發(fā)明的超分辨率介質(zhì)的飽和磁化強(qiáng)度Ms3在-200≤Ms3≤700范圍內(nèi)。另一方面，從圖51所示的串音數(shù)據(jù)來看，相對于中間層的飽和磁化強(qiáng)度Ms3串音極大地變化。這是由于中間層的飽和磁化強(qiáng)度極大地影響前掩蔽效應(yīng)。按照圖51所示的結(jié)果，串音在提供不低于43dB的C/N組成下不需要改進(jìn)。當(dāng)如前所述用-25dB作為一個(gè)參考時(shí)，當(dāng)Ms3≥-150時(shí)獲得前掩蔽效果。因此，考慮了C/N和串音兩者，中間層的飽和磁化強(qiáng)度Ms3最好設(shè)置為-150≤Ms3≤700。對于更窄的軌跡間距而言，要求更好的串音。因此，當(dāng)串音不大于-30dB時(shí)，則200≤Ms3≤700。還有，對于更高的可靠性，為保證約45dB的C/N，則要求200≤MS3≤550。從前面的結(jié)果看，本發(fā)明的中間層飽和磁化強(qiáng)度Ms3最好設(shè)置為-150≤Ms3≤700，更好設(shè)置為-200≤Ms3≤700，和再好設(shè)置為200≤Ms3≤500。在這個(gè)實(shí)驗(yàn)例中獲得的一部分?jǐn)?shù)據(jù)表示在表9中。為了支持前述的后掩蔽形成機(jī)制，本實(shí)驗(yàn)例獲得的實(shí)驗(yàn)結(jié)果從另外的觀點(diǎn)予以表示。圖52是表示再生層的飽和磁化強(qiáng)度與補(bǔ)償溫度之間的關(guān)系的圖。圖53是表示中間層的飽和磁化強(qiáng)度與居里溫度之間的關(guān)系的圖。所示的關(guān)系取決于GdFeCo的組成的組合可以改變。在這個(gè)實(shí)驗(yàn)例中，由于Co的含量使特性改變不大，但由于Gd含量的變化大，以致于曲線如圖52和53所示。在圖48所示的C/N數(shù)據(jù)中，取決中間層的飽和磁化強(qiáng)度峰值位置移位。另一方面，通過根據(jù)圖52和53寫C/N數(shù)據(jù)，以致于橫軸表示再生層的補(bǔ)償溫度與中間層的居里溫度之間差(ΔT＝Tcomp1－Tc3)，獲得如圖54所示的曲線，其中各峰值位置基本上彼此重合。如上所述，本發(fā)明的后掩蔽的形成當(dāng)中間層基本上達(dá)到居里溫度以切斷再生層與存儲(chǔ)層之間的交換耦合時(shí)，很大地取決于再生層與存儲(chǔ)層的磁化方向和幅度。在這個(gè)實(shí)驗(yàn)例中，存儲(chǔ)層的組成保持恒定，和鐵族元素亞晶格磁化在室溫下占主導(dǎo)。因此，是否形成后掩蔽取決于再生層的特性。在0≤ΔT≤60的范圍內(nèi)，當(dāng)中間層達(dá)到居里溫度時(shí)，再生層未達(dá)到補(bǔ)償溫度和因此稀土元素亞晶格磁化占優(yōu)勢。因此，來自鐵族元素亞晶格磁化占優(yōu)勢的存儲(chǔ)層的靜磁耦合力工作在促使后掩蔽形成的方向。另外，因?yàn)樵偕鷮拥娘柡痛呕瘡?qiáng)度也小，來自磁疇周圍的漏磁場也小，以至于易于形成掩蔽。結(jié)果能夠獲得高C/N。在ΔT達(dá)到負(fù)值情況下，當(dāng)中間層達(dá)到居里溫度時(shí)，再生層已然超過補(bǔ)償溫度，以至于鐵族元素亞晶格磁化占優(yōu)勢。從而，來自存儲(chǔ)層的靜磁耦合力工作在防止轉(zhuǎn)移到再生層的磁疇縮小的方向，以至于掩蔽難以形成。結(jié)果，C/N逐漸被減小。相反，當(dāng)ΔT太大，再生層在交換耦合切斷的時(shí)刻的飽和磁化強(qiáng)度太大，以至于由于漏磁場使磁疇將被保持。結(jié)果，未形成后掩蔽，和從而降低C/N。從這些結(jié)果來看，當(dāng)-20≤Tcomp1－Tc3≤80時(shí)，獲得不低于43dB的C/N，和當(dāng)≤Tcomp1－Tc3≤50時(shí)，獲得不低于45dB的C/N。在這個(gè)實(shí)驗(yàn)例中，為了比較，再生層和中間層的膜厚度分別設(shè)置在40nm和10nm。然而，當(dāng)考慮了再生層的掩蔽效應(yīng)，再生層的膜厚度可以具有一個(gè)不低于20nm的值。另外，考慮到中間層工作在切斷在居里溫度或更高一些時(shí)再生層與存儲(chǔ)層之間的交換耦合，中間層的膜厚度可以具有一個(gè)不低于3nm的值。另外，為了穩(wěn)定地保持磁疇，存儲(chǔ)層的膜厚度可以具有一個(gè)不低于10nm的值，以便獲得實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的效果的介質(zhì)。相反，考慮到信息記錄/再生所需的功率，最好壓縮總的磁層達(dá)200nm或低些的膜厚度。從而，當(dāng)膜厚度處于上述范圍內(nèi)時(shí)，是在本發(fā)明的范圍之內(nèi)。(實(shí)驗(yàn)例39)利用與實(shí)驗(yàn)例37相同的裝置與方法，依名稱順序在聚碳酸酯基底上形成90nm厚度的SiN干涉層，40nm厚度的GdFeCo再生層、10nm厚度的GdFeCo中間層、30nm厚度的TbFeCo存儲(chǔ)層和70nm厚度的SiN保護(hù)層，從而得到圖42所示結(jié)構(gòu)的介質(zhì)。在這個(gè)實(shí)驗(yàn)例中，相對于在實(shí)驗(yàn)例38中得到的再生層與中間層的最佳膜特性存儲(chǔ)層的飽和磁化強(qiáng)度Ms2(emu/cc)有多種變化。圖55表示存儲(chǔ)層的飽和磁化強(qiáng)度與C/N(標(biāo)記長度0.40μm)之間的關(guān)系。正如從圖中所見，從C/N的觀點(diǎn)看，存儲(chǔ)器的組成余量足夠地大，以致于C/N在-300≤Ms2≤200范圍內(nèi)基本上是恒定的。當(dāng)存儲(chǔ)層的飽和磁化強(qiáng)度超過-300emu/cc(鐵族元素亞晶格磁化占優(yōu)勢)時(shí)，存儲(chǔ)層本身的逆磁場效應(yīng)變大。結(jié)果，另外的較小磁疇(微磁疇)在磁疇中形成，或者引起磁疇組態(tài)畸變，以致于增加噪聲成分，使C/N變壞。相反，當(dāng)存儲(chǔ)層的飽和磁化強(qiáng)度變得不低于200emu/cc(稀土元素亞晶格磁化占優(yōu)勢)，存儲(chǔ)層的補(bǔ)償溫度變得不低于200℃。在這種情況下，因?yàn)榇鎯?chǔ)層的補(bǔ)償溫度變得高于中間層的居里溫度，存儲(chǔ)層在與再生層的交換耦被切斷的溫度下稀土元素亞晶格磁化占優(yōu)勢。而后，因?yàn)閬碜源鎯?chǔ)層作用到再生層的靜磁耦合力是與在低溫的交換耦合力相同方向取向的，它工作在防止轉(zhuǎn)移到再生層的磁疇因后掩蔽而反轉(zhuǎn)。因此超分辨率效應(yīng)變?nèi)?，減低C/N。從圖55的結(jié)果看，當(dāng)-350≤Ms2≤250時(shí)，由于本發(fā)明超分辨率的效果可以獲得43dB或更高的C/N。另外，為了保證C/N的穩(wěn)定，從組成余量的觀點(diǎn)上看，最好是-300≤Ms2≤200。(實(shí)驗(yàn)例40)利用與實(shí)驗(yàn)例37一樣的裝置和方法，依名稱順序在聚碳酸酯基底上形成90nm厚度的SiN干涉層、40nm厚度的Gd28(Fe60Co40)72再生層、10nm厚度的Gd37Fe63中間層、30nm厚度的Tb20(Fe80Co20)80存儲(chǔ)層和70nm厚度的SiN保護(hù)層，和還有，為了改善熱特性而形成60nm的Al熱輻射層，因此獲得如圖56的結(jié)構(gòu)的介質(zhì)。從現(xiàn)有技術(shù)中已知，熱特性的線速度相關(guān)性可以通過增加熱幅射層改善。另外在本發(fā)明中，記錄功率和再生功率的線速度相關(guān)性是通過增加熱幅射層改善。雖然這種效應(yīng)在光調(diào)制記錄中被得到，同樣的效應(yīng)在磁場調(diào)制記錄中也可以獲得。