一種動(dòng)態(tài)預(yù)充控制電路和閃存存儲(chǔ)系統(tǒng)的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種動(dòng)態(tài)預(yù)充控制電路和閃存存儲(chǔ)系統(tǒng)，所述動(dòng)態(tài)預(yù)充控制電路包括控制單元和預(yù)充電單元，所述預(yù)充電單元通過(guò)位線與一負(fù)載連接，所述控制單元用于控制所述預(yù)充電單元對(duì)負(fù)載的預(yù)充電狀態(tài)，所述預(yù)充電單元用于根據(jù)所述控制單元的控制自適應(yīng)的對(duì)負(fù)載進(jìn)行預(yù)充電或關(guān)斷對(duì)負(fù)載的預(yù)充電。本發(fā)明提供的動(dòng)態(tài)預(yù)充控制電路和閃存存儲(chǔ)系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)了根據(jù)負(fù)載的預(yù)充電狀態(tài)調(diào)整預(yù)充電時(shí)間，使得預(yù)充控制電路與負(fù)載實(shí)現(xiàn)自適應(yīng)預(yù)充電。
【專利說(shuō)明】一種動(dòng)態(tài)預(yù)充控制電路和閃存存儲(chǔ)系統(tǒng)
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及存儲(chǔ)【技術(shù)領(lǐng)域】，具體涉及一種動(dòng)態(tài)預(yù)充控制電路和閃存存儲(chǔ)系統(tǒng)。
【背景技術(shù)】
[0002]閃存(Flash Memory)是一種非揮發(fā)性的半導(dǎo)體存儲(chǔ)芯片,采用傳統(tǒng)的浮柵晶體管作為最小的存儲(chǔ)單元，在讀取所述閃存存儲(chǔ)器中的數(shù)據(jù)時(shí)，需要先通過(guò)靈敏放大器對(duì)閃存存儲(chǔ)器的位線進(jìn)行預(yù)充電，使得所述存儲(chǔ)單元的漏極穩(wěn)定在一個(gè)固定電壓，再進(jìn)行數(shù)據(jù)的輸出。
[0003]圖1為現(xiàn)有技術(shù)中靈敏放大器的預(yù)充控制電路圖。如圖1所示，所述靈敏放大器在第一控制端ENl使用一個(gè)負(fù)脈沖對(duì)所述閃存存儲(chǔ)器的位線進(jìn)行預(yù)充電，即當(dāng)所述第一控制端ENl輸入低電平，同時(shí)第二控制端EN2輸入低電平，第三控制端EN3輸入高電平時(shí)，所述預(yù)充控制電路開始對(duì)閃存存儲(chǔ)器WL進(jìn)行預(yù)充電，當(dāng)所述第一控制端ENl的輸入由低電平變?yōu)楦唠娖綍r(shí)，停止對(duì)閃存存儲(chǔ)器WL的預(yù)充電，所述負(fù)脈沖的脈沖寬度為一預(yù)先設(shè)計(jì)的固定值，因此，無(wú)法根據(jù)閃存存儲(chǔ)器的實(shí)際狀態(tài)進(jìn)行自適應(yīng)的調(diào)整對(duì)閃存存儲(chǔ)器的預(yù)充電時(shí)間。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]有鑒于此，本發(fā)明實(shí)施例提供一種動(dòng)態(tài)預(yù)充控制電路和閃存存儲(chǔ)系統(tǒng)，以解決預(yù)充控制電路不能根據(jù)負(fù)載的實(shí)際情況進(jìn)行自適應(yīng)預(yù)充電的問(wèn)題。
[0005]一方面，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種動(dòng)態(tài)預(yù)充控制電路，包括控制單元和預(yù)充電單元，所述預(yù)充電單元通過(guò)位線與一負(fù)載連接，所述控制單元用于控制所述預(yù)充電單元對(duì)負(fù)載的預(yù)充電狀態(tài)；
[0006]所述預(yù)充電單元用于根據(jù)所述控制單元的控制自適應(yīng)的對(duì)負(fù)載進(jìn)行預(yù)充電或關(guān)斷對(duì)負(fù)載的預(yù)充電。
[0007]進(jìn)一步地，所述控制單元包括第一控制端、第一 NMOS管、第二 NMOS管、反相器和第
一PMOS 管，
[0008]所述第一控制端與所述第一 NMOS管的柵極連接，所述第一 NMOS管的源極與所述反相器的輸入端和所述預(yù)充電單元的中點(diǎn)連接，所述第一 NMOS管的漏極接地，所述第二NMOS管的柵極與所述第一控制端連接，所述第二 NMOS管的源極與所述第一 PMOS管的漏極連接，所述第二 NMOS管的漏極接地，所述反相器的輸入端與所述預(yù)充電單元連接，所述反相器的輸出端與所述第一 PMOS管的柵極連接，所述第一 PMOS管的源極與電源連接，所述第
一PMOS管的漏極與所述第二 NMOS管的源極連接。
