本發(fā)明涉及集成電路的信息安全技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種安全芯片進(jìn)入測試模式的方法和裝置。

背景技術(shù)：

在芯片生產(chǎn)過程中會存在一些制造缺陷，需要進(jìn)行芯片測試來反映芯片真實情況，篩選出問題芯片。安全芯片也通常都會有測試電路，以確保交給用戶的芯片產(chǎn)品都能正確可靠地工作，因此測試電路是安全芯片必不可少的組成部分。為提高測試效率、減少測試電路的設(shè)計復(fù)雜度，測試電路一般可以訪問芯片內(nèi)部所有資源，測試模式的安全級別非常高。為了有效抵抗攻擊者利用測試模式，盜取安全芯片內(nèi)部用戶關(guān)鍵數(shù)據(jù)、篡改芯片程序等，在芯片完成測試后須將測試電路可靠地、不可逆地予以廢止。

現(xiàn)有技術(shù)通常是將某個控制信號放置到劃片槽，在安全芯片測試完成后通過劃片方式將其劃斷，此后芯片不能再進(jìn)入測試模式。但隨著侵入式攻擊技術(shù)的迅速發(fā)展，使得攻擊者利用各種手段(如FIB等)重新連接劃片槽內(nèi)已劃斷的信號，并使信號的能力大大增強(qiáng)，從而恢復(fù)測試模式電路的功能，獲取安全芯片內(nèi)敏感信息。

為了防止這種攻擊方式導(dǎo)致的安全芯片的測試隱患，現(xiàn)有技術(shù)又提出采用將測試電路部分邏輯電路和部分控制信號放置到劃片槽內(nèi)的方案，以便增大FIB技術(shù)重新恢復(fù)測試電路的難度，使得芯片無法重回測試狀態(tài)。

但是，隨著先進(jìn)工藝不斷發(fā)展，工藝尺寸節(jié)點(diǎn)不斷降低，先進(jìn)低節(jié)點(diǎn)工藝為確保芯片成品的良率，提出不允許在劃片槽內(nèi)放置器件，避免工藝測試參數(shù)的準(zhǔn)確性受到影響，導(dǎo)致流片芯片的性能出現(xiàn)問題。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明提供一種安全芯片進(jìn)入測試模式的方法和裝置，解決現(xiàn)有技術(shù)中安全芯片進(jìn)入測試模式的方案安全性較低，可行性較差，因在劃片槽內(nèi)放置信號或部件所導(dǎo)致的安全芯片無法滿足先進(jìn)低節(jié)點(diǎn)工藝要求，安全芯片的性能下降的技術(shù)問題。

本發(fā)明實施例提供一種安全芯片進(jìn)入測試模式的方法，在安全芯片上電啟動后，包括：

獲取所述安全芯片的測試標(biāo)志字；

根據(jù)所述測試標(biāo)志字和第一關(guān)鍵碼確定進(jìn)入測試模式進(jìn)入階段；

在所述測試模式進(jìn)入階段中，將EFUSE存儲陣列熔斷為第二關(guān)鍵字碼；

根據(jù)所述EFUSE存儲陣列的熔斷值和所述第二關(guān)鍵字碼確定是否進(jìn)入所述安全芯片的測試模式。

本發(fā)明實施例提供的方法中，采用在進(jìn)入安全芯片的測試模式前，先獲取所述安全芯片的測試標(biāo)志字；根據(jù)所述測試標(biāo)志字和第一關(guān)鍵碼確定進(jìn)入測試模式進(jìn)入階段；在所述測試模式進(jìn)入階段中，將EFUSE存儲陣列熔斷為第二關(guān)鍵字碼；根據(jù)所述EFUSE存儲陣列的熔斷值和所述第二關(guān)鍵字碼確定是否進(jìn)入所述安全芯片的測試模式的技術(shù)手段，解決了現(xiàn)有技術(shù)中必須通過在劃片槽內(nèi)放置部件或信號導(dǎo)致的無法滿足先進(jìn)低節(jié)點(diǎn)工藝要求的技術(shù)問題，進(jìn)而實現(xiàn)了在提高進(jìn)入安全芯片測試模式的安全性的同時，無需再劃片槽內(nèi)放置部件或信號，可以滿足先進(jìn)低節(jié)點(diǎn)工藝要求，提高了安全芯片的性能，可行性較強(qiáng)的技術(shù)效果。

