micro SD卡的檢測(cè)系統(tǒng)及其檢測(cè)方法
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明公開(kāi)了microSD卡的檢測(cè)系統(tǒng)及其檢測(cè)方法，其檢測(cè)系統(tǒng)包括：microSD卡接口、開(kāi)關(guān)檢測(cè)模塊和控制模塊，所述控制模塊檢測(cè)mircoSD卡的插入狀態(tài)，并依據(jù)mircoSD卡插入狀態(tài)控制所述開(kāi)關(guān)檢測(cè)模塊的啟閉，使開(kāi)關(guān)檢測(cè)模塊相應(yīng)控制mircoSD卡的VDD端的供電狀態(tài)，在不增加新的引腳（金屬?gòu)椘┑耐瑫r(shí)，實(shí)現(xiàn)了對(duì)mircoSD卡的檢測(cè)，有效的減少了mircoSD卡座的體積，而且本發(fā)明無(wú)需使用金屬?gòu)椘苊饬私饘購(gòu)椘诙啻问褂煤笕菀装l(fā)生形變，導(dǎo)致彈性下降，影響microSD卡插入的檢測(cè)的問(wèn)題。
【專(zhuān)利說(shuō)明】microSD卡的檢測(cè)系統(tǒng)及其檢測(cè)方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及mircoSD卡檢測(cè)技術(shù)，尤其涉及一種microSD卡插入檢測(cè)系統(tǒng)。

【背景技術(shù)】
[0002] 基于microSD卡價(jià)格低、穩(wěn)定及其通用性高的優(yōu)點(diǎn)，目前普遍采用microSD卡對(duì) 移動(dòng)終端進(jìn)行存儲(chǔ)空間的擴(kuò)展。在現(xiàn)有技術(shù)中，為了實(shí)現(xiàn)mircoSD卡的插入檢測(cè)，移動(dòng)終端 需要在microSD卡座上額外增加一個(gè)GPIO引腳用于進(jìn)行microSD卡插入的中斷檢測(cè)，使 得卡座上除了與microSD卡對(duì)應(yīng)連接的8個(gè)引腳之外還需要一個(gè)引腳用于microSD卡插 入的中斷檢測(cè)，因此現(xiàn)有的microSD卡座共9個(gè)引腳。
[0003] 圖1為現(xiàn)有技術(shù)中最常用的microSD卡插入檢測(cè)的示意圖，如圖1所示，當(dāng)micro SD卡座101中未插入microSD卡102時(shí)，金屬?gòu)椘?03被上拉至VLD0,為高電平；當(dāng)micro SD卡101插入microSD卡座102后，金屬?gòu)椘?03與microSD卡座102相接觸，而micro SD卡座102的壁是接地的，金屬?gòu)椘?03處為低電平。中央處理器104根據(jù)金屬?gòu)椘?03 為何種電平判斷出microSD卡101是否插入卡座。
[0004] 采用上述插入檢測(cè)方法的缺陷在于，檢測(cè)microSD卡插入的金屬?gòu)椘挥诳ㄗ?中，導(dǎo)致卡座體積較大。另外，金屬?gòu)椘诙啻问褂煤笕菀装l(fā)生形變，導(dǎo)致彈性下降，直接影 響microSD卡插入的檢測(cè)。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0005] 鑒于上述現(xiàn)有技術(shù)的不足之處，本發(fā)明的目的在于提供microSD卡的檢測(cè)系統(tǒng)及 其檢測(cè)方法，旨在解決現(xiàn)有技術(shù)中需要在mircoSD卡座中設(shè)置金屬?gòu)椘?，?dǎo)致mircoSD卡座 體積較大，金屬?gòu)椘荒陀?，影響插入檢測(cè)的問(wèn)題。
