1.一種自旋轉(zhuǎn)移扭矩磁存儲器單元，其特征在于，包括：
第一源極線、第二源極線、位線、字線，以及第一晶體管、第二晶體管和磁性隧道結(jié)MTJ；
所述第一晶體管的柵極與所述字線連接，所述第一晶體管的源極與第一源極線連接；所述第一晶體管的漏極與所述MTJ的一端連接，所述MTJ的另一端與所述位線連接；
所述第二晶體管的源極與所述第二源極線連接，所述第二晶體管的柵極、所述第二晶體管的漏極分別與所述第一晶體管的漏極連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲器單元，其特征在于，還包括分壓電阻，所述分壓電阻連接在所述第二晶體管的柵極和漏極之間。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲器單元，其特征在于：
所述存儲器單元處于寫入低阻態(tài)的工作狀態(tài)時，所述第一源極線與第一供電端連接，所述第二源極線與第二供電端連接，所述字線與第三供電端連接，所述位線接地；其中，所述第一供電端、所述第二供電端和所述第三供電端的輸出電平均為高電平；
所述第一晶體管和所述第二晶體管均處于導(dǎo)通狀態(tài)，且所述第一晶體管先于所述第二晶體管導(dǎo)通。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的存儲器單元，其特征在于：
所述存儲器單元處于寫入高阻態(tài)的工作狀態(tài)時，所述第一源極線接地，所述第二源極線懸空，所述字線與所述第三供電端連接，所述位線與第四供電端連接；其中，所述第四供電端的輸出電平為高電平；
所述第一晶體管處于導(dǎo)通狀態(tài)，所述第二晶體管處于截止?fàn)顟B(tài)。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的存儲器單元，其特征在于：
所述存儲器單元處于讀出的工作狀態(tài)時，所述第一源極線與第五供電端連接，所述第二源極線與第六供電端連接，所述字線與所述第三供電端連接，所述位線接地；其中，所述第五供電端和所述第六供電端的輸出電平均為高電平；
所述第一晶體管和所述第二晶體管均處于導(dǎo)通狀態(tài)，且所述第二晶體管工作于線性放大區(qū)域。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的存儲器單元，其特征在于，所述第一晶體管對應(yīng)的電阻為第一電阻，所述第二晶體管對應(yīng)的電阻為第二電阻，所述第二電阻大于所述第一電阻。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的存儲器單元，其特征在于，所述MTJ對應(yīng)的電阻包括低阻態(tài)電阻和高阻態(tài)電阻，所述低阻態(tài)電阻為所述MTJ工作于所述低阻態(tài)時的電阻，所述高阻態(tài)電阻為所述MTJ工作于所述高阻態(tài)時的電阻；
根據(jù)所述高阻態(tài)電阻和所述第一電阻對所述第五供電端輸出電平的分壓確定所述第二晶體管的柵極電平；
所述第六供電端的輸出電平減去所述柵極電平間的差值為大于0且接近于0的正數(shù)。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的存儲器單元，其特征在于，所述第二晶體管的伏安特性曲線的線性斜率大于1。
9.一種自旋轉(zhuǎn)移扭矩磁存儲器，其特征在于，包括：至少一個如權(quán)利要求1至8中任一項(xiàng)所述的自旋轉(zhuǎn)移扭矩磁存儲器單元；
讀出電路，所述讀出電路中包括至少一個放大器，所述至少一個放大器的數(shù)量與所述自旋轉(zhuǎn)移扭矩磁存儲器單元的數(shù)量相等，且每個放大器一一對應(yīng)一個所述自旋轉(zhuǎn)移扭矩磁存儲器單元；
所述每個放大器的正輸入端與對應(yīng)的自旋轉(zhuǎn)移扭矩磁存儲器單元中的所述第二源極線連接。