在磁場調(diào)制記錄的情況下，已經(jīng)知道，在記錄時(shí)，按照介質(zhì)的溫度分布組態(tài)，記錄標(biāo)記變?yōu)楣螤?所謂的箭羽標(biāo)記)。通過提供熱輻射層，存在一種標(biāo)記弧度部分的曲率變小的效應(yīng)。圖57表示對于這個(gè)實(shí)驗(yàn)例的介質(zhì)當(dāng)執(zhí)行磁場調(diào)制記錄時(shí)，記錄功率與載波和噪聲之間的關(guān)系。從圖中可見，按照這個(gè)實(shí)驗(yàn)例，甚至在磁場調(diào)制記錄的情況下，C/N也是很好的，即相對于小標(biāo)記(0.40μm)為44dB，從而能夠?qū)崿F(xiàn)本發(fā)明的超分辨率效果。(實(shí)驗(yàn)例41)利用與實(shí)驗(yàn)例37相同的裝置與方法，依名稱順序在聚碳酸酯基底上形成90nm厚度的SiN干涉層、40nm厚度的Gd28(Fe60Co40)72再生層、10nm厚度的Gd37Fe63中間層、30nm厚度的Dy25(Fe70Co30)75存儲(chǔ)層和70nm厚度的SiN保護(hù)層，因此獲得如圖42所示結(jié)構(gòu)的介質(zhì)。在該實(shí)驗(yàn)例中，用DyFeCo代替TbFeCo作為存儲(chǔ)層。得到了如實(shí)驗(yàn)例37中的良好的C/N和串音結(jié)果，已經(jīng)證實(shí)本發(fā)明并不限于TbFeCo存儲(chǔ)層。為使本發(fā)明的效果更明顯，相對于常規(guī)介質(zhì)結(jié)構(gòu)進(jìn)行類似實(shí)驗(yàn)作為比較。(比較例14)使用與實(shí)驗(yàn)例37中相同的設(shè)備和方法，將90nm厚的SiN干涉層，80nm厚的Tb20(Fe80Co20)80存儲(chǔ)層和70nm厚的SiN保護(hù)層按提到的順序構(gòu)成在聚碳酸酯基底上。換句話說，制備實(shí)驗(yàn)例37中使用的只有存儲(chǔ)層作為磁性層的單層盤。首先，將0.40μm的標(biāo)記記錄在介質(zhì)上，并測量載波和噪音的再生功率相關(guān)性。其結(jié)果如圖43所示。從圖中看出，雖然載波電平隨再生功率的增加而增加，由于不能獲得在本發(fā)明介質(zhì)中觀測到的掩蔽效應(yīng)，其斜率平緩。下一步，將不同尺寸的標(biāo)記記錄在該比較例的介質(zhì)上，測量其空間頻率特性。其結(jié)果如圖46所示，從圖中看出，雖然當(dāng)標(biāo)記長度大時(shí)即0.78μm，獲得了足夠高的C/N比，但當(dāng)超過該光學(xué)系統(tǒng)截止頻率時(shí)，其分辨率迅速降低。此外，在串音測量中，由于0.8μm的有效軌跡間距相對再生點(diǎn)較窄，而且，在單層盤的情況下不提供掩蔽效果，只獲得如圖47所示的約-22dB的串音。(比較例15)使用與實(shí)驗(yàn)例37中相同的設(shè)備和方法，將90nm厚的SiN干涉層，70nm厚的Gd28(Fe60Co40)72再生層，30nm厚的Tb20(Fe80Co20)80存儲(chǔ)層和70nm厚的SiN保護(hù)層按提到的順序構(gòu)成在聚碳酸酯基底上，得到結(jié)構(gòu)如圖3A所示的介質(zhì)。首先，將標(biāo)記長度為0.40μm的標(biāo)記記錄在介質(zhì)上，并測量載波和噪音的再生功率相關(guān)性，其結(jié)果如圖43所示。從圖中看出，由于即使在低溫下采用同平面磁化膜使該比較例的介質(zhì)提供超分辨率效果，但正如實(shí)驗(yàn)例37中的本發(fā)明介質(zhì)一樣，載波電平在0.8mW和2.8mW之間的再生功率范圍內(nèi)增加。然而，在該比較例的雙層超分辨率介質(zhì)中，由于即使當(dāng)再生功率增加到3mW或更高時(shí)仍不出現(xiàn)后掩蔽，未觀測到如實(shí)驗(yàn)例37的本發(fā)明介質(zhì)中載波的迅速增加。下一步，將不同尺寸的標(biāo)記記錄在該比較例的介質(zhì)上，測量其空間頻率特性。如圖46所示，與單層盤相比，雖然其結(jié)果是分辨率在高頻區(qū)有所增加，但由于不具備后掩蔽效應(yīng)而且孔徑區(qū)和光點(diǎn)間不是最佳的位置關(guān)系，其分辨率比實(shí)驗(yàn)例37的盤差。另一方面，就串音而言，前掩蔽對其影響大，而后掩蔽沒有影響。因此，如圖47所示，得到約-30dB的串音，與實(shí)驗(yàn)例37中的介質(zhì)中得到的相等。表9表9(續(xù))表9(續(xù))(第五實(shí)施例)在第五個(gè)實(shí)施例中描述前掩蔽和后掩蔽的形成，其中將一個(gè)在室溫是垂直磁性異向的磁化層在第一實(shí)施例中的介質(zhì)作為再生層。在第五實(shí)施例中，用一初始化磁力形成前掩蔽。因此，這種布局明顯超出本發(fā)明的目的，然而，與圖2A至2C所示的常規(guī)技術(shù)相比，其中前掩蔽用初始化磁力產(chǎn)生而后掩蔽用再生磁力產(chǎn)生，由于只有初始化磁力是外部磁力，以便能用簡單結(jié)構(gòu)高質(zhì)量地再生一個(gè)等于或小于光衍射極限的記錄標(biāo)記，因此，認(rèn)為該實(shí)施例未超出本發(fā)明的目的。下面參考附圖詳細(xì)描述根據(jù)本發(fā)明第五個(gè)優(yōu)選實(shí)施例的磁—光記錄介質(zhì)和使用該介質(zhì)的信息再生方法。本發(fā)明的磁—光記錄介質(zhì)至少由三層磁性層構(gòu)成在一半透明基底上。即，第一磁性層、居里溫度比第一和第二磁性層低的第三磁性層、以及為垂直磁化膜的第二磁性層，按提到的順序構(gòu)成在基底的一側(cè)(圖58)。下文中，第一磁化層將作為再生層，第二磁性層作為存儲(chǔ)層，第三磁性層作為中間層。此外，作為改進(jìn)，可以通過將上述中間層分為兩層使該介質(zhì)為四磁性層結(jié)構(gòu)。在四磁性層結(jié)構(gòu)的情況下，將上述第三磁性層從入射光側(cè)分成稱為第一和第二中間層的雙層磁性層。下文中，當(dāng)簡單地提到“中間層”時(shí)，表示三磁化層結(jié)構(gòu)的中間層，當(dāng)提到“第一中間層”和“第二中間層”時(shí)，分別表示四磁性層結(jié)構(gòu)的第一中間層和第二中間層。再生層用于再生保持在存儲(chǔ)層中的磁化信息。與中間層和存儲(chǔ)層相比再生層更靠近入射光一側(cè)。再生時(shí)，為防止克爾旋轉(zhuǎn)角損壞，設(shè)定再生層的居里溫度使其高于中間層和存儲(chǔ)層的居里溫度。另外，再生層的矯頑力必須比存儲(chǔ)層的矯頑力小。再生層最好具有小磁性異向以及室溫和居里溫度之間的補(bǔ)償溫度。此外，再生層的磁化方式為在室溫以及室溫和居里溫度之間再生層是垂直磁化膜。作為具體的再生層材料最好是一種，例如GdFeCo，GdTbFeCo，GdDyFeCo，NdGdFeCo或諸如此類的主要包括GdFeCo的稀土鐵族非晶態(tài)合金材料，這是由于其具有高居里溫度和低矯頑力并易于使高溫區(qū)中記錄的磁疇壓縮，而這正是本發(fā)明介質(zhì)的主要目的。提供中間層主要是為局部地傳送以及局部地減小或切斷存儲(chǔ)層到再生層的交換耦合力。更準(zhǔn)確地說，中間層有緩和再生層和存儲(chǔ)層之間界面磁壁能量的作用，以實(shí)現(xiàn)用較小的初始化磁場在室溫通過將再生層的磁化反轉(zhuǎn)到一個(gè)方向在光點(diǎn)中的低溫區(qū)實(shí)現(xiàn)掩蔽(前掩蔽)，并且即使當(dāng)產(chǎn)生磁壁時(shí)穩(wěn)定地保持各層的磁化狀態(tài)。中間層的另一個(gè)作用是在再生層和存儲(chǔ)層之間調(diào)解交換耦合力以便在一個(gè)孔徑區(qū)(中溫區(qū))中將存儲(chǔ)層的磁化信息轉(zhuǎn)移到再生層。