可選的，在進(jìn)入所述安全芯片的測試模式完成測試后，該方法還包括：

將所述測試標(biāo)志字置為所述第一關(guān)鍵碼。

可選的，該方法還包括：將所述EFUSE存儲陣列熔斷為全1。

可選的，所述根據(jù)所述EFUSE存儲陣列的熔斷值和所述第二關(guān)鍵字碼確定是否進(jìn)入所述安全芯片的測試模式，包括：

判斷所述EFUSE存儲陣列的熔斷值是否與所述第二關(guān)鍵碼相同；

若判定是，則進(jìn)入所述安全芯片的測試模式；

若判定否，則所述安全芯片無響應(yīng)。

可選的，所述第一關(guān)鍵碼為所述安全芯片制造廠商設(shè)置的一組固定的第一隨機(jī)序列碼；所述第二關(guān)鍵碼為所述安全芯片制造廠商設(shè)置的一組固定的第二隨機(jī)序列碼。

基于同樣的發(fā)明構(gòu)思，本發(fā)明實施例繼續(xù)提供一種安全芯片進(jìn)入測試模式的裝置，包括：

獲取模塊，用于獲取所述安全芯片的測試標(biāo)志字；

確定模塊，用于根據(jù)所述測試標(biāo)志字和第一關(guān)鍵碼確定進(jìn)入測試模式進(jìn)入階段；

熔斷模塊，用于在所述測試模式進(jìn)入階段中，將EFUSE存儲陣列熔斷為第二關(guān)鍵字碼；

安全判定模塊，用于根據(jù)所述EFUSE存儲陣列的熔斷值和所述第二關(guān)鍵字碼確定是否進(jìn)入所述安全芯片的測試模式。

本發(fā)明實施例提供的裝置中，具有在進(jìn)入安全芯片的測試模式前，先獲取所述安全芯片的測試標(biāo)志字；根據(jù)所述測試標(biāo)志字和第一關(guān)鍵碼確定進(jìn)入測試模式進(jìn)入階段；在所述測試模式進(jìn)入階段中，將EFUSE存儲陣列熔斷為第二關(guān)鍵字碼；根據(jù)所述EFUSE存儲陣列的熔斷值和所述第二關(guān)鍵字碼確定是否進(jìn)入所述安全芯片的測試模式的技術(shù)手段，解決了現(xiàn)有技術(shù)中必須通過在劃片槽內(nèi)放置部件或信號導(dǎo)致的無法滿足先進(jìn)低節(jié)點(diǎn)工藝要求的功能，進(jìn)而實現(xiàn)了在提高進(jìn)入安全芯片測試模式的安全性的同時，無需再劃片槽內(nèi)放置部件或信號，可以滿足先進(jìn)低節(jié)點(diǎn)工藝要求，提高了安全芯片的性能，可行性較強(qiáng)的技術(shù)效果。

可選的，該裝置還包括：

置位模塊，用于在進(jìn)入所述安全芯片的測試模式完成測試后，將所述測試標(biāo)志字置為所述第一關(guān)鍵碼。

可選的，所述熔斷模塊，還用于將所述EFUSE存儲陣列熔斷為全1。

可選的，所述安全判定模塊，具體用于判斷所述EFUSE存儲陣列的熔斷值是否與所述第二關(guān)鍵碼相同；若判定是，則進(jìn)入所述安全芯片的測試模式；若判定否，則使所述安全芯片無響應(yīng)。

可選的，所述第一關(guān)鍵碼為所述安全芯片制造廠商設(shè)置的一組固定的第一隨機(jī)序列碼；所述第二關(guān)鍵碼為所述安全芯片制造廠商設(shè)置的一組固定的第二隨機(jī)序列碼。

本發(fā)明的其它特征和優(yōu)點(diǎn)將在隨后的說明書中闡述，并且，部分地從說明書中變得顯而易見，或者通過實施本發(fā)明而了解。本發(fā)明的目的和其他優(yōu)點(diǎn)可通過在所寫的說明書、權(quán)利要求書、以及附圖中所特別指出的結(jié)構(gòu)來實現(xiàn)和獲得。

下面通過附圖和實施例，對本發(fā)明的技術(shù)方案做進(jìn)一步的詳細(xì)描述。

附圖說明

附圖用來提供對本發(fā)明的進(jìn)一步理解，并且構(gòu)成說明書的一部分，與本發(fā)明的實施例一起用于解釋本發(fā)明，并不構(gòu)成對本發(fā)明的限制。在附圖中：

