本公開內(nèi)容涉及再現(xiàn)光學(xué)介質(zhì)(諸如光盤)的光學(xué)介質(zhì)再現(xiàn)裝置、光學(xué)介質(zhì)再現(xiàn)方法以及光學(xué)介質(zhì)。
背景技術(shù)：
：實(shí)現(xiàn)光盤的高密度的方法的實(shí)例包括通過縮短通道比特長度(即，標(biāo)記長度)在線密度方向上實(shí)現(xiàn)高密度的方法、以及使磁道間距變窄的方法。然而，當(dāng)在線密度方向上實(shí)現(xiàn)高密度時，出現(xiàn)與碼間干擾增加相關(guān)的問題。此外，當(dāng)磁道間距變窄時，來自相鄰磁道的信息泄漏(相鄰磁道串?dāng)_)增加。提議了減少相鄰磁道串?dāng)_(在下文中，僅稱為“串?dāng)_”)的方法。例如，專利文獻(xiàn)1公開了以下配置：其中，電流再現(xiàn)磁道及其兩邊上的磁道的各自再現(xiàn)信號被供應(yīng)至自適應(yīng)均衡器單元，并且自適應(yīng)均衡器單元的抽頭系數(shù)被控制以去除串?dāng)_。此外，專利文獻(xiàn)2和專利文獻(xiàn)3公開了以下配置。來自光學(xué)記錄介質(zhì)的反射光在磁道寬度方向被空間地劃分為三個光束，并且被劃分的三個光束被分別探測。探測信號被乘以(加權(quán))常量并且受到加法計算以減少串?dāng)_的影響。此外，專利文獻(xiàn)2暗含以下配置作為一種理念：即使在波束傳播方向上也執(zhí)行加權(quán)以便以強(qiáng)調(diào)方式再現(xiàn)小記錄標(biāo)記的再現(xiàn)信號。技術(shù)文獻(xiàn)列表專利文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)1：日本專利申請?zhí)亻_第2012-079385號專利文獻(xiàn)2：日本專利申請?zhí)亻_第8-249664號專利文獻(xiàn)3：日本專利申請?zhí)亻_第5-242512號技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：本發(fā)明要解決的技術(shù)問題在專利文獻(xiàn)1中描述的配置中，三個光束需要讀出電流再現(xiàn)磁道及其兩側(cè)的磁道。必須匹配通過三個光束讀出的再現(xiàn)信號的相位。再現(xiàn)信號也可以通過利用一個光束順序地再現(xiàn)三個磁道來同步。在這種情況下，用于同步的存儲器是必需的。因此，專利文獻(xiàn)1中描述的配置具有光學(xué)攝像管配置變得復(fù)雜、相位匹配變得復(fù)雜或者電路規(guī)模增加的問題。此外，專利文獻(xiàn)1中描述的配置沒有提到在線密度方向上實(shí)現(xiàn)高密度。此外，專利文獻(xiàn)2和專利文獻(xiàn)3中描述的配置旨在通過將區(qū)域劃分為多個區(qū)域并且將部分區(qū)域與常數(shù)相乘(加權(quán))用于相加來消除串?dāng)_。然而，專利文獻(xiàn)2和專利文獻(xiàn)3沒有描述在本公開內(nèi)容中的高線密度記錄中的信號特性改善，其中，最短的標(biāo)記超過光學(xué)系統(tǒng)的截止空間頻率。此外，專利文獻(xiàn)2和專利文獻(xiàn)3沒有描述連續(xù)使用部分響應(yīng)最大似然解碼處理(部分響應(yīng)最大似然(prml)探測方法)的最佳配置，或者其中劃分模式被適當(dāng)改變以執(zhí)行相對滿意的再現(xiàn)的配置。因此，本公開內(nèi)容的目標(biāo)是提供光學(xué)介質(zhì)再現(xiàn)裝置、光學(xué)介質(zhì)再現(xiàn)方法和光學(xué)介質(zhì)，它們通過僅使用一個磁道的再現(xiàn)信號能夠減少串?dāng)_并且通過適當(dāng)改變即使最短標(biāo)記超過光學(xué)系統(tǒng)的截止空間頻率的高線密度記錄中的pr等級和/或劃分模式也能夠?qū)崿F(xiàn)線密度方向上的高密度。解決問題的技術(shù)方案本公開內(nèi)容是光學(xué)介質(zhì)再現(xiàn)裝置，包括：光源；物鏡，允許從所述光源發(fā)射的光束聚集在光學(xué)介質(zhì)上；探測單元，將從所述光學(xué)介質(zhì)反射的光束的光通量劃分為多個區(qū)域，并且利用所選擇的組合模式，組合與入射至所述多個區(qū)域中的每一者的光量對應(yīng)的多個探測信號以形成多個通道的信號，所述多個區(qū)域包括在徑向方向和/或正切方向上的位置不同的第一區(qū)域和第二區(qū)域；多輸入均衡器單元，包括被分別供應(yīng)了所述多個通道的所述信號的多個均衡器單元，所述多輸入均衡器單元計算所述多個均衡器單元的輸出，并且輸出結(jié)果值作為均衡信號；以及二值化單元，對于所述均衡信號執(zhí)行二值化處理以獲得二進(jìn)制數(shù)據(jù)，其中，包括所述第一區(qū)域的探測信號和所述第二區(qū)域的探測信號的常數(shù)相乘的加法信號通道包括在所述組合模式中的至少一者中。本公開內(nèi)容是光學(xué)介質(zhì)再現(xiàn)方法，包括：將從光學(xué)介質(zhì)反射的光束的光通量劃分為多個區(qū)域，所述多個區(qū)域包括在徑向方向和/或正切方向上的位置不同的第一區(qū)域和第二區(qū)域；由探測單元利用所選擇的組合模式，組合與入射至所述多個區(qū)域中的每一者的光量對應(yīng)的多個探測信號以形成多個通道的信號；由包括被分別供應(yīng)了所述多個通道的所述信號的多個均衡器單元的多輸入均衡器單元計算所述多個均衡器單元的輸出，并且將所述結(jié)果值輸出為均衡信號；并且由二值化單元對于所述均衡信號執(zhí)行二值化處理以獲得二進(jìn)制數(shù)據(jù)，其中，在所述組合模式中的至少一者中包括所述第一區(qū)域的探測信號和所述第二區(qū)域的探測信號的總和信號通道。本公開內(nèi)容是一種光學(xué)介質(zhì)，其中，交替形成岸臺和溝槽，并且信息被記錄在岸臺和溝槽這兩者中，其中，岸臺的線密度被設(shè)置為高于溝槽的線密度。本發(fā)明的技術(shù)優(yōu)勢根據(jù)本公開內(nèi)容，可以通過僅使用電流再現(xiàn)磁道的讀出輸出來減少串?dāng)_。因此，不必使用三個讀出光束，并且不必利用一個光束連續(xù)再現(xiàn)三個磁道以及利用存儲器執(zhí)行同步。因此，存在的優(yōu)勢在于光學(xué)攝像管的配置不復(fù)雜，并且相位匹配不是必需的，并且不增加存儲器。此外，根據(jù)本公開內(nèi)容，因為劃分模式被適當(dāng)改變，所以可以實(shí)現(xiàn)相對高的線密度。附圖說明圖1是示出了根據(jù)本公開內(nèi)容的實(shí)施方式的光盤驅(qū)動的配置的框圖。圖2是示出了根據(jù)本公開內(nèi)容的實(shí)施方式的光學(xué)攝像管的配置的示意圖。圖3是根據(jù)實(shí)施方式的數(shù)據(jù)探測處理單元的實(shí)例的框圖。圖4是數(shù)據(jù)探測處理單元中的多輸入自適應(yīng)均衡器的實(shí)例的框圖。圖5是自適應(yīng)均衡器單元的實(shí)例的框圖。圖6是均衡誤差計算單元的實(shí)例的框圖。圖7是用于再現(xiàn)的配置的實(shí)例的框圖。圖8的a至圖8的g是示出了區(qū)域劃分模式的多個實(shí)例的示意圖。圖9是示出了模式ivt4h的示意圖。圖10是示出了線密度與e-mlse之間的關(guān)系的曲線圖。圖11是示出了線密度與e-mlse之間的關(guān)系的曲線圖。圖12是示出了線密度與e-mlse之間的關(guān)系的曲線圖。圖13是示出了抽頭系數(shù)以及作為對應(yīng)于抽頭系數(shù)的電濾波器的頻率振幅特性的曲線圖。圖14是示出了頻率振幅特性的曲線圖。圖15的a和圖15的b是示出了抽頭系數(shù)和頻率相位特性的曲線圖。圖16是示出了頻率振幅特性的曲線圖。圖17的a和圖17的b是示出了抽頭系數(shù)和頻率相位特性的曲線圖。圖18是示出了線密度與e-mlse之間的關(guān)系的曲線圖。圖19的a至圖19的e是示出了光盤的再現(xiàn)信號的示意圖。圖20是示出了線密度與e-mlse之間的關(guān)系的曲線圖。圖21是示出了線密度與e-mlse之間的關(guān)系的曲線圖。圖22的a和圖22的b是示出了線密度與e-mlse之間的關(guān)系的曲線圖以及劃分模式ivt4的示意圖。圖23的a和圖23的b是示出了線密度與e-mlse之間的關(guān)系的曲線圖以及劃分模式ivt4h的示意圖。圖24是示出了自適應(yīng)均衡目標(biāo)的頻率特性的曲線圖。圖25是示出了區(qū)域劃分模式的多個實(shí)例的示意圖。圖26的a和圖26的b是示出了抽頭系數(shù)的實(shí)例的示意圖。圖27是示出了pr-tl(4t)與e-mlse之間的關(guān)系的曲線圖。圖28是示出了pr-tl(4t)與e-mlse之間的關(guān)系的曲線圖。圖29是示出了pr-tl(4t)與e-mlse之間的關(guān)系的曲線圖。圖30是示出了最佳的pr-tl(4t)與線密度之間的關(guān)系的曲線圖。圖31的a和圖31的b是示出了在選擇最佳pr等級情況下的線密度與e-mlse和i-mlse之間的關(guān)系的曲線圖。圖32是示出了pr-tl(4t)與e-mlse之間的關(guān)系的曲線圖。圖33是示出了劃分模式的實(shí)例的詳細(xì)規(guī)范的示意圖。圖34是示出了進(jìn)程通道比特長度與e-mlse之間的關(guān)系的曲線圖。圖35是示出了進(jìn)程通道比特長度與e-mlse之間的關(guān)系的曲線圖。圖36是更詳細(xì)地示出了模式ivnst6的示意圖。圖37是示出了頻率振幅特性的曲線圖。圖38是示出了頻率振幅特性的曲線圖。圖39是示出了進(jìn)程通道比特長度與e-mlse之間的關(guān)系的曲線圖。圖40是示出了電濾波器的抽頭系數(shù)的實(shí)例的曲線圖。圖41是示出了電濾波器的抽頭系數(shù)的實(shí)例的曲線圖。圖42是示出了岸臺/溝槽記錄中的記錄標(biāo)記的概要的示意圖。圖43的a和圖43的b是示出了標(biāo)記相位與e-mlse之間的關(guān)系的曲線圖。圖44的a和圖44的b是示出了標(biāo)記相位與e-mlse之間的關(guān)系的曲線圖。圖45的a和圖45的b是示出了標(biāo)記相位與e-mlse之間的關(guān)系的曲線圖。圖46的a和圖46的b是示出了標(biāo)記相位與e-mlse之間的關(guān)系的曲線圖。圖47的a和圖47的b是示出了標(biāo)記相位與e-mlse之間的關(guān)系的曲線圖。圖48的a和圖48的b是示出了標(biāo)記相位與e-mlse之間的關(guān)系的曲線圖。圖49的a和圖49的b是示出了標(biāo)記相位與e-mlse之間的關(guān)系的曲線圖。圖50的a和圖50的b是示出了標(biāo)記相位與e-mlse之間的關(guān)系的曲線圖。圖51的a和圖51的b是示出了標(biāo)記相位與e-mlse之間的關(guān)系的曲線圖。圖52的a和圖52的b是示出了標(biāo)記相位與e-mlse之間的關(guān)系的曲線圖。圖53的a和圖53的b是示出了標(biāo)記相位與e-mlse之間的關(guān)系的曲線圖。圖54是示出了標(biāo)記相位與e-mlse之間的關(guān)系的曲線圖。圖55的a至圖55的c是示出了其中標(biāo)記相位對應(yīng)于彼此不同的值的電濾波器的抽頭系數(shù)的實(shí)例的曲線圖。圖56的d至圖56的f是示出了其中標(biāo)記相位對應(yīng)于彼此不同的值的電濾波器的抽頭系數(shù)的實(shí)例的曲線圖。圖57的g至圖57的i是示出了其中標(biāo)記相位對應(yīng)于彼此不同的值的電濾波器的抽頭系數(shù)的實(shí)例的曲線圖。圖58是示出了標(biāo)記相位與e-mlse之間的關(guān)系的曲線圖。圖59的a至圖59的c是示出了其中標(biāo)記相位對應(yīng)于彼此不同的值的電濾波器的抽頭系數(shù)的實(shí)例的曲線圖。圖60的d至圖60的f是示出了其中標(biāo)記相位對應(yīng)于彼此不同的值的電濾波器的抽頭系數(shù)的實(shí)例的曲線圖。圖61的g至圖61的i是示出了其中標(biāo)記相位對應(yīng)于彼此不同的值的電濾波器的抽頭系數(shù)的實(shí)例的曲線圖。具體實(shí)施方式以下實(shí)施方式是適用于本公開內(nèi)容的具體實(shí)例，并且在技術(shù)上優(yōu)選的各種類型的限制應(yīng)用至此。然而，在以下描述中，除非另有說明本公開內(nèi)容的局限性，否則本公開內(nèi)容的范圍不局限于這些實(shí)施方式。此外，將按以下順序描述本公開內(nèi)容。<1.第一實(shí)施方式><2.第二實(shí)施方式><3.第三實(shí)施方式><4.變形例><1.第一實(shí)施方式>(光盤驅(qū)動)如圖1所示，本公開內(nèi)容應(yīng)用的光盤驅(qū)動包括：光學(xué)攝像管101，對于作為光學(xué)記錄介質(zhì)的光盤100執(zhí)行信息的記錄和再現(xiàn)；以及主軸電機(jī)102，使光盤100旋轉(zhuǎn)。螺紋(進(jìn)給電動機(jī))103被設(shè)置為使光學(xué)攝像管101在光盤100的直徑方向上移動。可以使用諸如blu-ray(注冊商標(biāo))盤(bd)的高密度光盤作為光盤100。bd是單面單層具有約25千兆字節(jié)并且單面雙層具有約50千兆字節(jié)的記錄容量的高密度光盤。在bd標(biāo)準(zhǔn)中，光源波長被設(shè)為405nm，并且物鏡的數(shù)值孔徑(na)被設(shè)為0.85那么大，以便使束點(diǎn)直徑小。在cd標(biāo)準(zhǔn)中，光源波長被設(shè)為780nm，na被設(shè)為0.45，并且光點(diǎn)直徑被設(shè)為2.11μm。在dvd標(biāo)準(zhǔn)中，光源波長被設(shè)為650nm，na被設(shè)為0.6，并且光點(diǎn)直徑被設(shè)為1.32μm。在bd標(biāo)準(zhǔn)中，可以使光點(diǎn)直徑變窄為0.58μm。此外，近來，關(guān)于blu-ray(注冊商標(biāo))盤(bd)，bdxl(注冊商標(biāo))投入實(shí)際使用。