中間層的再一個(gè)作用是切斷再生層和存儲(chǔ)層之間的交換耦合力，以在高溫區(qū)中形成后掩蔽。因此，中間層位于再生層和存儲(chǔ)層之間并設(shè)定其居里溫度高于室溫但低于再生層和存儲(chǔ)層的居里溫度。設(shè)定中間層的居里溫度高到足以在光點(diǎn)中的低溫區(qū)和中溫區(qū)從存儲(chǔ)層到再生層傳送交換耦合力，但要低到足以在光點(diǎn)中的最高溫度區(qū)切斷交換耦合力，因此最好是80℃或更高和220℃或更低，110℃或更高和180℃或更低更好。當(dāng)再生層在室溫和居里溫度之間具有補(bǔ)償溫度時(shí)最好將中間層的居里溫度設(shè)定在相對補(bǔ)償溫度為-100℃至+50℃的溫度范圍內(nèi)，相對補(bǔ)償溫度為-80℃至+20℃則更好。設(shè)定中間層的同平面各向異性在室溫大干再生層和存儲(chǔ)層在室溫的各向異性。這意味著與再生層和存儲(chǔ)層相比，更易于在一個(gè)同平面方向排列該中間層的磁化。中間層材料最好是，例如GdFe，GdFeCo，GdTbFeCo，GdDyFeCo或諸如此類的稀土鐵族非晶態(tài)合金。通過增加飽和磁化強(qiáng)度來增加有效同平面各向異性也是有效的。這樣可以降低第一中間層和存儲(chǔ)層之間的界面磁壁能量?？梢约尤耄?，Cr，Al，Si，Cu或諸如此類的非磁性元素降低居里溫度。此外，為改進(jìn)本發(fā)明介質(zhì)的再生性能，可以將上述中間層分成兩個(gè)磁性層作為第一中間層和第二中間層，兩中間層設(shè)置在入射光側(cè)，緊貼再生層。在這種情況下，第一中間層具有在低溫下穩(wěn)定地保持初始化后在低溫區(qū)中的前掩蔽區(qū)的再生層的磁化狀態(tài)，并使高溫區(qū)的再生層磁疇壓縮的作用。鑒于此，設(shè)定第一中間層的垂直磁性異向大于再生層的垂直磁性異向，也就是說，其矯頑力大。設(shè)定第一中間層的居里溫度與上述中間層的居里溫度相同，即低于其它磁性層(再生層，第二中間層，存儲(chǔ)層)的居里溫度。第一中間層的材料最好是TbFe，TbFeCo，GdTbFeCo，GdDyFeCo，DyFe，DyFeCo，TbDyFeCo或諸如此類材料。如同前述中間層，第二中間層主要有調(diào)整再生層和存儲(chǔ)層之間界面磁壁能量的作用，用較小的初始化磁場實(shí)現(xiàn)在室溫通過將再生層的磁化反轉(zhuǎn)到一個(gè)方向在光點(diǎn)中的低溫區(qū)形成掩蔽(前掩蔽)，并且即使當(dāng)產(chǎn)生磁壁時(shí)也能穩(wěn)定地保持各層的磁化狀態(tài)。鑒于此，設(shè)定第二中間層在室溫的同平面各向異性大于第一中間層和存儲(chǔ)層的同平面各向異性。第二中間層材料最好是，例如GdFe，GdFeCo，GdTbFeCo，GdDyFeCo或諸如此類主要含有Gd的材料。通過增加飽和磁化強(qiáng)度來增加有效同平面各向異性也是有效的。這樣可以降低第一中間層和存儲(chǔ)層之間的界面磁壁能量。存儲(chǔ)層是用來存儲(chǔ)記錄的信息的層，因此要求其穩(wěn)定地保持磁疇。作為存儲(chǔ)層的材料最好是一種具有大垂直磁性異向并能穩(wěn)定地保持磁化狀態(tài)的材料，例如TbFeCo，DyFeCo，TbDyFeCo或諸如此類的稀土鐵族非晶態(tài)合金、石榴石、Pt/Co，Pd/Co或諸如此類的鉑族鐵族周期結(jié)構(gòu)薄膜、或PtCo，PdCo或諸如此類的鉑族鐵組族合金?？梢詫⒁环N例如Al、Ti、Pt、Nb、Cr或類似的元素加入再生層、中間層和存儲(chǔ)層以改善其耐腐蝕性。為提高干涉效果和防護(hù)性能，除上述再生層、中間層和存儲(chǔ)層外還可設(shè)置由SiNx，AlOx，TaOx，SiOx或諸如此類的材料制成的絕緣層。此外，為改善其導(dǎo)熱性，可以設(shè)置由Al，AlTa，AlTi，TlCr，Cu或諸如此類的材料制成并具有良好導(dǎo)熱性的導(dǎo)熱層。此外，可以提供磁化排列在一個(gè)方向用于進(jìn)行光調(diào)制重寫的初始化層。此外，可以提供用于記錄幫助和再生輔助的輔助層以調(diào)節(jié)交換耦合力或靜磁耦合力。另外，可以加入由上述絕緣層或聚合物樹脂制成的保護(hù)涂層作為保護(hù)膜。由于本實(shí)施例的記錄過程與第一實(shí)施例中的相同，為簡便起見省略其說明。下面將詳細(xì)描述本發(fā)明的再生過程。本發(fā)明中，磁性超分辨率是不使用外部磁場的情況下，通過表面地和光學(xué)地掩蔽光點(diǎn)內(nèi)局部區(qū)域?qū)崿F(xiàn)的。本介質(zhì)中，前掩蔽、后掩蔽和孔徑都出現(xiàn)在光點(diǎn)中。這些區(qū)域由光點(diǎn)中的溫度分布劃分。下面將描述這些掩蔽的構(gòu)成和孔徑的性質(zhì)。本發(fā)明中有由三層磁性層制成的介質(zhì)和由四層磁性層制成的介質(zhì)。下面將分別對其進(jìn)行說明。下文中，Tm1表示前掩蔽和孔徑之間的邊界溫度，Tm2表示孔徑和后掩蔽之間的邊界溫度。(A)三層磁性層結(jié)構(gòu)(見圖59A至59C)(a)前掩蔽區(qū)下面將首先描述低溫區(qū)中形成的前掩蔽。本介質(zhì)中，在光束照射前，通過一初始化磁場預(yù)先形成一前掩蔽區(qū)，使再生層的磁化排列在一個(gè)方向。照射光束前，即介質(zhì)溫度T為環(huán)境溫度Ta(室溫)時(shí)，為使再生層的磁化排列在一個(gè)方向，應(yīng)建立關(guān)系式(30)。Hc1＋Hw1＜Hini(T＝Ta)———(30)其中Hc1表示再生層的矯頑力，Hw1表示由于再生層和存儲(chǔ)層之間的界面磁壁加到再生層的有效磁場，Hini表示初始化磁場。此外，為防止初始化磁場損壞存儲(chǔ)層的磁化信息應(yīng)建立關(guān)系式(31)。Hc2＋Hw2＞Hini(T＝Ta)———(31)其中Hw2表示由于再生層和存儲(chǔ)層之間的界面磁壁加到存儲(chǔ)層的有效磁場。如果再生層和存儲(chǔ)層之間的界面磁壁能量為σwi，再生層的飽和磁化強(qiáng)度為Ms1，存儲(chǔ)層的飽和磁化強(qiáng)度為Ms2，再生層薄膜的厚度為h1，存儲(chǔ)層薄膜的厚度為h2，Hw1和Hw2分別用關(guān)系式(32)和(33)表示。Hw1＝σwi/(2Ms1h1)———(32)Hw2＝σwi/(2Ms2h2)———(33)此外，為在初始化后以及甚至當(dāng)由于光束照射造成介質(zhì)溫度升高時(shí)保持光點(diǎn)中掩蔽的形成應(yīng)建立關(guān)系式(34)。Hw1＜Hc1(Ta＜T＜Tm1)———(34)(b)孔徑區(qū)由于光束照射隨著介質(zhì)溫度T升高，初始化的再生層降低Hc1。當(dāng)界面磁壁使有效磁場變成主要時(shí)，再生層的磁化反轉(zhuǎn)以消除界面磁壁。從而使存儲(chǔ)層的磁化信息轉(zhuǎn)移到再生層。其條件由關(guān)系式(35)表示。Hc1＜Hw1(Tm1＜T＜Tm2)———(35)更詳細(xì)的情況是，除來自存儲(chǔ)層513的交換耦合力產(chǎn)生的有效磁場Hwi外，另外還有Bloch磁壁能量產(chǎn)生的有效磁場Hwb和來自介質(zhì)內(nèi)部的靜磁場Hd加到記錄磁疇1。Hwi穩(wěn)定地保持再生層的記錄磁疇1，而Hwb和Hd在各方向加力以擴(kuò)張和收縮記錄磁疇。因此，為了用存儲(chǔ)層513的磁化使再生層511被穩(wěn)定地轉(zhuǎn)移，在記錄磁疇到達(dá)高溫區(qū)域前應(yīng)滿足關(guān)系式(36)表示的條件。Hwb－Hd＜Hc1＋Hw1(Tm1＜T＜Tm2)———(36)來自存儲(chǔ)層513的交換耦合力使再生層511的矯頑力Hc1明顯增加。因此，能易于建立關(guān)系式(36)以穩(wěn)定地轉(zhuǎn)移存儲(chǔ)層513的磁化信息以便能準(zhǔn)確地再生記錄信息。