圖1為本發(fā)明實施例一中提供的一種安全芯片進(jìn)入測試模式的方法的流程圖；

圖2為本發(fā)明實施例二中提供的一種安全芯片進(jìn)入測試模式的方法的流程圖；

圖3為本發(fā)明實施例三中提供的一種安全芯片進(jìn)入測試模式的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實施方式

以下結(jié)合附圖對本發(fā)明的優(yōu)選實施例進(jìn)行說明，應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的優(yōu)選實施例僅用于說明和解釋本發(fā)明，并不用于限定本發(fā)明。

實施例一

本發(fā)明實施例提供一種安全芯片進(jìn)入測試模式的方法。該方法適合部署在對安全芯片有測試功能的裝置或設(shè)備上。如圖1所示，在安全芯片上電啟動后，該方法包括：

101，獲取所述安全芯片的測試標(biāo)志字；

其中，可從非易失存儲器中讀取到測試標(biāo)志字。

102，根據(jù)所述測試標(biāo)志字和第一關(guān)鍵碼確定進(jìn)入測試模式進(jìn)入階段；

可選的，所述第一關(guān)鍵碼為所述安全芯片制造廠商設(shè)置的一組固定的第一隨機(jī)序列碼；

本發(fā)明實施例中，在對安全芯片進(jìn)行測試模式前，需要進(jìn)行兩個階段的安全檢測。先是需要檢測進(jìn)入測試前的過程是否符合進(jìn)入測試階段的安全要求，然后再確定是否符合進(jìn)入測試模式進(jìn)入階段的安全要求；在確定進(jìn)入安全芯片的測試模式進(jìn)入階段后，還需要檢測操作是否符合進(jìn)入測試模式的安全要求，執(zhí)行如下步驟：

103，在所述測試模式進(jìn)入階段中，將電子可編程熔絲(EFUSE)存儲陣列熔斷為第二關(guān)鍵字碼；

可選的，所述第二關(guān)鍵碼為所述安全芯片制造廠商設(shè)置的一組固定的第二隨機(jī)序列碼。

104，根據(jù)所述EFUSE存儲陣列的熔斷值和所述第二關(guān)鍵字碼確定是否進(jìn)入所述安全芯片的測試模式。

可選的，上述104可通過如下方式實現(xiàn)，包括：

判斷所述EFUSE存儲陣列的熔斷值是否與所述第二關(guān)鍵碼相同；

若判定是，則進(jìn)入所述安全芯片的測試模式；

若判定否，則所述安全芯片無響應(yīng)。

可選的，在進(jìn)入所述安全芯片的測試模式完成測試后，該方法還包括：

將所述測試標(biāo)志字置為所述第一關(guān)鍵碼。

可選的，該方法還包括：將所述EFUSE存儲陣列熔斷為全1。

本發(fā)明實施例提供的方法中，采用在進(jìn)入安全芯片的測試模式前，先獲取所述安全芯片的測試標(biāo)志字；根據(jù)所述測試標(biāo)志字和第一關(guān)鍵碼確定進(jìn)入測試模式進(jìn)入階段；在所述測試模式進(jìn)入階段中，將EFUSE存儲陣列熔斷為第二關(guān)鍵字碼；根據(jù)所述EFUSE存儲陣列的熔斷值和所述第二關(guān)鍵字碼確定是否進(jìn)入所述安全芯片的測試模式的技術(shù)手段，解決了現(xiàn)有技術(shù)中必須通過在劃片槽內(nèi)放置部件或信號導(dǎo)致的無法滿足先進(jìn)低節(jié)點(diǎn)工藝要求的技術(shù)問題，進(jìn)而實現(xiàn)了在提高進(jìn)入安全芯片測試模式的安全性的同時，無需再劃片槽內(nèi)放置部件或信號，可以滿足先進(jìn)低節(jié)點(diǎn)工藝要求，提高了安全芯片的性能，可行性較強(qiáng)的技術(shù)效果。

實施例二

本發(fā)明實施例具體描述提供一種安全芯片進(jìn)入測試模式的方法，在該方法中通過結(jié)合EFUSE存儲器的特點(diǎn)，提供了一種測試模式進(jìn)入的安全機(jī)制。該安全機(jī)制的原理來自于：