在bdxl中，通道比特長度，即，標(biāo)記長度縮短以在線密度方向上實(shí)現(xiàn)高密度，從而實(shí)現(xiàn)三層100gb和四層128gb的大容量。除此之外，采用在溝槽磁道和岸臺磁道這兩者中記錄數(shù)據(jù)的方法(適當(dāng)?shù)胤Q為岸臺/溝槽記錄方法)的光盤對于增加額外的記錄容量是優(yōu)選的。此外，凹陷被稱作溝槽，以及由溝槽形成的磁道被稱為溝槽磁道。溝槽被限定為當(dāng)制造光盤時激光照射的部分，插在相鄰溝槽之間的區(qū)域被稱為岸臺，并且由岸臺形成的磁道被稱為岸臺磁道。此外，在其中多個信息記錄層堆疊的多層光盤的情況下，可以進(jìn)一步增加記錄容量。因此，為了實(shí)現(xiàn)大容量，優(yōu)選的是采用能夠減少等于或者淺于bd的淺槽結(jié)構(gòu)中相鄰磁道之間的串?dāng)_的配置，以便不具有由于即使在窄磁道間距中的其他層上的凹陷結(jié)構(gòu)的不利影響，其中，±主衍射光束由于凹陷并且即使在與本公開內(nèi)容相似的多層光盤結(jié)構(gòu)中彼此也沒有影響，而不是通過將磁道間距設(shè)置為一定程度的寬度，±主衍射光束以該磁道間距由于溝槽彼此重疊，并且通過將溝槽的深度設(shè)置為與dvd-ram相似的約λ/6來在光學(xué)上減少相鄰磁道之間的串?dāng)_的配置。當(dāng)能夠執(zhí)行高密度記錄的光盤100被裝載在光盤驅(qū)動中時，光盤100在記錄/再現(xiàn)期間通過主軸電動機(jī)102能以恒定線性速度(clv)或者恒定角速度(cav)旋轉(zhuǎn)地驅(qū)動。為了在光盤100的徑向方向上布置擺動溝槽的相位，優(yōu)選的是cav或者區(qū)域cav。在再現(xiàn)期間，通過光學(xué)攝像管(光學(xué)頭)101執(zhí)行讀出光盤100上的磁道中記錄的標(biāo)記信息。在數(shù)據(jù)記錄在光盤100上期間，用戶數(shù)據(jù)通過光學(xué)攝像管101作為相變標(biāo)記或者顏料變化標(biāo)記被記錄在光盤100上的磁道中。在可記錄盤的情況下，由于相變標(biāo)記導(dǎo)致的記錄標(biāo)記被記錄在由擺動溝槽形成的磁道中，但是在bd為每一層23.3gb的情況下，相變標(biāo)記通過rll(1,7)pp調(diào)制方式(rll：游程長度受限，pp：極性保持/禁止rmtr(重復(fù)的最小轉(zhuǎn)變游程長度))等以0.12μm/位的線密度、以及0.08μm/通道位被記錄。類似地，以對應(yīng)于與圓盤式一致的通道比特長度的密度執(zhí)行記錄。具體地，在25gb/層的bd的情況下，以0.0745μm/通道位的密度執(zhí)行記錄。在32gb/層的bdxl(注冊商標(biāo))的情況下，以0.05826μm/通道位的密度執(zhí)行記錄。在33.4gb/層的bdxl(注冊商標(biāo))的情況下，以0.05587μm/通道位的密度執(zhí)行記錄。當(dāng)通道時鐘周期被設(shè)置為“t”時，標(biāo)記長度變?yōu)?t至8t。在再現(xiàn)專用圓盤的情況下，沒有形成溝槽，但是通過rll(1,7)pp調(diào)制方法調(diào)制的數(shù)據(jù)以類似方式被記錄為壓印凹坑陣列。作為再現(xiàn)專用管理信息，例如，圓盤的物理信息等通過壓印凹坑或者擺動溝槽被記錄在光盤100的內(nèi)部外圍區(qū)域中。通過光學(xué)攝像管101還執(zhí)行該信息的讀出。此外，通過光學(xué)攝像管101還執(zhí)行讀出作為光盤100上的溝槽磁道的擺動嵌入的adip信息。作為激光源的激光二極管，光學(xué)攝像管101中設(shè)置有：濾光片，將反射光空間地且光學(xué)地分離為在線密度方向和/或磁道密度方向上的頻帶不同的多個信號；光探測器，探測通過濾光片分離的多個信號；物鏡，成為激光的輸出端；光學(xué)系統(tǒng)，利用通過物鏡的激光照射圓盤記錄表面并且將反射光引導(dǎo)至光探測器，等等。在光學(xué)攝像管101中，通過雙軸機(jī)構(gòu)以能夠在尋軌方向和聚焦方向上移動的方式保持物鏡。光學(xué)攝像管101的全部通過螺紋機(jī)構(gòu)103可以在圓盤徑向方向上移動。驅(qū)動電流被從激光驅(qū)動器113供應(yīng)至光學(xué)攝像管101的激光二極管，并且激光二極管生成激光。通過光探測器探測來自光盤100的反射光，并且該反射光被供應(yīng)至矩陣電路104作為對應(yīng)于光接收量的電信號。矩陣電路104設(shè)置有與來自作為光探測器的多個光接收元件的輸出電流一致的電流-電壓轉(zhuǎn)換電路、矩陣計算/放大電路等，并且生成矩陣計算處理所需的信號?？紤]到信號傳輸質(zhì)量，電流-電壓轉(zhuǎn)換電路和矩陣計算/放大電路的一部分可設(shè)置在光探測器元件中。例如，生成對應(yīng)于再現(xiàn)數(shù)據(jù)的再現(xiàn)信息信號(rf信號)、用于伺服控制的聚焦誤差信號、尋軌誤差信號等。此外，生成推送信號作為根據(jù)溝槽擺動的信號，即，作為探測擺動的信號。從矩陣電路104輸出的再現(xiàn)信息信號被供應(yīng)至數(shù)據(jù)探測處理單元105，聚焦誤差信號和尋軌誤差信號被供應(yīng)至光學(xué)塊伺服電路111，并且推送信號被供應(yīng)至擺動信號處理電路106。數(shù)據(jù)探測處理單元105執(zhí)行再現(xiàn)信息信號的二值化處理。例如，在數(shù)據(jù)探測處理單元105中，執(zhí)行rf信號的a/d轉(zhuǎn)換處理、按照pll的再現(xiàn)時鐘生成處理、部分響應(yīng)(pr)均衡處理、維特比(viterbi)解碼(最大似然解碼)等，并且通過部分響應(yīng)最大似然解碼處理(部分響應(yīng)最大似然(prml)探測方法)獲得二進(jìn)制數(shù)據(jù)陣列。數(shù)據(jù)探測處理單元105將作為從光盤100讀出的信息的二進(jìn)制數(shù)據(jù)陣列供應(yīng)至下一級的編碼/解碼單元107。編碼/解碼單元107在再現(xiàn)期間執(zhí)行再現(xiàn)的解調(diào)，并且在記錄期間執(zhí)行記錄數(shù)據(jù)的解調(diào)處理。即，編碼/解碼單元107在再現(xiàn)期間執(zhí)行數(shù)據(jù)解調(diào)、解交錯、ecc解碼、地址解碼等，并且在記錄期間執(zhí)行ecc編碼、交錯、數(shù)據(jù)調(diào)制等。在再現(xiàn)期間，在數(shù)據(jù)探測處理單元105中解碼的二進(jìn)制數(shù)據(jù)陣列被供應(yīng)至編碼/解碼單元107。在編碼/解碼單元107中，關(guān)于二進(jìn)制數(shù)據(jù)陣列執(zhí)行解調(diào)處理以從光盤100獲得再現(xiàn)數(shù)據(jù)。即，例如，執(zhí)行諸如rll(1,7)pp調(diào)制的游程長度受限碼調(diào)制以關(guān)于光盤100上記錄的數(shù)據(jù)執(zhí)行解調(diào)處理以及用于誤差校正的ecc解碼處理，從而從光盤100獲得再現(xiàn)數(shù)據(jù)。通過編碼/解碼單元107被解碼為再現(xiàn)數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)被傳輸至主機(jī)接口108，并且基于系統(tǒng)控制器110的指令傳輸至主機(jī)設(shè)備200。主機(jī)設(shè)備200的實(shí)例包括計算機(jī)設(shè)備、視聽(av)系統(tǒng)設(shè)備等。在對于光盤100的記錄/再現(xiàn)期間，執(zhí)行adip信息處理。即，作為根據(jù)溝槽擺動的信、從矩陣電路104輸出的推送信號變成擺動信號處理電路106中數(shù)字化的擺動數(shù)據(jù)。通過pll處理生成與推送信號同步的時鐘。擺動數(shù)據(jù)被解調(diào)為構(gòu)成adip解調(diào)處理單元116中的adip地址的數(shù)據(jù)流，并且被供應(yīng)至地址解碼器109。地址解碼器109對于被供應(yīng)的數(shù)據(jù)執(zhí)行解碼以獲得地址值，并且將該地址值供應(yīng)至系統(tǒng)控制器110。記錄數(shù)據(jù)在記錄期間被從主機(jī)設(shè)備200傳輸，并且記錄數(shù)據(jù)通過主機(jī)接口108被供應(yīng)至編碼/解碼單元107。編碼/解碼單元107執(zhí)行誤差校正碼加法(ecc編碼)、交錯、子代碼的加法等作為記錄數(shù)據(jù)的編碼處理。關(guān)于受到多種處理的數(shù)據(jù)，執(zhí)行諸如rll(1-7)pp方法的游程長度受限碼調(diào)制。編碼/解碼單元107中處理的記錄數(shù)據(jù)被供應(yīng)至寫入策略單元114。在寫入策略單元114中，關(guān)于記錄層的特征、激光的光點(diǎn)形狀、記錄線速度等執(zhí)行激光驅(qū)動脈沖波形調(diào)整作為記錄補(bǔ)償處理。此外，激光驅(qū)動脈沖被輸出至激光驅(qū)動器113。激光驅(qū)動器113允許基于受到記錄補(bǔ)償處理的激光驅(qū)動脈沖的電流流至光學(xué)攝像管101中的激光二極管以執(zhí)行激光發(fā)射。根據(jù)此，根據(jù)記錄數(shù)據(jù)的標(biāo)記形成在光盤100上。光學(xué)塊伺服電路111從矩陣電路104供應(yīng)的聚焦誤差信號和尋軌誤差信號生成聚焦、尋軌和螺紋的各個伺服驅(qū)動信號以執(zhí)行伺服操作。即，與聚焦誤差信號和尋軌誤差信號對應(yīng)地生成聚焦驅(qū)動信號和尋軌驅(qū)動信號，并且通過驅(qū)動器118驅(qū)動光學(xué)攝像管101中的雙軸機(jī)構(gòu)的聚焦線圈和尋軌線圈。根據(jù)此，通過光學(xué)攝像管101、矩陣電路104、光學(xué)塊伺服電路111、驅(qū)動器118和雙軸機(jī)構(gòu)形成尋軌伺服回路和聚焦伺服回路。此外，光學(xué)塊伺服電路111響應(yīng)于從系統(tǒng)控制器110傳輸?shù)拇诺捞冎噶顢嚅_尋軌伺服回路并且輸出跳變驅(qū)動信號以執(zhí)行磁道跳變操作。此外，光學(xué)塊伺服電路111基于作為尋軌誤差信號的低頻分量獲得的螺紋誤差信號、來自系統(tǒng)控制器110的接入執(zhí)行控制等生成螺紋驅(qū)動信號以通過螺紋驅(qū)動器115驅(qū)動螺紋機(jī)構(gòu)103。主軸伺服電路112執(zhí)行使主軸電動機(jī)102clv-旋轉(zhuǎn)或者cav-旋轉(zhuǎn)的控制。主軸伺服電路112獲得通過pll關(guān)于作為主軸電動機(jī)102的電流旋轉(zhuǎn)速度信息的擺動信號生成的時鐘，并且將旋轉(zhuǎn)速度信息與預(yù)定的參考速度信息進(jìn)行比較以生成主軸誤差信號。此外，在數(shù)據(jù)再現(xiàn)期間，通過數(shù)據(jù)探測處理單元105中的pll生成的再現(xiàn)時鐘變成主軸電動機(jī)102的電流旋轉(zhuǎn)速度信息，并且因此，再現(xiàn)時鐘與預(yù)定的參考速度信息進(jìn)行比較以生成主軸誤差信號。此外，主軸伺服電路112輸出與主軸誤差信號對應(yīng)生成的主軸驅(qū)動信號以通過主軸驅(qū)動器117執(zhí)行主軸電動機(jī)102的clv旋轉(zhuǎn)或者cav旋轉(zhuǎn)。主軸伺服電路112生成與從系統(tǒng)控制器110傳輸?shù)闹鬏S反沖/制動控制信號對應(yīng)的主軸驅(qū)動信號以執(zhí)行諸如主軸電動機(jī)102的觸發(fā)、停止、加速和減速的操作。通過微型計算機(jī)形成的系統(tǒng)控制器110控制伺服系統(tǒng)和記錄/再現(xiàn)系統(tǒng)的各種操作。系統(tǒng)控制器110響應(yīng)于通過主機(jī)接口108從主機(jī)設(shè)備200傳輸?shù)闹噶顖?zhí)行各種類型的處理。例如，從主機(jī)設(shè)備200給出寫入指令(寫入指令)，系統(tǒng)控制器110將光學(xué)攝像管101移動至首次寫入的地址。此外，系統(tǒng)控制器110允許編碼/解碼單元107如上所述關(guān)于從主機(jī)設(shè)備200傳輸?shù)臄?shù)據(jù)(例如，視頻數(shù)據(jù)、音頻數(shù)據(jù)等)執(zhí)行編碼處理。此外，激光驅(qū)動器113驅(qū)動與編碼數(shù)據(jù)對應(yīng)的激光發(fā)射。根據(jù)此，執(zhí)行記錄。此外，在從主機(jī)設(shè)備200供應(yīng)請求傳輸光盤100上記錄的任意數(shù)據(jù)的讀出指令的情況下，系統(tǒng)控制器110關(guān)于首次指定的地址執(zhí)行查找操作控制。即，指令被輸出至光學(xué)塊伺服電路111，并且關(guān)于通過查找指令指定的地址作為目標(biāo)來執(zhí)行光學(xué)攝像管101的存取操作。然后，系統(tǒng)控制器110執(zhí)行將所指示的數(shù)據(jù)區(qū)中數(shù)據(jù)傳輸至主機(jī)設(shè)備200的所需的操作控制。即，系統(tǒng)控制器110執(zhí)行從光盤100讀出數(shù)據(jù)，并且在數(shù)據(jù)探測處理單元105和編碼/解碼單元107中執(zhí)行再現(xiàn)處理以傳輸所要求的數(shù)據(jù)。此外，在圖1的實(shí)例中，例如已經(jīng)給出了連接至主機(jī)設(shè)備200的光盤驅(qū)動的描述，但是在某些方面光盤驅(qū)動可能未連接至另一設(shè)備。在這種情況下，可以提供操作單元或者顯示單元，或者數(shù)據(jù)輸入/輸出的接口部分的配置可不同于圖1中示出的配置。即，根據(jù)用戶的操作可以執(zhí)行記錄或者再現(xiàn)，并且可以形成用于輸入/輸出各種數(shù)據(jù)的終端單元。可以考慮各種配置實(shí)例的光盤驅(qū)動。(光學(xué)攝像管)接下來，將參考圖2給出上述光盤驅(qū)動中使用的光學(xué)攝像管101的描述。例如，光學(xué)攝像管101通過使用具有405nm的波長λ的激光(光束)將信息記錄在光盤100上，并且再現(xiàn)來自光盤100的信息。激光從半導(dǎo)體激光二極管(ld)1發(fā)射。利用傳輸通過準(zhǔn)直透鏡2、偏振光束分光器(pbs)3和物鏡4的激光照射光盤100。