(c)后掩蔽區(qū)域由于后掩蔽區(qū)域(高溫區(qū)域)的細(xì)節(jié)與第一實(shí)施例中的相同，為簡便起見省略其說明。(B)四磁層結(jié)構(gòu)(見圖60A至60C)上述說明中，中間層由一層磁性層構(gòu)成。另一方面，中間層可以分成兩層磁性層以改善其性能更穩(wěn)定地進(jìn)行再生。具體地講，將中間層分成第一中間層5121和第二中間層5122。為更可靠地立關(guān)系式(34)和(35)，第一中間層5121的垂直磁性異向大于再生層的垂直磁性異向，而其居里溫度低于再生層的居里溫度，第一中間層設(shè)置在再生層和存儲(chǔ)層之間，第二中間層5122設(shè)置在第一中間層和存儲(chǔ)層之間以穩(wěn)定第一中間層和存儲(chǔ)層之間產(chǎn)生的磁壁。這時(shí)，由于第一中間層5121，再生層的矯頑力明顯增加。如果第一中間層5121的飽和磁化強(qiáng)度是Ms5，其矯頑力是Hc5，薄膜厚度是h5，再生層的表觀矯頑力hc1′用關(guān)系式(37)表示。Hc1′＝(Ms1h1Hc1＋Ms5h5Hc5)/(Ms1h1＋Ms5h5)———(37)此外，Hw1變?yōu)橛申P(guān)系式(38)表示的Hw1′。Hw1′＝σwi/(2Ms1h1＋2Ms5h5)———(38)因此，在低溫下，與中間層未分開的情況相比，再生層的矯頑力變大。此外，界面磁壁使有效磁場變小。從而，可以更穩(wěn)定地建立關(guān)系式(34)。當(dāng)溫度進(jìn)一步增加時(shí)，由于第一中間層5121的居里溫度低，再生層的矯頑力迅速恢復(fù)正常的小的狀態(tài)。故此，同時(shí)也可以穩(wěn)定地建立關(guān)系式(35)。如上所述。與三層磁性層結(jié)構(gòu)相比，四層磁性層結(jié)構(gòu)能夠更穩(wěn)定地進(jìn)行超分辨率再生。下面將通過實(shí)驗(yàn)例進(jìn)一步描述本發(fā)明，但是，本發(fā)明并不局限于這些實(shí)驗(yàn)例。(實(shí)驗(yàn)例42)將Si，Gd，Tb，F(xiàn)e和Co靶加到DC磁控濺射設(shè)備，將直徑為130mm的玻璃基底和帶有平臺(tái)和槽的聚碳酸酯基底固定到基底支架，該基底支架設(shè)置在離各靶150mm的距離。然后用低溫抽真空泵將其腔的內(nèi)部抽成1×10-5Pa或更低的高真空。抽氣期間，將Ar氣體注入腔中至0.4Pa，此后，將90nm厚的SiN干涉層，40nm厚的GdFeCo再生層，15nm厚的GdFe中間層，30nm厚的TbFeCo存儲(chǔ)層和70nm厚的SiN保護(hù)層按提到的順序構(gòu)成在基底上，得到圖61所示結(jié)構(gòu)的樣品。每層SiN絕緣層形成時(shí)，除Ar氣體外還注入N2氣體，通過DC反應(yīng)濺射形成SiN層，調(diào)節(jié)Ar和N2氣體的比例得到2.1的折射率。設(shè)定GdFeCo再生層的組成使其在室溫表現(xiàn)為富RE，飽和磁化強(qiáng)度Ms是108emu/cc，補(bǔ)償溫度是160℃，居里溫度是300℃或更高的。設(shè)定GdFe中間層的組成使其在室溫表現(xiàn)為RE多，飽和磁化強(qiáng)度MS是420emu/cc，居里溫度是190℃。設(shè)定TbFeCo存儲(chǔ)層的組成使其在室溫表現(xiàn)為TM多，飽和磁化強(qiáng)度Ms是-240emu/cc，居里溫度是190℃。然后，在下述方式中，用該磁—光記錄介質(zhì)測試其記錄/再生特性。再生前，將3000Oe垂直方向的初始化磁場加到該介質(zhì)。其結(jié)果在表10至14示出。在磁—光記錄介質(zhì)中記錄0.78um標(biāo)記長度的磁疇后，在830nm半導(dǎo)體激光束的照射下通過偏振顯微鏡觀測該磁疇。增加激光功率時(shí)，可以證實(shí)在某一激光功率下記錄磁疇收縮，而且其磁化在光點(diǎn)中央(高溫區(qū)域)朝向擦抹方向。然后，用該磁—光記錄介質(zhì)測試其記錄/再生特性。該測試是在設(shè)定物鏡的N.A.為0.55，激光束波長為780nm，記錄功率在7K至13mW范圍內(nèi)，而再生功率在2.5至3.5mW范圍內(nèi)，以便提供最高C/N比的情況下進(jìn)行的。設(shè)定線速度為9m/s。首先，對介質(zhì)進(jìn)行徹底擦抹，然后，將5.8MHz，11.3MHz和15MHz(對應(yīng)的標(biāo)記長度分別為0.78um，0.40um和0.30um)的載波信號記錄到存儲(chǔ)層以檢測C/N的標(biāo)記—長度相關(guān)性。之后，測試鄰近軌跡的串音(下文中稱之為“串音”)。具體地講，按上述方式將0.78um標(biāo)記長度的信號記錄在平臺(tái)上并測試一載波電平C1之后，在尋跡數(shù)據(jù)已被擦抹的鄰近槽時(shí)，以同樣方式測試載波電平C2，并用比率(C2/C1)表示串音。由于該實(shí)驗(yàn)是假設(shè)數(shù)據(jù)被記錄在平臺(tái)和槽的情況下進(jìn)行的，有效軌跡間距為0.8um。C/N和串音都是在不使用初始化磁場和再生磁場的情況下測試的。表10至14給出每層的組成和物質(zhì)性值以及C/N和串音結(jié)果。(實(shí)驗(yàn)例43)使用與實(shí)驗(yàn)例42中相同的設(shè)備和方法，將90nm厚的SiN干涉層，40nm厚的GdFeCo再生層，11nm厚的TbFeCoCr中間層，15nm厚的GdFeCo輔助層，30nm厚的TbFeCo存儲(chǔ)層和70nm厚的SiN保護(hù)層按提到的順序構(gòu)成在聚碳酸酯基底上，得到圖62所示結(jié)構(gòu)的樣品。每層SiN絕緣層形成時(shí)，除Ar氣外還引入N2氣體，通過DC反應(yīng)濺射形成SiN層，調(diào)節(jié)Ar和N2氣體的比例以得到2.1的折射率。設(shè)定GdFeCo再生層的組成使其在室溫表現(xiàn)為富RE，飽和磁化強(qiáng)度Ms是160emu/cc，補(bǔ)償溫度是180℃，居里溫度是300℃或更高。設(shè)定TbFeCoCr第一中間層的組成使其在室溫表現(xiàn)為富TM，飽和磁化強(qiáng)度Ms是-160emu/cc，居里溫度是150℃。設(shè)定GdFeCo第二中間層的組成使其在室溫表現(xiàn)為富TM，飽和磁化強(qiáng)度Ms是-160emu/cc，居里溫度是300℃或更高。設(shè)定TbFeCo存儲(chǔ)層的組成使其在室溫表現(xiàn)為富TM，飽和磁化強(qiáng)度Ms是-240emu/cc，居里溫度是270℃。然后，用該磁—光記錄介質(zhì)如實(shí)驗(yàn)例42中的方式測定其記錄/再生特性。再生前，將3000Oe垂直方向的初始化磁場加到該介質(zhì)。其結(jié)果在表10至14示出。(實(shí)驗(yàn)例44)使用與實(shí)驗(yàn)例42中相同的設(shè)備和方法，將90nm厚的SiN干涉層，32nm厚的GdFeCo再生層，11nm厚的TbFeCo中間層，16nm厚的GdFeCo輔助層，30nm厚的TbFeCo存儲(chǔ)層和70nm厚的SiN保護(hù)層按提到的順序構(gòu)成于聚碳酸酯基底上，得到圖62所示結(jié)構(gòu)的樣品。設(shè)定GdFeCo再生層的組成使其在室溫表現(xiàn)為富RE，飽和磁化強(qiáng)度Ms是170emu/cc，補(bǔ)償溫度是205℃，居里溫度是300℃或更高。設(shè)定TbFeCO第一中間層的組成使其在室溫表現(xiàn)為富TM，飽和磁化強(qiáng)度Ms是-180emu/cc，居里溫度是145℃。設(shè)定GdFeCo第二中間層的組成使其在室溫表現(xiàn)為富TM，飽和磁化強(qiáng)度Ms是-160emu/cc，居里溫度是300℃或更高。