[0009]進(jìn)一步地，所述預(yù)充電單元包括第二控制端、第三控制端、第四控制端、第二 PMOS管、第三PMOS管、第三NMOS管和第四NMOS管，
[0010]所述第二 PMOS管的柵極與所述第二控制端連接，所述第二控制端為所述控制單元中第一 PMOS管的漏極和第二 NMOS管的源極的中點(diǎn)，所述第二 PMOS管的源極與電源連接，所述第二 PMOS管的漏極與所述第三NMOS管的源極連接，所述第三PMOS管的柵極與所述第三控制端連接，所述第三PMOS管的源極與電源連接，所述第三PMOS管的漏極與所述第四NMOS管的源極連接，所述第三PMOS管的漏極和第四NMOS管的源極的中點(diǎn)為所述預(yù)充電單元的輸出端，所述預(yù)充電單元的輸出端與所述控制單元中反相器的輸入端連接，所述第三NMOS管的柵極與所述第四控制端連接，所述第三NMOS管的源極與第二 PMOS管的漏極連接，所述第三NMOS管的漏極與位線連接，所述第四NMOS管的柵極與所述第四控制端連接，所述第四NMOS管的源極與第三PMOS管的漏極連接，所述第四NMOS管的漏極與位線連接。[0011 ] 進(jìn)一步地，所述動(dòng)態(tài)預(yù)充控制電路還包括第六NMOS管，所述第六NMOS管的柵極與電源連接，所述第六NMOS管的源極與位線連接，所述第六NMOS管的漏極與負(fù)載連接。
[0012]進(jìn)一步地，所述預(yù)充電單元用于根據(jù)所述控制單元的控制自適應(yīng)的對(duì)負(fù)載進(jìn)行預(yù)充電或關(guān)斷對(duì)負(fù)載的預(yù)充電具體為:
[0013]當(dāng)所述第一控制端輸入高電平，并且所述第四控制端輸入低電平時(shí)，所述第二控制端為低電平；
[0014]當(dāng)所述第一控制端輸入低電平，并且所述第四控制端輸入高電平時(shí)，所述預(yù)充電單元對(duì)所述負(fù)載進(jìn)行預(yù)充電，當(dāng)所述預(yù)充電單元的輸出端的電壓達(dá)到所述反相器的翻轉(zhuǎn)點(diǎn)時(shí)，所述第二控制端被充到高電平，所述預(yù)充電單元關(guān)斷對(duì)所述負(fù)載的預(yù)充電。
[0015]進(jìn)一步地，所述反相器的翻轉(zhuǎn)點(diǎn)為所述預(yù)充電單元輸出端的靜態(tài)工作點(diǎn)。
[0016]進(jìn)一步地，所述第三控制端輸入一固定的低電平，所述固定的低電平使得所述第
三PMOS管導(dǎo)通。
[0017]另一方面，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種閃存存儲(chǔ)系統(tǒng)，所述閃存系統(tǒng)包括閃存存儲(chǔ)器和用于讀取所述閃存存儲(chǔ)器中數(shù)據(jù)的靈敏放大器，其中，所述靈敏放大器中包括動(dòng)態(tài)預(yù)充控制電路，所述動(dòng)態(tài)預(yù)充控制電路包括上述任一項(xiàng)所述的動(dòng)態(tài)預(yù)充控制電路。
[0018]本發(fā)明實(shí)施例提供的動(dòng)態(tài)預(yù)充控制電路和閃存存儲(chǔ)系統(tǒng)，通過(guò)控制單元自適應(yīng)的控制預(yù)充電單元對(duì)負(fù)載的預(yù)充電狀態(tài)，當(dāng)所述負(fù)載的預(yù)充電狀態(tài)達(dá)到目標(biāo)狀態(tài)時(shí)，關(guān)斷對(duì)負(fù)載的預(yù)充電，當(dāng)負(fù)載的預(yù)充電狀態(tài)充電不足時(shí)，繼續(xù)對(duì)負(fù)載預(yù)充電，由此，實(shí)現(xiàn)了根據(jù)負(fù)載的預(yù)充電狀態(tài)調(diào)整預(yù)充電時(shí)間，使得預(yù)充控制電路與負(fù)載實(shí)現(xiàn)自適應(yīng)預(yù)充電。
【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0019]下面將通過(guò)參照附圖詳細(xì)描述本發(fā)明的示例性實(shí)施例，使本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員更清楚本發(fā)明的上述及其他特征和優(yōu)點(diǎn)，附圖中:
[0020]圖1為現(xiàn)有技術(shù)中靈敏放大器的預(yù)充控制電路圖；
[0021]圖2為根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的一種動(dòng)態(tài)預(yù)充控制電路的結(jié)構(gòu)圖；
[0022]圖3為根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的一種動(dòng)態(tài)預(yù)充控制電路的結(jié)構(gòu)圖；