例如，偏振光束分光器3包括允許約100％的p-偏振光傳輸通過并且允許約100％的s-偏振光從其反射的分離面。來自光盤100的記錄層的反射光沿著相同光路返回，并且入射至偏振光束分光器3。插入λ/4元件(未示出)，并且因此，從偏振光束分光器3反射約100％的入射激光。從偏振光束分光器3反射的激光通過濾光片7被空間并且光學(xué)地劃分為多個區(qū)域，多個區(qū)域包括根據(jù)在光盤100的徑向方向(圓盤直徑方向)和/或正切方向(磁道方向)上延伸的劃分線在密度方向和/或磁道密度方向上的頻帶不同的信號，并且通過透鏡5將激光聚集在光探測器6的光接收面上。光探測器6包括光接收面上的光接收單元，該光接收單元關(guān)于入射光執(zhí)行光電轉(zhuǎn)換。光接收單元被布置為接收通過濾光片7分為多個區(qū)域的相應(yīng)光束。光探測器6輸出與光接收單元的相應(yīng)區(qū)域的光接收量對應(yīng)的多個通道的電信號。在圖2中，濾光片的劃分模式ivt4被配置為將區(qū)域空間的和光學(xué)的分為四個區(qū)域，這四個區(qū)域包括在線密度方向和/或磁道密度方向上的頻帶不同的信號。即，光束在徑向方向上分為外部區(qū)域a(＝a1+a2)和中部區(qū)域b，并且在正切方向上分為上部區(qū)域c(c1+c2+c3)和下部區(qū)域d(d1+d2+d3)。光接收單元可布置為接收被劃分為四個區(qū)域的相應(yīng)光束。此外，可以采用其中基于在徑向方向上的外部區(qū)域a1和a2中接收的五個信號通過矩陣電路104生成四通道信號，并且四通道信號被輸入至數(shù)據(jù)探測處理105。隨后將詳細(xì)描述在采用這個配置的情況下的另一效果。此外，隨后將描述區(qū)域劃分方法。此外，在圖2中示出的光學(xué)攝像管101的配置中，僅示出了說明本公開內(nèi)容所需的最小的組成元件，并且省略了通過矩陣電路104輸出至光學(xué)塊伺服電路111的聚焦誤差信號、尋軌誤差信號、通過矩陣電路104輸出至擺動信號處理電路106以生成推送信號的信號等。此外，可以采用除了圖2中示出的配置之外的各種配置。在本公開內(nèi)容中，來自光盤100的返回光束的光通量的橫截面被分成多個區(qū)域，并且獲得對應(yīng)于相應(yīng)區(qū)域的多個通道的再現(xiàn)信息信號。作為獲得用于每個區(qū)域的再現(xiàn)信息信號的方法，除了通過濾光片7執(zhí)行劃分的方法之外，還可以使用其中光探測器6被劃分為將濾光片功能提供至光探測器的方法。當(dāng)通過濾光片7執(zhí)行劃分時，例如，可以使用的方法為分隔為多個區(qū)域的光路轉(zhuǎn)換元件被布置在穿過物鏡4并且達(dá)到光探測器6的光路上，并且通過光路轉(zhuǎn)換元件分隔的多個光束被供應(yīng)至另一光探測器。作為光路轉(zhuǎn)換元件，可以使用諸如全息光學(xué)元件的衍射元件、諸如微透鏡陣列和微棱鏡的折射元件等。(數(shù)據(jù)探測處理單元)如上所述，通過光學(xué)攝像管101從光盤100復(fù)制并且對應(yīng)于各個區(qū)域的探測信號被供應(yīng)至矩陣電路104，并且變成對應(yīng)于各個區(qū)域的多個通道的再現(xiàn)信息信號。如圖3所示，數(shù)據(jù)探測處理單元105包括a/d轉(zhuǎn)換器11，從矩陣電路104供應(yīng)的再現(xiàn)信息信號被供應(yīng)至該a/d轉(zhuǎn)換器11。此外，例如，圖3和圖4對應(yīng)于來自光盤100的返回光束的光通量的橫截面被劃分為五個區(qū)域的實(shí)例，并且四通道再現(xiàn)信息信號ch1至ch4從矩陣電路104獲得。通過pll12形成關(guān)于a/d轉(zhuǎn)換器11的時鐘。從矩陣電路104供應(yīng)的再現(xiàn)信息信號中的每一個通過a/d轉(zhuǎn)換器11被轉(zhuǎn)換為數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)。從通過矩陣電路104生成的四通道再現(xiàn)信息信號ch1至ch4數(shù)字化的信號被描述為再現(xiàn)信息信號s1至s4。通過加法電路17添加將信息信號s1至s4相加所獲得的信號被供應(yīng)至pll12。此外，數(shù)據(jù)探測處理單元105包括多輸入自適應(yīng)均衡器單元13、二值化探測器14、pr卷積單元15和均衡誤差計算單元16。多輸入自適應(yīng)均衡器單元13基于再現(xiàn)信息信號s1至s4執(zhí)行pr自適應(yīng)均衡處理。即，通過自適應(yīng)均衡器單元輸出的再現(xiàn)信息信號s1至s4的相加獲得的等效信號y0被均衡為接近目標(biāo)pr波形。此外，作為輸入至pll12的信號，可以使用多輸入自適應(yīng)均衡器單元的輸出。在這種情況下，多輸入自適應(yīng)均衡器的初始系數(shù)被設(shè)置為提前確定的值。此外，即使在使用從加法電路17傳輸?shù)男盘柕那闆r下，也可以采用通過fir濾波器等改變s1至s4的相位的頻率特性和振幅之后將s1至s4相加而不是僅將s1至s4相加的配置。即使在這種情況下，fir濾波器的抽頭系數(shù)被設(shè)置為提前確定的值。例如，二值化探測器14變成維特比解碼器，并且對通過關(guān)于經(jīng)受pr均衡的均衡信號y0執(zhí)行最大似然解碼處理來獲得二值化數(shù)據(jù)dt。二值化數(shù)據(jù)dt被供應(yīng)至圖1中示出的編碼/解碼單元107，并且執(zhí)行再現(xiàn)數(shù)據(jù)解調(diào)處理。在維特比解調(diào)中，使用維特比探測器，該維特比探測器包括以具有預(yù)定長度的連續(xù)比特為單位配置的多個狀態(tài)、以及通過其間的轉(zhuǎn)變示出的分支，并且維特比探測器被配置為有效地探測所有可能的位序列中的期望位序列。實(shí)際電路設(shè)置有兩個寄存器，這兩個寄存器包括稱為關(guān)于每個狀態(tài)并且存儲部分響應(yīng)序列的路徑量度和信號直到達(dá)到該狀態(tài)的路徑量度寄存器，以及稱為路徑存儲寄存器并且存儲位序列的流直到達(dá)到該狀態(tài)的寄存器。此外，關(guān)于每個分支，設(shè)置稱為分支度量單元并且計算部分響應(yīng)序列的路徑量度以及相應(yīng)位的信號的計算單元。在維特比解碼器中，各種位序列可以通過穿過該狀態(tài)的一個路徑以一對一關(guān)系相關(guān)。此外，在穿過路徑的部分響應(yīng)序列之間路徑量度，并且實(shí)際信號(再現(xiàn)信號)通過在構(gòu)成路徑的狀態(tài)之間的轉(zhuǎn)變中，即，在分支處順序地添加分支度量來獲得。此外，當(dāng)執(zhí)行達(dá)到每個狀態(tài)的兩個或更少個分支的路徑量度的振幅比較時，其中路徑量度變成最小的路徑的選擇是通過順序地選擇其中路徑量度是小的路徑來實(shí)現(xiàn)。選擇信息被傳輸至路徑存儲寄存器，并且因此，存儲其中達(dá)到每個狀態(tài)的路徑被表示為位序列的信息。當(dāng)被順序更新時，路徑存儲寄存器的值最終收斂為其中路徑量度變成最小的位序列，并且因此它的結(jié)果被輸出。在pr卷積單元15中，如以下公式所示執(zhí)行二值化結(jié)果的卷積處理以生成目標(biāo)信號zk。目標(biāo)信號zk通過二值化探測結(jié)果的卷積獲得，并且是沒有噪聲的理想信號。例如，在pr(1,2,2,2,1)的情況下，每個通道時鐘的值p變成(1,2,2,2,1)。約束長度是5。此外，在pr(1,2,3,3,3,2,1)的情況下，每個通道時鐘的值p變成(1,2,3,3,3,2,1)。約束長度是7。此外，在pr(1,2,3,4,4,4,3,2,1)的情況下，每個通道時鐘的值p變成(1,2,3,4,4,4,3,2,1)。約束長度是9。在當(dāng)激光的波長λ被設(shè)置為405nm、物鏡的na被設(shè)置為0.85、磁道間距被恒定設(shè)置為0.32μm時記錄密度被設(shè)置為在某種程度下如容量超過35gb一樣高的情況下，如果部分響應(yīng)的約束長度沒有從5延長至7，并且因此探測能力不升高，可能難以探測。此外，在記錄密度被設(shè)置為在某種程度上如容量超過約45gb一樣高的情況下，必須通過將約束長度從7延長至9來升高探測能力。此外，在以下公式中，“d”表示二值化數(shù)據(jù)。[數(shù)學(xué)公式1]均衡誤差計算單元16從多輸入自適應(yīng)均衡器單元13傳輸?shù)木庑盘杫0以及目標(biāo)信號zk獲得均衡誤差ek，并且將均衡誤差ek供應(yīng)至多輸入自適應(yīng)均衡器單元13用于抽頭系數(shù)控制。如圖6所示，均衡誤差計算單元16包括減法器25和系數(shù)乘法器26。減法器25從均衡信號y0減去目標(biāo)信號zk。減去結(jié)果在系數(shù)乘法器26中乘以預(yù)定系數(shù)a以生成均衡誤差ek。如圖4所示，多輸入自適應(yīng)均衡器單元13包括自適應(yīng)均衡器單元21、22、23和24、以及加法器25。上述再現(xiàn)信息信號s1至s4分別被輸入至自適應(yīng)均衡器單元21至24。附圖中示出了在從矩陣電路輸出的再現(xiàn)信息信號被設(shè)置為四個通道的情況下的多輸入自適應(yīng)均衡器單元13的配置。自適應(yīng)均衡器單元被設(shè)置為與輸入的信號的通道的數(shù)量對應(yīng)。自適應(yīng)均衡器單元21、22、23和24中的每一個具有有限脈沖響應(yīng)(fir)濾波器抽頭數(shù)、計算精確性(位分辨率)、以及自適應(yīng)計算的更新增益的參數(shù)，并且光學(xué)值被分別設(shè)置為這些值。自適應(yīng)均衡器單元21、22、23和24中的每一個被供應(yīng)以均衡誤差ek作為用于自適應(yīng)控制的系數(shù)控制值。自適應(yīng)均衡器單元21、22、23和24的輸出y1、y2、y3和y4在加法器25中彼此相加，并且結(jié)果值作為多輸入自適應(yīng)均衡器單元13的均衡信號y0被輸出。多輸入自適應(yīng)均衡器單元13的輸出目標(biāo)被設(shè)置為通過二元探測結(jié)果與部分響應(yīng)(pr)的卷積獲得的理想pr波形。例如，如圖5所示，自適應(yīng)均衡器單元21通過fir濾波器進(jìn)行配置。自適應(yīng)均衡器單元21被設(shè)置為包括“n+1”-階抽頭的濾波器，該“n+1”-階抽頭包括延遲元件30-1至30-n、系數(shù)乘法器31-0至31-n以及加法器34。系數(shù)乘法器31-0至31-n中的每一個將各時間點(diǎn)的輸入x乘以抽頭系數(shù)c0至cn中的每一個。系數(shù)乘法器31-0至31-n的輸出在加法器34中彼此相加并且結(jié)果值作為輸出y0被取出。關(guān)于抽頭系數(shù)，初始值被提前設(shè)置。執(zhí)行抽頭系數(shù)c0至cn的控制以執(zhí)行自適應(yīng)均衡處理。因此，設(shè)置計算單元32-0至32-n，均衡誤差ek和相應(yīng)的抽頭輸入被輸入至該計算單元并且該計算單元執(zhí)行計算。此外，設(shè)置分別將計算單元32-0至32-n的輸出進(jìn)行積分的積分器33-0至33-n。在計算單元32-0至32-n中的每一個中，例如，執(zhí)行-1×ek×x的計算。計算單元32-0至32-n的輸出分別在積分器33-0至33-n中進(jìn)行積分，并且系數(shù)乘法器31-0至31-n的抽頭系數(shù)c0至cn改變并且被積分結(jié)果控制。此外，積分器33-0至33-n中的積分的實(shí)行被執(zhí)行以調(diào)整自適應(yīng)系數(shù)控制的響應(yīng)。在具有上述配置的數(shù)據(jù)探測處理單元105中，在執(zhí)行減少諸如串?dāng)_的不必要的信號之后，執(zhí)行二進(jìn)制數(shù)據(jù)的解碼。自適應(yīng)均衡器單元22、23和24也具有與自適應(yīng)均衡器單元21類似的配置。公共的均衡誤差ek被供應(yīng)至自適應(yīng)均衡器單元21、22、23和24以執(zhí)行自適應(yīng)均衡。即，在自適應(yīng)均衡器單元21、22、23和24中，執(zhí)行最優(yōu)化，即，再現(xiàn)信息信號sa、sb和sc的輸入信號頻率分量的誤差和相位變形的自適應(yīng)pr均衡。即，根據(jù)計算單元32-0至32-n中的-1×ek×x的計算結(jié)果調(diào)整抽頭系數(shù)c0至cn。執(zhí)行抽頭系數(shù)c0至cn的調(diào)整以消除均衡誤差。以這種方式，在自適應(yīng)均衡器單元21、22、23和24中，被自適應(yīng)地控制抽頭系數(shù)c0至cn，以通過使用均衡誤差ek獲得目標(biāo)頻率特性。通過在加法器24中彼此相加自適應(yīng)均衡器單元21、22、23和24的輸出y1、y2、y3和y4獲得的多輸入自適應(yīng)均衡器單元13的均衡信號y0變成其中串?dāng)_、碼間干擾等被減少的信號。(電-光濾波器)從光盤重現(xiàn)的信號大大偏離理想信號。與理想信號相比，該偏離是由于線性方向上的高密度導(dǎo)致碼間干擾增加、以及由于磁道方向上的高密度導(dǎo)致來自相鄰磁道的信號泄漏增加所引起。在相關(guān)技術(shù)中，這個問題通過電濾波器解決。例如，在bdxl(注冊商標(biāo))中，實(shí)現(xiàn)33.4gb/l。圖7中示出了根據(jù)本公開內(nèi)容的再現(xiàn)高密度記錄信號的配置。即，再現(xiàn)信號被供應(yīng)至濾光片131，并且濾光片131將再現(xiàn)信號空間的且光學(xué)的分離為在線密度方向和/或磁道密度方向上的頻帶不同的多個信號。被分離的多個信號(例如，兩個信號)分別供應(yīng)至最佳電濾波器132和133，并且電濾波器132和133的相應(yīng)輸出合計直到獲得輸出信號。在本公開內(nèi)容中，接收從光盤100反射的光束的光通量，并且該光通量由濾光片7根據(jù)在徑向方向和正切方向上延伸的劃分線被空間的且光學(xué)的分為在線密度方向和/或磁道密度方向上的頻帶不同的多個區(qū)域。通過使用與入射至多個區(qū)域中的每一個的光的量對應(yīng)的多個探測信號形成多個通道的探測信號，并且被分別供應(yīng)至電濾波器。上述自適應(yīng)均衡器單元對應(yīng)于電濾波器。