設(shè)定TbFeCo存儲(chǔ)層的組成使其在室溫表現(xiàn)為富TM，飽和磁化強(qiáng)度Ms是-150emu/cc，居里溫度是230℃。然后，用該磁—光記錄介質(zhì)如實(shí)驗(yàn)例42中的方式測定其記錄/再生特性。再生前，將3000Oe垂直方向的初始化磁場加到該介質(zhì)。其結(jié)果在表10至14示出?，F(xiàn)在，制備已知的超分辨率磁—光記錄介質(zhì)并用與上述實(shí)驗(yàn)例相同的方法進(jìn)行測定。(比較例16)首先，制備并測定與日本專利申請公開No.3—93056中所描述的介質(zhì)相同的介質(zhì)。使用與實(shí)驗(yàn)例42中相同的成膜的設(shè)備和方法，將90nm厚的SiN干涉層，30nm厚的GdFeCo再生層，10nm厚的TbFeCoAl中間層，40nm厚的TbFeCo存儲(chǔ)層和70nm厚的SiN保護(hù)層按提到的順序構(gòu)成在玻璃基底上，得到比較例16的磁—光記錄介質(zhì)。設(shè)定GdFeCo再生層的組成使其在室溫表現(xiàn)為富TM，Ms是-180emu/cc，居里溫度是300℃或更高。設(shè)定TbFeCoAl中間層的組成使其在室溫表現(xiàn)為富TM，Ms是-160emu/cc，居里溫度是140℃。設(shè)定TbFeCo存儲(chǔ)層的組成使其在室溫表現(xiàn)為富TM，Ms是-240emu/cc，居里溫度是260℃的。然后，用該磁—光記錄介質(zhì)如實(shí)驗(yàn)例42中的方式測定其記錄/再生特性。這種情況下，再生時(shí)，通過在0Oe，200Oe和400Oe之間改變再生磁場的值將再生磁場在垂直方向加到該介質(zhì)。其結(jié)果在表10至14示出。常規(guī)的非超分辨率介質(zhì)，例如只有存儲(chǔ)層的介質(zhì)，給出的數(shù)據(jù)與再生磁場為0時(shí)從該比較例的介質(zhì)中得到的再生特性(C/N，串音)相似。(比較例17)然后，制備并測定與日本專利申請公開No.3—255946中所描述的介質(zhì)相同的介質(zhì)。其中，為改進(jìn)其特性將中間層分成兩層。使用與實(shí)驗(yàn)例42中相同的成膜的設(shè)備和方法，將90nm厚的SiN干涉層，30nm厚的GdFeCo再生層，10nm厚的TbFeCoAl第一中間層，16nm厚的GdFeCo第二中間層，40nm厚的TbFeCo存儲(chǔ)層和70nm厚的SiN保護(hù)層按提到的順序構(gòu)成在玻璃基底上，得到比較例17的磁—光記錄介質(zhì)。設(shè)定GdFeCo再生層的組成使其在室溫表現(xiàn)為富TM，Ms是-160emu/ee，居里溫度是300℃或更高。設(shè)定TbFeCoAl第一中間層的組成使其在室溫表現(xiàn)為富TM，Ms是-160emu/cc，居里溫度是140℃。設(shè)定GdFeCo第二中間層的組成使其在室溫表現(xiàn)為富TM，Ms是-160emu/cc，居里溫度是280℃。設(shè)定TbFeCo存儲(chǔ)層的組成使其在室溫表現(xiàn)為富TM，Ms是-240emu/cc，居里溫度是260℃。然后，用該磁—光記錄介質(zhì)如實(shí)驗(yàn)例42中的方式測定其記錄/再生特性。這種情況下，再生前，將一3000Oe垂直方向的初始化磁場加到該介質(zhì)，并通過在0Oe，200Oe和400Oe之間改變再生磁場的值將再生磁場加到該介質(zhì)。其結(jié)果在表10至14示出。根據(jù)上述實(shí)驗(yàn)例42至44中的測試結(jié)果，特別是根據(jù)對標(biāo)記長度短的測試結(jié)果，在不使用再生磁場的情況下，任何介質(zhì)中，標(biāo)記長度短的介質(zhì)獲得了高C/N比。此外。除C/N之外，還觀測到了串音中的改善。另一方面，在比較例16的介質(zhì)中，如不使用400Oe的再生磁場則不能得到足夠高的C/N比。此外，給出的串音效果不好。另一方面，在比較例17的介質(zhì)中，如不使用足夠的再生磁場則不能觀測到C/N和串音的改善。因此，在本發(fā)明的磁—光記錄介質(zhì)中，不加再生磁場或不加再生磁場和初始化磁場即可改善C/N比和串音。于是可以改善行記錄密度和軌跡密度。表10<p>表11表12<<p>表13<p>表14(第六實(shí)施例)上述實(shí)施例中，用交換耦合力將存儲(chǔ)層中的信息轉(zhuǎn)移到中溫區(qū)或低溫和中溫區(qū)中再生層。另一方面，在第六實(shí)施例中，用靜磁耦合力將存儲(chǔ)層中的信息轉(zhuǎn)移到這些區(qū)域中的再生層。下面將參考附圖詳細(xì)描述本發(fā)明第六個(gè)優(yōu)選實(shí)施例的磁—光記錄介質(zhì)和使用該介質(zhì)的信息再生方法。本發(fā)明的磁—光記錄介質(zhì)有至少兩層磁性層形成在一半透明基底上。即，垂直磁化薄膜的再生層和存儲(chǔ)層(圖63A)。再生層用于再生存儲(chǔ)在存儲(chǔ)層中的磁化信息。與存儲(chǔ)層相比再生層更靠近入射光一側(cè)，為防止再生時(shí)克爾旋轉(zhuǎn)角損壞，設(shè)定再生層的居里溫度高于存儲(chǔ)層的居里溫度。另外，再生層的矯頑力必須比存儲(chǔ)層的矯頑力小，此外，再生層必須具有一在室溫和存儲(chǔ)層的居里溫度之間的補(bǔ)償溫度。這是由于本介質(zhì)中，在再生時(shí)，光點(diǎn)中高溫區(qū)溫度的增加超過了再生層的補(bǔ)償溫度，以便形成進(jìn)行超分辨率再生的后掩蔽。因此，如果存儲(chǔ)層的居里溫度等于或小于再生層的補(bǔ)償溫度，再生時(shí)會(huì)破壞存儲(chǔ)層的磁化信息，不能達(dá)到本發(fā)明的效果。設(shè)定存儲(chǔ)層的居里溫度高于再生層的補(bǔ)償溫度，最好是高10℃或更高，高20℃或更高更好。但另一方面，如果設(shè)定得太高，則不易于用激光束進(jìn)行記錄。鑒于此，最好設(shè)定存儲(chǔ)層的居里溫度不超過280℃，不超過240℃更好。換句話說，最好設(shè)定再生層補(bǔ)償溫度不超過270℃，不超過230℃更好。另一方面，再生層的磁化方式是該再生層在室溫及室溫和其居里溫度之間是垂直磁化膜，或者該再生層在室溫為同平面磁化膜而在室溫和其補(bǔ)償溫度之間變?yōu)榇怪贝呕?。作為具體的再生層材料最好是，例如GdFeCo，GdTbFeCo，GdDyFeCo，NdGdFeCo或諸如此類的主要包括GdFeCo的稀土鐵族非晶態(tài)合金材料，這是由于其具有高居里溫度和低矯頑力并便于使高溫區(qū)中記錄的磁疇壓縮，而這正是本發(fā)明介質(zhì)的主要目的。當(dāng)使用GdFeCo作為再生層時(shí)，其補(bǔ)償溫度在很大程度上取決于稀土元素(Gd)的組成。因此，當(dāng)用主要含有GdFeCo的磁性層作再生層時(shí)，最好設(shè)定Gd的含量為24至35at％。存儲(chǔ)層用于存儲(chǔ)記錄的信息，因此，要求其穩(wěn)定地保持磁疇。用作存儲(chǔ)層的材料最好是具有大垂直磁性異向并能穩(wěn)定地保持磁化狀態(tài)的材料，例如TbFeCo，DyFeCo，TbDyFeCo或諸如此類的稀土鐵族非晶態(tài)合金。此外，必須設(shè)定存儲(chǔ)層的補(bǔ)償溫度至少低于再生層與存儲(chǔ)層靜磁耦合處的溫度。這是因?yàn)?，本發(fā)明中，再生時(shí)，由于光點(diǎn)中高溫區(qū)的溫度升高到超過了再生層的補(bǔ)償溫度，以致與孔徑區(qū)的再生層相比將再生層的凈磁化反轉(zhuǎn)到一相反方向，從而使再生層和存儲(chǔ)層處于抗靜磁耦合狀態(tài)形成后掩蔽，存儲(chǔ)層必須在轉(zhuǎn)移區(qū)和后掩蔽區(qū)保持相同磁化狀態(tài)。