本發(fā)明涉及芯片測試技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種Flash存儲(chǔ)器的優(yōu)化測試方法及優(yōu)化測試裝置。

背景技術(shù)：

Flash存儲(chǔ)器在電子系統(tǒng)中廣泛應(yīng)用于存儲(chǔ)電子數(shù)據(jù)。作為各電子系統(tǒng)內(nèi)部存儲(chǔ)單元的核心器件，F(xiàn)lash存儲(chǔ)器的質(zhì)量直接影響著電子系統(tǒng)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的質(zhì)量，從而影響整個(gè)系統(tǒng)的運(yùn)行。因此，F(xiàn)lash存儲(chǔ)器的測試對于保障電子系統(tǒng)的運(yùn)行功能和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)具有重大意義，也為航空航天等重要產(chǎn)業(yè)保駕護(hù)航起到關(guān)鍵作用。由于Flash存儲(chǔ)器的固有特性，其各項(xiàng)操作都需要一定的操作時(shí)間，且操作的最小時(shí)間在一定范圍內(nèi)是不固定的，因此通常對Flash存儲(chǔ)器進(jìn)行測試時(shí)，所需要的時(shí)間較長，且有可能因?yàn)樽钚〔僮鲿r(shí)間未知而導(dǎo)致一些時(shí)間的浪費(fèi)，致使出現(xiàn)Flash存儲(chǔ)器的測試時(shí)間長效率低和測試成本較高的問題。因此，在保證測試覆蓋率的前提下，實(shí)現(xiàn)一種Flash存儲(chǔ)器的優(yōu)化測試方法，提高測試效率，降低測試成本，具有重大的現(xiàn)實(shí)意義。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

有鑒于此，本發(fā)明的目的在于提出一種Flash存儲(chǔ)器的優(yōu)化測試方法及優(yōu)化測試裝置，包含對測試向量的算法進(jìn)行優(yōu)化以及采用并行測試技術(shù)，在保證測試覆蓋率的前提下大幅度提高了Flash存儲(chǔ)器的測試效率，降低了測試成本。

基于上述目的，本發(fā)明提供的一種Flash存儲(chǔ)器的優(yōu)化測試方法，其包括：

測試向量生成步驟，生成測試向量；

測試時(shí)間優(yōu)化步驟，對所述測試向量的算法進(jìn)行優(yōu)化，自動(dòng)適應(yīng)被測Flash存儲(chǔ)器在本次測試中的最小操作時(shí)間，并且按該最小操作時(shí)間進(jìn)行操作，使測試時(shí)間接近因Flash存儲(chǔ)器固有特性限制的最小時(shí)間；

并行測試控制步驟，允許所述多個(gè)Flash存儲(chǔ)器測試裝置根據(jù)所述測試向量在同一時(shí)間進(jìn)行多個(gè)工位多個(gè)被測Flash存儲(chǔ)器的并行測試；

測試結(jié)果接收步驟，接收來自所述多個(gè)Flash存儲(chǔ)器測試裝置各自對應(yīng)的測試結(jié)果。

優(yōu)選地，根據(jù)本發(fā)明的Flash存儲(chǔ)器的優(yōu)化測試方法，所述測試時(shí)間優(yōu)化步驟包括：將所述測試向量發(fā)送給多個(gè)Flash存儲(chǔ)器測試裝置，對所述測試向量的算法進(jìn)行優(yōu)化，使Flash存儲(chǔ)器在測試時(shí)，對擦除和寫入操作的標(biāo)志位或結(jié)果進(jìn)行判斷，當(dāng)判斷操作結(jié)束且成功后，不再等待剩余的操作時(shí)間而繼續(xù)向下進(jìn)行。

根據(jù)本發(fā)明的Flash存儲(chǔ)器的優(yōu)化測試方法，所述并行測試包括：

構(gòu)建多個(gè)線程或者進(jìn)程，每一個(gè)線程或者進(jìn)程用于控制一個(gè)Flash存儲(chǔ)器，各個(gè)線程或進(jìn)程相互獨(dú)立；