[0023]圖4為根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的一種動(dòng)態(tài)預(yù)充控制電路中各控制端電壓的時(shí)序圖；
[0024]圖5為根據(jù)本發(fā)明第三實(shí)施例的一種閃存存儲(chǔ)系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)圖。
【具體實(shí)施方式】
[0025]下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步的詳細(xì)說(shuō)明?？梢岳斫獾氖牵颂幩枋龅木唧w實(shí)施例僅僅用于解釋本發(fā)明，而非對(duì)本發(fā)明的限定。另外還需要說(shuō)明的是，為了便于描述，附圖中僅示出了與本發(fā)明相關(guān)的部分而非全部?jī)?nèi)容。
[0026]本發(fā)明實(shí)施例的動(dòng)態(tài)預(yù)充控制電路可應(yīng)用于閃存存儲(chǔ)系統(tǒng)的靈敏放大器中，能夠?qū)崿F(xiàn)閃存存儲(chǔ)器的自適應(yīng)預(yù)充電，該閃存存儲(chǔ)器可以是NAND閃存也可以是NOR閃存，該閃存存儲(chǔ)器可以應(yīng)用于各種數(shù)碼設(shè)備、數(shù)碼相機(jī)、MP3播放器、U盤、手機(jī)和掌上游戲機(jī)等電子產(chǎn)品中，其中，所述數(shù)碼設(shè)備可以包括計(jì)算機(jī)和數(shù)字電視等，所述掌上游戲機(jī)可以包括PSP、PSV、任天堂 3DS(Nintendo3DS)等。
[0027]在圖2中示出了本發(fā)明的第一實(shí)施例。
[0028]圖2為根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的一種動(dòng)態(tài)預(yù)充控制電路的結(jié)構(gòu)圖，該動(dòng)態(tài)預(yù)充控制電路可應(yīng)用于靈敏放大器中，所述動(dòng)態(tài)預(yù)充控制電路包括:控制單元11和預(yù)充電單元12，所述預(yù)充電單元12通過(guò)位線與一負(fù)載13連接。
[0029]其中，所述控制單元11用于控制所述預(yù)充電單元12對(duì)負(fù)載13的預(yù)充電狀態(tài)，所述預(yù)充電單元12用于根據(jù)所述控制單元11的控制自適應(yīng)的對(duì)負(fù)載13進(jìn)行預(yù)充電或關(guān)斷對(duì)負(fù)載13的預(yù)充電。
[0030]在本實(shí)施例中，所述動(dòng)態(tài)預(yù)充控制電路可設(shè)置于靈敏放大器中，所述負(fù)載13可以是一閃存存儲(chǔ)器，所述閃存存儲(chǔ)器可以是NAND閃存，也可以是NOR閃存。
[0031]閃存存儲(chǔ)器一般由字線和位線組成，每一字線和位線的交叉點(diǎn)是一個(gè)存儲(chǔ)單元，存儲(chǔ)單元由晶體管和電容組成，存儲(chǔ)單元中的數(shù)據(jù)取決于存儲(chǔ)在電容中的電荷，當(dāng)字線被選中，存儲(chǔ)在電容中的電荷通過(guò)電荷共享使得位線電壓改變。
[0032]靈敏放大器(Sense amplifier)是存儲(chǔ)器中非常重要的電路，其主要用于將存儲(chǔ)單元中所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)位的狀態(tài)識(shí)別出來(lái)，以轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號(hào)；為獲得存儲(chǔ)單元中所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)位的狀態(tài)，則需要通過(guò)對(duì)位線進(jìn)行充電，獲取存儲(chǔ)單元中所存儲(chǔ)數(shù)據(jù)位的狀態(tài)對(duì)應(yīng)的電壓。再將所述存儲(chǔ)單元中所存儲(chǔ)數(shù)據(jù)位的狀態(tài)對(duì)應(yīng)的電壓與參考存儲(chǔ)單元中所存儲(chǔ)數(shù)據(jù)位的狀態(tài)對(duì)應(yīng)的電壓進(jìn)行比較，即可獲得存儲(chǔ)單元中所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)位的狀態(tài)。