[0006] 為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明采取了以下技術(shù)方案： 一種microSD卡的檢測(cè)系統(tǒng)，其包括：microSD卡接口、開(kāi)關(guān)檢測(cè)模塊和控制模塊； 所述控制模塊檢測(cè)microSD卡接口的VDD端是否產(chǎn)生中斷來(lái)判斷mircoSD卡的插入 狀態(tài)，并依據(jù)mircoSD卡插入狀態(tài)控制所述開(kāi)關(guān)檢測(cè)模塊的啟閉，使開(kāi)關(guān)檢測(cè)模塊相應(yīng)控 制mircoSD卡的VDD端的供電狀態(tài)。
[0007] 所述的microSD卡的檢測(cè)系統(tǒng)中，所述開(kāi)關(guān)檢測(cè)模塊包括電阻和開(kāi)關(guān)；所述電阻 的一端連接microSD卡接口的VDD端和開(kāi)關(guān)的一端，電阻的另一端連接供電端和開(kāi)關(guān)的另 一端，所述開(kāi)關(guān)的控制端連接控制模塊，所述mircoSD卡接口的VSS端接地。
[0008] 所述的microSD卡的檢測(cè)系統(tǒng)中，所述控制模塊包括： 開(kāi)關(guān)控制單元，連接開(kāi)關(guān)的控制端，用于控制所述開(kāi)關(guān)的啟閉； 中斷檢測(cè)單元，連接mircoSD卡接口的VDD端，用于接收mircoSD卡插入產(chǎn)生的中斷 信號(hào)； 中斷配置單元，連接中斷檢測(cè)單元，用于在檢測(cè)到中斷信號(hào)后，將中斷檢測(cè)單元配置成 不檢測(cè)中斷信號(hào)。
[0009] 所述的microSD卡的檢測(cè)系統(tǒng)中，所述電阻的阻值大于等于microSD卡在未供 電狀態(tài)下，microSD卡的VDD腳與VSS腳之間電阻值的10倍。
[0010] 所述的microSD卡的檢測(cè)系統(tǒng)中，所述電阻的阻值為600ΜΩ。
[0011] 所述的microSD卡的檢測(cè)系統(tǒng)中，所述供電端的電壓為3V。
[0012] 一種上述的microSD卡的檢測(cè)系統(tǒng)的檢測(cè)方法，其包括： A、 開(kāi)關(guān)控制單元控制開(kāi)關(guān)斷開(kāi)，同時(shí)由中斷配置單元配置中斷檢測(cè)單元的GPI01端口 為低電平中斷； B、 、當(dāng)microSD卡插入使mircoSD卡接口的VDD端為低電平，使中斷檢測(cè)單元檢測(cè)到 GPI01端口產(chǎn)生低電平中斷時(shí)，中斷配置單元將GPI01端口配置成不檢測(cè)中斷，同時(shí)開(kāi)關(guān)控 制單元控制開(kāi)關(guān)閉合，使供電端為microSD卡供電。
[0013] 所述的檢測(cè)方法中，所述步驟B還包括：在microSD卡插入后，定時(shí)讀取microSD 卡的ID，如果讀取microSD卡的ID失敗，所述開(kāi)關(guān)控制單元控制開(kāi)關(guān)斷開(kāi)，同時(shí)由中斷配 置單元配置中斷檢測(cè)單元的GPI01端口為低電平中斷。
[0014] 有益效果：本發(fā)明提供的microSD卡的檢測(cè)系統(tǒng)及其檢測(cè)方法，由所述控制模塊 檢測(cè)mircoSD卡的插入狀態(tài)，并依據(jù)mircoSD卡插入狀態(tài)控制所述開(kāi)關(guān)檢測(cè)模塊的啟閉，使 開(kāi)關(guān)檢測(cè)模塊相應(yīng)控制mircoSD卡的VDD端的供電狀態(tài)，在不增加新的引腳（金屬?gòu)椘┑?同時(shí)，實(shí)現(xiàn)了對(duì)mircoSD卡的檢測(cè)，有效的減少了mircoSD卡座的體積，而且本發(fā)明無(wú)需使 用金屬?gòu)椘苊饬私饘購(gòu)椘诙啻问褂煤笕菀装l(fā)生形變，導(dǎo)致彈性下降，影響microSD卡 插入的檢測(cè)的問(wèn)題。

