1.一種集成電路，其特征在于，包含：
一可編程控制元件，包含金屬氧化物；以及
一電路，耦接至該可編程控制元件，該電路用于執(zhí)行一編程-驗(yàn)證(program-verify)操作，包含：
(i)一編程操作與一驗(yàn)證操作的一初始周期，包含：
進(jìn)行一初始編程操作，用于建立該可編程控制元件的一存儲單元電阻值(cell resistance)，該初始編程操作包含將具有一第一極性的一初始編程脈沖施加至該可編程控制元件；以及
進(jìn)行一初始驗(yàn)證操作，用于判斷該可編程控制元件的該存儲單元電阻值是否介于一電阻值的目標(biāo)范圍(target resistance range)內(nèi)；以及
(ii)在該初始周期后，于該可編程控制元件的該存儲單元電阻值不在該電阻值的目標(biāo)范圍內(nèi)時(shí)，重復(fù)進(jìn)行接續(xù)在該驗(yàn)證操作后的至少一后續(xù)周期，直到該可編程控制元件的該存儲單元電阻值介于該電阻值的目標(biāo)范圍內(nèi)，其中該至少一后續(xù)周期包含：
將具有一第二極性的一附加脈沖施加至該可編程控制元件，該初始編程脈沖的該第一極性以及該附加脈沖的該第二極性彼此反向；
進(jìn)行一后續(xù)編程操作，包含將具有該第一極性的一后續(xù)編程脈沖施加至該可編程控制元件；以及
進(jìn)行一后續(xù)驗(yàn)證操作，用于判斷該可編程控制元件的該存儲單元電阻值是否介于該電阻值的目標(biāo)范圍內(nèi)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路，其中該初始編程脈沖與該后續(xù)編程脈沖為重置脈沖。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路，其中該初始編程脈沖與該后續(xù)編程脈沖為設(shè)定脈沖。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路，其中該初始編程脈沖的強(qiáng)度至少等于在該至少一后續(xù)周期中的該后續(xù)編程脈沖的強(qiáng)度。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路，其中該至少一后續(xù)周期重復(fù)執(zhí)行，直到該可編程控制元件的該存儲單元電阻值介于該電阻值的目標(biāo)范圍內(nèi)，或是執(zhí)行該編程操作與該驗(yàn)證操作的周期達(dá)到一最大數(shù)量。
6.一種方法，其特征在于，包含以下步驟：
對包含一可編程控制元件的至少一第一存儲單元執(zhí)行一編程-驗(yàn)證操作，其中該可編程控制元件包含在一集成電路內(nèi)的一存儲單元陣列中的一金屬氧化物，該編程驗(yàn)證操作包含：
(i)實(shí)現(xiàn)一編程操作與一驗(yàn)證操作的一初始周期，包含：
實(shí)現(xiàn)一初始編程操作，用于建立該第一存儲單元的一存儲單元電阻值(cell resistance)，該初始編程操作包含將具有一第一極性的一初始編程脈沖施加至該第一存儲單元；以及
進(jìn)行一初始驗(yàn)證操作，用于判斷該第一存儲單元的該存儲單元電阻值是否介于一電阻值的目標(biāo)范圍(target resistance range)內(nèi)；以及
(ii)在該初始周期后，于該第一存儲單元的該存儲單元電阻值不在該電阻值的目標(biāo)范圍內(nèi)時(shí)，重復(fù)實(shí)現(xiàn)接續(xù)在該驗(yàn)證操作后的至少一后續(xù)周期，直到該第一存儲單元的該存儲單元電阻值介于該電阻值的目標(biāo)范圍內(nèi)，其中該至少一后續(xù)周期包含：
實(shí)現(xiàn)將具有一第二極性的一附加脈沖施加至該第一存儲單元，該初始編程脈沖的該第一極性以及該附加脈沖的該第二極性彼此反向；
實(shí)現(xiàn)一后續(xù)編程操作，包含將具有該第一極性的一后續(xù)編程脈沖施加至該第一存儲單元；
實(shí)現(xiàn)一后續(xù)驗(yàn)證操作，用于判斷該第一存儲單元的該存儲單元電阻值是否介于該電阻值的目標(biāo)范圍內(nèi)。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中該第一存儲單元具有多個(gè)可編程的電阻值。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中該初始編程脈沖的強(qiáng)度至少等于在該至少一后續(xù)周期中的該后續(xù)編程脈沖的強(qiáng)度。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中該存儲單元陣列所包含的一第一部分(subset)存儲單元的電阻值，只需經(jīng)過該編程操作與該驗(yàn)證操作的該初始周期，即被編程在該電阻值的目標(biāo)范圍內(nèi)；以及
其中該存儲單元陣列所包含的一第二部分存儲單元的電阻值，在經(jīng)過該編程操作與該驗(yàn)證操作的該初始周期，以及經(jīng)過該編程操作與該驗(yàn)證操作的該至少一后續(xù)周期后，被編程在該電阻值的目標(biāo)范圍內(nèi)，其中該第一部分存儲單元所對應(yīng)的一第一平均電阻值至少等于該第二部分存儲單元所對應(yīng)的一第二平均電阻值。
10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中該初始編程脈沖的強(qiáng)度至少等于在該至少一后續(xù)周期中的該后續(xù)編程脈沖的強(qiáng)度，而該存儲單元陣列的一累積通過速率(a cumulative pass rate)隨著附加在該編程操作與該驗(yàn)證操作后的周期數(shù)而增加。
11.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中另一編程操作包含進(jìn)行另一編程操作與另一驗(yàn)證操作的另一初始周期，以及更進(jìn)一步接續(xù)在該另一編程操作與該另一驗(yàn)證操作后的周期。
12.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中該存儲單元陣列具有多個(gè)可編程的電阻值。