技術(shù)總結(jié)
描述了一種用于擦除包括多個存儲器單元的鐵電場效應(yīng)晶體管(FeFET)存儲器電路的技術(shù)，該存儲器單元包括FeFET。每個FeFET包括柵極堆疊、源極、漏極、溝道和塊體襯底區(qū)域，其中柵極堆疊包括柵極和設(shè)置在柵極與溝道之間的鐵電層。根據(jù)溝道類型，向至少一個FeFET存儲器單元的源極和漏極區(qū)施加正或負(fù)電壓。在向FeFET存儲器單元的源極和漏極區(qū)施加正電壓期間，柵極和塊體襯底區(qū)域保持在接地狀態(tài)，以致使至少一個FeFET存儲器單元的擦除。此外，描述了具有鄰近柵極堆疊內(nèi)的鐵電層設(shè)置的電荷存儲層的FeFET。

技術(shù)研發(fā)人員：斯特凡·費迪南德·米勒
受保護(hù)的技術(shù)使用者：納姆實驗有限責(zé)任公司
文檔號碼：201580039628
技術(shù)研發(fā)日：2015.07.23
技術(shù)公布日：2017.03.22