背景技術(shù)：

1、本公開涉及相變存儲(phase-change?memory，pcm)器件及其制造方法。

2、通過改進工藝技術(shù)、電路設(shè)計、編程算法和制造工藝，平面存儲單元被縮放到更小的尺寸。然而，隨著存儲單元的特征尺寸接近下限，平面工藝和制造技術(shù)變得具有挑戰(zhàn)性且成本高昂。結(jié)果，平面存儲單元的存儲密度接近上限。

3、三維(three-dimensional，3d)存儲器架構(gòu)可以解決平面存儲單元中的密度限制。3d存儲器架構(gòu)包括存儲陣列和用于控制進出存儲陣列的信號的外圍器件。例如，pcm可以基于相變材料的電熱加熱和淬火，利用相變材料中非晶相和晶相的電阻率之間的差異。pcm陣列單元可以以3d垂直堆疊以形成3d?pcm。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、在一個方面，一種存儲裝置包括存儲單元陣列和耦合到存儲單元陣列的控制邏輯。存儲單元陣列包括字線、位線以及連接在字線和位線之間的存儲單元。控制邏輯被配置成：接收刷新命令；存儲來自所述存儲單元陣列的第一讀出數(shù)據(jù)；以及響應(yīng)于滿足預(yù)定條件，根據(jù)所述第一讀出數(shù)據(jù)對存儲單元陣列的第一存儲單元重新編程。

2、在一些實施方案中，第一讀出數(shù)據(jù)存儲在所述存儲裝置的高速緩沖存儲器中。

3、在一些實施方案中，存儲裝置還包括：頁緩沖器，耦合到所述存儲單元陣列；以及地址寄存器，耦合到所述控制邏輯。高速緩沖存儲器位于所述頁緩沖器、所述地址寄存器或所述控制邏輯中。

4、在一些實施方案中，第一讀出數(shù)據(jù)以時間間隔被采樣輸出到高速緩沖存儲器。

5、在一些實施方案中，存儲裝置還包括時鐘、計時器、計數(shù)器或它們的組合。

6、在一些實施方案中，當(dāng)時鐘、定時器、計數(shù)器或它們的組合達到預(yù)定條件時，滿足所述預(yù)定條件。

7、在一些實施方案中，預(yù)定條件包括時鐘脈沖數(shù)、電壓脈沖數(shù)或時間間隔。

8、在一些實施方案中，所述存儲單元中的每個存儲單元包括相變存儲(phase-change?memory，pcm)單元。

9、在另一方面，一種系統(tǒng)包括存儲裝置和存儲器控制器，存儲器控制器耦合到存儲裝置且被配置成控制存儲裝置。存儲裝置包括存儲單元陣列和耦合到存儲單元陣列的控制邏輯。存儲單元陣列包括字線、位線以及連接在字線和位線之間的存儲單元。控制邏輯被配置成：接收刷新命令；存儲來自所述存儲單元陣列的第一讀出數(shù)據(jù)；以及響應(yīng)于滿足預(yù)定條件，根據(jù)所述第一讀出數(shù)據(jù)對存儲單元陣列的第一存儲單元重新編程。

10、在一些實施方案中，第一讀出數(shù)據(jù)存儲在所述存儲裝置的高速緩沖存儲器中。

11、在一些實施方案中，存儲裝置還包括：頁緩沖器，耦合到所述存儲單元陣列；以及地址寄存器，耦合到所述控制邏輯。高速緩沖存儲器位于頁緩沖區(qū)、地址寄存器或控制邏輯中。

12、在一些實施方案中，第一讀出數(shù)據(jù)以時間間隔被采樣輸出到所述高速緩沖存儲器。

13、在一些實施方案中，存儲裝置還包括：時鐘、計時器、計數(shù)器或它們的組合。

14、在一些實施方案中，當(dāng)時鐘、定時器、計數(shù)器或它們的組合達到預(yù)定條件時，滿足預(yù)定條件。

15、在一些實施方案中，預(yù)定條件包括時鐘脈沖數(shù)、電壓脈沖數(shù)或時間間隔。

16、在一些實施方案中，存儲單元中的每個存儲單元包括相變存儲(pcm)單元。

17、在又一方面，提供了一種用于操作存儲裝置的方法。存儲裝置包括存儲單元陣列。存儲單元陣列包括字線、位線以及連接在字線和位線之間的存儲單元。該方法包括：接收刷新命令；存儲來自所述存儲單元陣列的第一讀出數(shù)據(jù)；以及響應(yīng)于滿足預(yù)定條件，根據(jù)第一讀出數(shù)據(jù)對存儲單元陣列的第一存儲單元重新編程。