矩陣電路104被設(shè)置為通過在相應(yīng)的光接收元件接收經(jīng)受區(qū)域劃分的信號光束之后執(zhí)行計算而具有濾光片的部分功能。(區(qū)域劃分模式)首先，將參考圖8的a至圖8的d給出本說明書中的區(qū)域劃分模式的實(shí)例的描述。此外，附圖中的圓形表示光束的光通量的橫截面的外周。例如，正方形表示由用于分離為多個區(qū)域的諸如全息光學(xué)元件的衍射元件、諸如微透鏡陣列和微棱鏡的折射元件等構(gòu)成的光路轉(zhuǎn)換元件的區(qū)，即，濾光片的區(qū)域、或者探測光探測器的光接收單元的區(qū)。此外，在區(qū)域劃分附圖中，上方向和下方向?qū)?yīng)于返回光通量的正切方向，并且左方向和右方向?qū)?yīng)于徑向方向。此外，圖8的a至圖8的d中示出的區(qū)域劃分模式僅是說明性的，并且可以采用除了圖8的a至圖8的d中示出的模式之外的模式。例如，不限于直線，劃分線可以是諸如圓弧的曲線。(模式ivt4)圖8的a中示出的模式ivt4是具有也在圖2中示出的四個區(qū)域的實(shí)例。即，光束在徑向方向上劃分為外部區(qū)域a(＝a1+a2)和中部區(qū)域b，并且在正切方向上劃分為上部區(qū)域c(c1+c2+c3)和下部區(qū)域d(d1+d2+d3)。獲得對應(yīng)于每一個區(qū)域的探測信號。在此，當(dāng)瞳孔半徑假設(shè)為1.0時，徑向方向上的區(qū)域劃分位置被設(shè)置為位于±0.5和±0.7的位置。當(dāng)瞳孔半徑假設(shè)為1.0時，正切方向上的區(qū)域劃分位置被設(shè)置為位于±0.45和±0.65的位置。對應(yīng)于劃分模式ivt4的四通道信號可基于來自分別對應(yīng)于區(qū)域a、b、c和d的四個光接收單元的輸出生成，或者四通道信號可通過使用矩陣電路基于來自對應(yīng)于包括區(qū)域a1、a2、b、c和d的五個區(qū)域的五個光接收單元的輸出生成。在后者情況下通過使用矩陣電路從五個信號生成四個通道的配置中，通過將相同劃分設(shè)置為基本類型可以實(shí)現(xiàn)以下各種劃分模式。ivt4：ch1＝a1+a2,ch2＝b,ch3＝c,ch4＝divr4：ch1＝c+d,ch2＝b,ch3＝a1,ch4＝a2ivi4：ch1＝c,ch2＝b+d,ch3＝a1,ch4＝a2(模式ivt4h)圖8的b中示出的模式通過改變相應(yīng)區(qū)域的形狀及其布置獲得，以致當(dāng)遵循ivt4的濾光片配置時改善相對高的線密度的特性。圖9中示出了更詳細(xì)的模式尺寸。(模式iv3)圖8的c中示出的模式通過將ivt4的外通道(c和d)聚集到一個通道c中獲得。(模式iv3ts0.2)圖8的d中示出的模式iv3ts0.2通過例如以20％的光通量半徑在正切方向上偏移iv3而獲得。(模式h3a)如下獲得圖8的e中示出的模式h3a。光束通過在正切方向上延伸的兩個劃分線被劃分為徑向方向上包括內(nèi)區(qū)域和外區(qū)域b(b1+b2)的兩個區(qū)域。此外，內(nèi)區(qū)域通過在徑向方向上延伸的劃分線被劃分為上側(cè)和下側(cè)。根據(jù)此，區(qū)域c1和c2形成在正切方向上的上側(cè)和下側(cè)，并且其余中部區(qū)域被設(shè)置為a。即，模式h3a是用于劃分為包括區(qū)域a、區(qū)域(b1+b2)、區(qū)域c(＝c1+c2)這三個區(qū)域的模式。根據(jù)此，獲得對應(yīng)于這三個區(qū)域的三通道信號。(模式r2和r3)模式r2和r3(圖8的f和圖8的g)是比較模式以闡明由于本公開內(nèi)容的配置引起的效果。模式r2和r3對應(yīng)于以下實(shí)例：其中，光束通過在正切方向上延伸的兩個劃分線被劃分為包括徑向方向上的區(qū)域a、和區(qū)域b(＝b1+b2)或者區(qū)域b和c的三個區(qū)域。在模式r2的情況下，對應(yīng)于區(qū)域b1和b2的光接收信號的電信號彼此相加，并且成為一通道信號。即，獲得內(nèi)通道(區(qū)域a)和外通道(區(qū)域：b1+b2)的兩通道(r2)信號、或者內(nèi)通道(區(qū)域a)和外通道(區(qū)域b和c)的三通道信號。在此，當(dāng)瞳孔半徑假設(shè)為1.0時，徑向方向上的區(qū)域劃分位置被設(shè)置為位于±0.55的位置。除此之外，隨后還將描述結(jié)合在專利文獻(xiàn)2和專利文獻(xiàn)3以及prml探測方法的技術(shù)的情況下基于模式r2/r3和模式h3a的劃分通過執(zhí)行特性比較獲得的結(jié)果。(關(guān)于每個模式的模擬結(jié)果)圖10示出了關(guān)于圖8的a至圖8的g中示出的六個模式的模擬結(jié)果。作為信號指數(shù)值，使用e-mlse，并且信號指數(shù)值應(yīng)該應(yīng)用在以下模擬中。在與bdxl(注冊商標(biāo))相比記錄密度被設(shè)置為更高的情況下，可能導(dǎo)致誤差的數(shù)據(jù)模式變得彼此不同。因此，作為相關(guān)技術(shù)中的信號指數(shù)值的i-mlse的誤差成為問題。在此，在本公開內(nèi)容中，作為相對高的線密度中的信號指數(shù)值的精確性改善所需的、添加了新數(shù)據(jù)模式并且不同于i-mlse的信號評估值用于說明效果。在下文中，精確性被改善的新的指數(shù)值被稱為e-mlse。在e-mlse中添加的數(shù)據(jù)模式包括以下三種模式。在模式陣列按照“1”寫入的位表示位轉(zhuǎn)換出現(xiàn)在關(guān)于探測模式的錯誤模式中的地點(diǎn)。加法模式(1)：10111101加法模式(2)：1011110111101加法模式(3)：10111100111101以供參考，與在i-mlse的精確性充分的相關(guān)技術(shù)的bdxl(注冊商標(biāo))中相同的線密度中，e-mlse和i-mlse接近于彼此匹配，并且誤差改善的差值在較高線密度中示出。在實(shí)際應(yīng)用中重要的指數(shù)值關(guān)于誤碼率的理論相關(guān)在每種情況下是相同的。因此，存在計算方面的差值以及應(yīng)用線密度的范圍內(nèi)的差值，但是在這種情況下可通過相同感測識別信號質(zhì)量的評估值。此外，在本公開內(nèi)容中，可以使用除了e-mlse之外的指數(shù)。隨后將補(bǔ)充由于在線密度變高的情況下可能導(dǎo)致誤差的數(shù)據(jù)模式中的差值導(dǎo)致的e-mlse與i-mlse之間的差值。在下文中，將基于關(guān)于相應(yīng)模式的模擬結(jié)果進(jìn)行描述。模擬條件如下。tp＝0.225μm(在岸臺和溝槽這兩者中)，na＝0.85pr(1233321)評估指數(shù)：e-mlse溝槽深度(1/15)λ記號寬度＝tp×0.7存在圓盤噪聲和安培噪聲抽頭1t-間隔31抽頭擾動原點(diǎn)(離焦、圓盤歪斜等全部被設(shè)置為原點(diǎn)的狀態(tài))此外，當(dāng)在具有120mm直徑的圓盤中磁道間距tp為0.32μm時，假設(shè)線密度通過使用性能被表示為ld(特征容量為tp＝0.32μm)。在圖10中的模擬結(jié)果中，通過e-mlse表示的曲線圖是未執(zhí)行區(qū)域劃分情況下的結(jié)果。如可以從圖10看出，在不使用本公開內(nèi)容的配置的r3中，e-mlse在ld35gb處不顯著下降。以供參考，在擾動原點(diǎn)處，r2和r3具有接近相同的特性。在h3a和iv3中，可以在ld35gb處減少e-mlse，但是不設(shè)置在正切方向上的中心位置不同的通道，并且因此由于高線密度導(dǎo)致的劣化明顯。此外，在h3a中，與其中濾光片形狀相對最佳的iv3相比，e-mlse即使在ld35gb處也稍微較高，并且隨著線密度增加，差值增加。在正切方向上從模式iv3偏移的模式iv3ts0.2可以在給予中心為重點(diǎn)的正切方向上示出外通道與中央通道之間的中心位置的差值，并且因此可以稍微抑制由于高線密度導(dǎo)致的劣化。在設(shè)置有在正切方向上的中心位置不同的通道的ivt4中，可以看出，與徑向方向和正切方向上的劃分位置彼此相同的iv3相比，e-mlse在ld35gb處可以充分減少，并且在線密度方向上獲得對應(yīng)于ld3gb的高線密度效果。與ivt4相比，在其中通過給高線密度中的特性優(yōu)先級來優(yōu)化濾光片形狀的ivt4h中，獲得對應(yīng)于ld1gb的高線密度效果。在此，還將比較在結(jié)合專利文獻(xiàn)2和專利文獻(xiàn)3的技術(shù)、以及除了本公開內(nèi)容的配置a至e與用于比較的配置f和g之外的prml探測方法的情況下的特性。專利文獻(xiàn)2和專利文獻(xiàn)3公開了以下技術(shù)。具體地，關(guān)于與用于比較的配置f和g相似的、其區(qū)域在徑向方向上被劃分為三個區(qū)域的信號，內(nèi)區(qū)域的信號乘以(加權(quán))常數(shù)并且被彼此相加以便消除串?dāng)_。然而，專利文獻(xiàn)2和專利文獻(xiàn)3沒有描述高線密度記錄中的信號特性改善，其中，在本公開內(nèi)容中，最短的標(biāo)記超過光學(xué)系統(tǒng)的截止空間頻率。在此，圖11示出了假設(shè)在組合使用prml探測方法的情況下，通過在與本公開內(nèi)容的配置相似的由1t-間隔31抽頭和pr(1,2,3,3,3,2,1)構(gòu)成的fir濾波器的系統(tǒng)中關(guān)于ld35gb、ld39gb、ld43gb執(zhí)行經(jīng)受常數(shù)相乘和加法計算的信號的模擬的結(jié)果?？梢钥闯?，當(dāng)加權(quán)系數(shù)被設(shè)置為0.2時，e-mlse在ld35gb處被改善為與模式r3相同的程度，但是e-mlse的改善效果在ld39gb處明顯減少，并且在ld43gb處幾乎沒有獲得改善效果。此外，專利文獻(xiàn)2暗含“即使在波束傳播方向上也執(zhí)行加權(quán)以便以強(qiáng)調(diào)方式再現(xiàn)小記錄標(biāo)記的再現(xiàn)信號”作為一種理念的配置。因此，關(guān)于其中e-mlse改善效果減少的ld39gb，在對應(yīng)于h3a的位置處進(jìn)一步劃分中心區(qū)域，并且在正切方向上的外側(cè)和內(nèi)側(cè)執(zhí)行兩倍加權(quán)。這個結(jié)果對應(yīng)于ld39gb[2]，但是幾乎沒有示出暗含的高線密度效果。圖12是通過繪制結(jié)果獲得的，該結(jié)果是通過將其中組合專利文獻(xiàn)2和專利文獻(xiàn)3的技術(shù)以及prml探測方法的示例以及權(quán)重系數(shù)根據(jù)線密度而改變以重疊方式應(yīng)用至圖10中的曲線圖所獲得的。顯然，示出了本公開內(nèi)容在ld35gb處的配置的底部特性優(yōu)勢以及高線密度中的ivt4和ivt4h的另一優(yōu)勢。在下文中，將描述以下機(jī)制，其中，差值基于電-光濾波器特性的配置關(guān)于各個模式的差值出現(xiàn)在特性中。(專利文獻(xiàn)2和專利文獻(xiàn)3+prml、以及模式r2的配置中的電濾波器特性)作為本公開內(nèi)容的比較例，圖13示出了在ld35gb和頻率振幅特性作為對應(yīng)于專利文獻(xiàn)的應(yīng)用例的配置中的fir濾波器和模式r2中的fir濾波器中的抽頭系數(shù)的電濾波器的情況下的模擬結(jié)果中的抽頭系數(shù)。模式r2情況下的特性l1表示對應(yīng)于外區(qū)域b的通道的頻率振幅特性，并且特性l2表示對應(yīng)于內(nèi)區(qū)域a的通道的頻率振幅特性。在頻率振幅特性中，水平軸表示n/(256t)(n：水平軸上的值)。例如，在(n＝64)的情況下，(64/256t)＝(1/4t)。例如，在使用rll(1,7)pp調(diào)制法的情況下，當(dāng)通道時鐘周期被設(shè)置為“t”時，標(biāo)記長度變成2t至8t。(1/4t)表示在重復(fù)標(biāo)記2t的情況下的頻率。在ld35gb處，標(biāo)記2t超過空間的和光學(xué)的截止頻率，變成其中難以再現(xiàn)的頻率區(qū)域，并且具有能夠再現(xiàn)標(biāo)記3t的特性。如從圖12中的ld35gb處的e-mlse在所有情況下是相同的結(jié)果可以看出的，抽頭系數(shù)和頻率振幅特性這兩者的形狀沒有大的差異。此外，在ld35gb(擾動原點(diǎn))處，即使在專利文獻(xiàn)的應(yīng)用例的配置中，接近的相同特性由連接獨(dú)立用于模式r2的各個通道的電濾波器的配置獲得，并且在諸如r2和r3的情況下，通過提供獨(dú)立的電濾波器獲得的另一效果被限制。(模式h3a中的自適應(yīng)電-光濾波器的特性)在模式h3a中，除了徑向方向之外還在正切方向上執(zhí)行區(qū)域劃分，并且該劃分被空間和光學(xué)地執(zhí)行為在線密度方向和軌道密度方向上的頻帶不同的信號的三個區(qū)域。由各個區(qū)域的信號形成的三通道信號被允許通過在頻率和相位特性方面不同的電濾波器并且彼此相加。根據(jù)此，與其中劃分僅在徑向方向上執(zhí)行的配置相比，再現(xiàn)性能被進(jìn)一步增強(qiáng)。圖14中示出了在ld35gb的情況下的模式h3a(參考圖8的a至圖8的g)的自適應(yīng)電-光濾波器特性。在頻率振幅特性中，水平軸表示n(256t)(n：水平軸上的值)。例如，在(n＝64)的情況下，(64/256t)＝(1/4t)。例如，在使用rll(1,7)pp調(diào)制法的情況下，當(dāng)通道時鐘周期被設(shè)置為“t”時，標(biāo)記長度變成2t至8t。(1/4t)表示在重復(fù)標(biāo)記2t的情況下的頻率。特性l1是對應(yīng)于徑向方向上的外區(qū)域b的通道的頻率振幅特性，特性l2是對應(yīng)于正切方向上的外區(qū)域c的通道的頻率振幅特性，并且特性l3是對應(yīng)于中心區(qū)域a的通道的頻率振幅特性。此外，這些特性是擾動原點(diǎn)處的特性實(shí)例。圖15的a示出了模式h3a的每個通道的抽頭系數(shù)。例如，fir濾波器的抽頭數(shù)量被設(shè)置為31個抽頭。圖15的b示出了每個通道的頻率相位特性。頻率相位特性表示三個通道中的兩個通道之間的相位差。特性l11表示分別對應(yīng)于正切方向上的外區(qū)域c和徑向方向上的外區(qū)域b的通道的再現(xiàn)信息信號之間的相位差。