1.一種相變存儲(chǔ)器元件的修復(fù)方法，包括：
提供至少一存儲(chǔ)單元，使該存儲(chǔ)單元包含具有一偏移(shift)電流-電阻特性函數(shù)的一相變存儲(chǔ)材料；
對(duì)該相變存儲(chǔ)材料施加一回復(fù)應(yīng)力(healing stress)，使該相變存儲(chǔ)材料的該偏移電流-電阻特性函數(shù)轉(zhuǎn)換為一初始(initial)電流-電阻特性函數(shù)；
其中，該偏移電流-電阻特性函數(shù)為該電流-電阻特性函數(shù)的一平移函數(shù)(translation of function)。
2.如權(quán)利要求1項(xiàng)所述的相變存儲(chǔ)器元件的修復(fù)方法，其特征在于，提供該存儲(chǔ)單元的步驟包括：
使該相變存儲(chǔ)材料具有該初始電流-電阻特性函數(shù)；以及
對(duì)該存儲(chǔ)單元進(jìn)行設(shè)置(set)、重置(reset)或上述的任意組合，將一應(yīng)力電流(stress current)施加于該相變存儲(chǔ)材料，使該相變存儲(chǔ)材料的該初始電流-電阻特性函數(shù)轉(zhuǎn)換為該偏移電流-電阻特性函數(shù)。
3.如權(quán)利要求2項(xiàng)所述的相變存儲(chǔ)器元件的修復(fù)方法，其特征在于，對(duì)該相變存儲(chǔ)材料施加該回復(fù)應(yīng)力的步驟包括：對(duì)該相變存儲(chǔ)材料進(jìn)行烘烤工藝，其中該烘烤工藝具有介于300℃至400℃之間的烘烤溫度，以及介于1分鐘(minute)至30分鐘之間的烘烤時(shí)間。
4.如權(quán)利要求2項(xiàng)所述的相變存儲(chǔ)器元件的修復(fù)方法，其特征在于，對(duì)該相變存儲(chǔ)材料施加該回復(fù)應(yīng)力的步驟包括：對(duì)該相變存儲(chǔ)材料施加回復(fù)電流；其中該應(yīng)力電流具有一上限值以及一下限直，該回復(fù)電流介于二分之一該上限值與五分之一該下限值之間；其中該應(yīng)力電流介于200微安培(μA)至500微安培之間。
5.如權(quán)利要求1項(xiàng)所述的相變存儲(chǔ)器元件的修復(fù)方法，其特征在于，提供該存儲(chǔ)單元的步驟包括：
使該相變存儲(chǔ)材料具有該初始電流-電阻特性函數(shù)；
對(duì)該相變存儲(chǔ)材料施加電能、熱應(yīng)力、機(jī)械應(yīng)力或上述的任意組合，使該相變存儲(chǔ)材料的該初始電流-電阻特性函數(shù)轉(zhuǎn)換為該偏移電流-電阻特性函數(shù)；且該相變存儲(chǔ)器元件的修復(fù)方法還包括重寫入(rewriting)步驟，使 該相變存儲(chǔ)材料的該初始電流-電阻特性函數(shù)轉(zhuǎn)換為一重寫入電流-電阻特性函數(shù)。
6.如權(quán)利要求1項(xiàng)所述的相變存儲(chǔ)器元件的修復(fù)方法，其特征在于，對(duì)該相變存儲(chǔ)材料施加該回復(fù)應(yīng)力之后還包括：
進(jìn)行一檢測(cè)步驟，以確認(rèn)該偏移電流-電阻特性函數(shù)是否轉(zhuǎn)換為該初始電流-電阻特性函數(shù)；以及
若該偏移電流-電阻特性函數(shù)未轉(zhuǎn)換為該初始電流-電阻特性函數(shù)，則再對(duì)該相變存儲(chǔ)材料施加該回復(fù)應(yīng)力；該檢測(cè)步驟包括對(duì)該相變存儲(chǔ)材料施加一檢測(cè)脈沖。