(1)EFUSE存儲器介紹

電子可編程熔絲EFUSE存儲器，采用大電流燒斷的金屬熔絲(Metal Fuse)或多晶桂熔絲(Poly Fuse)的工作原理，來進(jìn)行存儲器編程。

以多晶硅熔絲為例,EFUSE存儲器中多晶硅熔絲的初始阻值很小，有大電流流過多晶硅熔絲時，多晶硅熔絲被熔燒。當(dāng)大電流持續(xù)流過多晶硅熔絲時，會導(dǎo)致多晶硅熔絲被熔斷，多晶硅熔絲的阻值成倍增加，將永久的保持?jǐn)嗔褷顟B(tài)，未熔燒的多晶硅熔絲依然為導(dǎo)通狀態(tài)。EFUSE存儲單元通過判斷多晶硅熔絲是否熔斷，作為數(shù)字信息存儲，一根多晶硅熔絲可存儲一位二進(jìn)制數(shù)——“0”或“1”。一般情況下未被熔燒的多晶硅熔絲對應(yīng)的存儲低電平“0”；被熔斷的多晶硅熔絲稱為被編程，對應(yīng)的存儲高電平“1”。

因此，EFUSE具有一次可編程存儲器的特點(diǎn)，可以提供編程的功能。

(2)EFUSE熔斷的安全機(jī)制

先往芯片輸入測試進(jìn)入指令1，將EFUSE熔斷為序列碼2；然后輸入測試進(jìn)入指令2，啟動內(nèi)部測試電路將EFUSE和芯片內(nèi)部序列碼2進(jìn)行比較判斷；只有相等的情況下，芯片才會進(jìn)入測試模式。

當(dāng)芯片完成測試后，將EFUSE全部熔斷為1，避免芯片再次進(jìn)入測試模式。

(3)非易失存儲器中測試狀態(tài)字的安全機(jī)制

當(dāng)芯片完成測試后，需將芯片非易失存儲器中測試狀態(tài)字置為一固定隨機(jī)序列碼1值，確保芯片再次上電啟動后，安全芯片直接進(jìn)入正常工作模式流程。

基于上述分析，如圖2所示，該方法包括：

200，安全芯片上電啟動；

201，在安全芯片上電啟動后，獲取所述安全芯片的測試標(biāo)志字；

芯片上電啟動后，當(dāng)復(fù)位信號放開時，芯片硬件部分自動從非易失存儲器中讀取測試標(biāo)志字的值。

202，根據(jù)所述測試標(biāo)志字和第一關(guān)鍵碼判定是否進(jìn)入測試模式進(jìn)入階段；若判定否，則執(zhí)行203；若判定是，則執(zhí)行204。

可選的，所述第一關(guān)鍵碼為所述安全芯片制造廠商設(shè)置的一組固定的隨機(jī)序列碼1；

具體而言，判斷測試標(biāo)志字和序列碼1是否相等。如果不相等，安全芯片將進(jìn)入測試模式進(jìn)入判別流程203；如果相等，執(zhí)行204，安全芯片將進(jìn)入正常工作模式。

203，在所述測試模式進(jìn)入階段中，將EFUSE存儲陣列熔斷為第二關(guān)鍵字碼；

可選的，所述第二關(guān)鍵碼為所述安全芯片制造廠商設(shè)置的一組固定的隨機(jī)序列碼2。

通過安全芯片預(yù)先設(shè)計好的IO管腳，往芯片內(nèi)部輸入測試進(jìn)入指令1。

204，安全芯片進(jìn)入正常工作模式；

安全芯片進(jìn)入正常的工作模式，無法再返回測試模式。

205，將EFUSE熔斷為序列碼2。

安全芯片根據(jù)步驟203中輸入的測試進(jìn)入指令1，啟動內(nèi)部測試電路熔斷邏輯，將安全芯片上EFUSE存儲器的128位存儲陣列，熔斷為序列碼2。需要注意的是，只有唯一正確的測試進(jìn)入指令1，才能啟動芯片內(nèi)部測試電路邏輯，并且指導(dǎo)EFUSE存儲陣列熔斷為序列碼2。

