技術特征：

技術總結
本發(fā)明屬于磁存儲技術領域，具體為交換耦合復合磁記錄介質及其制備方法。本發(fā)明復合磁記錄介質是一種耦合復合膜，從下至上依次是：軟磁層、中間層、硬磁層和保護層，襯底采用單晶MgO基片，軟磁層為厚度t的FeRu層，中間層為Pt層，硬磁層為L10?FePt，保護層為Pt層。本發(fā)明解決了傳統(tǒng)ECC結構在信息寫入時，下層與磁頭距離過大所獲磁場不足的問題。該結構中，硬磁層為5.0?nm厚的高有序度L10?FePt薄膜，其矯頑力約為9.0?kOe；通過引入軟磁層FeRu，當軟磁層厚度為10.0?nm時復合薄膜的整體矯頑力可降至2.2kOe；當外場與膜面法線夾角從0°?60°變化時，ECC薄膜的矯頑力角度特性曲線展現(xiàn)出良好的角度包容性。這些性能的提高對信息的寫入十分有利。

技術研發(fā)人員：張宗芝;林亮;朱振東;趙柄丞;朱偉驊;金慶原
受保護的技術使用者：復旦大學
技術研發(fā)日：2017.04.03
技術公布日：2017.09.01