例如，當(dāng)用亞鐵磁性稀土鐵族元素非晶態(tài)合金薄膜作再生層和存儲(chǔ)層時(shí)，可以安排成室溫下再生層是稀土元素亞晶格磁化強(qiáng)度占優(yōu)勢，而存儲(chǔ)層在室溫下是鐵族元素亞晶格磁化強(qiáng)度占優(yōu)勢，或室溫下再生層和存儲(chǔ)層都是稀土元素亞晶格磁化強(qiáng)度占優(yōu)勢。由于使用亞鐵磁性稀土鐵族元素非晶態(tài)合金薄膜很容易實(shí)現(xiàn)上述結(jié)構(gòu)，最好將該薄膜作為本發(fā)明的介質(zhì)。在上述再生和存儲(chǔ)層之間，交換耦合力被切斷，在室溫至一高溫的溫度范圍，由靜磁耦合力發(fā)揮作用。為實(shí)現(xiàn)該目的，要求在室溫下再生層是稀土元素亞晶格磁化強(qiáng)度占優(yōu)勢，而存儲(chǔ)層在室溫下是鐵族元素亞晶格磁化強(qiáng)度占優(yōu)勢。此外，為在室溫至一高溫的溫度范圍內(nèi)切斷作用在再生層和存儲(chǔ)層之間交換耦合力，在再生層形成之后并且直到存儲(chǔ)層形成，通過等離子體處理可以有效地防止交換耦合力作用在界面，或在再生層和存儲(chǔ)層之間設(shè)置一用于切斷交換耦合力的中間層(圖63B)。最好用一非金屬層，例如一同平面磁化膜或諸如此類的薄膜制成的絕緣層、非磁性金屬層、磁性層作為中間層。與上述等離子體處理方法相比，設(shè)置這種中間層可以更可靠地切斷交換耦合力。可以將一種例如Al，Ti，Pt，Nb，Cr或諸如此類的元素加入再生層和存儲(chǔ)層以改善其耐腐蝕性。為提高干涉效果和防護(hù)性能，除上述再生層和存儲(chǔ)層外還可設(shè)置由SiNx，AlOx，TaOx，SiOx或諸如此類的材料制成的絕緣層。此外，為改善其導(dǎo)熱性，可以設(shè)置由Al，AlTa，AlTi，TlCr，Cu或諸如此類的材料制成并具有良好導(dǎo)熱性的導(dǎo)熱層。此外，可以設(shè)置磁化排列在一個(gè)方向用于進(jìn)行光調(diào)制重寫的初始化層。此外，可以設(shè)置用于記錄輔助和再生輔助的輔助層以調(diào)節(jié)交換耦合力或靜磁耦合力。另外，可以加入由上述絕緣層或聚合物樹脂制成的保護(hù)涂層作為保護(hù)膜。由于本實(shí)施例的記錄過程與前述實(shí)施例中的相同，為簡便起見省略其說明。下面將詳細(xì)描述本發(fā)明的再生過程。本發(fā)明中，磁性超分辨率是在不使用外部磁場的情況下，通過表面地和光學(xué)地掩蔽光點(diǎn)中局部區(qū)域?qū)崿F(xiàn)的。圖65A，65B和65C示出一過程圖，其中光點(diǎn)移動(dòng)時(shí)從存儲(chǔ)層轉(zhuǎn)移的再生層記錄磁疇(下文中簡稱為“記錄磁疇”)在高溫區(qū)收縮。為簡化起見，圖65A至65C只表示出一個(gè)記錄磁疇的收縮過程。此外，在這些圖中，使用稀土鐵族亞鐵磁性物質(zhì)作磁性材料，空白箭頭630表示整個(gè)磁化，黑箭頭631表示鐵族亞晶格磁化，再生層611是多RE的磁性層而存儲(chǔ)層613是多TM的磁性層。另一方面，在圖64A至64C中，給出了再生時(shí)與溫度分布的整個(gè)景象。圖64B中空白箭頭表示整個(gè)磁化，黑箭頭表示鐵族亞晶格磁化，與圖65A至65C中相同。由于導(dǎo)熱性的極限，介質(zhì)的溫度分布狀態(tài)是從光點(diǎn)中心向與光點(diǎn)移動(dòng)方向相反的方向漂移。如圖65A所示，光點(diǎn)602到達(dá)記錄磁疇601之后不久，記錄磁疇601未到達(dá)高溫區(qū)605。除來自存儲(chǔ)層613靜磁耦合力產(chǎn)生的磁場Hst，還有Bloch磁壁能量產(chǎn)生的有效磁場Hwb以及來自再生層另一個(gè)區(qū)域的靜磁場的Hleak加到記錄磁疇601。Hst起穩(wěn)定地保持再生層記錄磁疇601的作用，而Hwb在一個(gè)方向施加一個(gè)力以收縮記錄磁疇。因此，為使存儲(chǔ)層613的磁化信息穩(wěn)定地轉(zhuǎn)移到再生層611，記錄磁疇601到達(dá)高溫區(qū)605前應(yīng)滿足關(guān)系式(39)給出的條件。|Hwb＋H1eak|＜Hc1＋Hst(T＜Th－掩蔽)———(39)如果Bloch磁壁能量為σwb，再生層611的記錄磁疇601的半徑為r，Hwb由關(guān)系式(40)表示并作用在一個(gè)方向以收縮記錄磁疇601(圖66)。Hwb＝σwb/2Ms1r———(40)當(dāng)光點(diǎn)繼續(xù)移動(dòng)使記錄磁疇601進(jìn)入溫度達(dá)到等于或高于再生層補(bǔ)償溫度的高溫區(qū)時(shí)，再生層的凈磁化方向反向排列。結(jié)果，來自存儲(chǔ)層的逆平行靜磁力加到記錄磁疇。因此，如同Hwb，Hst起反向記錄磁疇的作用。圖66所示為恰好在磁疇收縮前加到該磁疇的磁場的狀態(tài)。如圖66所示，實(shí)際上磁壁從高溫側(cè)移動(dòng)使磁疇收縮。因此，建立關(guān)系式(41)以便記錄磁疇601的Bloch磁壁608在一個(gè)方向移動(dòng)以收縮該磁疇。Hwb＋Hst士Hleak＞Hcl(T＞Th－掩蔽)———(41)如圖65B所示，進(jìn)入高溫區(qū)605時(shí)，記錄磁疇601被反向收縮，如圖65C所示，以便最終所有磁化排列在擦抹方向。關(guān)系式(40)和(41)以及圖64C中給出的“Th－掩蔽”相當(dāng)于再生層的補(bǔ)償溫度。另外，來自存儲(chǔ)層613的靜磁場Hst也影響擦抹方向的磁化。然而，如果在擦抹方向的磁化被Hst反向，則在高溫區(qū)605的大范圍上形成磁壁，以致大大地增加磁壁能量，因此，不發(fā)生磁化反向，而且在擦抹方向磁化被保持。于是，高溫區(qū)605中產(chǎn)生一個(gè)磁化總是朝向擦抹方向的區(qū)域。該區(qū)域變成后掩蔽605。如果反向的磁疇半徑是R，在擦抹磁化被反向的情況下由關(guān)系式(42)表示Bloch磁壁能量的有效磁場Hwb′。Hwb′＝σwb/2Ms1R———(42)于是，關(guān)系式(43)表示擦抹磁化不被Hst反向的條件。Hwb′＞Hst———(43)具體來講，如圖64A至64C所示，由于在光點(diǎn)602中的高溫區(qū)605，再生層611總是變成朝向擦抹方向的垂直磁化膜，于是起到光掩蔽(后掩蔽605)作用。因此，如圖64A所示，光點(diǎn)602明顯地縮小成一不包括高溫區(qū)605并作為孔徑區(qū)603的區(qū)域，以便能檢測周期等于或小于檢測極限的記錄磁疇(記錄標(biāo)記)。上文中，光點(diǎn)區(qū)域中除高溫區(qū)外全部變?yōu)榭讖絽^(qū)。另一方面，除上述條件外，當(dāng)再生層還由室溫是一同平面磁化膜而在室溫和補(bǔ)償溫度之間變?yōu)橐淮怪贝呕さ拇判詫又瞥蓵r(shí)，不僅能掩蔽光點(diǎn)中的高溫區(qū)，而且能掩蔽光點(diǎn)中的低溫區(qū)。具體來講，在溫度是室溫周圍的低溫區(qū)中，再生層以一同平面磁化膜的形式掩蔽存儲(chǔ)層的磁化信息。另一方面，在再生層變?yōu)橐淮怪贝呕さ闹袦貐^(qū)，存儲(chǔ)層的磁化信息由靜磁耦合轉(zhuǎn)移到再生層以便被再生。此外，在高溫區(qū)，通過上述機(jī)理掩蔽存儲(chǔ)層的磁化信息。這種雙掩蔽式超分辨率不僅能改善行記錄密度，也能改善軌跡密度。下面將通過實(shí)驗(yàn)例更詳細(xì)地描述本發(fā)明。然而，本發(fā)明并不局限于這些實(shí)驗(yàn)例。首先，制備并測定一其中的再生層在室溫以及室溫和居里溫度之間是垂直磁化膜的磁—光記錄介質(zhì)，在下面的實(shí)驗(yàn)例45和46中將對其進(jìn)行描述。(實(shí)驗(yàn)例45)將Si，Gd，Tb，F(xiàn)e和Co靶加到DC磁控濺射設(shè)備，將直徑為130mm的玻璃基底和帶有平臺(tái)和槽的聚碳酸酯基底固定到基底支架上，該基底支架設(shè)置在離各靶150mm的距離。