【專(zhuān)利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0015] 圖1為現(xiàn)有技術(shù)的microSD卡插入檢測(cè)系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0016] 圖2為本發(fā)明提供的microSD卡的檢測(cè)系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)框圖。
[0017] 圖3為本發(fā)明提供的microSD卡的檢測(cè)系統(tǒng)的電路原理圖。
[0018] 圖4為本發(fā)明提供的microSD卡的檢測(cè)系統(tǒng)的方法流程圖。

【具體實(shí)施方式】
[0019] 本發(fā)明提供一種microSD卡的檢測(cè)系統(tǒng)及其檢測(cè)方法。為使本發(fā)明的目的、技術(shù) 方案及效果更加清楚、明確，以下參照附圖并舉實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。應(yīng)當(dāng)理 解，此處所描述的具體實(shí)施例僅用以解釋本發(fā)明，并不用于限定本發(fā)明。
[0020] 圖2為本發(fā)明提供的一種microSD卡的檢測(cè)系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)框圖。如圖2所示，本發(fā) 明的microSD卡插入檢測(cè)系統(tǒng)，具體包括：microSD卡接口 100、開(kāi)關(guān)檢測(cè)模塊200和控制 模塊300。
[0021] 所述microSD卡接口 100的VDD端通過(guò)開(kāi)關(guān)檢測(cè)模塊200與控制模塊300連接， VDD端還與控制模塊300連接，所述microSD卡接口 100的VSS端接地。
[0022] 所述控制模塊，用于檢測(cè)microSD卡接口的VDD端是否產(chǎn)生中斷來(lái)判斷mircoSD 卡的插入狀態(tài)，并依據(jù)mircoSD卡插入狀態(tài)控制所述開(kāi)關(guān)檢測(cè)模塊的啟閉，使開(kāi)關(guān)檢測(cè)模 塊相應(yīng)控制mircoSD卡的VDD端的供電狀態(tài)。
[0023] 請(qǐng)一并參閱圖3,microSD卡接口 100包括microSD卡的8個(gè)引腳：DAT2、DAT3、 CMD、VDD、CLK、VSS、DATO、DATl;microSD卡接口 100 位于microSD卡座中，microSD卡座用 于放置microSD卡，microSD卡接口 100中的8個(gè)引腳分別與microSD卡座中對(duì)應(yīng)的8個(gè)金 手指相連接；當(dāng)microSD卡插入microSD卡座時(shí)，microSD卡接口 10的8個(gè)引腳與microSD 卡的8個(gè)引腳--相連；由于microSD卡接口 100中的DAT2、DAT3、CMD、CLK、DAT0、DAT16 個(gè)引腳與本發(fā)明無(wú)關(guān)，本發(fā)明只關(guān)注VDD、VSS兩個(gè)引腳（即VDD端和VSS端)。
[0024] 所述開(kāi)關(guān)檢測(cè)模塊具體還包括電阻R和開(kāi)關(guān)K;所述電阻R的一端連接microSD 卡接口 100的VDD端和開(kāi)關(guān)K的一端，電阻R的另一端連接供電端VLDO和開(kāi)關(guān)K的另一端， 所述開(kāi)關(guān)K的控制端連接控制模塊300,所述mircoSD卡接口 100的VSS端接地。