特性l12表示分別對應(yīng)于中心區(qū)域a和徑向方向上的外區(qū)域b的通道的再現(xiàn)信息信號之間的相位差。特性l13表示分別對應(yīng)于正切方向上的外區(qū)域c和中心區(qū)域a的通道的再現(xiàn)信息信號之間的相位差。如上所述，h3a的濾波器特性具有以下特性。在振幅、相位和頻率特性方面大大不同的濾波器被構(gòu)造在三個通道的各個區(qū)域中，并且因此可以實(shí)現(xiàn)滿意的信號再現(xiàn)。在對應(yīng)于3t信號的頻帶處(水平軸上的值43附近的、由虛線包圍)，正切方向上的中心區(qū)域、外區(qū)域c和徑向方向上的外區(qū)域b的相位被設(shè)置為相互偏離180deg。中心區(qū)域被設(shè)置為阻斷對應(yīng)于4t信號的頻帶(水平軸上的值32附近的、由虛線包圍)的特性以抑制由于串?dāng)_導(dǎo)致的錯誤信號。正切方向上的外側(cè)必須有助于短標(biāo)記再現(xiàn)，并且因此對應(yīng)于8t信號的頻帶(水平軸上的值16附近的、由虛線包圍)被阻斷，并且在低于8t信號的頻帶處，徑向方向上的中心區(qū)域a和外區(qū)域b、以及正切方向上的外區(qū)域c的相位被設(shè)置為相互偏離180deg。以此方式，為每個區(qū)域構(gòu)造高通濾波器、低通濾波器、帶通濾波器和帶阻(或者陷波)濾波器等，并且因此僅通過光學(xué)方式或者僅通過電氣方式不能實(shí)現(xiàn)的濾波器特性被實(shí)現(xiàn)。此外，在本說明書的描述中，自適應(yīng)均衡器單元(fir濾波器)的抽頭系數(shù)被適當(dāng)控制。然而，在從模擬結(jié)果獲得最佳抽頭系數(shù)的情況下，可以使用其中抽頭系數(shù)是固定的均衡器單元，或者可以使用除了fir濾波器以外的具有相同特性的模擬濾波器和數(shù)字濾波器。從性能的視點(diǎn)來看，自適應(yīng)類型是優(yōu)良的，但是抽頭系數(shù)的自適應(yīng)控制可能未執(zhí)行，并且因此可以使處理和硬件簡化。此外，在多個通道的一部分處可以使用固定型均衡器單元，并且在其他通道處可以使用自適應(yīng)均衡器單元。(用于模式ivt4最佳的電濾波器)如從圖12可以看出，與在正切方向上的中心位置沒有設(shè)置不同的通道的模式r3、h3a和iv3相比，ivt4在ld35gb處具有非常滿意的e-mlse特性，并且即使在被設(shè)置為高線密度的情況下，ivt4也可以保持e-mlse是滿意的狀態(tài)。將描述用于ivt4最佳的電濾波器。首先，圖17的a中示出了在ld35gb的情況下對應(yīng)于區(qū)域a至區(qū)域d的各個通道的抽頭系數(shù)(fir濾波器的抽頭數(shù)量被設(shè)置為31個抽頭)，圖16中示出了頻率振幅特性，并且圖17的b中示出了頻率相位特性。頻率相位特性表示對應(yīng)于正切方向上的外區(qū)域c的通道與對應(yīng)于正切方向上的外區(qū)域d的通道之間的相位差。圖16以及圖17的a和圖17的b中的ivt4的濾波器特性具有以下特性。與模式h3a相似，中心區(qū)域被設(shè)置為低通特性，并且正切方向上的外區(qū)域被設(shè)置為高通特性(關(guān)于在此陳述的“高通”，在有助于信號再現(xiàn)的頻帶中，允許對應(yīng)于相對短的標(biāo)記的頻帶通過的帶通特性相對地被描述為“高通”)。此外，在模式ivt4中，正切方向上的外區(qū)域由兩個通道單獨(dú)構(gòu)成，并且兩個區(qū)域在對應(yīng)于3t和4t的頻帶(水平軸上的值43和32的附近)處構(gòu)成具有約120deg至90deg(如從抽頭系數(shù)可以看出的，約2個時鐘)的相位差的濾波器。根據(jù)此，關(guān)于按照總信號的簡單再現(xiàn)振幅，關(guān)于短標(biāo)記的相對高的靈敏性的探測是可能的。關(guān)于短標(biāo)記再現(xiàn)，還通過利用區(qū)域之間的相位差實(shí)現(xiàn)滿意的再現(xiàn)信號特性，并且相位差的應(yīng)用還有助于相對高的線密度中的滿意的特性。在對應(yīng)于4t(水平軸上的值32的附近)和3t(水平軸上的值43的附近)的頻帶中，幾乎不包含頻帶的信號分量的區(qū)域b以低通濾波器特性抑制區(qū)域中的串?dāng)_分量和其他噪聲分量，減少由于c與d之間的相位差導(dǎo)致的串?dāng)_分量，并且通過與a是頻率振幅特性的平衡刪除剩余的串?dāng)_分量。因此，不必升高c、d、以及a除了必需以外的頻率振幅特性，并且這也導(dǎo)致滿意的再現(xiàn)信號特性的實(shí)現(xiàn)。在高的線密度中，有效的是延長prml的約束長度。例如，作為約束長度被設(shè)置為9的實(shí)例，圖18中示出了被設(shè)置為pr(1,2,3,4,4,4,3,2,1)的情況下的模擬結(jié)果。模擬條件如下。tp＝0.225μm(在岸臺和溝槽這兩者中)，na＝0.85pr(123444321)評估指數(shù)：e-mlse溝槽深度(1/15)λ標(biāo)記寬度＝tp×0.7圓盤噪聲和amp噪聲存在抽頭1t-間隔31個抽頭擾動原點(diǎn)(離焦、圓盤歪斜等全部被設(shè)置為原點(diǎn)的狀態(tài))此外，假設(shè)以與使用pr(1,2,3,3,3,2,1)的情況相似的方式，線密度通過使用當(dāng)軌道間距tp在具有120mm直徑的圓盤中是0.32μm的性能容量被表示為ld(tp＝0.32μm的性能容量)。在圖18中的模擬結(jié)果中，通過e-mlse表示的曲線圖是不執(zhí)行區(qū)域劃分情況下的結(jié)果。如從圖18可以看出的，與pr(1,2,3,3,3,2,1)的情況相似，在正切方向上的中心位置沒有設(shè)置不同的通道的iv3中，由于高的線密度的劣化顯著。與徑向方向和正切方向上的劃分位置彼此相同的iv3相比，在正切方向上的中心位置設(shè)置有不同的通道的ivt4中，可以看出對應(yīng)于ld3gb的高線密度效果還被提供在線密度方向上。確認(rèn)的是，與ivt4相比，在其中通過給高線密度中的特性優(yōu)先級來優(yōu)化濾光片形狀的ivt4h中，獲得對應(yīng)于ld1gb的高線密度效果。如上所述，為了實(shí)現(xiàn)光盤的高密度，在線密度方向上的高密度通過縮短通道位長度(即，標(biāo)記長度)實(shí)現(xiàn)，并且軌道密度方向上的高密度是通過使軌道間距變窄實(shí)現(xiàn)的，記錄標(biāo)記被二維布置在信號記錄面上。光盤中的再現(xiàn)信號探測由于記錄標(biāo)記、溝槽等的周期性結(jié)構(gòu)生成的衍射光束互相重疊且互相干涉時出現(xiàn)的明和暗的變化。在由于周期p的周期性結(jié)構(gòu)導(dǎo)致的±主衍射光束中，在如圖19的a所示的瞳孔半徑被設(shè)置為1的情況下，中心的偏移量由λ/(na×p)表示。重疊越大，再現(xiàn)信號的振幅越大，并且重疊越小，再現(xiàn)信號的振幅越小。當(dāng)重疊消失時，即，偏移量λ/(na×p)變成2，振幅變成零。因此，調(diào)制傳遞函數(shù)(mtf)的空間頻率特性變成如圖19的b所示。因為λ/(na×p)是2，所以截止空間頻率變成1/p＝2na/λ。在小于截止空間頻率的周期性結(jié)構(gòu)繼續(xù)的情況下，振幅變成零。如上所述，當(dāng)應(yīng)用于波長是405nm并且na是0.85的系統(tǒng)時，獲得1/p＝2na/λ，并且p＝λ/(2na)＝238nm變成最小的可再現(xiàn)周期性結(jié)構(gòu)。這表示在作為低線密度舉例說明的rll(1,7)pp中的53nm/通道位的系統(tǒng)(ld35.2gb)中，最短的2t標(biāo)記/空間變成53nm×2×2＝212nm，這超過截止空間頻率，并且2t標(biāo)記/空間的連續(xù)的振幅變成零。關(guān)于對應(yīng)于53nm×3×2＝318nm的3t標(biāo)記/空間的周期性結(jié)構(gòu)，偏移量λ/(na×p)變成1.50，并且因此圖19的c中零階光束和±主光束互相重疊的區(qū)域有助于信號再現(xiàn)。在高線密度被稍微提高的情況下，并且因此獲得45.47nm/通道位的系統(tǒng)(ld41gb)，最短的2t標(biāo)記/空間變成45.47nm×2×2＝182nm，并且這個超過截止空間頻率。此外，關(guān)于對應(yīng)于3t標(biāo)記/空間45.47nm×3×2＝273nm的周期性結(jié)構(gòu)，偏移量λ/(na×p)變成1.75。因此，圖19的d中零階光束和±主光束互相重疊的區(qū)域有助于信號再現(xiàn)。即使在通過prml使2t標(biāo)記/空間的振幅變成零的密度中，信號處理也不會發(fā)生故障，但是短標(biāo)記再現(xiàn)質(zhì)量是一個重要因素。如上所述，在模式h3a和模式ivt4的電-光濾波器特性中，正切方向上的外區(qū)域被設(shè)置為通過對應(yīng)于諸如3t和4t的短標(biāo)記的頻帶的高頻帶的高通濾波器，并且中心區(qū)域被設(shè)置為經(jīng)常通過對應(yīng)于5t以上的長標(biāo)記的頻帶的低通濾波器。如從圖19的c和圖19的d中可以看出的，上述濾波器配置表示通過將進(jìn)一步有助于對應(yīng)于空間的和光學(xué)的短標(biāo)記的頻帶再現(xiàn)的區(qū)域和進(jìn)一步有助于對應(yīng)于長標(biāo)記的頻帶再現(xiàn)的區(qū)域有效地分離，通過強(qiáng)調(diào)其中每個區(qū)域中自己的軌道的再現(xiàn)信號分量的比例被預(yù)期為高的頻率分量，并且通過抑制或阻斷其中相鄰軌道的再現(xiàn)信號分量的比例被預(yù)期為高的頻率分量，或者通過與其他信號的平衡刪除頻率分量來實(shí)現(xiàn)自己軌道的再現(xiàn)信號質(zhì)量的增強(qiáng)。此外，在ivt4的情況下，來自正切方向上的兩個外區(qū)域的信號被允許具有相位差，并且因此關(guān)于總信號的簡單再現(xiàn)振幅，關(guān)于短標(biāo)記的具有相對高的靈敏性的探測是可能的。然而，如從圖19的c與圖19的d之間的比較可以看出的，隨著線密度變高，不僅可以有助于2t標(biāo)記/空間而且有助于3t標(biāo)記/空間的再現(xiàn)的區(qū)域也減少，并且因此可進(jìn)入對總共信號的簡單再現(xiàn)大大不利的情形。在ivt4的情況下，通過相位差探測抑制由于高靈敏度導(dǎo)致的特性劣化。如上所述，至于分離為在線密度方向和/或軌道密度方向上的頻帶中在空間的和光學(xué)的不同的多個信號，區(qū)域劃分在正切方向和徑向方向上執(zhí)行，并且具有用于相應(yīng)信號的相應(yīng)光學(xué)特性的諸如高通濾波器、低通濾波器、帶通濾波器和帶阻(或者陷波)濾波器的電濾波器應(yīng)用于來自相應(yīng)區(qū)域的信號，然后這些信號加起來。根據(jù)此，可以獲得其中碼間干擾和從相鄰軌道的信號漏泄減少的令人滿意的再現(xiàn)信號。當(dāng)構(gòu)造有效地分離頻帶中空間的和光學(xué)的不同而不是在正切方向和徑向方向上簡單的區(qū)域劃分的信號的諸如ivt4和ivt4h的濾波器時，在擾動中心的位置處可以獲得令人滿意的e-mlse，并且可以放大包括徑向彗形象差裕度的各種裕度。在圖19的e中，關(guān)于根據(jù)對應(yīng)于短標(biāo)記再現(xiàn)的軌道結(jié)構(gòu)的*-附加的衍射光束，有效的是不僅分離零階光束區(qū)域的信號，而且分離具有由于軌道結(jié)構(gòu)的±主衍射光束的干擾區(qū)域(利用o附加)的信號。如圖14和圖16中的特性所示，徑向方向上的外區(qū)域(a1和a2)被設(shè)置為超過寬頻帶的高增益，并且因此該區(qū)域?qū)υ肼暶舾?。此外，?dāng)正切方向上的外通道被提供時，對于高線密度是有利的。(放大器噪聲的效果)圖20示出了由放大器噪聲表示的隨機(jī)噪聲的效果的模擬結(jié)果。在圖20中，使用pr(1233321)的prml。附圖中示出了關(guān)于ivt4和ivt4h的模擬結(jié)果。ivt4(na+0)與ivt4(na+3db)之間的關(guān)系表示由放大器噪聲表示的隨機(jī)噪聲增加3db的情況。這對ivt4h(na+0)與ivt4h(na+3db)也是成立的。如從圖20可以看出的，其中徑向方向上的外通道的區(qū)域(光的量)大的配置以及其中正切方向上的外通道的區(qū)域(光的量)大的配置對由放大器噪聲表示的隨機(jī)噪聲的增加也是有效的(可替代地，其應(yīng)該適用于由于信號光的量減少導(dǎo)致的由放大器噪聲表示的隨機(jī)噪聲的相對增加)。圖21示出了由放大器噪聲表示的隨機(jī)噪聲的效果的模擬結(jié)果。在圖21中，使用pr(123444321)的prml。附圖中示出了關(guān)于ivt4和ivt4h的模擬結(jié)果。附圖中示出了以上描述的相似內(nèi)容。圖22的a示出了由放大器噪聲表示的隨機(jī)噪聲的效果的模擬結(jié)果。在圖22的a中，圖22的a中使用pr(123444321)的prml。附圖中示出了關(guān)于ivt4模擬結(jié)果(圖22的b中示出)。在此，當(dāng)假定除了放大器噪聲之外的隨機(jī)噪聲足夠小時的效果被示出，并且為了更簡化，放大器噪聲主要作為隨機(jī)噪聲。在圖22的a中，(r2amp)表示徑向方向上的外通道a1和a2分別通過單獨(dú)的探測器接收到并且通過iv放大器彼此相加的情況。使用兩個iv放大器，并且因此放大器噪聲增加。(t2amp)表示正切方向上的一個通道c或者d使用兩個放大器的情況，并且(c2amp)表示中心通道使用兩個放大器的情況。(na+3db)表示全部四個通道使用兩個放大器。圖23示出了放大器噪聲的效果的模擬結(jié)果。在圖23的a中，使用pr(123444321)的prml。附圖中示出了關(guān)于ivt4h的模擬結(jié)果(圖23的b中示出)。在圖23的a中，(r2amp)、(t2amp)、(c2amp)和(na+3db)的意思與圖22的a中的相似。如從上述情況可以看出的，e-mlse值由于放大器噪聲的增加或者信號量的減少導(dǎo)致劣化了1％至2％(0.01至0.02)，并且因此重要的是設(shè)計能夠減少放大器噪聲，并且能夠在不劣化記錄信號的范圍內(nèi)確保足夠的再現(xiàn)力和足夠的信號量的圓盤反射率。