一種省掉內(nèi)存odt引腳的方法和系統(tǒng)的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種在于提供一種省掉內(nèi)存ODT引腳的方法和一種與之對應(yīng)的系統(tǒng)，解決上述DDR片選引腳占用過多的問題，包括如下步驟：配置內(nèi)存ODT動態(tài)模式，將ODT引腳與高電平連接，將非寫狀態(tài)下的動態(tài)模式終端電阻禁用，并配置寫狀態(tài)下的動態(tài)模式終端電阻。
【專利說明】一種省掉內(nèi)存ODT引腳的方法和系統(tǒng)

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及內(nèi)存芯片領(lǐng)域，尤其涉及一種省掉內(nèi)存引腳的方法。

【背景技術(shù)】
[0002]內(nèi)存(DDR)是一種動態(tài)隨機存儲組件，片內(nèi)終結(jié)器ODT (On-Die Terminat1n)是DDR內(nèi)部的一個組件。對DDR芯片進行寫操作時主控芯片會通過將ODT引腳(pin)拉高來將終端電阻RTT掛載，以減少信號反射的干擾JtDDR芯片進行讀操作時主控芯片會通過ODT引腳拉低來斷開終端電阻RTT。
[0003]基于上述原理，每一個DDR片選都需要占用主控一個引腳進行ODT控制，隨著主控支持的內(nèi)存越來越大，占用的引腳也越來越多，這對于有限的主控引腳來說是一個不小的負擔。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明要解決的技術(shù)問題，在于提供一種省掉主控ODT引腳的方法和一種與之對應(yīng)的系統(tǒng)，解決上述內(nèi)存ODT功能占用主控有限的引腳資源的問題。
[0005]本發(fā)明是這樣實現(xiàn)的:
[0006]一種省掉內(nèi)存ODT引腳的方法，其特征在于，包括如下步驟:配置內(nèi)存ODT動態(tài)模式，將ODT引腳與高電平連接，將非寫狀態(tài)下的動態(tài)模式終端電阻禁用，并配置寫狀態(tài)下的動態(tài)模式終端電阻。
[0007]進一步的，寫狀態(tài)下的動態(tài)模式終端電阻的阻值設(shè)置成同步模式終端電阻的阻值。
[0008]一種省掉內(nèi)存ODT引腳的系統(tǒng)，包括配置模塊，電平設(shè)置模塊和電阻設(shè)置模塊，其特征在于，所述配置模塊用于配置內(nèi)存ODT以動態(tài)模式，電平設(shè)置模塊用于將ODT引腳與高電平連接，電阻設(shè)置模塊用于將非寫狀態(tài)下的動態(tài)模式終端電阻禁用，并配置寫狀態(tài)下的動態(tài)模式終端電阻。
[0009]進一步的，電阻設(shè)置模塊還用于將寫狀態(tài)下的動態(tài)模式終端電阻的阻值設(shè)置成同步模式終端電阻的阻值。
[0010]本發(fā)明具有如下優(yōu)點:通過以動態(tài)模式模擬同步模式工作，既節(jié)省了能耗，又達到了省掉內(nèi)存ODT引腳的效果。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0011]圖1為本發(fā)明的方法流程圖；
[0012]圖2為ODT的功能示意圖；
[0013]圖3為現(xiàn)有技術(shù)同步模式工作時主控與DDR的連接圖；
[0014]圖4為現(xiàn)有技術(shù)同步模式工作時的DDR配置示意表；
[0015]圖5為本發(fā)明主控與DDR的連接方式示意圖；
[0016]圖6為本發(fā)明采用動態(tài)模式模擬同步模式工作時DDR配置示意表；
[0017]圖7為本發(fā)明模塊構(gòu)造示意圖。
[0018]附圖標記說明:
[0019]701、配置模塊；
[0020]702、電平設(shè)置模塊；
[0021]703、電阻設(shè)置模塊；
[0022]704、ODT 引腳；
[0023]705、終端電阻。

【具體實施方式】
[0024]為詳細說明本發(fā)明的技術(shù)內(nèi)容、構(gòu)造特征、所實現(xiàn)目的及效果，以下結(jié)合實施方式并配合附圖詳予說明。圖2是ODT的功能示意圖，虛線內(nèi)為內(nèi)存芯片中的終結(jié)電阻器ODT ；一般通過掛載一個終端電阻RTT以達到減少信號反射增強信號的目的，這樣做適用于同步模式工作下的內(nèi)存芯片。所述內(nèi)存芯片的同步模式Synchronous Mode由于該模式下工作耗能小，因而被廣泛使用，然而在實際應(yīng)用中，我們的發(fā)明人發(fā)現(xiàn)了一個問題，SynchronousMode工作需要占用主控的引腳，所謂主控即主要控制器，實際應(yīng)用中可以是處理器，單片機，集成芯片等等。當主控芯片支持連接的內(nèi)存越來越多，引腳占用成為了一個極大的負擔，因此我們的發(fā)明人想到了用另一種內(nèi)存工作模式——動態(tài)模式Dynamic Mode模擬同步模式Synchronous Mode工作的方法，以此來省掉內(nèi)存ODT引腳。
[0025]以下將結(jié)合圖5說明實現(xiàn)本方案DDR的連接方式。將內(nèi)存的ODT引腳與高電平連接。RTT_nom和RTT_wr是在DDR中的模式寄存器中設(shè)置。0DT_PIN表示ODT引腳的工作狀態(tài)，RTT_nom表示非寫狀態(tài)下的終端電阻，RTT_wr表示寫狀態(tài)下的終端電阻。圖3表示現(xiàn)有技術(shù)下主控芯片與內(nèi)存芯片間交互CMD、CLK、DQS、DQ等多種交互信號，這些信號的傳輸都需要占用引腳，同時主控芯片與內(nèi)存片選之間還占用了一個ODT引腳，而運用本方法采用動態(tài)模式模擬同步模式工作，就能使每個片選節(jié)省一個ODT引腳占用。
[0026]以下將結(jié)合圖1說明實現(xiàn)本方案DDR的設(shè)置方法。本方法開始于步驟SlOl:配置內(nèi)存ODT動態(tài)模式，并進行步驟S102將DDR的ODT引腳與高電平連接，再然后執(zhí)行步驟S103將非寫狀態(tài)下的動態(tài)模式終端電阻禁用，并配置寫狀態(tài)下的動態(tài)模式終端電阻。在另外一些具體的實施例中，電路設(shè)計者(比如廠家)設(shè)計電路時就把ODT引腳拉高，然后在配置DDR時設(shè)置ODT動態(tài)模式，再禁用非寫狀態(tài)下的動態(tài)模式終端電阻，并配置寫狀態(tài)下的動態(tài)模式終端電阻，也能達到相同的目的。這里為描述具體效果請看圖4(同步模式工作時的DDR配置示意表)和圖6 (采用動態(tài)模式模擬同步模式工作時DDR配置示意表)，通過對比圖4和圖6的DDR配置示意表我們可以看出，此時，當主控需要讀取DDR或者DDR空閑時，配置RTT-wr斷開，ODT-PIN為高，RTT-nom無效，此時掛載終結(jié)電阻斷開，與同步模式下0DT_PIN拉高RTT_nom斷開時效果相同；當主控需要寫入DDR時，配置RTT_wr連接，ODT-PIN為高，RTT-nom無效，此時掛載終結(jié)電阻連接，與同步模式下0DT_PIN拉高RTT_nom連接時效果相同。通過以上對比可知，本案中采用ODT動態(tài)模式與ODT同步模式效果相同。
[0027]綜上，本方法具有模擬同步模式在較低能耗狀態(tài)下工作，并且由于一個處理器的弓丨腳是有限的，本方法還能夠減少引腳的占用，使得主控芯片能夠控制更多的模塊。
