技術(shù)編號：11531140
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本公開內(nèi)容涉及再現(xiàn)光學(xué)介質(zhì)(諸如光盤)的光學(xué)介質(zhì)再現(xiàn)裝置、光學(xué)介質(zhì)再現(xiàn)方法以及光學(xué)介質(zhì)。背景技術(shù)實現(xiàn)光盤的高密度的方法的實例包括通過縮短通道比特長度(即，標(biāo)記長度)在線密度方向上實現(xiàn)高密度的方法、以及使磁道間距變窄的方法。然而，當(dāng)在線密度方向上實現(xiàn)高密度時，出現(xiàn)與碼間干擾增加相關(guān)的問題。此外，當(dāng)磁道間距變窄時，來自相鄰磁道的信息泄漏(相鄰磁道串?dāng)_)增加。提議了減少相鄰磁道串?dāng)_(在下文中，僅稱為“串?dāng)_”)的方法。例如，專利文獻(xiàn)1公開了以下配置：其中，電流再現(xiàn)磁道及其兩邊上的磁道的各自再現(xiàn)信號被供應(yīng)...
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