[0033]在本實(shí)施例中，當(dāng)連接于位線上的負(fù)載13的預(yù)充電狀態(tài)達(dá)到目標(biāo)狀態(tài)時(shí)，所述控制單元11控制所述預(yù)充電單元斷開對(duì)所述負(fù)載13的預(yù)充電，防止發(fā)生過(guò)預(yù)充，當(dāng)連接于位線上的負(fù)載13的預(yù)充電狀態(tài)沒(méi)有達(dá)到目標(biāo)狀態(tài)時(shí)，所述控制單元11控制所述預(yù)充電單元12繼續(xù)對(duì)所述負(fù)載13進(jìn)行預(yù)充電，防止發(fā)生預(yù)充電不足的情況，從而根據(jù)位線上負(fù)載13的預(yù)充電狀態(tài)來(lái)自行調(diào)整是否對(duì)所述負(fù)載進(jìn)行預(yù)充電。
[0034]本發(fā)明實(shí)施例提供的動(dòng)態(tài)預(yù)充控制電路和閃存存儲(chǔ)系統(tǒng)，通過(guò)控制單元自適應(yīng)的控制預(yù)充電單元對(duì)負(fù)載的預(yù)充電狀態(tài)，當(dāng)所述負(fù)載的預(yù)充電狀態(tài)達(dá)到目標(biāo)狀態(tài)時(shí)，關(guān)斷對(duì)負(fù)載的充電，當(dāng)負(fù)載的預(yù)充電狀態(tài)充電不足時(shí)，繼續(xù)對(duì)負(fù)載充電，由此，實(shí)現(xiàn)了根據(jù)負(fù)載的預(yù)充電狀態(tài)調(diào)整預(yù)充電時(shí)間，使得預(yù)充控制電路與負(fù)載實(shí)現(xiàn)自適應(yīng)預(yù)充電。
[0035]在圖3中示出了本發(fā)明的第二實(shí)施例。
[0036]圖3為根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的一種動(dòng)態(tài)預(yù)充控制電路的結(jié)構(gòu)圖，該動(dòng)態(tài)預(yù)充控制電路可應(yīng)用于靈敏放大器中，所述動(dòng)態(tài)預(yù)充控制電路包括控制單元21和預(yù)充電單元22，所述預(yù)充電單元22通過(guò)位線與負(fù)載23連接。
[0037]所述控制單元21用于控制所述預(yù)充電單元22對(duì)負(fù)載23的預(yù)充電狀態(tài)，所述預(yù)充電單元22用于根據(jù)所述控制單元21的控制自適應(yīng)的對(duì)負(fù)載23進(jìn)行預(yù)充電或關(guān)斷對(duì)負(fù)載23的預(yù)充電。[0038]其中，所述控制單元21優(yōu)選可包括第一控制端ENl、第一 NMOS管N1、第二 NMOS管N2、反相器INVO和第一 PMOS管Pl。
[0039]所述第一控制端ENl與所述第一 NMOS管NI的柵極連接，所述第一 NMOS管NI的源極與所述反相器INVO的輸入端和所述預(yù)充電單元22的中點(diǎn)連接，所述第一 NMOS管NI的漏極接地，所述第二 NMOS管N2的柵極與所述第一控制端ENl連接，所述第二 NMOS管N2的源極與所述第一 PMOS管Pl的漏極連接，所述第二 NMOS管N2的漏極接地，所述反相器INVO的輸入端與所述預(yù)充電單元22的輸出端連接，所述反相器的輸出端INVO與所述第一 PMOS管Pl的柵極連接，所述第一 PMOS管Pl的源極與電源VDD連接，所述第一 PMOS管Pl的漏極與所述第二 NMOS管N2的源極連接。
[0040]所述預(yù)充電單元22包括第二控制端EN2、第三控制端EN3、第四控制端EN4、第二PMOS管P2、第三PMOS管P3、第三NMOS管N3和第四NMOS管N4，
[0041]其中，所述第二 PMOS管P2的柵極與所述第二控制端EN2連接，所述第二控制端EN2為所述控制單元21中第一 PMOS管Pl的漏極和第二 NMOS管N2的源極的中點(diǎn)，所述第
二PMOS管P2的源極與電源VDD連接，所述第二 PMOS管P2的漏極與所述第三NMOS管N3的源極連接，所述第三PMOS管P3的柵極與所述第三控制端EN3連接，所述第三PMOS管P3的源極與電源VDD連接，所述第三PMOS管P3的漏極與所述第四NMOS管N4的源極連接，所述第三PMOS管P3的漏極與第四NMOS管N4的源極的中點(diǎn)為所述預(yù)充電單元22的輸出端SA0UT，所述預(yù)充電單元22的輸出端SAOUT與所述控制單元21中反相器INVO的輸入端連接，所述第三NMOS管N3的柵極與所述第四控制端EN4連接，所述第三匪OS管N3的源極與第二 PMOS管P2的漏極連接，所述第三NMOS管N3的漏極與位線連接，所述第四NMOS管N4的柵極與所述第四控制端EN4連接，所述第四NMOS管N4的源極與第三PMOS管P3的漏極連接，所述第四NMOS管N4的漏極與位線連接。
[0042]在本實(shí)施例中，所述預(yù)充電單元22用于根據(jù)所述控制單元21的控制自適應(yīng)的對(duì)負(fù)載23進(jìn)行預(yù)充電或關(guān)斷對(duì)負(fù)載23的預(yù)充電具體為:
[0043]當(dāng)所述第一控制端ENl輸入高電平，并且所述第四控制端EN4輸入低電平時(shí)，所述第二控制端EN2為低電平；