每一個(gè)線程或者進(jìn)程分別獨(dú)立連接存儲(chǔ)器測試裝置，各個(gè)線程或者進(jìn)程同步運(yùn)行；以及

當(dāng)一個(gè)線程或進(jìn)程完成對Flash存儲(chǔ)器測試裝置的操作后，該線程或進(jìn)程立即釋放該Flash存儲(chǔ)器測試裝置，從而其它的線程或者進(jìn)程能夠繼續(xù)使用Flash存儲(chǔ)器測試裝置。

進(jìn)一步地，根據(jù)本發(fā)明的Flash存儲(chǔ)器的優(yōu)化測試方法，所述測試向量由控制器生成，并通過總線將所述測試向量發(fā)送給多個(gè)Flash存儲(chǔ)器測試裝置。

另一方面，本發(fā)明還提供一種Flash存儲(chǔ)器的優(yōu)化測試裝置，其包括：

測試向量生成模塊，生成測試向量；

測試時(shí)間優(yōu)化模塊，對所述測試向量的算法進(jìn)行優(yōu)化，自動(dòng)適應(yīng)被測Flash存儲(chǔ)器在此次測試中的最小操作時(shí)間，并且按該最小操作時(shí)間進(jìn)行操作，使測試時(shí)間接近因Flash存儲(chǔ)器固有特性限制的最小時(shí)間；

并行測試控制模塊，允許所述多個(gè)Flash存儲(chǔ)器測試裝置根據(jù)所述測試向量在同一時(shí)間進(jìn)行多個(gè)工位多個(gè)被測Flash存儲(chǔ)器的并行測試；以及

測試結(jié)果接收模塊，接收來自所述多個(gè)Flash存儲(chǔ)器測試裝置各自對應(yīng)的測試結(jié)果。

優(yōu)選地，根據(jù)本發(fā)明的Flash存儲(chǔ)器的優(yōu)化測試裝置，所述測試時(shí)間優(yōu)化模塊包括：

測試向量優(yōu)化子模塊，將所述測試向量發(fā)送給多個(gè)Flash存儲(chǔ)器測試裝置，對所述測試向量的算法進(jìn)行優(yōu)化；以及

判斷子模塊，根據(jù)測試所述向量優(yōu)化子模塊的優(yōu)化結(jié)果，使Flash存儲(chǔ)器在測試時(shí)，對擦除和寫入操作的標(biāo)志位或結(jié)果進(jìn)行判斷，當(dāng)判斷操作結(jié)束且成功后，不再等待剩余的操作時(shí)間而繼續(xù)向下進(jìn)行。

進(jìn)一步地，根據(jù)本發(fā)明的Flash存儲(chǔ)器的優(yōu)化測試裝置，所述并行測試控制模塊進(jìn)一步包括：

線程或進(jìn)程構(gòu)建子模塊，構(gòu)建多個(gè)線程或者進(jìn)程，每一個(gè)線程或者進(jìn)程用于控制一個(gè)Flash存儲(chǔ)器，各個(gè)線程或進(jìn)程相互獨(dú)立；

同步運(yùn)行子模塊，控制每一個(gè)線程或者進(jìn)程分別獨(dú)立連接Flash存儲(chǔ)器測試裝置，各個(gè)線程或者進(jìn)程同步運(yùn)行；以及

存儲(chǔ)器測試裝置搶占子模塊，控制當(dāng)一個(gè)線程或進(jìn)程完成對測試儀的操作后，該線程或進(jìn)程立即釋放Flash存儲(chǔ)器測試裝置，從而其它線程或者進(jìn)程能夠繼續(xù)使用Flash存儲(chǔ)器測試裝置。

