本發(fā)明涉及芯片，特別是涉及一種存儲器的穩(wěn)定參數(shù)的校準(zhǔn)方法、裝置、設(shè)備和介質(zhì)。

背景技術(shù)：

1、目前的行車記錄儀產(chǎn)品銷售的區(qū)域覆蓋國內(nèi)外，由于各地溫度差異較大會出現(xiàn)一些開機(jī)不良的現(xiàn)象，即在對行車記錄儀產(chǎn)品中的芯片進(jìn)行高低溫測試時(shí)，出現(xiàn)測試不穩(wěn)定的情況，從而導(dǎo)致開機(jī)不良，主要是和芯片內(nèi)部的ddr的穩(wěn)定度有關(guān)系，因此，如何能夠保證芯片測試的穩(wěn)定性，是目前急需接近的問題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、鑒于上述問題，提出了本發(fā)明實(shí)施例以便提供一種克服上述問題或者至少部分地解決上述問題的一種存儲器的穩(wěn)定參數(shù)的校準(zhǔn)方法、裝置、設(shè)備和介質(zhì)。

2、第一個(gè)方面，本發(fā)明實(shí)施例提供一種存儲器的穩(wěn)定參數(shù)的校準(zhǔn)方法，應(yīng)用于存儲器，所述存儲器和主控芯片封裝在一起，所述方法包括：

3、獲取待測試程序；

4、執(zhí)行所述待測試程序，以使所述主控芯片對待測試存儲器執(zhí)行寫操作或讀操作；

5、在所述待測試存儲器的溫度大于第一預(yù)設(shè)值或待測試存儲器工作預(yù)設(shè)時(shí)間段的情況下，得到所述待測試存儲器的穩(wěn)定參數(shù)，以使所述待測試存儲器采用所述穩(wěn)定參數(shù)工作。

6、可選地，所述穩(wěn)定參數(shù)至少包括突發(fā)長度、cas潛伏期、cas寫潛伏期、行選通周期、時(shí)鐘觸發(fā)后的訪問時(shí)間、寫入/校正時(shí)間、預(yù)充電有效時(shí)間、首命令延遲時(shí)間、行有效至行預(yù)充電時(shí)間、刷新周期、行刷新周期時(shí)間、行單元到行單元的延時(shí)時(shí)間中的一種或多種。

7、可選地，所述方法還包括：

8、根據(jù)預(yù)先設(shè)置的第一延時(shí)時(shí)間，將所述存儲器的上電電壓從第一電壓值提高到第二電壓值；

9、根據(jù)預(yù)先設(shè)置的第二延時(shí)時(shí)間，將所述存儲器的上電電壓從所述第二電壓值提高到第三電壓值，避免所述待測試存儲器的電壓在發(fā)生變化時(shí)出現(xiàn)死機(jī)的現(xiàn)象。

10、可選地，所述方法還包括：

11、在所述待測試的存儲器的溫度大于預(yù)設(shè)溫度值的情況下，每隔預(yù)設(shè)時(shí)間段，根據(jù)實(shí)際采集的溫度，對所述待測試存儲器的穩(wěn)定參數(shù)進(jìn)行調(diào)整。

12、可選地，所述方法還包括：

13、在開機(jī)的情況下，通過預(yù)設(shè)的調(diào)節(jié)程序?qū)λ龃郎y試存儲器的穩(wěn)定參數(shù)進(jìn)行調(diào)節(jié)，直至所述穩(wěn)定參數(shù)達(dá)到穩(wěn)定狀態(tài)；

14、在所述待測試存儲器的穩(wěn)定參數(shù)達(dá)到穩(wěn)定狀態(tài)情況，執(zhí)行主程序。

15、可選地，所述方法還包括：

16、在對所述主控芯片進(jìn)行寫操作和讀操作的中間增加一次對不同地址寫入不同值的操作。

17、第二個(gè)方面，本發(fā)明實(shí)施例提供一種存儲器的穩(wěn)定參數(shù)的校準(zhǔn)裝置，應(yīng)用于存儲器，所述存儲器和主控芯片封裝在一起，該裝置包括：

