技術特征：

技術總結
一種磁記錄介質用基底，包括：襯底，其由鋁合金制成；以及膜，其由NiP基合金制成并設置在所述襯底上，其中，所述襯底的鋁合金含有0.2質量％～6質量％范圍內的Mg、3質量％～17質量％范圍內的Si、0.05質量％～2質量％范圍內的Zn、及0.001質量％～1質量％范圍內的Sr，所述襯底的合金結構中的Si顆粒的平均粒徑為2μm以下，所述膜具有10μm以上厚度，所述襯底具有53mm以上的外徑、0.9mm以下的厚度、及79GPa以上的楊氏模量。

技術研發(fā)人員：幸松孝治;村瀨功;杉本公德;小林智也
受保護的技術使用者：昭和電工株式會社
技術研發(fā)日：2016.12.14
技術公布日：2017.08.04