優(yōu)選地，根據(jù)本發(fā)明的Flash存儲(chǔ)器的優(yōu)化測試裝置，通過總線將所述測試向量發(fā)送給所述多個(gè)Flash存儲(chǔ)器測試裝置。

從上面所述可以看出，根據(jù)本發(fā)明提供的Flash存儲(chǔ)器的優(yōu)化測試方案，由于采用了并行測試技術(shù)，能夠使Flash存儲(chǔ)器的測試程序在同一時(shí)間進(jìn)行多個(gè)工位多個(gè)被測Flash存儲(chǔ)器的并行測試，可準(zhǔn)確定位和顯示各并行工位的測試結(jié)果，大幅度降低單只Flash存儲(chǔ)器的測試時(shí)間。另外，由于測試時(shí)，使測試時(shí)間接近因Flash存儲(chǔ)器固有特性限制的最小時(shí)間，故避免了由于最小操作時(shí)間未知所導(dǎo)致的時(shí)間浪費(fèi)。

附圖說明

圖1為本發(fā)明實(shí)施例的Flash存儲(chǔ)器優(yōu)化測試方法的流程圖。

圖2為本發(fā)明實(shí)施例的并行測試方法的具體流程圖。

圖3為本發(fā)明實(shí)施例的Flash存儲(chǔ)器優(yōu)化測試裝置的結(jié)構(gòu)框圖。

圖4為本發(fā)明實(shí)施例的并行測試控制模塊的結(jié)構(gòu)框圖。

具體實(shí)施方式

為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白，以下結(jié)合具體實(shí)施例，并參照附圖，對本發(fā)明進(jìn)一步詳細(xì)說明。

需要說明的是，本發(fā)明實(shí)施例中所有使用“第一”和“第二”的表述均是為了區(qū)分兩個(gè)相同名稱非相同的實(shí)體或者非相同的參量，可見“第一”“第二”僅為了表述的方便，不應(yīng)理解為對本發(fā)明實(shí)施例的限定，后續(xù)實(shí)施例對此不再一一說明。

本發(fā)明提供一種Flash存儲(chǔ)器的優(yōu)化測試方法，其包括：

測試向量生成步驟，生成測試向量；

測試時(shí)間優(yōu)化步驟，對所述測試向量的算法進(jìn)行優(yōu)化，自動(dòng)適應(yīng)被測Flash存儲(chǔ)器在本次測試中的最小操作時(shí)間，并且按該最小操作時(shí)間進(jìn)行操作，使測試時(shí)間接近因Flash存儲(chǔ)器固有特性限制的最小時(shí)間；

并行測試控制步驟，允許所述多個(gè)Flash存儲(chǔ)器測試裝置根據(jù)所述測試向量在同一時(shí)間進(jìn)行多個(gè)工位多個(gè)被測Flash存儲(chǔ)器的并行測試；

測試結(jié)果接收步驟，接收來自所述多個(gè)Flash存儲(chǔ)器測試裝置各自對應(yīng)的測試結(jié)果。

眾所周知，半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的測試有功能測試、直流參數(shù)測試、交流參數(shù)測試，而功能測試和交流參數(shù)測試對存儲(chǔ)器來說是至關(guān)重要的。對于Flash存儲(chǔ)器的測試而言，其常見的測試方法諸如奇偶校驗(yàn)圖形檢驗(yàn)法(在奇偶性圖形檢驗(yàn)法中，向存儲(chǔ)單元矩陣寫入的數(shù)據(jù)圖案是根據(jù)存儲(chǔ)單元選址地址碼的奇偶性而定的)、齊步法(是對存儲(chǔ)器的每個(gè)單元依次進(jìn)行檢驗(yàn)的一種方法)等等。

通常，F(xiàn)lash存儲(chǔ)器的測試方法可按照如下步驟進(jìn)行：

第一步，生成測試向量；

第二步，將所述測試向量發(fā)送給多個(gè)存儲(chǔ)器測試裝置，以使得所述多個(gè)存儲(chǔ)器測試裝置根據(jù)所述測試向量對各自對應(yīng)的待測試的Flash存儲(chǔ)器分別進(jìn)行測試；