[0025] 本實(shí)施例中，所述開(kāi)關(guān)K為高速開(kāi)關(guān)或者模擬開(kāi)關(guān)，由控制模塊對(duì)其導(dǎo)通狀態(tài)進(jìn) 行控制，所述供電端VLDO可以使用VLDO(超低壓差穩(wěn)壓器）進(jìn)行供電，該穩(wěn)壓器是一種常 用的，用于電池供電的便攜式設(shè)備中線性穩(wěn)壓器，能夠有效的在低輸入電壓下和低壓差要 求下為設(shè)備提供穩(wěn)定的低輸出電壓。
[0026] 請(qǐng)繼續(xù)參閱圖3,所述控制模塊具體包括開(kāi)關(guān)控制單元310,中斷檢測(cè)單元320和 中斷配置單元330 ;所述開(kāi)關(guān)控制單元310、中斷信號(hào)檢測(cè)單元320、中斷配置單元330依次 連接，開(kāi)關(guān)控制單元310還連接開(kāi)關(guān)K的控制端，中斷檢測(cè)單元320連接mircoSD卡接口 100的VDD端和電阻的一端。
[0027] 具體地，所述開(kāi)關(guān)控制單元310用于控制所述開(kāi)關(guān)的啟閉；中斷檢測(cè)單元320用于 接收mircoSD卡插入產(chǎn)生的中斷信號(hào)；中斷配置單元330用于在檢測(cè)到中斷信號(hào)后，將中斷 檢測(cè)單元320配置成不檢測(cè)中斷信號(hào)。本實(shí)施例中，所述中斷配置單元330用于配置GPI01 的中斷檢測(cè)，可以配成低電平中斷，也可以配成高電平中斷。
[0028] 更具體的，所述電阻R的阻值大于等于microSD卡在未供電狀態(tài)下，microSD卡 的VDD腳與VSS腳之間電阻值的10倍。設(shè)microSD卡的VDD腳與VSS腳之間電阻值為R1, 電阻R的阻值為R2，R2彡IOXRp
[0029] 本發(fā)明具體實(shí)施例中提供的開(kāi)關(guān)檢測(cè)模塊依據(jù)mircoSD卡插入而產(chǎn)生中斷信號(hào) 的具體工作原理如下：當(dāng)microSD卡未插入卡座，即microSD卡接口的VDD端懸空時(shí)， VDD端通過(guò)電阻R上拉至與供電端VLDO相連接。因此，VDD端的電壓等于供電電壓，為高電 平。當(dāng)microSD卡插入microSD卡座時(shí)，依據(jù)電壓分配原理,VDD端的電壓為供電電壓的 R1 -Λ,。因?yàn)镽2彡IOXR1，所以，microSD卡插入時(shí)，mircoSD卡接口 100的VDD端的 KjT-K2 電壓小于A供電電壓。一般來(lái)說(shuō)，當(dāng)?shù)陀诠╇婋妷旱?0%時(shí)，即可認(rèn)為是低電平，因此，當(dāng) mircoSD卡插入時(shí)，VDD端為低電平，由此開(kāi)關(guān)檢測(cè)模塊依據(jù)mircoSD卡的插入而產(chǎn)生一低 電平中斷信號(hào)。當(dāng)然，也可以采用其他合適的方法依據(jù)mircoSD卡的插入產(chǎn)生低電平或者 1?電平?目號(hào)。
[0030] 較佳的是，所述電阻R的阻值為600ΜΩ。一般地，microSD卡VDD腳與VSS腳之 間的電阻約為60kΩ，遠(yuǎn)遠(yuǎn)小于600MΩ。選擇上述阻值可以有效保證低電平信號(hào)的產(chǎn)生。當(dāng) 然，電阻R的阻值還可采用其它阻值，只要能實(shí)現(xiàn)microSD卡插入時(shí)，使microSD卡接口 的VDD端為低電平即可。
[0031] 所述控制模塊的具體工作流程如下： 移動(dòng)終端開(kāi)機(jī)時(shí)，所述開(kāi)關(guān)控制單元310控制開(kāi)關(guān)K斷開(kāi)，斷配置單元330配置GPIOl為低電平中斷；當(dāng)microSD卡未插入microSD卡座，即microSD卡接口 100各個(gè)腳懸空 時(shí)，其VDD端通過(guò)600ΜΩ的電阻R與供電端VLDO相連接，因此，VDD端被上拉至高電平， GPIOl處將不會(huì)產(chǎn)生低電平中斷信號(hào)。
