技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
系統(tǒng)和方法涉及避免由巨自旋霍耳效應(yīng)GSHE磁性隧道結(jié)MTJ元件形成的自旋電子邏輯門中的非所要電流路徑或潛路徑。潛路徑防止邏輯耦合到所述GSHE?MTJ元件，以防止所述潛路徑。所述潛路徑防止邏輯可包含耦合到所述一或多個GSHE?MTJ元件的一或多個晶體管，以限制寫入電流在寫入操作期間從既定管線級流動到非既定管線級。所述潛路徑防止邏輯還可包含耦合到所述一或多個GSHE?MTJ元件的一或多個二極管，以防止預(yù)設(shè)電流流入輸入電路或充電電流產(chǎn)生電路中。預(yù)設(shè)線可耦合到所述一或多個GSHE?MTJ元件，以使預(yù)設(shè)電流分流，而不流入非既定路徑中。

技術(shù)研發(fā)人員：章堯君;文清·吳;肯德里克·?！ち肌ぴ?卡里姆·阿拉比
受保護的技術(shù)使用者：高通股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：2015.10.01
技術(shù)公布日：2017.08.18