序列碼2是由芯片制造廠商設(shè)置的一組固定的隨機(jī)序列碼。

206，輸入測試進(jìn)入指令2。

通過安全芯片預(yù)先設(shè)計好的IO管腳，往芯片內(nèi)部輸入測試進(jìn)入指令2。

207，判斷所述EFUSE存儲陣列的熔斷值是否與所述第二關(guān)鍵碼相同；若判定否，則執(zhí)行208；若判定相同，執(zhí)行209。

安全芯片根據(jù)步驟206中輸入的測試進(jìn)入指令2，啟動內(nèi)部測試電路判別邏輯，判斷安全芯片上EFUSE存儲器的128位存儲陣列值和芯片內(nèi)部序列碼2是否相等。如果相等，執(zhí)行209；如果不相等，執(zhí)行208。

本發(fā)明實施例提供的方案中，通過往芯片輸入測試進(jìn)入指令1，將芯片EFUSE存儲陣列熔斷為一組固定的隨機(jī)序列碼2，再通過往芯片輸入測試進(jìn)入指令2，判別存儲陣列熔斷值和芯片內(nèi)部序列碼2相等，作為芯片進(jìn)入測試模式的條件。

208，所述安全芯片無響應(yīng)；

209，進(jìn)入所述安全芯片的測試模式；

210，進(jìn)行芯片測試；

進(jìn)行安全芯片各功能模塊測試。

211，將所述測試標(biāo)志字置為序列碼1。

安全芯片完成芯片測試后，將非易失存儲器中測試標(biāo)志字置為序列碼1，使得芯片再次上電啟動后，進(jìn)行測試標(biāo)志字和序列碼1判斷是否相等，芯片將進(jìn)入正常工作模式，不能再進(jìn)入測試模式。

212，將所述EFUSE存儲陣列熔斷為全1；

即將EFUSE的值全部熔斷為1。

本實施例中，采用將安全芯片上EFUSE存儲陣列全部熔斷為1的技術(shù)手段，使得測試模式進(jìn)入判別流程在比對判別EFUSE和序列碼2是否相等時，芯片無響應(yīng)，確保安全芯片無法再次進(jìn)入測試模式。此外，采用了將芯片EFUSE存儲陣列熔斷為全1的技術(shù)手段，可避免攻擊者利用FIB修改等侵入式攻擊技術(shù)，重新恢復(fù)芯片測試模式。

本發(fā)明實施例提供的方法，與現(xiàn)有技術(shù)中通過劃片方式將劃片槽內(nèi)信號或者邏輯電路劃斷方式，避免芯片測試模式被恢復(fù)的技術(shù)相比，具有不僅可以免于在劃片槽內(nèi)放置信號或者器件，符合先進(jìn)低節(jié)點(diǎn)工藝實現(xiàn)需求的技術(shù)效果，而且還通過采用先將電子可編程熔絲(EFUSE)存儲陣列熔斷為一組固定隨機(jī)序列碼，測試完成后將EFUSE存儲陣列全部熔斷，結(jié)合非易失存儲器中的測試狀態(tài)字技術(shù)重重保證了芯片無法再次進(jìn)入測試模式，該方案可廣泛應(yīng)用于各類安全芯片。

實施例三

為了便于上述實施例一、二中的方法實現(xiàn)，本發(fā)明實施例繼續(xù)提供一種安全芯片進(jìn)入測試模式的裝置，如圖3所示，包括：

獲取模塊31，用于獲取所述安全芯片的測試標(biāo)志字；

確定模塊32，用于根據(jù)所述測試標(biāo)志字和第一關(guān)鍵碼確定進(jìn)入測試模式進(jìn)入階段；

熔斷模塊33，用于在所述測試模式進(jìn)入階段中，將EFUSE存儲陣列熔斷為第二關(guān)鍵字碼；

安全判定模塊34，用于根據(jù)所述EFUSE存儲陣列的熔斷值和所述第二關(guān)鍵字碼確定是否進(jìn)入所述安全芯片的測試模式。

本發(fā)明實施例提供的裝置中，具有在進(jìn)入安全芯片的測試模式前，先獲取所述安全芯片的測試標(biāo)志字；根據(jù)所述測試標(biāo)志字和第一關(guān)鍵碼確定進(jìn)入測試模式進(jìn)入階段；在所述測試模式進(jìn)入階段中，將EFUSE存儲陣列熔斷為第二關(guān)鍵字碼；根據(jù)所述EFUSE存儲陣列的熔斷值和所述第二關(guān)鍵字碼確定是否進(jìn)入所述安全芯片的測試模式的技術(shù)手段，解決了現(xiàn)有技術(shù)中必須通過在劃片槽內(nèi)放置部件或信號導(dǎo)致的無法滿足先進(jìn)低節(jié)點(diǎn)工藝要求的功能，進(jìn)而實現(xiàn)了在提高進(jìn)入安全芯片測試模式的安全性的同時，無需再劃片槽內(nèi)放置部件或信號，可以滿足先進(jìn)低節(jié)點(diǎn)工藝要求，提高了安全芯片的性能，可行性較強(qiáng)的技術(shù)效果。