(最佳的pr等級)在上述描述中，為了簡化，示出了通過將ld35gb至ld45gb的線密度范圍固定至具有約束長度為7的pr(1,2,3,3,3,2,1)、以及l(fā)d39gb至ld55gb的線密度范圍被固定至具有約束長度為9的pr(1,2,3,4,4,4,3,2,1)而獲得的模擬結(jié)果。然而，實(shí)際上，最佳的pr等級根據(jù)濾光片的形狀(具體地，是否提供對應(yīng)于在正切方向上的中心位置不同的多個區(qū)域的通道)或者根據(jù)信號記錄密度(具體地，線密度方向上的密度被設(shè)置為一定程度的配置)變得不同。作為pr等級，可以考慮各種等級。關(guān)于本公開內(nèi)容中假設(shè)的被認(rèn)為對濾光片和信號記錄密度有效的各種pr等級，自適應(yīng)的等效目標(biāo)頻率特性被示出在與圖24中的電濾波器相似的水平軸(n/256t)上。作為指定各個pr等級的特性的指數(shù)值，有效的是使用對應(yīng)于水平軸上的“32”，即，4t標(biāo)記/空間的頻率中的水平軸上的等效目標(biāo)(目標(biāo)級)的值(pr-tl(4t))。在高的線密度中，空間的和光學(xué)的截止頻率偏移至水平軸方向上的左側(cè)，并且因此對應(yīng)于最佳的pr等級的pr-tl(4t)減少。實(shí)際上，以下示出了通過關(guān)于圓盤執(zhí)行信號再現(xiàn)而獲得的結(jié)果，該圓盤被制備為具有單面三層結(jié)構(gòu)并且在該圓盤上通過使用設(shè)置有包括對應(yīng)于在正切方向上的中心位置不同的多個區(qū)域的通道的濾光片的配置、以及設(shè)置有沒有包括通道的濾光片的配置以多個信號記錄密度執(zhí)行記錄。實(shí)驗條件如下。盤記錄面：單面三層結(jié)構(gòu)tp＝0.225μm(在岸臺和溝槽這兩者中)溝槽深度：約(1/16)λ以下面信號記錄密度關(guān)于岸臺和溝槽這兩者執(zhí)行多軌道記錄。信號記錄密度ld35.18gb(53nm/通道位)50.0gb/層，相當(dāng)于兩面六層中的300gbld41.1gb(45.4nm/通道位)58.5gb/層，相當(dāng)于兩面六層中的351gbld47.0gb(39.7nm/通道位)66.8gb/層，相當(dāng)于兩面六層中的401gb再現(xiàn)光學(xué)系統(tǒng)na＝0.85波長：405nm濾光片圖25中描述的兩種類型vht4：總共四個通道的信號被獲得。四個通道包括對應(yīng)于在正切方向上的中心位置不同的三個區(qū)域b、d和e的三個通道、以及對應(yīng)于徑向方向上的外區(qū)域a(a1+a2)的一個通道。vht4是具有非常接近于上述ivt4中的特性的濾光片。vht4被設(shè)置為包括在正切方向上的中心位置不同的多個區(qū)域的類型(t類型)的典型實(shí)例。jr4：未提供對應(yīng)于在正切方向上的中心位置不同的多個區(qū)域的通道?？偣菜膫€通道的信號被獲得。四個通道包括對應(yīng)于在徑向方向上的中心位置不同的三個區(qū)域c、e和d的三個通道、以及對應(yīng)于正切方向上的外區(qū)域(a+b)的一個通道。jr4被設(shè)置為包括在徑向方向上的中心位置不同的多個區(qū)域的類型(r類型)的典型實(shí)例。自適應(yīng)均衡器抽頭：2t-間隔25個抽頭(49t寬度)具有抽頭初始值(圖26的a和圖26的b中示出了實(shí)例)pr等級等級包括表1中描述的pr(1,2,3,3,3,2,1)和pr(1,2,3,4,4,4,3,2,1)并且在pr-tl(4t)＝0.128至0.471的范圍內(nèi)評估指數(shù)e-mlse[表1]pr-tl(4t)isi7pr(1，5，6，8，6，5，1)0.471isi7pr(1，3，4，5，4，3，1)0.440isi7pr(2，4，6，7，6，4，2)0.408isi7pr(1，2，3，3，3，2，1)0.389isi7pr(1，1，2，2，2，1，1)0.341isi9pr(1，5，6，10，11，10，6，5，1)0.292isi9pr(2，7，9，14，16，14，9，7，2)0.274isi9pr(1，3，4，6，7，6，4，3，1)0.264isi9pr(2，6，8，11，14，11，8，6，2)0.251isi9pr(1，2，3，4，5，4，3，2，1)0.233isi9pr(4，7，11，15，17，15，11，7，4)0.223isi9pr(2，3，5，7，7，7，5，3，2)0.211isi9pr(1，2，3，4，4，4，3，2，1)0.201isi9pr(6，9，15，19，20，19，15，9，6)0.188isi9pr(6，10，15，20，20，20，15，10，6)0.181isi9pr(4，6，9，12，12，12，9，6，4)0.169isi9pr(7，9，14，18，19，18，14，9，7)0.154isl9pr(7，8，12，15，17，15，12，8，7)0.128圖27示出了ld35.18gb(53nm/通道位)、50.0gb/層(相當(dāng)于兩面六層中的300gb)的情況下的實(shí)驗結(jié)果。圖28示出了在ld41.1gb(45.4nm/通道位)、58.5gb/層(相當(dāng)于兩面六層中的351gb)的情況下的實(shí)驗結(jié)果。圖29示出了在ld47.0gb(39.7nm/通道位)、66.8gb/層(相當(dāng)于兩面六層中的401gb)的情況下的實(shí)驗結(jié)果。水平軸表示以對應(yīng)于再現(xiàn)中使用的pr等級的4t標(biāo)記/空間的頻率的等效目標(biāo)值pr-tl(4t)，并且垂直軸表示足夠?qū)拸V部分中的e-mlse(描述為百分比)的平均值。按照t-類型的指示對應(yīng)于使用vht4的情況，按照r-類型的指示對應(yīng)于使用jr4的情況，(g)表示在岸臺和溝槽這兩者上執(zhí)行記錄的區(qū)域中的溝槽再現(xiàn)，并且(l)表示岸臺再現(xiàn)。如從圖27和表1可以看出的，在ld35.18gb下，在r-類型jr4的情況下，當(dāng)結(jié)合岸臺和溝槽接近于pr(1,1,2,2,2,1,1)的pr-tl(4t)是0.325至0.33時獲得最佳值。在t-類型vht4的情況下，當(dāng)結(jié)合岸臺和溝槽的pr-tl(4t)是0.41或者更大時e-mlse特性變得接近于平坦。如上所述，可以看出光學(xué)pr等級在r-類型與t-類型之間是不同的。此外，當(dāng)模擬中使用的pr(1,2,3,3,3,2,1)被設(shè)置為參考時，r-類型的光學(xué)pr-tl(4t)位于小邊上，t-類型的光學(xué)pr-tl(4t)位于大邊上，并且等級是適用于在固定pr中比較的pr等級。如從圖28和表1可以看出的，在ld41.1gb下，r-類型jr4的岸臺在pr(2,3,5,7,7,7,5,3,2)附近具有最佳的e-mlse，r-類型jr4的溝槽在pr(4,7,11,15,17,15,11,7,4)附近具有最佳的e-mlse，t-類型vht4的岸臺在pr(2,6,8,11,14,11,8,6,2)附近具有最佳的e-mlse，并且t-類型vht4的溝槽在pr(1,3,4,6,7,6,4,3,1)附近具有最佳的e-mlse。如上所述，最佳的pr等級在r-類型與t-類型之間是不同的，并且最佳的pr等級在岸臺與溝槽之間是不同的。如從圖29和表1可以看出的，在ld47.0gb下，r-類型jr4的岸臺在pr(7,9,14,18,19,18,14,9,7)附近具有最佳的e-mlse，r-類型jr4的溝槽在pr(4,6,9,12,12,12,9,6,4)附近具有最佳的e-mlse，并且t-類型vht4的岸臺和溝槽這兩者在pr(6,9,15,19,20,19,15,9,6)附近具有最佳的e-mlse。在此，即使在實(shí)驗中使用的最佳的pr等級在所有情況下都相同的情況下，也可以看出，從pr-tl(4t)值的方面來說pr等級在岸臺與溝槽之間是不同的。在此，當(dāng)在高線密度條件下的模擬中使用的pr(1,2,3,4,4,4,3,2,1)被設(shè)置為參考時，可以看出ld41.1gb處的最佳的pr-tl(4t)位于r-類型和t-類型這兩者中的大邊上，ld47.0gb處的最佳的pr-tl(4t)位于r-類型和t-類型這兩者中的小邊上，并且該等級是用于固定pr中的比較的合適的pr等級。圖30是通過關(guān)于r-類型和t-類型的岸臺和溝槽中的每一個的條件繪制最佳的pr-tl(4t)與線密度之間的關(guān)系獲得的。在pr-tl(4t)中e-mlse變成最佳的并且線密度具有高相關(guān)性。因此，當(dāng)從曲線圖獲得其中最佳的pr-tl(4t)在r-類型與t-類型之間變成相同的線密度關(guān)系時，可以看出線密度對應(yīng)于約ld3gb，并且在實(shí)驗中可以確認(rèn)與在固定的pr的模擬中確定的t-類型的高線密度效果相同的效果。當(dāng)從多個pr等級中選擇最佳的pr等級時，有效的是使用相應(yīng)的pr-tl(4t)的值作為參考。在將關(guān)于對應(yīng)于另一pr-tl(4t)的多個pr等級的再現(xiàn)特性確認(rèn)為候選之后，可以選擇關(guān)于pr-tl(4t)離裕度中心最近的pr等級。圖31的a和圖31的b示出了選擇最佳的pr等級的情況下的e-mlse和i-mlse與線密度之間的關(guān)系。在選擇最佳的pr等級之后執(zhí)行再現(xiàn)的情況下，可以看出線密度與e-mlse之間的關(guān)系在r-類型和t-類型中以相同的傾角發(fā)生線性變化。此外，在ld35.18gb下，可以看出e-mlse和i-mlse在r-類型和t-類型中變成大約相同的值，e-mlse與i-mlse之間的差隨著線密度變高而增加。其原因如下。如上所述，在高線密度的情況下，可能導(dǎo)致誤差的數(shù)據(jù)模式發(fā)生變化，并且因此添加模式的e-mlse與未添加模式的i-mlse之間的差增加。根據(jù)實(shí)驗結(jié)果，與上述模擬結(jié)果相比e-mlse稍差。這個差是通過其中e-mlse根據(jù)測量部分中的記錄狀態(tài)在實(shí)驗結(jié)果中改變約1％的情形、其中在與模擬相比具有單面三層結(jié)構(gòu)的實(shí)驗圓盤的情況下諸如上述放大器噪聲的不規(guī)則噪聲進(jìn)一步增加的情形足以解釋的差、記錄標(biāo)記中的差等。圖32示出了當(dāng)在關(guān)于圖28的ld41.1gb處的t-類型vht4的溝槽增至1.4倍的再現(xiàn)力的情況下添加e-mlse時的結(jié)果，以致掌握由于隨機(jī)噪聲的效應(yīng)的程度。當(dāng)再現(xiàn)力增至1.4倍時，可以看出e-mlse提高約1％。此外，最佳pr等級(pr-tl(4t))還根據(jù)再現(xiàn)力稍微發(fā)生變化。(模式選擇的實(shí)例)圖33示出了根據(jù)本公開內(nèi)容的實(shí)施方式的劃分模式的實(shí)例。執(zhí)行劃分為由a1、a2、b、d、e和f表示的六個區(qū)域。在本公開內(nèi)容中，形成在正切方向上劃分的第一區(qū)域e和第二區(qū)域f。由斜線表示的中心區(qū)域是為多層圓盤中的另一層漫射光對策設(shè)置的遮光區(qū)域。即，遮光區(qū)域被設(shè)置在正切方向上的±0.15處和徑向方向上的±0.35處。此外，相應(yīng)區(qū)域由相應(yīng)的探測器接收并且被允許通過iv放大器，并且如表2a所示，計算相應(yīng)的通道。[表2a]ivt4mivr4mivl4m通道1a1+a2e+fe+f通道2b+db+da1+a2通道3ea1b通道4fa2d如表2a所示，圖33中的劃分模式的相應(yīng)區(qū)域的探測信號與選定的組合模式(在下文中，適當(dāng)?shù)胤Q為選擇模式)結(jié)合以形成以下四個通道ch1至ch4。形成選擇模式ivt4m、ivr4m和ivl4m。例如，根據(jù)表2a結(jié)合相應(yīng)通道的探測器的探測信號。選擇模式ivt4m：ch1＝a1+a2、ch2＝b+d、ch3＝e、ch4＝f選擇模式ivr4m：ch1＝e+f、ch2＝b+d、ch3＝a1、ch4＝a2選擇模式ivl4m：ch1＝e+f、ch2＝a1+a2、ch3＝b、ch4＝d在前述實(shí)驗結(jié)果中ivt4m對應(yīng)于“t-類型”，并且ivr4m對應(yīng)于“r-類型”。此外，如表2b所示，可形成五通道輸出或者六通道輸出，而不限于如上所述通過使用圖33中的劃分模式形成四通道輸出。[表2b]ivtr5mivtl5mivtl6m通道1eee通道2fff通道3b+da1+a2a1通道4a1ba2通道5a2db通道6d如表2b所示，圖33中的劃分模式的相應(yīng)區(qū)域的探測信號與選擇模式結(jié)合以形成以下五個通道ch1至ch5或者六個通道ch1至ch6。形成選擇模式ivtr5m、ivtl5m和ivtlr6m。例如，可根據(jù)表2b結(jié)合相應(yīng)通道的探測器的探測信號。選擇模式ivtr5m：ch1＝e、ch2＝f、ch3＝b+d、ch4＝a1、ch5＝a2選擇模式ivtl5m：ch1＝e、ch2＝f、ch3＝a1+a2、ch4＝b、ch5＝d選擇模式ivtlr6m：ch1＝e、ch2＝f、ch3＝a1、ch4＝a2、ch5＝b、ch6＝d(自適應(yīng)均衡器的實(shí)際收斂到達(dá)點(diǎn))關(guān)于表2a中示出的相應(yīng)的選擇模式，圖34示出了從均衡誤差較大的狀態(tài)開始之后的自適應(yīng)均衡器收斂的過程期間的模擬結(jié)果。然而，放大器噪聲和盤噪聲被添加，但是諸如缺陷的突發(fā)噪聲未被添加，并且因此e-mlse值根據(jù)進(jìn)程通道位長度的增加而改善。圖25中示出了作為比較例的模式j(luò)r4。圖34示出了在線密度是ld35.18gb(50gb/l)以及pr等級是pr(1233321)的情況下的模擬結(jié)果。在實(shí)際裝置中，考慮的是曲線圖的水平軸的到達(dá)程度根據(jù)盤中的基板、記錄膜、記錄信號質(zhì)量等而改變。當(dāng)盤等的質(zhì)量良好，并且可以良好地進(jìn)行收斂時，ivt4m具有最令人滿意的特性。相反，在盤等的質(zhì)量不好，并且抑制收斂的信號干擾較大的情況下，可以說其中初始收斂較快的ivr4m是有利的。此外，可以說ivl4m的收斂性能不好。當(dāng)提供合適的抽頭系數(shù)初始值時，可以在一定程度上吸收收斂性能中的差異。然而，在盤等的質(zhì)量不好，并且抑制收斂的信號干擾較大的情況下，收斂性能中的差異反映在特性中的平均差異上。