18、在一些實施方案中，該方法還包括：將第一讀出數(shù)據(jù)存儲在存儲裝置的高速緩沖存儲器中。

19、在一些實施方案中，該方法還包括：以時間間隔將第一讀出數(shù)據(jù)采樣輸出到所述高速緩沖存儲器。

20、在一些實施方案中，該方法還包括：將第一讀出數(shù)據(jù)傳輸至存儲器控制器或主機。

技術(shù)特征：

1.一種存儲裝置，包括：

2.如權(quán)利要求1所述的存儲裝置，其中，所述第一讀出數(shù)據(jù)存儲在所述存儲裝置的高速緩沖存儲器中。

3.如權(quán)利要求2所述的存儲裝置，還包括：

4.如權(quán)利要求2所述的存儲裝置，其中，所述第一讀出數(shù)據(jù)以時間間隔被采樣輸出到所述高速緩沖存儲器。

5.如權(quán)利要求1所述的存儲裝置，還包括：

6.如權(quán)利要求1所述的存儲裝置，其中，當(dāng)時鐘、定時器、計數(shù)器或其組合達到所述預(yù)定條件時，所述預(yù)定條件被滿足。

7.如權(quán)利要求1所述的存儲裝置，其中，所述預(yù)定條件包括時鐘脈沖數(shù)、電壓脈沖數(shù)或時間間隔。

8.如權(quán)利要求1所述的存儲裝置，其中，所述存儲單元中的每個存儲單元包括相變存儲(pcm)單元。

9.一種系統(tǒng)，包括：

10.如權(quán)利要求9所述的系統(tǒng)，其中，所述第一讀出數(shù)據(jù)存儲在所述存儲裝置的高速緩沖存儲器中。

11.如權(quán)利要求10所述的系統(tǒng)，其中，所述存儲裝置還包括：

12.如權(quán)利要求10所述的系統(tǒng)，其中，所述第一讀出數(shù)據(jù)以時間間隔被采樣輸出到所述高速緩沖存儲器。

13.如權(quán)利要求9所述的系統(tǒng)，其中，所述存儲裝置還包括：

14.如權(quán)利要求9所述的系統(tǒng)，其中，當(dāng)時鐘、定時器、計數(shù)器或它們的組合達到所述預(yù)定條件時，所述預(yù)定條件被滿足。

15.如權(quán)利要求9所述的系統(tǒng)，其中，所述預(yù)定條件包括時鐘脈沖數(shù)、電壓脈沖數(shù)或時間間隔。

16.如權(quán)利要求9所述的系統(tǒng)，其中，所述存儲單元中的每個存儲單元包括相變存儲(pcm)單元。

17.一種用于操作存儲裝置的方法，其中，所述存儲裝置包括存儲單元陣列，所述存儲單元陣列包括字線、位線以及連接在所述字線和所述位線之間的存儲單元，并且所述方法包括：

18.如權(quán)利要求17所述的方法，還包括：

19.如權(quán)利要求18所述的方法，還包括：

20.如權(quán)利要求17所述的方法，還包括：

技術(shù)總結(jié)
一種存儲裝置包括存儲單元陣列和耦合到存儲單元陣列的控制邏輯。存儲單元陣列包括字線、位線以及連接在字線和位線之間的存儲單元?？刂七壿嫳慌渲贸桑航邮账⑿旅?；存儲來自存儲單元陣列的第一讀出數(shù)據(jù)；并且響應(yīng)于滿足預(yù)定條件，根據(jù)第一讀出數(shù)據(jù)對存儲單元陣列的第一存儲單元重新編程。

技術(shù)研發(fā)人員：李建平,董祖奇,孫曉軍
受保護的技術(shù)使用者：長江先進存儲產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新中心有限責(zé)任公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/12/19