[0044]當(dāng)所述第一控制端ENl輸入低電平，并且所述第四控制端EN4輸入高電平時(shí)，所述預(yù)充電單元22對(duì)所述負(fù)載23進(jìn)行預(yù)充電，當(dāng)所述預(yù)充電單元22的輸出端SAOUT的電壓達(dá)到所述反相器INVO的翻轉(zhuǎn)點(diǎn)時(shí)，所述第二控制端EN2被充到高電平，所述預(yù)充電單元22關(guān)斷對(duì)所述負(fù)載23的預(yù)充電。
[0045]具體地，當(dāng)所述第一控制端ENl輸入高電平，并且所述第四控制端EN4輸入低電平時(shí)，第一 NMOS管NI和第二 NMOS管N2導(dǎo)通，由于所述第一 NMOS管NI和第二 NMOS管N2的漏極都接地，因此，所述預(yù)充電單元22的輸出端SAOUT和所述第二控制端EN2被拉到低電平，所述第二控制端EN2保持低電平狀態(tài)，由于所述第四控制端EN4輸入低電平，所述第三NMOS管N3處于截止?fàn)顟B(tài)，所述預(yù)充電單元22沒(méi)有開始對(duì)負(fù)載23進(jìn)行預(yù)充電；
[0046]當(dāng)所述第一控制端ENl輸入低電平，并且所述第四控制端EN4輸入高電平時(shí)，所述第二控制端EN2保持低電平狀態(tài)，所述第二 PMOS管P2導(dǎo)通，由于所述第三控制端EN3 —直輸入一固定的低電平，因此所述第三PMOS管P3處于導(dǎo)通狀態(tài)，同時(shí)，所述第三NMOS管N3和第四NMOS管N4處于導(dǎo)通狀態(tài)，所述預(yù)充電單元22開始對(duì)負(fù)載23進(jìn)行預(yù)充電，同時(shí)，將所述預(yù)充電單元22的輸出端SAOUT的電壓升高，當(dāng)所述輸出端SAOUT的電壓達(dá)到反相器INVO的翻轉(zhuǎn)點(diǎn)時(shí)，反相器INVO的輸出端輸出低電平，使得所述第一 PMOS管Pl導(dǎo)通，由于第
一PMOS管Pl的源極與電源VDD連接，因此將第二控制端EN2的電壓充到高電平，所述第二PMOS管P2變?yōu)榻刂範(fàn)顟B(tài)，之后在第一控制端ENl為低電平的時(shí)間內(nèi)，所述第二控制端EN2保持高電平不變，從而關(guān)斷對(duì)所述負(fù)載的預(yù)充電狀態(tài)。
[0047]在本實(shí)施例中，所述反相器INVO的翻轉(zhuǎn)點(diǎn)可以為所述預(yù)充電單元22的輸出端SAOUT端的靜態(tài)工作點(diǎn)，所述SAOUT端的靜態(tài)工作點(diǎn)與所述負(fù)載23的存儲(chǔ)值有關(guān)，當(dāng)所述SAOUT端的電壓升高到靜態(tài)工作點(diǎn)時(shí)(所述靜態(tài)工作點(diǎn)也叫做直流工作點(diǎn))，認(rèn)為預(yù)充電單元22對(duì)負(fù)載23的預(yù)充電狀態(tài)達(dá)到目標(biāo)狀態(tài)，此時(shí)所述動(dòng)態(tài)預(yù)充電控制電路會(huì)自動(dòng)關(guān)斷對(duì)負(fù)載23的預(yù)充電，從而實(shí)現(xiàn)預(yù)充電時(shí)間的自適應(yīng)。預(yù)充電完成后，所述動(dòng)態(tài)預(yù)充控制電路各節(jié)點(diǎn)電壓接近直流值，可顯著提高靈敏放大器的讀取速度。
[0048]圖4為根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的一種動(dòng)態(tài)預(yù)充控制電路中各控制端電壓的時(shí)序圖，下面結(jié)合圖4，對(duì)本實(shí)施例的動(dòng)態(tài)預(yù)充控制電路作進(jìn)一步的說(shuō)明。
[0049]如圖4所示，當(dāng)需要對(duì)負(fù)載進(jìn)行預(yù)充電時(shí)，首先在第一控制端ENl輸入高電平，使得第二控制端EN2處于低電平狀態(tài)，當(dāng)在第一控制端ENl輸入低電平，同時(shí)在第四控制端EN4輸入高電平時(shí)，所述預(yù)充電單元22開始對(duì)所述負(fù)載23進(jìn)行預(yù)充電，同時(shí)升高預(yù)充電單元22輸出端SAOUT的電壓，當(dāng)SAOUT端的電壓升高至反相器INVO的翻轉(zhuǎn)點(diǎn)時(shí)反相器INVO的輸出端變?yōu)榈碗娖剑沟玫谝?PMOS管Pl導(dǎo)通，使得第二控制端EN2處于高電平，此時(shí)，所述動(dòng)態(tài)預(yù)充控制電路完成了對(duì)負(fù)載的預(yù)充電。