圖35示出了在線密度和pr等級改變的情況下的模擬結(jié)果。圖35示出了其中線密度是(ld44gb(62.5gb/l))，并且pr等級是pr(235777532)的模擬結(jié)果。在每個模式的傾向中，如圖26中線密度較低的情況，收斂性能在徑向方向上的外區(qū)域被設(shè)置為相應(yīng)通道，即，r-類型的ivr4m(和jr4)中是優(yōu)良的。然而，可以看出除了初始收斂之外特性的優(yōu)良在ivt4m，即t-類型中更顯著，并且因此優(yōu)良的模式根據(jù)線密度和圓盤等的質(zhì)量在能夠通過相同劃分模式實(shí)現(xiàn)的模式之間彼此交換。能夠轉(zhuǎn)換通過光電子集成電路(oeic)等的狀態(tài)轉(zhuǎn)換利用最初相同的劃分模式形成的多個模式(濾光片)的配置對“處理具有各種質(zhì)量類型的圓盤”、“處理其他密度”等非常有效。(模式選擇的另一實(shí)例)如表3所示的各種光學(xué)濾光器可以基于圖36中示出的模式ivnst6的劃分形成。ivnst6是通過將中心區(qū)域b劃分為徑向方向上的三個區(qū)域獲得以便基于ivt4增加在徑向方向上的頻帶中空間且光學(xué)不同的區(qū)域的劃分?jǐn)?shù)量。在此，當(dāng)瞳孔半徑被假定為1.0時，徑向方向上的區(qū)域劃分位置被設(shè)置為位于±0.25、±0.5和±0.7處的位置，并且正切方向上的區(qū)域劃分位置被設(shè)置為位于±0.45和±0.65處的位置。如表3所示，在四通道輸出的情況下，有效的是采用能夠在除了ivt4之外的ivtsm4、ivsp4、ivos4和ivr4(區(qū)域a被設(shè)置為在右側(cè)和左側(cè)單獨(dú)的通道)中交換至少兩個的配置。例如，在利用oeic實(shí)現(xiàn)的情況下，施加至狀態(tài)轉(zhuǎn)換管腳的電壓可以轉(zhuǎn)換為高電平、中間電平和低電平這三個值。此外，即使在不限于四通道輸出的五通道輸出的情況下，ivtsp5和ivns5等的轉(zhuǎn)換也是可能的。[表3]<第二實(shí)施方式>(模式選擇)如表4a中所示，執(zhí)行第二實(shí)施方式中的模式選擇。[表4a]ivt4m(sd)ivt4mivr4mivl4m通道1a1+a2a1+a2e+fe+f通道2b+db+db+da1+a2通道3e+fea1b通道4e－ffa2d當(dāng)與第一實(shí)施方式中的模式選擇(表2a)相比時，添加選擇模式ivt4m(sd)。選擇模式ivt4m(sd)：ch1＝a1+a2、ch2＝b+d、ch3＝e+f、ch4＝e-f即，這個選擇模式形成區(qū)域e與f之間的和(e+f)和差(e-f)并且將和(e+f)和差(e-f)處理為相應(yīng)的通道。此外，如上所述，在不限于形成四通道輸出的情況下，如表4b所示，可以形成五通道輸出或者六通道輸出。[表4b]當(dāng)與第一實(shí)施方式中的選擇模式(表2b)相比時，添加選擇模式ivtr5m(sd)、ivtl5m(sd)和ivtlr6m(sd)。選擇模式ivtr5m(sd)：ch1＝e+f、ch2＝e-f、ch3＝b+d、ch4＝a1、ch5＝a2選擇模式ivtl5m(sd)：ch1＝e+f、ch2＝e-f、ch3＝a1+a2、ch4＝b、ch5＝d選擇模式ivtlr6m(sd)：ch1＝e+f、ch2＝e-f、ch3＝a1、ch4＝a2、ch5＝b、ch6＝d(電濾波器的頻率振幅特性)圖37示出了導(dǎo)致ivt4m在ld35.18gb下的相應(yīng)通道的電濾波器的頻率振幅特性。t表示通道ch3或者ch4的特性，r外部表示通道ch1(a1+a2)的特性，并且中心表示通道ch2(b+d)的特性。特性接近于圖16與圖17的a和圖17的b中示出的ivt4的特性。圖38示出了ivt4m(sd)的相應(yīng)通道的頻率振幅特性。t和表示通道ch3(e+f)的特性，t差表示通道ch4(e-f)的特性，r外部表示通道ch1(a1+a2)的特性，并且中心表示通道ch2(b+d)的特性?？梢钥闯鰬?yīng)用于正切方向上的兩個t-類型外通道的約90deg至120deg的相位差被分離為和通道(相位差：0)和差通道(相位差：180deg)并且彼此轉(zhuǎn)換。(自適應(yīng)均衡器的實(shí)際收斂到達(dá)點(diǎn))關(guān)于表4a中示出的相應(yīng)的選擇模式，圖39示出了從均衡誤差較大的狀態(tài)開始之后的自適應(yīng)均衡器收斂的過程期間的模擬結(jié)果。然而，放大器噪聲和圓盤噪聲被添加，但是諸如缺陷的突發(fā)噪聲未被添加，并且因此e-mlse值根據(jù)進(jìn)程通道位長度的增加而改善。圖25中示出了作為比較例的模式j(luò)r4。圖39示出了在線密度是ld35.18gb(50gb/l)以及pr等級是pr(1233321)的情況下的模擬結(jié)果。在選擇模式ivt4m(sd)中，初始收斂快，并且收斂目的地與ivt4m中的相同。(抽頭系數(shù))圖40示出了對應(yīng)于上述電濾波器的選擇模式ivt4m的相應(yīng)通道的抽頭系數(shù)。例如，fir濾波器的抽頭數(shù)量被設(shè)置為31個抽頭。圖41示出了對應(yīng)于上述電濾波器的選擇模式ivt4m(sd)的相應(yīng)通道的抽頭系數(shù)。抽頭數(shù)量被設(shè)置為31個抽頭。圖40和圖41示出了當(dāng)在線密度是ld35.18gb(50gb/l)并且pr等級是pr(1233321)的情況下執(zhí)行關(guān)于溝槽的記錄和再現(xiàn)時的模擬結(jié)果。在上述描述中，假設(shè)記錄在圓盤上的標(biāo)記利用明和暗區(qū)分。然而，實(shí)際上，在如圖42所示的岸臺/溝槽記錄方法的情況下，如附圖所示，記錄標(biāo)記傾向于傾斜擴(kuò)展。例如，在岸臺和溝槽這兩者中標(biāo)記擴(kuò)展約+0.03λ。標(biāo)記的擴(kuò)展/收縮被稱為相位(λ)。正相位表示擴(kuò)展，并且負(fù)相位表示收縮。此外，在從形狀方面出現(xiàn)擴(kuò)展的情況下，但是與標(biāo)記的中心部相比標(biāo)記的外圍部進(jìn)一步擴(kuò)展，并且因此形狀看起來收縮，假設(shè)在包括相位在代替不均勻作為形狀的反射期間變化的記錄膜的情況等情況下，在振幅反射率和相位中相等地處理反射率。在下文中，將描述在以下條件下的模擬結(jié)果。選擇模式：ivt4m(ivt4m(sd))也具有相同特性)和ivr4m密度1：ld35.2gb(53nm/通道位)、pr(1233321)(is17)密度2：ld44.0gb(42.37nm/通道位)、pr(123444321)(is19)溝槽深度：(1/16)λtp＝225nm×2(l/g)、標(biāo)記寬度：175nm調(diào)制度被固定為55％，并且特性在標(biāo)記l和g的相位在±0.06λ的范圍內(nèi)改變時進(jìn)行比較。首先，將互相比較密度1的條件(ld35.2gb)下的特性。(ivt4m和ivr4m的e-mlse底特性(ld35gb))圖43的a示出了在再現(xiàn)(稱為溝槽再現(xiàn))ivt4m的情況下溝槽中記錄的標(biāo)記的情況下的特性。在圖43的a中，正方形圖表的垂直軸表示岸臺中記錄的標(biāo)記的相位的正和負(fù)，正方形圖表的水平軸表示溝槽中記錄的標(biāo)記的相位的正和負(fù)。在正方形圖表中，繪制對應(yīng)于e-mlse值的等值線(虛線)。關(guān)于e-mlse，由諸如成角度的a、b、c、d...符號區(qū)別?！癮”表示e-mlse值是最小的(令人滿意的指數(shù))范圍，并且隨著它轉(zhuǎn)換為b、c、d...，達(dá)到e-mlse值較大的范圍。這個關(guān)系還適用于其他附圖。圖43的b示出了在再現(xiàn)(稱為岸臺再現(xiàn))ivt4m的岸臺中記錄的標(biāo)記的情況下的特性。圖44的a示出了ivr4m的溝槽再現(xiàn)的特性。圖44的b示出了ivr4m的岸臺再現(xiàn)的特性。當(dāng)互相比較圖43的a和圖43的b以及圖44的a和圖44的b時，可以看出在溝槽再現(xiàn)中的兩個選擇模式之間不存在大的差，但是在岸臺再現(xiàn)中ivt4m優(yōu)于ivr4m。(0.1視場偏差中的ivt4m和ivr4m的e-mlse(ld35gb))圖45的a示出了在當(dāng)物鏡的半徑被設(shè)置為1時在徑向方向上出現(xiàn)0.1視場偏差的情況下ivt4m的溝槽再現(xiàn)的特性。圖45的b示出了ivt4m的岸臺再現(xiàn)的特性。類似地，圖46的a示出了在當(dāng)物鏡的半徑被設(shè)置為1時在徑向方向上出現(xiàn)0.1視場偏差的情況下ivr4m的溝槽再現(xiàn)的特性。圖44的b示出了ivr4m的岸臺再現(xiàn)的特性。當(dāng)互相比較圖45的a和圖45的b以及圖46的a和圖46的b時，當(dāng)視場偏離時，在岸臺再現(xiàn)中ivt4m通常是優(yōu)良的。相反，在溝槽再現(xiàn)中ivr4m優(yōu)于ivt4m。(0.1視場偏差(ld35gb)中的ivt4m和ivr4m的e-mlse的劣化量)圖47的a示出了在當(dāng)物鏡的半徑被設(shè)置為1時在徑向方向上出現(xiàn)0.1視場偏差的情況下關(guān)于視場的中心的ivt4m的溝槽再現(xiàn)中的e-mlse劣化量的特性。圖47的b示出了ivt4m的岸臺再現(xiàn)中的e-mlse劣化量的特性。類似地，圖48的a示出了在當(dāng)物鏡的半徑被設(shè)置為1時在徑向方向上出現(xiàn)0.1視場偏差的情況下關(guān)于視場的中心的ivr4m的溝槽再現(xiàn)中的e-mlse劣化量的特性。圖48的b示出了ivr4m的岸臺再現(xiàn)中的e-mlse劣化量的特性。當(dāng)互相比較圖47的a和圖47的b以及圖48的a和圖48的b時，在ivt4m中，標(biāo)記相位的優(yōu)點(diǎn)和缺點(diǎn)在溝槽再現(xiàn)與岸臺再現(xiàn)之間的傾向是不同的。ivr4m側(cè)的劣化量明顯較小。(e-mlse底特性差(當(dāng)滿足ivr4m>ivt4m的關(guān)系(ld35gb)時是正值)圖49的a示出了溝槽再現(xiàn)中的ivt4m和ivr4m的e-mlse特性中的差(當(dāng)e-mlse值滿足ivr4m>ivt4m的關(guān)系時是正值)的記錄標(biāo)記相位依從性。類似地，圖49的b示出了岸臺再現(xiàn)的特性。在溝槽和岸臺這兩者中ivt4m優(yōu)于ivr4m。圖50的a示出了在視場0.1的情況下溝槽再現(xiàn)中的ivt4m和ivr4m的e-mlse特性中的差(當(dāng)e-mlse值滿足ivr4m>ivt4m的關(guān)系時是正值)的記錄標(biāo)記相位依從性。在溝槽再現(xiàn)的情況下，ivt4m的特性劣化在0.1視場中較大，并且因此ivr4m總體優(yōu)于ivt4m。圖50的b示出了在0.1視場的情況下岸臺再現(xiàn)中的ivt4m和ivr4m的e-mlse特性中的差(當(dāng)e-mlse值滿足ivr4m>ivt4m的關(guān)系時是正值)的記錄標(biāo)記相位依從性。在岸臺再現(xiàn)的情況下，ivt4m的特性劣化在0.1視場中較小，并且因此ivt4m總體優(yōu)于ivr4m。當(dāng)互相比較圖49的a和圖49的b以及圖50的a和圖50的b時，可以看出在視場的中心處的溝槽再現(xiàn)和岸臺再現(xiàn)的任何情況下ivt4m都優(yōu)于ivr4m，但是在0.1視場的情況下，關(guān)系發(fā)生變化以致在溝槽再現(xiàn)中ivr4m優(yōu)于ivt4m，并且在岸臺再現(xiàn)中ivt4m優(yōu)于ivr4m。接下來，將互相比較密度2的條件(ld44.0gb)下的特性。(ivt4m和ivr4m的e-mlse底特性)圖51的a示出了ivt4m的溝槽再現(xiàn)的特性。圖51的b示出了ivt4m的岸臺再現(xiàn)的特性。在附圖中，由虛線圍繞的e-mlse值的范圍表示e-mlse的范圍。圖52的a示出了ivr4m的溝槽再現(xiàn)的特性。圖52的b示出了ivr4m的岸臺再現(xiàn)的特性。在附圖中，由虛線圍繞的e-mlse值的范圍表示e-mlse的范圍。當(dāng)互相比較圖51的a和51的b以及圖52的a和圖52的b時，在溝槽再現(xiàn)和岸臺再現(xiàn)的任何情況下ivt4m都絕對優(yōu)于ivr4m。(e-mlse底特性差(當(dāng)ivr4m>ivt4m的關(guān)系滿足(ld44gb)時是正值))圖53的a示出了溝槽再現(xiàn)中的ivt4m和ivr4m的e-mlse特性中的差(當(dāng)e-mlse值滿足ivr4m>ivt4m的關(guān)系時是正值)的記錄標(biāo)記相位依從性。類似地，圖53的b示出了岸臺再現(xiàn)的特性。從圖53的a和圖53的b中，可以看出在溝槽再現(xiàn)和岸臺再現(xiàn)的任何情況下ivt4m都絕對優(yōu)于ivr4m，并且當(dāng)溝槽記錄標(biāo)記相位是負(fù)值并且岸臺記錄標(biāo)記相位是正值時，優(yōu)勢進(jìn)一步增加。從上述選擇模式ivt4m和ivr4m的模擬結(jié)果中，可以看出適當(dāng)切換與以下實(shí)例相似的選擇模式是有效的。(1)關(guān)于具有多個線密度的圓盤，根據(jù)線密度切換選擇模式。例如，在存在線密度ld35gb和ld44gb的情況下，關(guān)注于特性穩(wěn)定性與物鏡的視場偏差，在ld35gb中使用ivr4m，并且關(guān)注于底特性的絕對優(yōu)勢，在ld44gb中使用ivt4m。(2)選擇模式在溝槽再現(xiàn)與岸臺再現(xiàn)之間切換。標(biāo)記相位在許多區(qū)域中經(jīng)常是正值，并且因此在溝槽再現(xiàn)中選擇針對視場偏差而言強(qiáng)壯的ivr4m，并且因為視場偏差的影響小所以在岸臺再現(xiàn)中選擇底特性優(yōu)良的ivt4m。(3)根據(jù)多層結(jié)構(gòu)的層位置切換模式。例如，在無機(jī)記錄膜的情況下，標(biāo)記相位取決于隔離物(或者覆蓋層)/介質(zhì)層/記錄層/介質(zhì)層/隔離物(或者圓盤基板)的相應(yīng)材料(硬度、熱耗散、記錄期間物理性能的變化等)。此外，還可以設(shè)置與確定的圓盤的id(種類)適當(dāng)一致的選擇模式。