第三步，接收來自所述多個(gè)Flash存儲(chǔ)器測試裝置各自對應(yīng)的測試結(jié)果。

優(yōu)選地，通過控制器生成測試向量，通過總線將所述測試向量發(fā)送給多個(gè)Flash存儲(chǔ)器測試裝置。

在上述測試中，通過控制器生成的測試向量對Flash存儲(chǔ)器測試裝置各自對應(yīng)的待測試的存儲(chǔ)器分別進(jìn)行測試，不需要針對每一個(gè)存儲(chǔ)器都設(shè)計(jì)相應(yīng)的內(nèi)建自測電路，節(jié)省了對存儲(chǔ)器進(jìn)行測試所需的控制邏輯電路和制作該控制邏輯電路所占用的芯片面積，進(jìn)一步降低了硬件成本。

但是，上述測試中，通常將操作時(shí)間設(shè)置為Flash存儲(chǔ)器允許的最大值，導(dǎo)致操作結(jié)束后有大量的空余時(shí)間沒有進(jìn)行測試操作，或?qū)⒉僮鲿r(shí)間設(shè)置為經(jīng)驗(yàn)值，若測試過程中出現(xiàn)問題則適當(dāng)進(jìn)行調(diào)整，導(dǎo)致測試程序適應(yīng)性差

為了解決上述問題，本發(fā)明中，基于J750HD測試系統(tǒng)對Flash存儲(chǔ)器進(jìn)行測試，通過對測試向量算法進(jìn)行優(yōu)化，使FLASH存儲(chǔ)器在測試時(shí)，對擦除和寫入操作的標(biāo)志位或結(jié)果進(jìn)行判斷，當(dāng)判斷操作結(jié)束且成功后，不再等待剩余的操作時(shí)間而繼續(xù)向下進(jìn)行。也就是說，采用了所謂的“匹配-循環(huán)”法。

采用上述“匹配-循環(huán)”法，可以使測試過程中，測試程序自動(dòng)適應(yīng)被測Flash存儲(chǔ)器在此次測試中的最小操作時(shí)間，并且按該最小操作時(shí)間進(jìn)行操作，使測試時(shí)間接近因Flash存儲(chǔ)器固有特性限制的最小時(shí)間。

另外，現(xiàn)有技術(shù)的上述測試為每次運(yùn)行測試程序只進(jìn)行單只Flash存儲(chǔ)器的測試，故現(xiàn)有的測試方法測試效率較低。

為了加快測試速度，提高測試效果，本發(fā)明基于J750HD測試系統(tǒng)，設(shè)計(jì)出并行測試適配器和并行測試程序，使Flash存儲(chǔ)器的測試程序允許在同一時(shí)間進(jìn)行多個(gè)工位多只被測Flash存儲(chǔ)器的并行測試，并能夠準(zhǔn)確定位和顯示各并行工位的測試結(jié)果，大幅度降低單只Flash存儲(chǔ)器的測試時(shí)間。

如圖1所示，為本發(fā)明的Flash存儲(chǔ)器優(yōu)化測試方法的流程圖。本發(fā)明的Flash存儲(chǔ)器的優(yōu)化測試方法包括：

步驟S101：測試向量生成步驟，生成測試向量。

優(yōu)選地，所述測試向量通過控制器生成，可通過總線將所述測試向量發(fā)送給多個(gè)Flash存儲(chǔ)器測試裝置。

步驟S102：測試時(shí)間優(yōu)化步驟，對所述測試向量的算法進(jìn)行優(yōu)化，自動(dòng)適應(yīng)被測Flash存儲(chǔ)器在此次測試中的最小操作時(shí)間，并且按該最小操作時(shí)間進(jìn)行操作，從而使測試時(shí)間接近因Flash存儲(chǔ)器固有特性限制的最小時(shí)間。