18、獲取模塊，用于獲取待測試程序；

19、執(zhí)行模塊，用于執(zhí)行所述待測試程序，以使所述主控芯片對待測試存儲器執(zhí)行寫操作或讀操作；

20、校準(zhǔn)模塊，用于在所述待測試存儲器的溫度大于第一預(yù)設(shè)值或待測試存儲器工作預(yù)設(shè)時(shí)間段的情況下，得到所述待測試存儲器的穩(wěn)定參數(shù)，以使所述待測試存儲器采用所述穩(wěn)定參數(shù)工作。

21、可選地，所述穩(wěn)定參數(shù)至少包括突發(fā)長度、cas潛伏期、cas寫潛伏期、行選通周期、時(shí)鐘觸發(fā)后的訪問時(shí)間、寫入/校正時(shí)間、預(yù)充電有效時(shí)間、首命令延遲時(shí)間、行有效至行預(yù)充電時(shí)間、刷新周期、行刷新周期時(shí)間、行單元到行單元的延時(shí)時(shí)間中的一種或多種。

22、可選地，所述校準(zhǔn)模塊，用于：

23、根據(jù)預(yù)先設(shè)置的第一延時(shí)時(shí)間，將所述存儲器的上電電壓從第一電壓值提高到第二電壓值；

24、根據(jù)預(yù)先設(shè)置的第二延時(shí)時(shí)間，將所述存儲器的上電電壓從所述第二電壓值提高到第三電壓值，避免所述待測試存儲器的電壓在發(fā)生變化時(shí)出現(xiàn)死機(jī)的現(xiàn)象。

25、可選地，所述校準(zhǔn)模塊，用于：

26、在所述待測試的存儲器的溫度大于預(yù)設(shè)溫度值的情況下，每隔預(yù)設(shè)時(shí)間段，根據(jù)實(shí)際采集的溫度，對所述待測試存儲器的穩(wěn)定參數(shù)進(jìn)行調(diào)整。

27、可選地，所述校準(zhǔn)模塊，用于：

28、在開機(jī)的情況下，通過預(yù)設(shè)的調(diào)節(jié)程序?qū)λ龃郎y試存儲器的穩(wěn)定參數(shù)進(jìn)行調(diào)節(jié)，直至所述穩(wěn)定參數(shù)達(dá)到穩(wěn)定狀態(tài)；

29、在所述待測試存儲器的穩(wěn)定參數(shù)達(dá)到穩(wěn)定狀態(tài)情況，執(zhí)行主程序。

30、可選地，所述校準(zhǔn)模塊，用于：

31、在對所述主控芯片進(jìn)行寫操作和讀操作的中間增加一次對不同地址寫入不同值的操作。

32、第三個(gè)方面，本發(fā)明實(shí)施例提供一種終端設(shè)備，包括：至少一個(gè)處理器和存儲器；

33、存儲器存儲計(jì)算機(jī)程序；至少一個(gè)處理器執(zhí)行存儲器存儲的計(jì)算機(jī)程序，以實(shí)現(xiàn)第一個(gè)方面提供的存儲器的穩(wěn)定參數(shù)的校準(zhǔn)方法。

34、第四個(gè)方面，本發(fā)明實(shí)施例提供一種計(jì)算機(jī)可讀存儲介質(zhì)，該計(jì)算機(jī)可讀存儲介質(zhì)中存儲有計(jì)算機(jī)程序，計(jì)算機(jī)程序被執(zhí)行時(shí)實(shí)現(xiàn)第一個(gè)方面提供的存儲器的穩(wěn)定參數(shù)的校準(zhǔn)方法。