7.一種相變存儲(chǔ)器元件的操作方法，包括：
提供具有多個(gè)存儲(chǔ)單元的相變存儲(chǔ)器元件，其中每一所述存儲(chǔ)單元具有一相變存儲(chǔ)材料；
使所述存儲(chǔ)單元至少一者的該相變存儲(chǔ)材料具有一偏移電流-電阻特性函數(shù)；
將該具有該偏移電流-電阻特性函數(shù)的該存儲(chǔ)單元設(shè)定為一第一狀態(tài)；
對(duì)至少一具有該第一狀態(tài)的該存儲(chǔ)單元施加一回復(fù)應(yīng)力，使該存儲(chǔ)材料的該偏移電流-電阻特性函數(shù)轉(zhuǎn)換為一初始電流-電阻特性函數(shù)；其中，該偏移電流-電阻特性函數(shù)為該電流-電阻特性函數(shù)的一平移函數(shù)；
將所述存儲(chǔ)單元中具有該初始電流-電阻特性函數(shù)者該設(shè)定為一第二狀態(tài)；以及
通過該第一狀態(tài)及該第二狀態(tài)，在所述存儲(chǔ)單元元中讀取數(shù)據(jù)。
8.如權(quán)利要求7項(xiàng)所述的相變存儲(chǔ)器元件的操作方法，其特征在于，使所述存儲(chǔ)單元至少一者的該相變存儲(chǔ)材料具有該偏移電流-電阻特性函數(shù)的步驟包括：
進(jìn)行設(shè)置、重置或上述的任意組合，將一應(yīng)力電流施加于所述存儲(chǔ)單元的該相變存儲(chǔ)材料，使該相變存儲(chǔ)材料的該初始電流-電阻特性函數(shù)轉(zhuǎn)換為該偏移電流-電阻特性函數(shù)；其中施加該回復(fù)應(yīng)力的步驟包括：對(duì)具有該第一狀態(tài)的該存儲(chǔ)單元施進(jìn)行烘烤工藝。
9.如權(quán)利要求7項(xiàng)所述的相變存儲(chǔ)器元件的操作方法，其特征在于，使所述存儲(chǔ)單元至少一者的該相變存儲(chǔ)材料具有該偏移電流-電阻特性函數(shù)的步驟包括：
對(duì)該相變存儲(chǔ)材料施加電能、熱應(yīng)力、機(jī)械應(yīng)力或上述的任意組合，使該相變存儲(chǔ)材料的該初始電流-電阻特性函數(shù)轉(zhuǎn)換為該偏移電流-電阻特性函數(shù)；且該相變存儲(chǔ)器元件的操作方法還包括：
對(duì)具有該第二狀態(tài)的所述存儲(chǔ)單元中至少一者進(jìn)行一重寫入步驟，使具有該第二狀態(tài)的該存儲(chǔ)單元的該初始電流-電阻特性函數(shù)轉(zhuǎn)換為一重寫入電流-電阻特性函數(shù)，其中該重寫入電流-電阻特性函數(shù)為該起始電流-電阻特性函數(shù)的平移函數(shù)；以及
設(shè)定該具有該重寫入電流-電阻特性函數(shù)的該存儲(chǔ)單元為一第三狀態(tài)。
10.如權(quán)利要求7項(xiàng)所述的相變存儲(chǔ)器元件的操作方法，其特征在于，在施加該回復(fù)應(yīng)力之后還包括：
進(jìn)行一檢測(cè)步驟，以確認(rèn)該偏移電流-電阻特性函數(shù)是否轉(zhuǎn)換為該初始電流-電阻特性函數(shù)；以及
若該偏移電流-電阻特性函數(shù)未轉(zhuǎn)換為該初始電流-電阻特性函數(shù)，則再對(duì)該相變存儲(chǔ)材料施加該回復(fù)應(yīng)力；其中該檢測(cè)步驟包括對(duì)該相變存儲(chǔ)材料施加一檢測(cè)脈沖。