優(yōu)選地，所述步驟S102包括：將所述測試向量發(fā)送給多個(gè)存儲(chǔ)器測試裝置，對所述測試向量的算法進(jìn)行優(yōu)化，從而使Flash存儲(chǔ)器在測試時(shí)，對擦除和寫入操作的標(biāo)志位或結(jié)果進(jìn)行判斷，當(dāng)判斷操作結(jié)束且成功后，不再等待剩余的操作時(shí)間而繼續(xù)向下進(jìn)行。

步驟S103：并行測試控制步驟，允許所述多個(gè)Flash存儲(chǔ)器測試裝置根據(jù)所述測試向量在同一時(shí)間進(jìn)行多個(gè)工位多個(gè)被測Flash存儲(chǔ)器的并行測試。

步驟S104：測試結(jié)果接收步驟，接收來自所述多個(gè)Flash存儲(chǔ)器測試裝置各自對應(yīng)的測試結(jié)果。

如圖2所示，為本發(fā)明的上述并行測試的具體流程。如該圖2所示，在一些實(shí)施例中，上述并行測試可包括如下步驟：

線程或進(jìn)程構(gòu)建步驟S201，構(gòu)建多個(gè)線程或者進(jìn)程，每一個(gè)線程或者進(jìn)程用于控制一個(gè)Flash存儲(chǔ)器，各個(gè)線程或進(jìn)程相互獨(dú)立；

同步運(yùn)行步驟S202，每一個(gè)線程或者進(jìn)程分別獨(dú)立連接Flash存儲(chǔ)器測試裝置，各個(gè)線程或者進(jìn)程同步運(yùn)行；

存儲(chǔ)器測試裝置搶占步驟S203，當(dāng)一個(gè)線程或進(jìn)程完成對Flash存儲(chǔ)器測試裝置的操作后，該線程或進(jìn)程立即釋放該Flash存儲(chǔ)器測試裝置，從而其它的線程或者進(jìn)程能夠繼續(xù)使用Flash存儲(chǔ)器測試裝置。

本發(fā)明的上述Flash存儲(chǔ)器優(yōu)化測試方法實(shí)用性強(qiáng)，使用簡便，運(yùn)行可靠，能夠優(yōu)化現(xiàn)有的Flash存儲(chǔ)器測試方法，提高了Flash存儲(chǔ)器測試的效率，保證了電子系統(tǒng)存儲(chǔ)單元的質(zhì)量和可靠性。

另一方面，本發(fā)明還提供一種Flash存儲(chǔ)器優(yōu)化測試裝置，其包括：

測試向量生成模塊：生成測試向量。

測試時(shí)間優(yōu)化模塊：對所述測試向量的算法進(jìn)行優(yōu)化，自動(dòng)適應(yīng)被測Flash存儲(chǔ)器在此次測試中的最小操作時(shí)間，并且按該最小操作時(shí)間進(jìn)行操作，使測試時(shí)間接近因Flash存儲(chǔ)器固有特性限制的最小時(shí)間。

并行測試控制模塊：允許所述多個(gè)Flash存儲(chǔ)器測試裝置根據(jù)所述測試向量在同一時(shí)間進(jìn)行多個(gè)工位多個(gè)被測Flash存儲(chǔ)器的并行測試。

測試結(jié)果接收模塊：接收來自所述多個(gè)Flash存儲(chǔ)器測試裝置各自對應(yīng)的測試結(jié)果。

如圖3所示，為本發(fā)明的Flash存儲(chǔ)器優(yōu)化測試裝置的結(jié)構(gòu)框圖，該優(yōu)化測試裝置包括：

測試向量生成模塊101：生成測試向量。

優(yōu)選地，測試向量生成模塊101設(shè)置在控制器中，通過總線將所述測試向量發(fā)送給多個(gè)Flash存儲(chǔ)器測試裝置。

測試時(shí)間優(yōu)化模塊102：對所述測試向量的算法進(jìn)行優(yōu)化，自動(dòng)適應(yīng)被測Flash存儲(chǔ)器在此次測試中的最小操作時(shí)間，并且按該最小操作時(shí)間進(jìn)行操作，使測試時(shí)間接近因Flash存儲(chǔ)器固有特性限制的最小時(shí)間。

