1.一種自旋轉(zhuǎn)移矩存儲(chǔ)器(STTM)器件，包括：
磁性隧道結(jié)(MTJ)，所述磁性隧道結(jié)包括：
固定磁性層；
自由磁性層；以及
遂穿阻擋層，所述遂穿阻擋層被設(shè)置在所述固定磁性層與所述自由磁性層之間；
接觸部，所述接觸部位于所述MTJ的任一側(cè)上，其中，至少一個(gè)接觸部是磁性的；以及
附加磁性層，所述附加磁性層反鐵磁地耦合到所述至少一個(gè)磁性接觸部。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其中，所述至少一個(gè)磁性接觸部和/或?qū)?yīng)的附加磁性層包括至少一種鐵磁材料。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其中，所述至少一個(gè)磁性接觸部和/或?qū)?yīng)的附加磁性層包括CoFeB。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其中，非磁性間隔體層被設(shè)置在每個(gè)磁性接觸部與對(duì)應(yīng)的附加磁性層之間。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的器件，其中，每個(gè)非磁性間隔體層具有介于0.7nm與1.0nm之間的厚度。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的器件，其中，每個(gè)非磁性間隔體層包括釕(Ru)。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其中，每個(gè)磁性接觸部和對(duì)應(yīng)的附加磁性層具有共線磁矩。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其中，每個(gè)磁性接觸部和對(duì)應(yīng)的附加磁性層具有共面磁矩。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，還包括非磁性包覆層，所述非磁性包覆層位于至少一個(gè)磁性接觸部和/或?qū)?yīng)的附加磁性層的任一側(cè)上，其中，所述非磁性包覆層有助于防止磁性材料擴(kuò)散到周圍的材料中。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的器件，其中，所述非磁性包覆層包括氮化鈦(TiN)或鉭(Ta)。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的器件，其中，所述非磁性包覆層具有從2nm到10nm的范圍的厚度。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其中，兩個(gè)接觸部都是磁性的，并且反鐵磁地耦合到對(duì)應(yīng)的附加磁性層。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其中，每個(gè)附加磁性層有助于防止來(lái)自所述對(duì)應(yīng)的磁性接觸部的邊緣場(chǎng)侵入所述MTJ。
14.一種計(jì)算系統(tǒng)，所述計(jì)算系統(tǒng)包括根據(jù)權(quán)利要求1-13中的任一項(xiàng)所述的STTM器件。
15.一種集成電路，包括：
磁性隧道結(jié)(MTJ)，所述磁性隧道結(jié)包括：
固定磁性層；
自由磁性層；以及
遂穿阻擋層，所述遂穿阻擋層被設(shè)置在所述固定磁性層與所述自由磁性層之間；
磁性接觸層，所述磁性接觸層電連接到所述MTJ的至少一側(cè)；以及
附加磁性層，所述附加磁性層憑借間隔體層與所述磁性接觸層間隔開；
其中，所述磁性接觸層的磁矩與所述附加磁性層的磁矩是大體上反平行的。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的集成電路，其中，所述間隔體層具有介于0.7nm與1.0nm之間的厚度。
17.根據(jù)權(quán)利要求15所述的集成電路，其中，所述磁性接觸層和所述附加磁性層創(chuàng)建合成的反鐵磁體(SAF)。
18.一種嵌入式存儲(chǔ)器器件，所述嵌入式存儲(chǔ)器器件包括根據(jù)權(quán)利要求15-17中的任一項(xiàng)所述的集成電路。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的嵌入式存儲(chǔ)器器件，其中，所述嵌入式存儲(chǔ)器器件是自旋轉(zhuǎn)移矩存儲(chǔ)器(STTM)器件。
20.一種用于形成自旋轉(zhuǎn)移矩存儲(chǔ)器(STTM)器件的方法，所述方法包括：
提供包括磁性下部過(guò)孔的襯底；以及
在所述襯底上形成多層疊置體，所述疊置體包括：
間隔體層；
磁性接觸層；
磁性隧道結(jié)(MTJ)層；以及
上部過(guò)孔層。
21.根據(jù)權(quán)利要求20所述的方法，其中，所述MTJ層包括固定磁性層、自由磁性層、以及遂穿阻擋層。
22.根據(jù)權(quán)利要求20所述的方法，還包括：
在所述MTJ層上形成附加磁性接觸層；以及
在所述附加磁性接觸層與所述上部過(guò)孔層之間形成間隔體層。
23.根據(jù)權(quán)利要求22所述的方法，其中，所述上部過(guò)孔的材料是鐵磁的。
24.根據(jù)權(quán)利要求20-23中的任一項(xiàng)所述的方法，其中，所述多層疊置體通過(guò)以下步驟來(lái)形成：
在所述襯底上沉積包括所述疊置體的所述層中的所有層；以及
將包括所述疊置體的所述層中的所有層蝕刻到期望寬度。
25.根據(jù)權(quán)利要求20-23中的任一項(xiàng)所述的方法，其中，所述多層疊置體通過(guò)以下步驟來(lái)形成：
在所述襯底上沉積所述間隔體層、所述磁性接觸層、以及所述MTJ層；
將所沉積的間隔體層、磁性接觸層、以及MTJ層蝕刻到期望的寬度；
沉積層間電介質(zhì)(ILD)材料；
蝕刻所述ILD以在所述MTJ層上方創(chuàng)建空間；以及
在所述MTJ層上方的空間中形成所述上部過(guò)孔層。