此外，如上所述，最佳的pr等級根據(jù)線密度和濾光片(劃分模式)是不同的，并且因此可以通過根據(jù)(1)線密度、(2)岸臺和溝槽、以及(3)多層結(jié)構(gòu)的層位置選擇彼此不同的pr等級實(shí)現(xiàn)再現(xiàn)特性的進(jìn)一步改善。(ivt4m(sd)的e-mlse和抽頭系數(shù)(ld35gb溝槽記錄)在溝槽再現(xiàn)中可以從通道4(e-f)的自適應(yīng)均衡器的抽頭系數(shù)的振幅中確定溝槽的標(biāo)記相位。當(dāng)還使用另一通道時，可以進(jìn)一步提高精確性。從e-mlse方面來說ivt4m和ivt4m(sd)彼此大約相同，但是更容易確定ivt4m(sd)側(cè)的抽頭系數(shù)與標(biāo)記相位之間的關(guān)系。因此，抽頭系數(shù)可利用為圓盤評估指數(shù)。圖54示出了與圖43的a相似的ivt4m的溝槽記錄標(biāo)記相位與e-mlse之間的關(guān)系。在圖54中，a至i的九個點(diǎn)被設(shè)置為標(biāo)記相位的值。圖55的a至圖55的c、圖56的d至圖56的f以及圖57的g至圖57的i中示出了a至i中的每一個與自適應(yīng)均衡器的抽頭系數(shù)之間的關(guān)系。附圖中的a至i對應(yīng)于上述標(biāo)記相位。如從圖55的a至圖55的c、圖56的d至圖56的f以及圖57的g至圖57的i可以看出，在其中溝槽記錄標(biāo)記相位是負(fù)值的點(diǎn)(a，d，g)處，對應(yīng)于差通道4(e-f)的自適應(yīng)均衡器的抽頭系數(shù)的振幅大。相反地，隨著溝槽記錄標(biāo)記相位變成0(b，e和h)，以及正值(c，f和i)，對應(yīng)于差通道4(e-f)的自適應(yīng)均衡器的抽頭系數(shù)的振幅迅速減少。以此方式，抽頭系數(shù)以一對一關(guān)系對應(yīng)于溝槽記錄標(biāo)記相位，并且因此可以從抽頭系數(shù)評估光盤。(ivt4m(sd)的e-mlse和抽頭系數(shù)(ld35gb岸臺記錄)在岸臺再現(xiàn)中可以從通道4(e-f)的自適應(yīng)均衡器的抽頭系數(shù)的振幅中確定岸臺的標(biāo)記相位。當(dāng)還使用另一通道時，可以進(jìn)一步提高精確性。從e-mlse方面來說ivt4m和ivt4m(sd)彼此大約相同，但是更容易確定ivt4m(sd)側(cè)的抽頭系數(shù)與標(biāo)記相位之間的關(guān)系。因此，抽頭系數(shù)可利用為圓盤評估指數(shù)。圖58示出了與圖43的b相似的ivt4m的岸臺記錄標(biāo)記相位與e-mlse之間的關(guān)系。在圖58中，a至i的九個點(diǎn)被設(shè)置為標(biāo)記相位的值。圖59的a至圖59的c、圖60的d至圖60的f以及圖61的g至圖61的i中示出了a至i中的每一個與自適應(yīng)均衡器的抽頭系數(shù)之間的關(guān)系。附圖中的a至i對應(yīng)于上述標(biāo)記相位。如從圖59的a至圖59的c、圖60的d至圖60的f以及圖61的g至圖61的i可以看出，在其中岸臺記錄標(biāo)記相位是正值的點(diǎn)(a，b，c)處，對應(yīng)于差通道4(e-f)的自適應(yīng)均衡器的抽頭系數(shù)的振幅大。相反地，隨著岸臺記錄標(biāo)記相位變成0(d，e和f)，以及負(fù)值(g，h和i)，對應(yīng)于差通道4(e-f)的自適應(yīng)均衡器的抽頭系數(shù)的振幅迅速減少。以此方式，抽頭系數(shù)以一對一關(guān)系對應(yīng)于岸臺記錄標(biāo)記相位，并且因此可以從抽頭系數(shù)評估光盤。關(guān)于上述選擇模式ivt4m(sd)、e-mlse和抽頭系數(shù)，可以適當(dāng)?shù)貜哪M結(jié)果切換選擇模式。以下將描述其實(shí)例。(4)與通過自適應(yīng)均衡器優(yōu)化的抽頭系數(shù)的狀態(tài)對應(yīng)地切換模式。(4')具體地，在其中使用正切方向上的多個區(qū)域之間的和ch和差ch的系統(tǒng)中的差通道的振幅被用作指數(shù)。<3.第三實(shí)施方式>適用于高線密度的光盤的物理格式從上述光學(xué)介質(zhì)再現(xiàn)裝置的實(shí)施方式中受到限定。磁盤格式的第一實(shí)例：在與溝槽相比，岸臺側(cè)的線密度被設(shè)置為較高。當(dāng)認(rèn)為考慮到視場特性等，r-類型濾光片被選定用于溝槽以及t-類型濾光片被選定用于岸臺時，如果使用線密度在岸臺側(cè)被設(shè)置為較高的格式，則可以增加總?cè)萘?。磁盤格式的第二實(shí)例：在跟蹤寫入邊上再現(xiàn)信號可能是令人滿意的，并且岸臺被設(shè)置為跟蹤寫入邊。磁盤格式的第三實(shí)例：當(dāng)使用正切方向上的多個區(qū)域之間的和與差作為參考驅(qū)動來再現(xiàn)通道的系統(tǒng)時，差通道的振幅被設(shè)置為圓盤中的預(yù)定范圍。<4.變形例>在上文中，已經(jīng)詳細(xì)地描述了本公開內(nèi)容的實(shí)施方式，但是基于本公開內(nèi)容的技術(shù)精神可以做出各種修改，不限于相應(yīng)的實(shí)施方式。例如，激光源的波長、軌道間距、記錄線密度等的數(shù)值僅是說明性的，并且可以使用其他數(shù)值。此外，作為用于評估再現(xiàn)性能的指數(shù)，可以使用其他上述指數(shù)。此外，本公開內(nèi)容可應(yīng)用于關(guān)于光盤僅執(zhí)行記錄和再現(xiàn)中的一個的光盤驅(qū)動器。此外，在不偏離本公開內(nèi)容的要旨的范圍內(nèi)，上述實(shí)施方式中的配置、方法、過程、形狀、材料、數(shù)值等可彼此組合。此外，本公開內(nèi)容也可以采用以下配置。(1)一種光學(xué)介質(zhì)再現(xiàn)裝置，包括：光源；物鏡，允許從所述光源發(fā)射的光束聚集在光學(xué)介質(zhì)上；探測單元，將從所述光學(xué)介質(zhì)反射的光束的光通量劃分為多個區(qū)域，并且利用所選擇的組合模式，組合與入射至所述多個區(qū)域中的每一者的光量對應(yīng)的多個探測信號以形成多個通道的信號，所述多個區(qū)域包括在徑向方向和/或正切方向上的位置不同的第一區(qū)域和第二區(qū)域；多輸入均衡器單元，包括被分別供應(yīng)了所述多個通道的所述信號的多個均衡器單元，所述多輸入均衡器單元計算所述多個均衡器單元的輸出，并且輸出結(jié)果值作為均衡信號；以及二值化單元，對于所述均衡信號執(zhí)行二值化處理以獲得二進(jìn)制數(shù)據(jù)，其中，包括所述第一區(qū)域的探測信號和所述第二區(qū)域的探測信號的常數(shù)相乘的加法信號通道包括在所述組合模式中的至少一者中。(2)根據(jù)項(1)所述的光學(xué)介質(zhì)再現(xiàn)裝置，其中，在所述正切方向上，所述第一區(qū)域和所述第二區(qū)域布置在不同的位置處。(3)根據(jù)項(2)所述的光學(xué)介質(zhì)再現(xiàn)裝置，其中，所述組合模式中的至少一者中包括所述第一區(qū)域的探測信號和所述第二區(qū)域的探測信號的總和信號通道、以及所述第一區(qū)域的探測信號和所述第二區(qū)域的探測信號的差值信號通道。(4)根據(jù)項(1)所述的光學(xué)介質(zhì)再現(xiàn)裝置，其中，所述多輸入均衡器單元設(shè)置為多輸入自適應(yīng)均衡器單元的配置，并且濾波系數(shù)的初始值結(jié)合所述組合模式的變化而變化。(5)根據(jù)項(1)所述的光學(xué)介質(zhì)再現(xiàn)裝置，其中，所述多輸入均衡器單元被設(shè)置為多輸入自適應(yīng)均衡器單元的配置，并且所述光學(xué)介質(zhì)再現(xiàn)裝置進(jìn)一步包括均衡誤差計算單元，所述均衡誤差計算單元從基于所述二值化單元中的二值化探測結(jié)果獲得的均衡目標(biāo)信號、以及從所述多輸入自適應(yīng)均衡器單元輸出的所述均衡信號獲得均衡誤差，并且將所述均衡誤差供應(yīng)至所述自適應(yīng)均衡器單元作為用于自適應(yīng)均衡的控制信號。(6)根據(jù)項(5)所述的光學(xué)介質(zhì)再現(xiàn)裝置，其中，所述多輸入自適應(yīng)均衡器單元對于輸出信號執(zhí)行部分響應(yīng)均衡處理，所述二值化單元執(zhí)行最大似然解碼處理作為對于所述多輸入自適應(yīng)均衡器單元的所述均衡信號的二值化處理，并且所述均衡誤差計算單元通過使用所述最大似然解碼獲得的二值化探測結(jié)果的卷積處理獲得的均衡目標(biāo)信號、以及從所述多輸入自適應(yīng)均衡器單元輸出的均衡信號的計算，獲得均衡誤差。(7)根據(jù)項(5)所述的光學(xué)介質(zhì)再現(xiàn)裝置，其中，所述多輸入自適應(yīng)均衡器單元對于輸出信號執(zhí)行部分響應(yīng)均衡處理，并且根據(jù)所述組合模式的設(shè)置，選擇所述部分響應(yīng)均衡處理的等級。(8)根據(jù)項(1)所述的光學(xué)介質(zhì)再現(xiàn)裝置，其中，所述探測單元包括與所述多個區(qū)域?qū)?yīng)地劃分的探測器，并且從所述光探測器取出所述多個區(qū)域的探測信號。(9)根據(jù)項(1)所述的光學(xué)介質(zhì)再現(xiàn)裝置，其中，用于分離所述多個區(qū)域的光路轉(zhuǎn)換元件布置在穿過所述物鏡并且到達(dá)探測器的光路上，并且被所述光路轉(zhuǎn)換元件分離的多個光束分別輸入至相互不同的探測器。(10)根據(jù)項(1)所述的光學(xué)介質(zhì)再現(xiàn)裝置，其中，在所述光學(xué)介質(zhì)中，交替形成岸臺和溝槽，并且再現(xiàn)作為信息記錄在所述岸臺和所述溝槽中的光場景。(11)根據(jù)項(1)所述的光學(xué)介質(zhì)再現(xiàn)裝置，其中，所述組合模式設(shè)置為與所述光學(xué)介質(zhì)的線密度對應(yīng)。(12)根據(jù)項(10)所述的光學(xué)介質(zhì)再現(xiàn)裝置，其中，所述組合模式設(shè)置在所述岸臺的再現(xiàn)和所述溝槽的再現(xiàn)中。(13)根據(jù)項(1)所述的光學(xué)介質(zhì)再現(xiàn)裝置，其中，所述光學(xué)介質(zhì)是多層光學(xué)介質(zhì)，并且所述組合模式被設(shè)置為與再現(xiàn)層對應(yīng)。(14)根據(jù)項(1)所述的光學(xué)介質(zhì)再現(xiàn)裝置，其中，所述組合模式根據(jù)由所述自適應(yīng)均衡器優(yōu)化的抽頭系數(shù)的狀態(tài)進(jìn)行設(shè)置。(15)根據(jù)項(14)所述的光學(xué)介質(zhì)再現(xiàn)裝置，其中，在所述多個區(qū)域中，將在使用所述第一區(qū)域的探測信號和所述第二區(qū)域的探測信號的總和或者差值的系統(tǒng)中對應(yīng)于由所述差值組成的信號的抽頭系數(shù)的振幅設(shè)置為指數(shù)，所述第一區(qū)域和所述第二區(qū)域位于所述正切方向上。(16)一種光學(xué)介質(zhì)再現(xiàn)方法，包括：將從光學(xué)介質(zhì)反射的光束的光通量劃分為多個區(qū)域，所述多個區(qū)域包括在徑向方向和/或正切方向上的位置不同的第一區(qū)域和第二區(qū)域；由探測單元利用所選擇的組合模式，組合與入射至所述多個區(qū)域中的每一者的光量對應(yīng)的多個探測信號以形成多個通道的信號；由包括被分別供應(yīng)了所述多個通道的所述信號的多個均衡器單元的多輸入均衡器單元計算所述多個均衡器單元的輸出，并且將所述結(jié)果值輸出為均衡信號；并且由二值化單元對于所述均衡信號執(zhí)行二值化處理以獲得二進(jìn)制數(shù)據(jù)，其中，在所述組合模式中的至少一者中包括所述第一區(qū)域的探測信號和所述第二區(qū)域的探測信號的總和信號通道。(17)根據(jù)項(16)所述的光學(xué)介質(zhì)再現(xiàn)方法，其中，在所述正切方向上，所述第一區(qū)域和所述第二區(qū)域布置在不同的位置處。(18)根據(jù)項(16)所述的光學(xué)介質(zhì)再現(xiàn)方法，其中，所述組合模式中的至少一者中包括所述第一區(qū)域的探測信號和所述第二區(qū)域的探測信號的總和信號通道、以及所述第一區(qū)域的探測信號和所述第二區(qū)域的探測信號的差值信號通道。(19)一種光學(xué)介質(zhì)，在所述光學(xué)介質(zhì)中交替形成岸臺和溝槽，并且信息記錄在所述岸臺和所述溝槽這兩者中，其中，所述岸臺的線密度設(shè)置為高于所述溝槽的線密度。(20)一種通過光學(xué)介質(zhì)再現(xiàn)裝置再現(xiàn)的光學(xué)介質(zhì)，其中，所述光學(xué)介質(zhì)再現(xiàn)裝置包括，光源；物鏡，允許從所述光源發(fā)射的光束聚集在光學(xué)介質(zhì)上；探測單元，將從所述光學(xué)介質(zhì)反射的光束的光通量劃分為多個區(qū)域，并且利用所選擇的組合模式，組合與入射至所述多個區(qū)域中的每一者的光量對應(yīng)的多個探測信號以形成多個通道的信號，所述多個區(qū)域包括在徑向方向和/或正切方向上的位置不同的第一區(qū)域和第二區(qū)域；多輸入均衡器單元，包括被分別供應(yīng)了所述多個通道的所述信號的多個均衡器單元，所述多輸入均衡器單元計算所述多個均衡器單元的輸出，并且輸出結(jié)果值作為均衡信號；以及二值化單元，對于所述均衡信號執(zhí)行二值化處理以獲得二進(jìn)制數(shù)據(jù)，在所述光學(xué)介質(zhì)再現(xiàn)裝置中，所述組合模式中的至少一者中包括加法信號通道，所述加法信號通道包括所述第一區(qū)域的探測信號和所述第二區(qū)域的探測信號的常數(shù)相乘，并且在所述多個區(qū)域中，當(dāng)通過使用參考驅(qū)動再現(xiàn)使用位于所述正切方向上的位置中的所述第一區(qū)域的探測信號和所述第二區(qū)域的探測信號的總和或者差值的系統(tǒng)時，差值通道的振幅在預(yù)定范圍內(nèi)。參考符號列表13多端輸入自適應(yīng)均衡器14二值化探測器15pr卷積單元21至23自適應(yīng)均衡器單元100光盤101光學(xué)攝像管105數(shù)據(jù)探測處理單元當(dāng)前第1頁12