優(yōu)選地，上述測試時(shí)間優(yōu)化模塊102可包括：

測試向量優(yōu)化子模塊(未圖示)，將所述測試向量發(fā)送給多個(gè)存儲(chǔ)器測試裝置，對所述測試向量的算法進(jìn)行優(yōu)化；以及

判斷子模塊(未圖示)，根據(jù)測試向量優(yōu)化子模塊的優(yōu)化結(jié)果，使Flash存儲(chǔ)器在測試時(shí)，對擦除和寫入操作的標(biāo)志位或結(jié)果進(jìn)行判斷，當(dāng)判斷操作結(jié)束且成功后，不再等待剩余的操作時(shí)間而繼續(xù)向下進(jìn)行。

并行測試控制模塊103：允許所述多個(gè)Flash存儲(chǔ)器測試裝置根據(jù)所述測試向量在同一時(shí)間進(jìn)行多個(gè)工位多個(gè)被測Flash存儲(chǔ)器的并行測試。

測試結(jié)果接收模塊104：接收來自所述多個(gè)Flash存儲(chǔ)器測試裝置各自對應(yīng)的測試結(jié)果。

如圖4所示，為本發(fā)明實(shí)施例的并行測試控制模塊的結(jié)構(gòu)框圖。在一些實(shí)施例中，上述并行測試控制模塊103還包括：

線程或進(jìn)程構(gòu)建子模塊1031，構(gòu)建多個(gè)線程或者進(jìn)程，每一個(gè)線程或者進(jìn)程用于控制一個(gè)Flash存儲(chǔ)器，各個(gè)線程或進(jìn)程相互獨(dú)立；

同步運(yùn)行子模塊1032，控制每一個(gè)線程或者進(jìn)程分別獨(dú)立連接Flash存儲(chǔ)器測試裝置，各個(gè)線程或者進(jìn)程同步運(yùn)行；

存儲(chǔ)器測試裝置搶占子模塊1033，控制當(dāng)一個(gè)線程或進(jìn)程完成對Flash存儲(chǔ)器測試裝置的操作后，該線程或進(jìn)程立即釋放該Flash存儲(chǔ)器測試裝置，從而其它線程或者進(jìn)程能夠繼續(xù)使用Flash存儲(chǔ)器測試裝置。

由于采用了并行測試控制模塊103，能夠使Flash存儲(chǔ)器的測試程序在同一時(shí)間進(jìn)行多個(gè)工位多個(gè)被測Flash存儲(chǔ)器的并行測試，并能夠準(zhǔn)確定位和顯示各并行工位的測試結(jié)果，大幅度降低單只Flash存儲(chǔ)器的測試時(shí)間。

再者，由于測試時(shí)，采用測試時(shí)間優(yōu)化模塊102使測試時(shí)間接近因Flash存儲(chǔ)器固有特性限制的最小時(shí)間，故避免了由于最小操作時(shí)間未知所導(dǎo)致的時(shí)間浪費(fèi)。

所屬領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解：以上任何實(shí)施例的討論僅為示例性的，并非旨在暗示本公開的范圍(包括權(quán)利要求)被限于這些例子；在本發(fā)明的思路下，以上實(shí)施例或者不同實(shí)施例中的技術(shù)特征之間也可以進(jìn)行組合，步驟可以以任意順序?qū)崿F(xiàn)，并存在如上所述的本發(fā)明的不同方面的許多其它變化，為了簡明它們沒有在細(xì)節(jié)中提供。因此，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所做的任何省略、修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。