[0050]本實(shí)施例提供的動(dòng)態(tài)預(yù)充控制電路能夠根據(jù)位線上負(fù)載的存儲(chǔ)值進(jìn)行自適應(yīng)的調(diào)整對(duì)負(fù)載的預(yù)充電時(shí)間，防止對(duì)負(fù)載發(fā)生過(guò)預(yù)充或者預(yù)充不足的情況。
[0051 ] 在本實(shí)施例的一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例中，所述動(dòng)態(tài)預(yù)充控制電路還包括第六NMOS管N6，所述第六NMOS管N6的柵極與電源VDD連接，所述第六NMOS管N6的源極與位線連接，所述第六NMOS管N6的漏極與負(fù)載23連接。
[0052]在本實(shí)施例的優(yōu)選實(shí)施例中，所述第六NMOS管N6用于選通與其連接的負(fù)載23，打開第六NMOS管N6，所述負(fù)載23與所述動(dòng)態(tài)預(yù)充控制電路連通，從而讀出負(fù)載23中存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)。
[0053]本發(fā)明實(shí)施例提供的動(dòng)態(tài)預(yù)充控制電路，通過(guò)控制單元自適應(yīng)的控制預(yù)充電單元對(duì)負(fù)載的預(yù)充電狀態(tài)，當(dāng)所述負(fù)載的預(yù)充電狀態(tài)達(dá)到目標(biāo)狀態(tài)時(shí)，關(guān)斷對(duì)負(fù)載的預(yù)充電，當(dāng)負(fù)載的預(yù)充電狀態(tài)充電不足時(shí)，繼續(xù)對(duì)負(fù)載預(yù)充電，由此，實(shí)現(xiàn)了根據(jù)負(fù)載的預(yù)充電狀態(tài)調(diào)整預(yù)充電時(shí)間，使得預(yù)充控制電路與負(fù)載實(shí)現(xiàn)自適應(yīng)預(yù)充電。
[0054]在圖5中示出了本發(fā)明的第三實(shí)施例。
[0055]圖5為根據(jù)本發(fā)明第三實(shí)施例的一種閃存存儲(chǔ)系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)圖，所述閃存系統(tǒng)包括閃存存儲(chǔ)器31和用于讀取所述閃存存儲(chǔ)器31中數(shù)據(jù)的靈敏放大器32，其中，所述靈敏放大器32中包括動(dòng)態(tài)預(yù)充控制電路，所述動(dòng)態(tài)預(yù)充控制電路包括控制單元321和預(yù)充電單元322，所述預(yù)充電單元322通過(guò)位線與閃存存儲(chǔ)器31連接。
[0056]所述控制單元321用于控制所述預(yù)充電單元322對(duì)閃存存儲(chǔ)器31的預(yù)充電狀態(tài)；
[0057]所述預(yù)充電單元322用于根據(jù)所述控制單元321的控制自適應(yīng)的對(duì)閃存存儲(chǔ)器31進(jìn)行預(yù)充電或關(guān)斷對(duì)閃存存儲(chǔ)器31的預(yù)充電。[0058]優(yōu)選的，所述控制單元321可包括第一控制端EN1、第一 NMOS管N1、第二 NMOS管N2、反相器INVO和第一 PMOS管Pl。
[0059]所述第一控制端ENl與所述第一 NMOS管NI的柵極連接，所述第一 NMOS管NI的源極與所述反相器INVO的輸入端和所述預(yù)充電單元322的中點(diǎn)連接，所述第一 NMOS管NI的漏極接地，所述第二 NMOS管N2的柵極與所述第一控制端ENl連接，所述第二 NMOS管N2的源極與所述第一 PMOS管Pl的漏極連接，所述第二 NMOS管N2的漏極接地，所述反相器INVO的輸入端與所述預(yù)充電單元322的輸出端連接，所述反相器的輸出端INVO與所述第一PMOS管Pl的柵極連接，所述第一 PMOS管Pl的源極與電源VDD連接，所述第一 PMOS管Pl的漏極與所述第二 NMOS管N2的源極連接。
[0060]所述預(yù)充電單元322可包括第二控制端EN2、第三控制端EN3、第四控制端EN4、第
二PMOS管P2、第三PMOS管P3、第三NMOS管N3和第四NMOS管N4，
[0061]其中，所述第二 PMOS管P2的柵極與所述第二控制端EN2連接，所述第二控制端EN2為所述控制單元321中第一 PMOS管Pl的漏極和第二 NMOS管N2的源極的中點(diǎn)，所述第
二PMOS管P2的源極與電源VDD連接，所述第二 PMOS管P2的漏極與所述第三NMOS管N3的源極連接，所述第三PMOS管P3的柵極與所述第三控制端EN3連接，所述第三PMOS管P3的源極與電源VDD連接，所述第三PMOS管P3的漏極與所述第四NMOS管N4的源極連接，所述第三PMOS管P3的漏極與第四NMOS管N4的源極的中點(diǎn)為所述預(yù)充電單元322的輸出端SA0UT，所述預(yù)充電單元322的輸出端SAOUT與所述控制單元321中反相器INVO的輸入端連接，所述第三NMOS管N3的柵極與所述第四控制端EN4連接，所述第三NMOS管N3的源極與第二 PMOS管P2的漏極連接，所述第三NMOS管N3的漏極與位線連接，所述第四NMOS管N4的柵極與所述第四控制端EN4連接，所述第四NMOS管N4的源極與第三PMOS管P3的漏極連接，所述第四NMOS管N4的漏極與位線連接。