然后，用低溫抽氣泵將其腔的內(nèi)部抽成1×10-5Pa或更低的高真空。抽氣期間，將Ar氣體注入腔中至0.4Pa，此后，將90nm厚的SiN干涉層，40nm厚的GdFeCo再生層，10nm厚的SiN中間層，35nm厚的TbFeCo存儲(chǔ)層和70nm厚的SiN保護(hù)層按提到的順序構(gòu)成在基底上，得到結(jié)構(gòu)如圖67所示的本發(fā)明的磁—光記錄介質(zhì)。每層SiN絕緣層形成時(shí)，除Ar氣體外還注入N2氣體，通過DC反應(yīng)濺射形成SiN層，調(diào)節(jié)Ar和N2氣體的比例得到2.1的折射率。GdFeCo再生層的組成是Gd24(Fe68Co32)76并在室溫表現(xiàn)為富RE，Ms是120emu/cc，補(bǔ)償溫度是200℃，居里溫度是300℃或更高。該再生層在室溫是一垂直磁化膜。TbFeCo存儲(chǔ)層的組成Tb20(Fe80Co20)80并在室溫表現(xiàn)為TM多，Ms是-230emu/cc，居里溫度是250℃。使用本介質(zhì)用下列方式進(jìn)行測定。首先，在磁—光記錄介質(zhì)中記錄0.78μm標(biāo)記長度的磁疇后，在780nm半導(dǎo)體激光束的照射下通過偏振顯微鏡觀測該磁疇。增加激光功率時(shí)，可以證實(shí)某一激光功率下轉(zhuǎn)移的記錄磁疇收縮，而且其磁化在光點(diǎn)中央(高溫區(qū)域)朝向擦抹方向。然后，用該磁—光記錄介質(zhì)測試其記錄/再生特性。該測試是在設(shè)定物鏡的N.A.為0.55，激光束波長為780nm，記錄功率在7至13mW范圍內(nèi)，而再生功率在3.0至4.0mW范圍內(nèi)，以提供最高C/N比的情況下進(jìn)行的。設(shè)定線速度是9m/s。首先，對介質(zhì)進(jìn)行徹底擦抹，然后，將5.8MHz，11.3MHz和15MHz(對應(yīng)的標(biāo)記長度分別為0.78μm，0.40μm和O.30μm)的載波信號記錄到存儲(chǔ)層以檢測C/N的標(biāo)記—長度相關(guān)性。之后，測試鄰近軌跡的串音(下文中稱之為“串音”)。具體地講，按上述方式將0.78μm標(biāo)記長度的信號記錄在平臺(tái)上，并測試一載波電平C1之后，在尋跡數(shù)據(jù)已被擦抹的鄰近槽時(shí)，以同樣方式測試載波電平C2，并用比率(C2/C1)表示串音。由于該實(shí)驗(yàn)是假設(shè)數(shù)據(jù)被記錄在平臺(tái)和槽的情況下進(jìn)行的，有效軌跡間距是0.8μm。C/N和串音都是在不使用初始化磁場和再生磁場的情況下測試的。表15給出其結(jié)果?？梢钥闯觯m然串音沒有改善，但獲得了短標(biāo)記長度的高比值C/N。(實(shí)驗(yàn)例46)制備一與實(shí)驗(yàn)例45中相同的磁—光記錄介質(zhì)，但省去其中間層，而且其存儲(chǔ)層是再生層形成后再將基底用注入很少量的O2氣體進(jìn)行等離子體處理(用300W的RF反向?yàn)R射該基底)之后形成的。仍在該介質(zhì)中，再生層和存儲(chǔ)層之間的交換耦合被切斷，以便不使用再生磁場而達(dá)到超分辨率效果。用實(shí)驗(yàn)例45中的方法測定該磁—光記錄介質(zhì)。表15給出其結(jié)果?？梢钥闯?，雖然串音沒有改善，但獲得了短標(biāo)記長度的高比值C/N。(實(shí)驗(yàn)例47)使用與實(shí)驗(yàn)例42中相同的設(shè)備和方法，將90nm厚的SiN干涉層，40nm厚的GdFeCo再生層，10nm厚的SiN中間層，35nm厚的TbFeCo存儲(chǔ)層和70nm厚的SiN保護(hù)層按提到的順序構(gòu)成在聚碳酸酯基底上，得到結(jié)構(gòu)如圖67所示的本發(fā)明的磁—光記錄介質(zhì)。每層SiN絕緣層形成時(shí)，除Ar氣體外還注入N2氣體，通過DC反應(yīng)濺射形成SiN層，調(diào)節(jié)Ar和N2氣體的比例得到2.1的折射率。GdFeCo再生層的組成是Gd28(Fe60Co40)72并在室溫表現(xiàn)為RE多，Ms是220emu/cc，補(bǔ)償溫度是217℃，居里溫度是300℃或更高。該再生層在室溫是一同平面磁化膜，而在約140℃變?yōu)橐淮怪贝呕?。TbFeCo存儲(chǔ)層的組成是Tb20(Fe80Co20)80并在室溫表現(xiàn)為TM多，Ms是-230emu/cc，居里溫度是250℃。用實(shí)驗(yàn)例45中的方法測定該磁—光記錄介質(zhì)。表15給出其結(jié)果?？梢钥闯觯捎诘蜏貐^(qū)被一同平面磁化膜掩蔽，串音也隨著C/N改善。現(xiàn)在，制備已知的超分辨率磁—光記錄介質(zhì)，并用與上述實(shí)驗(yàn)例中相同的方式對其進(jìn)行測定。(比較例18)首先，制備并測定與日本專利申請公開No.3—93056中所描述的介質(zhì)相同的介質(zhì)。使用與實(shí)驗(yàn)例45相同的成膜的設(shè)備和方法，將90nm厚的SiN干涉層，30nm厚的GdFeCo再生層，10nm厚的TbFeCoAl中間層，40nm厚的TbFeCo存儲(chǔ)層和70nm厚的SiN保護(hù)層按提到的順序構(gòu)成在玻璃基底上，得到比較例18的磁—光記錄介質(zhì)。設(shè)定GdFeCo再生層的組成在室溫表現(xiàn)為富TM，MS是-180emu/cc，居里溫度是300℃或更高。設(shè)定TbFeCoAl中間層的組成使其在室溫表現(xiàn)為富TM，Ms是-160emu/cc，居里溫度是140℃。設(shè)定TbFeCo存儲(chǔ)層的組成使其在室溫表現(xiàn)為富TM，Ms是-150emu/cc，居里溫度是250℃。然后，用該磁—光記錄介質(zhì)如實(shí)驗(yàn)例45中的方式測定其記錄/再生特性。這種情況下，再生時(shí)，通過在0Oe，200Oe和400Oe之間改變再生磁場的值，將再生磁場在垂直方向加到該介質(zhì)。其結(jié)果在表15給出。(比較例19)然后，制備并測定與日本專利申請公開No.3—255946中所描述的介質(zhì)相同的介質(zhì)。使用與實(shí)驗(yàn)例45中相同的成膜的設(shè)備和方法，將90nm厚的SiN干涉層，30nm厚的GdFeCo再生層，10nm厚的TbFeCoAl中間層，16nm厚的GdFeCo輔助層，40nm厚的TbFeCo存儲(chǔ)層和70nm厚的SiN保護(hù)層按提到的順序構(gòu)成在玻璃基底上，得到比較例19的磁—光記錄介質(zhì)。設(shè)定GdFeCo再生層的組成使其在室溫表現(xiàn)為富TM，Ms是-160emu/cc，居里溫度是300℃或更高。設(shè)定TbFeCoAl中間層的組成使其在室溫表現(xiàn)為富TM，Ms是-160emu/cc，居里溫度是140℃。設(shè)定GdFeCo輔助層的組成使其在室溫表現(xiàn)為富TM，Ms是-160emu/cc，居里溫度是280℃。設(shè)定TbFeCo存儲(chǔ)層的組成使其在室溫表現(xiàn)為富TM，Ms是-150emu/cc，居里溫度是250℃的。然后，用該磁—光記錄介質(zhì)如實(shí)驗(yàn)例45中的方式測定其記錄/再生特性。這種情況下，再生前，通過在0Oe，1000Oe和2000Oe之間改變初始化磁場的值，將一垂直方向的初始化磁場加到該介質(zhì)，并通過在0Oe，200Oe和400Oe之間改變再生磁場的值，將一再生磁場作用到該介質(zhì)。其結(jié)果在表15中給出。因此，在本發(fā)明的磁—光記錄介質(zhì)中，在不使用再生磁場或初始磁場和再生磁場都不使用的情況下，C/N比或C/N比和串音都可改善。于是，行記錄密度或行記錄密度和軌跡密度都可以改善。表1權(quán)利要求1.