[0032] 當(dāng)mirco SD卡插入mirco SD卡座100時(shí)，microSD卡接口 100的8個(gè)引腳分別與 microSD卡的8個(gè)引腳相接觸；由于microSD卡VDD腳與VSS腳之間的電阻遠(yuǎn)小于600MΩ， 使micro SD卡接口 100的VDD端為低電平；而中斷檢測(cè)單元320的GPI01為低電平中斷， 因此，中斷檢測(cè)單元320將檢測(cè)到microSD卡插入，通過(guò)中斷配置單元330將GPI01配置成 不檢測(cè)中斷，保證供電端持續(xù)有效的為mircoSD卡供電，同時(shí)開(kāi)關(guān)控制單元310控制開(kāi)關(guān)K 閉合，由供電端VLDO為microSD卡供電。
[0033] 如圖3所示，更具體的是，所述中斷檢測(cè)單元320通過(guò)GPIO與mircoSD卡接口 100 的VDD端連接，檢測(cè)VDD端上因mircoSD卡插入而產(chǎn)生的低電平中斷信號(hào)。所述GPIO(通 用輸出/輸入端口）是一種可編程的端口，可以通過(guò)設(shè)置中斷配置單元320 (即其寄存器） 設(shè)置為高電平中斷或者低電平中斷及其他需要的功能，與傳統(tǒng)的串口或者并口相比，更為 簡(jiǎn)單。
[0034] 較佳的是，所述供電端的電壓為3V。當(dāng)然，也可以依據(jù)mircoSD卡的實(shí)際需要選擇 合適的供電電壓。
[0035] 本發(fā)明還相應(yīng)提供一種上述microSD卡的檢測(cè)系統(tǒng)的檢測(cè)方法，如圖4所示，其 包括： S1、開(kāi)關(guān)控制單元控制開(kāi)關(guān)斷開(kāi)，同時(shí)由中斷配置單元配置中斷檢測(cè)單元的GPI01端 口為低電平中斷。
[0036]S2、當(dāng)microSD卡插入使mircoSD卡接口的VDD端為低電平，使中斷檢測(cè)單元檢 測(cè)到GPI01端口產(chǎn)生低電平中斷時(shí)，中斷配置單元將GPI01端口配置成不檢測(cè)中斷，同時(shí)開(kāi) 關(guān)控制單元控制開(kāi)關(guān)閉合，使供電端為microSD卡供電。具體請(qǐng)參閱上述實(shí)施例。
[0037] 進(jìn)一步的，所述步驟S2還包括：在microSD卡插入后，定時(shí)讀取microSD卡的 ID，如果讀取microSD卡的ID失敗(表示microSD卡已撥出），所述開(kāi)關(guān)控制單元控制開(kāi) 關(guān)斷開(kāi)，同時(shí)由中斷配置單元配置中斷檢測(cè)單元的GPI01端口為低電平中斷，等待下一次 中斷。
[0038] 綜上所述，本發(fā)明提供利用開(kāi)關(guān)檢測(cè)模塊和控制模塊，進(jìn)行中斷信號(hào)的檢測(cè)。在 microSD卡座不增加新的引腳(金屬?gòu)椘┑耐瑫r(shí)，實(shí)現(xiàn)了對(duì)mircoSD卡插入的檢測(cè)，有效 的減少了mircoSD卡座的體積，避免了金屬?gòu)椘诙啻问褂煤笕菀装l(fā)生形變，彈性下降，影 響microSD卡插入的檢測(cè)的問(wèn)題。
[0039] 可以理解的是，對(duì)本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，可以根據(jù)本發(fā)明的技術(shù)方案及本發(fā) 明構(gòu)思加以等同替換或改變，而所有這些改變或替換都應(yīng)屬于本發(fā)明所附的權(quán)利要求的保 護(hù)范圍。
【權(quán)利要求】