[0062]具體地，所述預(yù)充電單元322用于根據(jù)所述控制單元321的控制自適應(yīng)的對(duì)閃存存儲(chǔ)器31進(jìn)行預(yù)充電或關(guān)斷對(duì)閃存存儲(chǔ)器31的預(yù)充電具體為:
[0063]當(dāng)所述第一控制端ENl輸入高電平，并且所述第四控制端EN4輸入低電平時(shí)，所述第二控制端EN2為低電平；
[0064]當(dāng)所述第一控制端ENl輸入低電平，并且所述第四控制端EN4輸入高電平時(shí)，所述預(yù)充電單元322對(duì)所述閃存存儲(chǔ)器31進(jìn)行預(yù)充電，當(dāng)所述預(yù)充電單元322的輸出端SAOUT的電壓達(dá)到所述反相器INVO的翻轉(zhuǎn)點(diǎn)時(shí)，所述第二控制端EN2被充到高電平，所述預(yù)充電單元322關(guān)斷對(duì)所述閃存存儲(chǔ)器31的預(yù)充電。
[0065]其中，所述第三控制端EN3可以輸入一固定的低電平，所述固定的低電平使得所述第三PMOS管P3導(dǎo)通。
[0066]所述反相器INVO的翻轉(zhuǎn)點(diǎn)可以為所述預(yù)充電單元322輸出端SAOUT的靜態(tài)工作點(diǎn)，所述靜態(tài)工作點(diǎn)也叫做直流工作點(diǎn)，與所述閃存存儲(chǔ)器31中存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)量有關(guān)，當(dāng)所述預(yù)充電單元322的預(yù)充電完成后所述動(dòng)態(tài)預(yù)充控制電路各節(jié)點(diǎn)的電壓接近直流值，可顯著提供靈敏放大器32從所述閃存存儲(chǔ)器31中讀取數(shù)據(jù)的速度。
[0067]在本實(shí)施例的一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例中，所述動(dòng)態(tài)預(yù)充控制電路還包括第六NMOS管N6，所述第六NMOS管N6的柵極與電源VDD連接，所述第六NMOS管N6的源極與位線連接，所述第六NMOS管N6的漏極與閃存存儲(chǔ)器31的源極連接，所述閃存存儲(chǔ)器31的漏極接地。[0068]在本實(shí)施例的優(yōu)選實(shí)施例中，所述第六NMOS管N6用于選通與其連接的閃存存儲(chǔ)器31，打開第六NMOS管N6，所述閃存存儲(chǔ)器31與所述靈敏放大器31連通，從而讀出閃存存儲(chǔ)器31中存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)。
[0069]本發(fā)明實(shí)施例提供的動(dòng)態(tài)預(yù)充控制電路，通過(guò)控制單元自適應(yīng)的控制預(yù)充電單元對(duì)閃存存儲(chǔ)器的預(yù)充電狀態(tài)，當(dāng)所述閃存存儲(chǔ)器的預(yù)充電狀態(tài)達(dá)到目標(biāo)狀態(tài)時(shí)，關(guān)斷對(duì)閃存存儲(chǔ)器的預(yù)充電，當(dāng)閃存存儲(chǔ)器的預(yù)充電狀態(tài)充電不足時(shí)，繼續(xù)對(duì)閃存存儲(chǔ)器預(yù)充電，由此，實(shí)現(xiàn)了根據(jù)閃存存儲(chǔ)器的預(yù)充電狀態(tài)調(diào)整預(yù)充電時(shí)間，使得預(yù)充控制電路與閃存存儲(chǔ)器實(shí)現(xiàn)自適應(yīng)預(yù)充電。
[0070]以上所述僅為本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，并不用于限制本發(fā)明，對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言，本發(fā)明可以有各種改動(dòng)和變化。凡在本發(fā)明的精神和原理之內(nèi)所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種動(dòng)態(tài)預(yù)充控制電路，包括控制單元和預(yù)充電單元，所述預(yù)充電單元通過(guò)位線與一負(fù)載連接，其特征在于， 所述控制單元用于控制所述預(yù)充電單元對(duì)負(fù)載的預(yù)充電狀態(tài)； 所述預(yù)充電單元用于根據(jù)所述控制單元的控制自適應(yīng)的對(duì)負(fù)載進(jìn)行預(yù)充電或關(guān)斷對(duì)負(fù)載的預(yù)充電。