技術(shù)編號(hào)：12724187
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及芯片測(cè)試技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種Flash存儲(chǔ)器的優(yōu)化測(cè)試方法及優(yōu)化測(cè)試裝置。背景技術(shù)Flash存儲(chǔ)器在電子系統(tǒng)中廣泛應(yīng)用于存儲(chǔ)電子數(shù)據(jù)。作為各電子系統(tǒng)內(nèi)部存儲(chǔ)單元的核心器件，F(xiàn)lash存儲(chǔ)器的質(zhì)量直接影響著電子系統(tǒng)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的質(zhì)量，從而影響整個(gè)系統(tǒng)的運(yùn)行。因此，F(xiàn)lash存儲(chǔ)器的測(cè)試對(duì)于保障電子系統(tǒng)的運(yùn)行功能和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)具有重大意義，也為航空航天等重要產(chǎn)業(yè)保駕護(hù)航起到關(guān)鍵作用。由于Flash存儲(chǔ)器的固有特性，其各項(xiàng)操作都需要一定的操作時(shí)間，且操作的最小時(shí)間在一定范圍內(nèi)是不固定的，因此通常對(duì)...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
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