[0028]為了更精確的用動態(tài)模式模擬同步模式工作的效果，還可以將寫狀態(tài)下的動態(tài)模式終端電阻的阻值設(shè)置成同步模式終端電阻的阻值，因此本方案還包括步驟S104:設(shè)置寫狀態(tài)下的動態(tài)模式終端電阻的阻值(在模式寄存器的相關(guān)寄存器中設(shè)置)，所述同步模式終端電阻可以是40歐，60歐和120歐。因此我們的寫狀態(tài)下動態(tài)模式終端電阻的阻值可以設(shè)置成如上阻值，達到了更為真實模擬同步模式工作的效果。作為一個優(yōu)選方案我們可以將其設(shè)置為120歐，這樣設(shè)置的好處在于采用較大阻值以減少電路的功耗，大阻值的終端電阻也能更好的達到減少信號反射的效果。
[0029]作為另一個實施例，一個主控也會同時與多個DDR連接，且并不產(chǎn)生額外的技術(shù)問題，因此本方法也支持一個主控與多個DDR協(xié)同工作。
[0030]如圖7所示，本發(fā)明還包括一種省掉內(nèi)存ODT引腳的系統(tǒng)，包括配置模塊，電平設(shè)置模塊和電阻設(shè)置模塊，所述配置模塊用于配置內(nèi)存ODT以動態(tài)模式，電平設(shè)置模塊用于將ODT引腳與高電平連接，電阻設(shè)置模塊用于將非寫狀態(tài)下的動態(tài)模式終端電阻禁用，并配置寫狀態(tài)下的動態(tài)模式終端電阻。通過該系統(tǒng)，使得內(nèi)存片選既能以低能耗工作，又能夠節(jié)省ODT的引腳。
[0031]電阻設(shè)置模塊還用于將寫狀態(tài)下的動態(tài)模式終端電阻的阻值設(shè)置成非寫狀態(tài)下的同步模式終端電阻的阻值。這樣做的好處在于能夠使模擬的同步模式更為精細準確。
[0032]在某些實施例中，電阻設(shè)置模塊用于將寫狀態(tài)下的動態(tài)模式終端電阻的阻值設(shè)為120歐。選取較大阻值的120歐電阻能降低能耗，同時也能起到更好的阻斷反射信號的效果O
[0033]需要說明的是，在本文中，諸如第一和第二等之類的關(guān)系術(shù)語僅僅用來將一個實體或者操作與另一個實體或操作區(qū)分開來，而不一定要求或者暗示這些實體或操作之間存在任何這種實際的關(guān)系或者順序。而且，術(shù)語“包括”、“包含”或者其任何其他變體意在涵蓋非排他性的包含，從而使得包括一系列要素的過程、方法、物品或者終端設(shè)備不僅包括那些要素，而且還包括沒有明確列出的其他要素，或者是還包括為這種過程、方法、物品或者終端設(shè)備所固有的要素。在沒有更多限制的情況下，由語句“包括……”或“包含……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的過程、方法、物品或者終端設(shè)備中還存在另外的要素。此夕卜，在本文中，“大于”、“小于”、“超過”等理解為不包括本數(shù)；“以上”、“以下”、“以內(nèi)”等理解為包括本數(shù)。
[0034]本領(lǐng)域內(nèi)的技術(shù)人員應(yīng)明白，上述各實施例可提供為方法、裝置、或計算機程序產(chǎn)品。這些實施例可采用完全硬件實施例、完全軟件實施例、或結(jié)合軟件和硬件方面的實施例的形式。上述各實施例涉及的方法中的全部或部分步驟可以通過程序來指令相關(guān)的硬件來完成，所述的程序可以存儲于計算機設(shè)備可讀取的存儲介質(zhì)中，用于執(zhí)行上述各實施例方法所述的全部或部分步驟。所述計算機設(shè)備，包括但不限于:個人計算機、服務(wù)器、通用計算機、專用計算機、網(wǎng)絡(luò)設(shè)備、嵌入式設(shè)備、可編程設(shè)備、智能移動終端、智能家居設(shè)備、穿戴式智能設(shè)備、車載智能設(shè)備等；所述的存儲介質(zhì)，包括但不限于:RAM、ROM、磁碟、磁帶、光盤、閃存、U盤、移動硬盤、存儲卡、記憶棒、網(wǎng)絡(luò)服務(wù)器存儲、網(wǎng)絡(luò)云存儲等。
