技術(shù)編號(hào):11621664
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊 ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。磁記錄介質(zhì)用基底相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用本申請(qǐng)以在2015年12月25日申請(qǐng)的日本專利申請(qǐng)第2015-253174號(hào)作為要求優(yōu)先權(quán)的基礎(chǔ),本申請(qǐng)?jiān)撊毡緦@暾?qǐng)的全部內(nèi)容。技術(shù)領(lǐng)域本發(fā)明涉及一種磁記錄介質(zhì)用基底。背景技術(shù)存在要顯著地改善用于硬盤驅(qū)動(dòng)器中的磁記錄介質(zhì)的記錄密度(或存儲(chǔ)容量)的需求。特別是,MR(Magneto-Resistive:磁阻)磁頭及PRML(PartialResponseMaximumLikelihood:局部響應(yīng)最大擬然)技術(shù)的導(dǎo)入進(jìn)一步提高了磁記錄介質(zhì)的面內(nèi)記錄密度。另一...
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