1.一種用于在存儲器設備中進行存儲器單元分析的方法，所述方法包括：
在運行時間過程中周期性地確定所述存儲器設備中的單元的單元電壓分布；
從所述周期性確定中測量所述單元電壓分布的變化；
基于來自所述單元電壓分布的所述測量的變化中的形狀變化來計算所述單元的磨損；以及
基于所述單元電壓分布的位置變化來計算所述單元的數(shù)據(jù)保持值。
2.如權利要求1所述的方法，其中，所述單元電壓分布包括直方圖。
3.如權利要求2所述的方法，其中，所述形狀變化包括對所述單元電壓分布的偏度的測量。
4.如權利要求3所述的方法，其中，使用皮爾遜形狀參數(shù)來計算所述偏度。
5.如權利要求2所述的方法，其中，所述位置變化包括對所述單元電壓分布的平均值的測量。
6.如權利要求1所述的方法，其中，所述存儲器設備包括非易失性存儲設備，所述非易失性存儲設備包括存儲器塊，所述存儲器塊包括所述存儲器單元。
7.如權利要求6所述的方法，其中，所述存儲器塊采用三維(3D)存儲器配置。
8.如權利要求6所述的方法，其中，控制器與所述存儲器塊的操作相關聯(lián)。
9.如權利要求8所述的方法，其中，所述控制器執(zhí)行所述存儲器分析。
10.一種存儲器系統(tǒng)，包括：
測量模塊，所述測量模塊被配置成測量單元群體的單元電壓值；
生成模塊，所述生成模塊被配置成周期性地生成所述單元群體的單元電壓分布；
比較模塊，所述比較模塊被配置成將所述生成的單元電壓分布與參考單元電壓分布進行比較；以及
分析模塊，所述分析模塊被配置成基于對所述周期性生成的單元電壓分布的所述比較來計算所述單元群體中的每個單元的磨損和數(shù)據(jù)保持。
11.如權利要求10所述的存儲器系統(tǒng)，其中，所述群體包括所述存儲器系統(tǒng)中的存儲器單元的子集。
12.如權利要求11所述的存儲器系統(tǒng)，其中，所述子集包括所述存儲器系統(tǒng)中的一個或多個存儲器塊。
13.如權利要求10所述的存儲器系統(tǒng)，其中，所述參考單元電壓分布是在存儲器的新近狀態(tài)下生成的。
14.如權利要求13所述的存儲器系統(tǒng)，進一步地，其中，所述新近狀態(tài)包括在工廠處的生成。
15.如權利要求10所述的存儲器系統(tǒng)，其中，所述磨損是基于所述生成的單元電壓分布與所述參考單元電壓分布之間的形狀變化來計算的。
16.如權利要求10所述的存儲器系統(tǒng)，其中，所述數(shù)據(jù)保持是基于所述生成的單元電壓分布與所述參考單元電壓分布之間的位置變化來計算的。
17.一種用于測量數(shù)據(jù)保持的方法，所述方法包括：
在存儲模塊中執(zhí)行以下各項：
測量存儲器中的每個單元的電壓狀態(tài)的電壓分布；
隨著時間的推移計算所述電壓分布的位置；以及
基于所述計算的位置的變化對數(shù)據(jù)保持進行量化。
18.如權利要求17所述的方法，其中，所述位置包括計算所述電壓分布的均值、眾數(shù)、或中值中的至少一項。
19.一種用于測量磨損的方法，所述方法包括：
在存儲模塊中執(zhí)行以下各項：
周期性地測量存儲器中的每個單元的狀態(tài)的電壓分布；
在一定數(shù)量的循環(huán)內計算所述分布的寬度；以及
基于所述寬度的變化對磨損進行量化。
20.如權利要求19所述的方法，其中，所述寬度包括對所述電壓分布的標準偏差的計算。