[0035]上述各實施例是參照根據(jù)實施例所述的方法、設(shè)備(系統(tǒng))、和計算機程序產(chǎn)品的流程圖和/或方框圖來描述的。應(yīng)理解可由計算機程序指令實現(xiàn)流程圖和/或方框圖中的每一流程和/或方框、以及流程圖和/或方框圖中的流程和/或方框的結(jié)合?？商峁┻@些計算機程序指令到計算機設(shè)備的處理器以產(chǎn)生一個機器，使得通過計算機設(shè)備的處理器執(zhí)行的指令產(chǎn)生用于實現(xiàn)在流程圖一個流程或多個流程和/或方框圖一個方框或多個方框中指定的功能的裝置。
[0036]這些計算機程序指令也可存儲在能引導(dǎo)計算機設(shè)備以特定方式工作的計算機設(shè)備可讀存儲器中，使得存儲在該計算機設(shè)備可讀存儲器中的指令產(chǎn)生包括指令裝置的制造品，該指令裝置實現(xiàn)在流程圖一個流程或多個流程和/或方框圖一個方框或多個方框中指定的功能。
[0037]這些計算機程序指令也可裝載到計算機設(shè)備上，使得在計算機設(shè)備上執(zhí)行一系列操作步驟以產(chǎn)生計算機實現(xiàn)的處理，從而在計算機設(shè)備上執(zhí)行的指令提供用于實現(xiàn)在流程圖一個流程或多個流程和/或方框圖一個方框或多個方框中指定的功能的步驟。
[0038]盡管已經(jīng)對上述各實施例進行了描述，但本領(lǐng)域內(nèi)的技術(shù)人員一旦得知了基本創(chuàng)造性概念，則可對這些實施例做出另外的變更和修改，所以以上所述僅為本發(fā)明的實施例，并非因此限制本發(fā)明的專利保護范圍，凡是利用本發(fā)明說明書及附圖內(nèi)容所作的等效結(jié)構(gòu)或等效流程變換，或直接或間接運用在其他相關(guān)的【技術(shù)領(lǐng)域】，均同理包括在本發(fā)明的專利保護范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種省掉內(nèi)存ODT引腳的方法，其特征在于，包括如下步驟:配置內(nèi)存ODT動態(tài)模式，將ODT引腳與高電平連接，將非寫狀態(tài)下的動態(tài)模式終端電阻禁用，并配置寫狀態(tài)下的動態(tài)模式終端電阻。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的省掉內(nèi)存ODT引腳的方法，其特征在于，寫狀態(tài)下的動態(tài)模式終端電阻的阻值設(shè)置成同步模式終端電阻的阻值。
3.一種省掉內(nèi)存ODT引腳的系統(tǒng)，包括配置模塊，電平設(shè)置模塊和電阻設(shè)置模塊，其特征在于，所述配置模塊用于配置內(nèi)存ODT以動態(tài)模式，電平設(shè)置模塊用于將ODT引腳與高電平連接，電阻設(shè)置模塊用于將非寫狀態(tài)下的動態(tài)模式終端電阻禁用，并配置寫狀態(tài)下的動態(tài)模式終端電阻。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的省掉內(nèi)存ODT引腳的系統(tǒng)，其特征在于，電阻設(shè)置模塊還用于將寫狀態(tài)下的動態(tài)模式終端電阻的阻值設(shè)置成同步模式終端電阻的阻值。
【文檔編號】G11C11/406GK104332176SQ201410649549
【公開日】2015年2月4日 申請日期:2014年11月14日 優(yōu)先權(quán)日:2014年11月14日
【發(fā)明者】湯云平 申請人:福州瑞芯微電子有限公司