技術(shù)編號(hào):11834626
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明屬于存儲(chǔ)器技術(shù)領(lǐng)域,具體是涉及一種自旋轉(zhuǎn)移扭矩磁存儲(chǔ)器單元和存儲(chǔ)器。背景技術(shù)隨著集成電路技術(shù)向低功耗方向的發(fā)展和信息時(shí)代對(duì)海量數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的處理的要求日益提高,存儲(chǔ)系統(tǒng)向著高密度、大容量、高可靠性和低功耗方向的發(fā)展。傳統(tǒng)的揮發(fā)性存儲(chǔ)器例如靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(StaticRandomAccessMemory,簡(jiǎn)稱SRAM)或者動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(DynamicRandomAccessMemory,簡(jiǎn)稱DRAM)在數(shù)據(jù)保持時(shí)都需要提供能量,即數(shù)據(jù)無(wú)法在掉電情況下保持,因此具有較高的靜態(tài)功耗。而非揮發(fā)存儲(chǔ)器...
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