35、本發(fā)明實(shí)施例包括以下優(yōu)點(diǎn)：

36、本發(fā)明實(shí)施例提供的存儲器的穩(wěn)定參數(shù)的校準(zhǔn)方法、裝置、設(shè)備和介質(zhì)，通過獲取待測試程序；執(zhí)行所述待測試程序，以使所述主控芯片對待測試存儲器執(zhí)行寫操作或讀操作；在所述待測試存儲器的溫度大于第一預(yù)設(shè)值或待測試存儲器工作預(yù)設(shè)時(shí)間段的情況下，得到所述待測試存儲器的穩(wěn)定參數(shù)，以使所述待測試存儲器采用所述穩(wěn)定參數(shù)工作，本申請實(shí)施例中芯片可以內(nèi)置低成本的ddr或者兼容更多型號的ddr，提高芯片本身的競爭力，而且可以通過提高ddr的兼容性，分散ddr型號停產(chǎn)的風(fēng)險(xiǎn)，提高產(chǎn)品競爭力，也可以在和ddr供貨商談判中提高話語權(quán)。

技術(shù)特征：

1.一種存儲器的穩(wěn)定參數(shù)的校準(zhǔn)方法，其特征在于，應(yīng)用于存儲器，所述存儲器和主控芯片封裝在一起，所述方法包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述穩(wěn)定參數(shù)至少包括突發(fā)長度、cas潛伏期、cas寫潛伏期、行選通周期、時(shí)鐘觸發(fā)后的訪問時(shí)間、寫入/校正時(shí)間、預(yù)充電有效時(shí)間、首命令延遲時(shí)間、行有效至行預(yù)充電時(shí)間、刷新周期、行刷新周期時(shí)間、行單元到行單元的延時(shí)時(shí)間中的一種或多種。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法還包括：

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法還包括：

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法還包括：

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法還包括：

7.一種存儲器的穩(wěn)定參數(shù)的校準(zhǔn)裝置，其特征在于，所述裝置包括：

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的裝置，其特征在于，所述穩(wěn)定參數(shù)至少包括突發(fā)長度、cas潛伏期、cas寫潛伏期、行選通周期、時(shí)鐘觸發(fā)后的訪問時(shí)間、寫入/校正時(shí)間、預(yù)充電有效時(shí)間、首命令延遲時(shí)間、行有效至行預(yù)充電時(shí)間、刷新周期、行刷新周期時(shí)間、行單元到行單元的延時(shí)時(shí)間中的一種或多種。

9.一種終端設(shè)備，其特征在于，包括：至少一個(gè)處理器和存儲器；

10.一種計(jì)算機(jī)可讀存儲介質(zhì)，其特征在于，該計(jì)算機(jī)可讀存儲介質(zhì)中存儲有計(jì)算機(jī)程序，所述計(jì)算機(jī)程序被執(zhí)行時(shí)實(shí)現(xiàn)權(quán)利要求1-6中任一項(xiàng)所述的存儲器的穩(wěn)定參數(shù)的校準(zhǔn)方法。

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明實(shí)施例提供了一種存儲器的穩(wěn)定參數(shù)的校準(zhǔn)方法、裝置、設(shè)備和介質(zhì)，通過獲取待測試程序；執(zhí)行所述待測試程序，以使所述主控芯片對待測試存儲器執(zhí)行寫操作或讀操作；在所述待測試存儲器的溫度大于第一預(yù)設(shè)值或待測試存儲器工作預(yù)設(shè)時(shí)間段的情況下，得到所述待測試存儲器的穩(wěn)定參數(shù)，以使所述待測試存儲器采用所述穩(wěn)定參數(shù)工作，本申請實(shí)施例中芯片可以內(nèi)置低成本的DDR或者兼容更多型號的DDR，提高芯片本身的競爭力，而且可以通過提高DDR的兼容性，分散DDR型號停產(chǎn)的風(fēng)險(xiǎn)，提高產(chǎn)品競爭力，也可以在和DDR供貨商談判中提高話語權(quán)。

技術(shù)研發(fā)人員：馮振國,付澤民
受保護(hù)的技術(shù)使用者：凌嘉科技（深圳）有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/12/19