1. 一種micro SD卡的檢測(cè)系統(tǒng)，其特征在于，包括：micro SD卡接口、開(kāi)關(guān)檢測(cè)模塊和 控制|吳塊； 所述控制模塊檢測(cè)micro SD卡接口的VDD端是否產(chǎn)生中斷來(lái)判斷mircoSD卡的插入 狀態(tài)，并依據(jù)mircoSD卡插入狀態(tài)控制所述開(kāi)關(guān)檢測(cè)模塊的啟閉，使開(kāi)關(guān)檢測(cè)模塊相應(yīng)控 制mircoSD卡的VDD端的供電狀態(tài)。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的micro SD卡的檢測(cè)系統(tǒng)，其特征在于，所述開(kāi)關(guān)檢測(cè)模塊包 括電阻和開(kāi)關(guān)；所述電阻的一端連接micro SD卡接口的VDD端和開(kāi)關(guān)的一端，電阻的另一 端連接供電端和開(kāi)關(guān)的另一端，所述開(kāi)關(guān)的控制端連接控制模塊，所述mirco SD卡接口的 VSS端接地。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的micro SD卡的檢測(cè)系統(tǒng)，其特征在于，所述控制模塊包括： 開(kāi)關(guān)控制單元，連接開(kāi)關(guān)的控制端，用于控制所述開(kāi)關(guān)的啟閉； 中斷檢測(cè)單元，連接mirco SD卡接口的VDD端，用于接收mircoSD卡插入產(chǎn)生的中斷 信號(hào)； 中斷配置單元，連接中斷檢測(cè)單元，用于在檢測(cè)到中斷信號(hào)后，將中斷檢測(cè)單元配置成 不檢測(cè)中斷信號(hào)。
4. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的micro SD卡的檢測(cè)系統(tǒng)，其特征在于，所述電阻的阻值大于 等于micro SD卡在未供電狀態(tài)下，micro SD卡的VDD腳與VSS腳之間電阻值的10倍。
5. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的micro SD卡的檢測(cè)系統(tǒng)，其特征在于，所述電阻的阻值為 600ΜΩ。
6. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的micro SD卡的檢測(cè)系統(tǒng)，其特征在于，所述供電端的電壓為 3V〇
7. -種如權(quán)利要求3所述的micro SD卡的檢測(cè)系統(tǒng)的檢測(cè)方法，其特征在于，包括： A、 開(kāi)關(guān)控制單元控制開(kāi)關(guān)斷開(kāi)，同時(shí)由中斷配置單元配置中斷檢測(cè)單元的GPIOl端口 為低電平中斷； B、 當(dāng)micro SD卡插入使mirco SD卡接口的VDD端為低電平，使中斷檢測(cè)單元檢測(cè)到 GPIOl端口產(chǎn)生低電平中斷時(shí)，中斷配置單元將GPIOl端口配置成不檢測(cè)中斷，同時(shí)開(kāi)關(guān)控 制單元控制開(kāi)關(guān)閉合，使供電端為microSD卡供電。
8. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的檢測(cè)方法，其特征在于，所述步驟B還包括：在micro SD卡 插入后，定時(shí)讀取micro SD卡的ID，如果讀取micro SD卡的ID失敗，所述開(kāi)關(guān)控制單元控 制開(kāi)關(guān)斷開(kāi)，同時(shí)由中斷配置單元配置中斷檢測(cè)單元的GPIOl端口為低電平中斷。
【文檔編號(hào)】G11C29/56GK104317528SQ201410537102
【公開(kāi)日】2015年1月28日 申請(qǐng)日期:2014年10月13日 優(yōu)先權(quán)日:2014年10月13日
【發(fā)明者】俞斌, 楊維琴 申請(qǐng)人:惠州Tcl移動(dòng)通信有限公司