技術總結
本發(fā)明公開了一種具有單獨讀取和寫入路徑的磁性隧道結裝置。在一實施例中，揭示一種裝置，其包含磁性隧道結（MTJ）結構。所述裝置還包含耦合到所述MTJ結構的讀取路徑（102）和耦合到所述MTJ結構的寫入路徑（104）。所述寫入路徑（104）與所述讀取路徑（102）分離。所述裝置本質(zhì)上包括一對串聯(lián)耦合的MTJ結構（106、108），借此所述讀取路徑（102）僅包括所述MTJ結構中的一者（108）。這提供了組合的改進的讀取裕度和改進的寫入裕度。

技術研發(fā)人員：朱曉春;顧時群;李霞;升·H·康
受保護的技術使用者：高通股份有限公司
文檔號碼：201310122647
技術研發(fā)日：2008.12.19
技術公布日：2016.12.28