一種磁—光記錄介質(zhì)，包括一個(gè)基底；第一磁層，層壓在所述基底上，用于再生信息；第二磁層，層壓在所述第一磁層上，用于存儲(chǔ)該信息；和第三磁層，放置在所述第一和第二磁層之間，其具有的居里溫度低于所述第一和第二磁層的居里溫度，其中所述第一磁層的一個(gè)區(qū)的磁化方向以所述第一磁層的所述區(qū)周圍的磁化方向排列，所述區(qū)與所述第三磁層的溫度等于或高于所述第三磁層的居里溫度的一個(gè)區(qū)相鄰。2.根據(jù)權(quán)利要求1的磁—光記錄介質(zhì)，其特征在于所述第一磁層具有室溫與其居里溫度之間的補(bǔ)償溫度。3.根據(jù)權(quán)利要求1的磁—光記錄介質(zhì)，其特征在于所述第一磁層在室溫時(shí)是同平面磁化膜，而當(dāng)溫度增加時(shí)變?yōu)榇怪贝呕ぁ?.根據(jù)權(quán)利要求1的磁—光記錄介質(zhì)，其特征在于所述第一磁層在從室溫到其居里溫度范圍內(nèi)是一個(gè)垂直磁化膜。5.根據(jù)權(quán)利要求2的磁—光記錄介質(zhì)，其特征在于所述第二磁層的居里溫度低于所述第一磁層的居里溫度。6.根據(jù)權(quán)利要求2的磁—光記錄介質(zhì)，其特征在于所述第三磁層的居里溫度接近所述第一磁層的補(bǔ)償溫度。7.根據(jù)權(quán)利要求3的磁—光記錄介質(zhì)，其特征在于所述第一磁層的膜厚不小于20nm而且不大于100nm。8.根據(jù)權(quán)利要求3的磁—光記錄介質(zhì)，其特征在于所述第三磁層的膜厚不小于3nm而且不大于30nm。9.根據(jù)權(quán)利要求3的磁—光記錄介質(zhì)，其特征在于所述第一磁層主要由GdFeCo構(gòu)成。10.根據(jù)權(quán)利要求3的磁—光記錄介質(zhì)，其特征在于所述第三磁層主要由GdFe和GdFeCo之一構(gòu)成。11.根據(jù)權(quán)利要求3的磁—光記錄介質(zhì)，其特征在于所述第三磁層在室溫時(shí)是同平面磁化膜，而當(dāng)溫度增加時(shí)變?yōu)榇怪贝呕ぁ?2.根據(jù)權(quán)利要求11的磁—光記錄介質(zhì)，其特征在于在室溫時(shí)所述第三磁層的同平面各向異性大于在室溫時(shí)所述第一磁層的同平面各向異性。13.根據(jù)權(quán)利要求1的磁—光記錄介質(zhì)，其特征在于所述第一和第二磁層的每層由亞鐵磁性稀土鐵族元素非晶態(tài)合金構(gòu)成。14.根據(jù)權(quán)利要求13的磁—光記錄介質(zhì)，其特征在于在室溫時(shí)所述第一磁層是稀土多，而在室溫時(shí)所述第二磁層是鐵族多，反之亦然。15.根據(jù)權(quán)利要求9的磁—光記錄介質(zhì)，其特征在于所述第一磁層具有以下組成Gdx(Fe100-yCoy)100-x，式中24≤x≤32和20≤y≤50。16.根據(jù)權(quán)利要求10的磁—光記錄介質(zhì)，其特征在于所述第三磁層具有以下組成Gdx(Fe100-yCoy)100-x，式中25≤x≤50和0≤y≤20。17.根據(jù)權(quán)利要求1的磁—光記錄介質(zhì)，其特征在于所述第二磁層包含TbFe、TbFeCo、DyFe和DyFeCo之一作為主要成分。18.根據(jù)權(quán)利要求17的磁—光記錄介質(zhì)，其特征在于所述第二磁層具有以下組成Tbx(Fe100-yCoy)100-x，式中14≤x≤33和14≤y≤45。19.根據(jù)權(quán)利要求6的磁—光記錄介質(zhì)，其特征在于所述第一磁層的補(bǔ)償溫度Tcomp和所述第三磁層的居里溫度T3滿足以下關(guān)系-20℃≤Tcomp－T3≤80℃。20.根據(jù)權(quán)利要求1的磁—光記錄介質(zhì)，其特征在于在室溫時(shí)所述第一磁層的飽和磁化強(qiáng)度Ms1滿足以下關(guān)系20emu/cc≤Ms1≤340emu/cc。21.根據(jù)權(quán)利要求1的磁—光記錄介質(zhì)，其特征在于當(dāng)在室溫是稀土多時(shí)，所述第二磁層的飽和磁化強(qiáng)度Ms2滿足以下關(guān)系Ms2≤250emu/cc而當(dāng)在室溫是鐵族多時(shí)滿足以下關(guān)系Ms2≤350emu/cc。22.根據(jù)權(quán)利要求1的磁—光記錄介質(zhì)，其特征在于當(dāng)在室溫是稀土多時(shí)，所述第三磁層的飽和磁化強(qiáng)度Ms3滿足以下關(guān)系Ms3≤700emu/cc而當(dāng)在室溫是鐵族多時(shí)滿足以下關(guān)系Ms3≤150emu/cc。23.根據(jù)權(quán)利要求1的磁—光記錄介質(zhì)，其特征在于所述第三磁層的居里溫度T3滿足以下關(guān)系80℃≤T3≤220℃。24.根據(jù)權(quán)利要求1的磁—光記錄介質(zhì)，其特征在于所述第二磁層的矯頑力小于所述第一磁層的矯頑力。25.根據(jù)權(quán)利要求1的磁—光記錄介質(zhì)，其特征在于所述第三磁層的矯頑力大于所述第一磁層的矯頑力。26.根據(jù)權(quán)利要求1的磁—光記錄介質(zhì)，其特征在于至少在溫度等于或高于室溫時(shí)，所述第三磁層切斷在所述第一與第二磁層之間工作的交換耦合力。27.根據(jù)權(quán)利要求1的磁—光記錄介質(zhì)，其特征在于在從室溫到其居里溫度的范圍內(nèi)所述第三磁層是垂直磁化膜。28.一種信息再生方法，用于再生存儲(chǔ)在磁—光記錄介質(zhì)中的信息，該記錄介質(zhì)包括一個(gè)基底；第一磁層，層壓在所述基底上，用于再生信息；第二磁層，層壓在所述第一磁層上，用于存儲(chǔ)該信息；和第三磁層，放置在所述第一和第二磁層之間，其具有的居里溫度低于所述第一和第二磁層的居里溫度，其中所述第一磁層的一個(gè)區(qū)的磁化方向以所述第一磁層的所述區(qū)周圍的磁化方向排列，所述區(qū)與所述第三磁層的溫度等于或高于所述第三磁層的居里溫度的一個(gè)區(qū)相鄰。所述信息再生方法包括如下步驟發(fā)射一個(gè)光點(diǎn)；所述第三磁層的溫度增加到接近所述光點(diǎn)內(nèi)高溫區(qū)中的居里溫度，以便以所述高溫區(qū)周圍的所述第一磁層的磁化方向排列在所述高溫區(qū)中的所述第一磁層的磁化方向；至少在所述光點(diǎn)內(nèi)的中溫區(qū)轉(zhuǎn)移存儲(chǔ)在所述第二磁層中的信息到所述第一磁層；和通過檢測所述光點(diǎn)的反射光的磁—光效應(yīng)再生所述信息。29.根據(jù)權(quán)利要求28的信息再生方法，其特征在于在所述轉(zhuǎn)移步驟中，由于交換耦合力的作用，存儲(chǔ)在所述第二磁層中的信息經(jīng)過所述第三磁層轉(zhuǎn)移到所述第一磁層。30.根據(jù)權(quán)利要求28的信息再生方法，其特征在于在所述轉(zhuǎn)移步驟中，由于靜磁耦合力的作用，存儲(chǔ)在所述第二磁層中的信息轉(zhuǎn)移到所述第一磁層。31.根據(jù)權(quán)利要求28的信息再生方法，進(jìn)一步包括加上一個(gè)外磁場的步驟，用于在所述光點(diǎn)內(nèi)的低溫區(qū)中初始化磁化以便以一個(gè)方向排列。全文摘要在磁-光記錄介質(zhì)中，參與信息再生的第一磁層被層壓在一個(gè)基底上。用于存儲(chǔ)信息的第二磁層被層壓在第一磁層上。居里溫度低于該第一和第二磁層的居里溫度的第三磁層放置在該第一磁層和第二磁層之間。與第三磁層的溫度高于第三磁層的居里溫度一個(gè)區(qū)相鄰的第一磁層的一個(gè)區(qū)的磁化以第一磁層的該區(qū)周圍的一個(gè)區(qū)的磁化方向排列。文檔編號G11B7/007GK1120719SQ95108599公開日1996年4月17日申請日期1995年6月9日優(yōu)先權(quán)日1994年6月10日發(fā)明者西村直樹,廣木知之,岡田健申請人:佳能株式會(huì)社