可選的，該裝置還包括：置位模塊，用于在進(jìn)入所述安全芯片的測試模式完成測試后，將所述測試標(biāo)志字置為所述第一關(guān)鍵碼。

可選的，所述熔斷模塊，還用于將所述EFUSE存儲陣列熔斷為全1。

可選的，所述安全判定模塊，具體用于判斷所述EFUSE存儲陣列的熔斷值是否與所述第二關(guān)鍵碼相同；若判定是，則進(jìn)入所述安全芯片的測試模式；若判定否，則使所述安全芯片無響應(yīng)。

可選的，所述第一關(guān)鍵碼為所述安全芯片制造廠商設(shè)置的一組固定的第一隨機(jī)序列碼；所述第二關(guān)鍵碼為所述安全芯片制造廠商設(shè)置的一組固定的第二隨機(jī)序列碼。

本發(fā)明實施例提供了一種安全芯片的測試模式進(jìn)入裝置，其主要特點(diǎn)是安全性高、可行性高，滿足先進(jìn)低節(jié)點(diǎn)工藝的流片要求，很好地阻止安全芯片測試模式反向激活。

本領(lǐng)域內(nèi)的技術(shù)人員應(yīng)明白，本發(fā)明的實施例可提供為方法、系統(tǒng)、或計算機(jī)程序產(chǎn)品。因此，本發(fā)明可采用完全硬件實施例、完全軟件實施例、或結(jié)合軟件和硬件方面的實施例的形式。而且，本發(fā)明可采用在一個或多個其中包含有計算機(jī)可用程序代碼的計算機(jī)可用存儲介質(zhì)(包括但不限于磁盤存儲器和光學(xué)存儲器等)上實施的計算機(jī)程序產(chǎn)品的形式。

本發(fā)明是參照根據(jù)本發(fā)明實施例的方法、設(shè)備(系統(tǒng))、和計算機(jī)程序產(chǎn)品的流程圖和/或方框圖來描述的。應(yīng)理解可由計算機(jī)程序指令實現(xiàn)流程圖和/或方框圖中的每一流程和/或方框、以及流程圖和/或方框圖中的流程和/或方框的結(jié)合?？商峁┻@些計算機(jī)程序指令到通用計算機(jī)、專用計算機(jī)、嵌入式處理機(jī)或其他可編程數(shù)據(jù)處理設(shè)備的處理器以產(chǎn)生一個機(jī)器，使得通過計算機(jī)或其他可編程數(shù)據(jù)處理設(shè)備的處理器執(zhí)行的指令產(chǎn)生用于實現(xiàn)在流程圖一個流程或多個流程和/或方框圖一個方框或多個方框中指定的功能的裝置。

這些計算機(jī)程序指令也可存儲在能引導(dǎo)計算機(jī)或其他可編程數(shù)據(jù)處理設(shè)備以特定方式工作的計算機(jī)可讀存儲器中，使得存儲在該計算機(jī)可讀存儲器中的指令產(chǎn)生包括指令裝置的制造品，該指令裝置實現(xiàn)在流程圖一個流程或多個流程和/或方框圖一個方框或多個方框中指定的功能。

這些計算機(jī)程序指令也可裝載到計算機(jī)或其他可編程數(shù)據(jù)處理設(shè)備上，使得在計算機(jī)或其他可編程設(shè)備上執(zhí)行一系列操作步驟以產(chǎn)生計算機(jī)實現(xiàn)的處理，從而在計算機(jī)或其他可編程設(shè)備上執(zhí)行的指令提供用于實現(xiàn)在流程圖一個流程或多個流程和/或方框圖一個方框或多個方框中指定的功能的步驟。

顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對本發(fā)明進(jìn)行各種改動和變型而不脫離本發(fā)明的精神和范圍。這樣，倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本發(fā)明也意圖包含這些改動和變型在內(nèi)。