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的動(dòng)態(tài)預(yù)充控制電路，其特征在于，所述控制單元包括第一控制端、第一 NMOS管、第二 NMOS管、反相器和第一 PMOS管， 所述第一控制端與所述第一 NMOS管的柵極連接，所述第一 NMOS管的源極與所述反相器的輸入端和所述預(yù)充電單元的中點(diǎn)連接，所述第一 NMOS管的漏極接地，所述第二 NMOS管的柵極與所述第一控制端連接，所述第二 NMOS管的源極與所述第一 PMOS管的漏極連接，所述第二 NMOS管的漏極接地，所述反相器的輸入端與所述預(yù)充電單元連接，所述反相器的輸出端與所述第一 PMOS管的柵極連接，所述第一 PMOS管的源極與電源連接，所述第一 PMOS管的漏極與所述第二 NMOS管的源極連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的動(dòng)態(tài)預(yù)充控制電路，其特征在于，所述預(yù)充電單元包括第二控制端、第三控制端、第四控制端、第二 PMOS管、第三PMOS管、第三NMOS管和第四NMOS管， 所述第二 PMOS管的柵極與所述第二控制端連接，所述第二控制端為所述控制單元中第一 PMOS管的漏極和第二 NMOS管的源極的中點(diǎn)，所述第二 PMOS管的源極與電源連接，所述第二 PMOS管的漏極與所述第三NMOS管的源極連接，所述第三PMOS管的柵極與所述第三控制端連接，所述第三PMOS管的源極與電源連接，所述第三PMOS管的漏極與所述第四NMOS管的源極連接，所述第三PMOS管的漏極和第四NMOS管的源極的中點(diǎn)為所述預(yù)充電單元的輸出端，所述預(yù)充電單元的輸出端與所述控制單元中反相器的輸入端連接，所述第三NMOS管的柵極與所述第四控制端連接，所述第三NMOS管的源極與第二 PMOS管的漏極連接，所述第三NMOS管的漏極與位線連接，所述第四NMOS管的柵極與所述第四控制端連接，所述第四NMOS管的源極與第三PMOS管的漏極連接，所述第四NMOS管的漏極與位線連接。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的動(dòng)態(tài)預(yù)充控制電路，其特征在于，所述動(dòng)態(tài)預(yù)充控制電路還包括第六NMOS管，所述第六NMOS管的柵極與電源連接，所述第六NMOS管的源極與位線連接，所述第六NMOS管的漏極與負(fù)載連接。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的動(dòng)態(tài)預(yù)充控制電路，其特征在于，所述預(yù)充電單元用于根據(jù)所述控制單元的控制自適應(yīng)的對(duì)負(fù)載進(jìn)行預(yù)充電或關(guān)斷對(duì)負(fù)載的預(yù)充電具體為: 當(dāng)所述第一控制端輸入高電平，并且所述第四控制端輸入低電平時(shí)，所述第二控制端為低電平； 當(dāng)所述第一控制端輸入低電平，并且所述第四控制端輸入高電平時(shí)，所述預(yù)充電單元對(duì)所述負(fù)載進(jìn)行預(yù)充電，當(dāng)所述預(yù)充電單元的輸出端的電壓達(dá)到所述反相器的翻轉(zhuǎn)點(diǎn)時(shí)，所述第二控制端被充到高電平，所述預(yù)充電單元關(guān)斷對(duì)所述負(fù)載的預(yù)充電。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的動(dòng)態(tài)預(yù)充控制電路，其特征在于，所述反相器的翻轉(zhuǎn)點(diǎn)為所述預(yù)充電單元輸出端的靜態(tài)工作點(diǎn)。
7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的動(dòng)態(tài)預(yù)充控制電路，其特征在于，所述第三控制端輸入一固定的低電平，所述固定的低電平使得所述第三PMOS管導(dǎo)通。
8.—種閃存存儲(chǔ)系統(tǒng)，其特征在于，所述閃存存儲(chǔ)系統(tǒng)包括閃存存儲(chǔ)器和用于讀取所述閃存存儲(chǔ)器中數(shù)據(jù)的靈敏放大器，其中，所述靈敏放大器中包括動(dòng)態(tài)預(yù)充控制電路，所述動(dòng)態(tài)預(yù)充控制電路包 括如權(quán)利要求1-7中任一項(xiàng)所述的動(dòng)態(tài)預(yù)充控制電路。
【文檔編號(hào)】G11C16/06GK103956187SQ201410199017
【公開日】2014年7月30日 申請(qǐng)日期:2014年5月12日 優(yōu)先權(quán)日:2014年5月12日
【發(fā)明者】陳曉璐 申請(qǐng)人:北京兆易創(chuàng)新科技股份有限公司