技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了一種基于STT?MTJ的MRAM單元控制電路，其包括第一字線邏輯電路、負(fù)脈沖產(chǎn)生電路、第二字線控制電路、第一反相器和第二反相器；所述第一字線邏輯電路的輸出端連接到第一反相器的輸入端，所述第一反相器的輸出端連接到第一字線，所述第一反相器的接地端連接到負(fù)脈沖產(chǎn)生電路；所述第二字線控制電路的輸出端連接到第二反相器的輸入端，所述第二反相器的輸出端連接到第二字線。本發(fā)明能夠補償寫0過程電流，從而有效避免寫0過程產(chǎn)生誤操作。

技術(shù)研發(fā)人員：張一平;王子歐;季愛明;張立軍;李有忠
受保護的技術(shù)使用者：蘇州大學(xué)
文檔號碼：201710063686
技術(shù)研發(fā)日：2017.02.03
技術(shù)公布日：2017.05.31