具有單獨讀取和寫入路徑的磁性隧道結(jié)裝置分案聲明本案是發(fā)明名稱為“具有單獨讀取和寫入路徑的磁性隧道結(jié)裝置”，優(yōu)先權(quán)日為2007年12月19日，申請?zhí)枮?00880125501.5，申請日為2008年12月19日的專利申請的分案申請。技術(shù)領(lǐng)域本發(fā)明大體針對一種包含具有單獨讀取和寫入數(shù)據(jù)路徑的磁性隧道結(jié)（MTJ）結(jié)構(gòu)的裝置。

背景技術(shù)：
常規(guī)自旋轉(zhuǎn)移矩磁性隨機存取存儲器（STT-MRAM）位單元包含晶體管和磁性隧道結(jié)（MTJ）結(jié)構(gòu)?；綧TJ結(jié)構(gòu)由夾著氧化物隧道勢壘層的兩個磁性電極組成。每一磁性電極的磁矩沿橫向伸長元件的長軸定向。在隧道勢壘的任一側(cè)上兩個磁性層之間的平行和反并行磁矩定向引起跨越勢壘的兩個不同電阻，從而導(dǎo)致兩個存儲器狀態(tài)。磁性電極中的一者（稱為自由層）具有可切換的磁矩方向。另一磁性電極（稱為參考層）具有固定于特定方向的磁化。在常規(guī)STT-MRAM結(jié)構(gòu)中，所注射電流由于參考層中的固定磁化而變得自旋極化，從而導(dǎo)致自由層的磁化的自旋轉(zhuǎn)移矩（STT）。當(dāng)所注射電流的電流密度超過閾值時，自由層的磁化定向可被自旋轉(zhuǎn)移矩切換。所得存儲器狀態(tài)（即，0或1）由電流的方向確定。常規(guī)上，通過使用電流注射來操作讀取過程和寫入過程兩者。對于寫入過程，被允許流經(jīng)STT-MRAM位單元中的MTJ裝置的電流密度對于MTJ電阻具有強相依性，使得當(dāng)MTJ電阻較低時，允許較多電流通過MTJ裝置。因此，較小的MTJ電阻為MRAM設(shè)計者提供較大的數(shù)據(jù)寫入操作裕度。然而，較小的MTJ電阻也導(dǎo)致較小的數(shù)據(jù)讀取感測裕度。同樣，改進數(shù)據(jù)讀取感測裕度的較大的MTJ電阻會損害數(shù)據(jù)寫入操作裕度。因此，常規(guī)MTJ設(shè)計的MTJ電阻代表了改進數(shù)據(jù)讀取感測裕度與改進數(shù)據(jù)寫入操作裕度之間的設(shè)計折衷。此外，已提出雙MTJSTT-MRAM單元設(shè)計以增加MTJ單元的寫入能力。然而，雙 MTJ設(shè)計設(shè)置了對MTJ電阻的更進一步限制和對數(shù)據(jù)讀取感測裕度的較大敏感性。

技術(shù)實現(xiàn)要素：
在一特定實施例中，揭示一種裝置，其包含磁性隧道結(jié)（MTJ）結(jié)構(gòu)。所述裝置還包含耦合到所述MTJ結(jié)構(gòu)的讀取路徑和耦合到所述MTJ結(jié)構(gòu)的寫入路徑。所述寫入路徑與所述讀取路徑分離。在另一實施例中，揭示一種向磁性隧道結(jié)裝置寫入的方法。所述方法包含將電流施加到耦合到磁性隧道結(jié)（MTJ）裝置的寫入路徑以將數(shù)據(jù)值存儲在MTJ裝置的自由層處。MTJ裝置耦合到單獨的讀取路徑。在另一實施例中，揭示一種從MTJ裝置讀取數(shù)據(jù)的方法。所述方法包含將電流施加到耦合到MTJ裝置的讀取路徑以讀取數(shù)據(jù)值。MTJ裝置耦合到單獨的寫入路徑。在另一實施例中，揭示一種存儲器裝置。所述存儲器裝置包含磁性隨機存取存儲器（MRAM）單元的陣列。所述存儲器裝置還包含存儲器控制邏輯電路，其適于激活字線并選擇性地激活讀取位線或?qū)懭胛痪€以存取存儲器陣列的選定單元。在另一實施例中，揭示一種制造磁性隧道結(jié)（MTJ）裝置的方法。所述方法包含將多個膜層沉積到襯底上以形成第一MTJ結(jié)構(gòu)。所述第一MTJ結(jié)構(gòu)包含自由層。所述方法包含沉積耦合到第一MTJ結(jié)構(gòu)的自由層的傳導(dǎo)層。所述方法還包含沉積第二多個膜層以在第一MTJ結(jié)構(gòu)上形成第二MTJ結(jié)構(gòu)。所揭示的實施例提供的一個特定優(yōu)點是，可在STT-MRAM裝置處改進讀取和寫入裕度兩者。所揭示的實施例提供的另一優(yōu)點是在STT-MRAM裝置處存儲數(shù)據(jù)值所需的寫入電流減少。在審閱整個申請案之后將了解本發(fā)明的其它方面、優(yōu)點和特征，整個申請案包含以下部分：附圖說明、具體實施方式和權(quán)利要求書。附圖說明圖1是具有單獨數(shù)據(jù)讀取和寫入路徑的磁性隧道結(jié)（MTJ）裝置的特定說明性實施例的圖；圖2是具有單獨數(shù)據(jù)讀取和寫入路徑的磁性隧道結(jié)（MTJ）裝置的第二說明性實施例的圖；圖3是具有單獨數(shù)據(jù)讀取和寫入路徑的磁性隧道結(jié)（MTJ）裝置的第三說明性實施 例的圖；圖4是具有單獨數(shù)據(jù)讀取和寫入路徑的磁性隧道結(jié)（MTJ）裝置的第四說明性實施例的圖；圖5是包含共享共同位線的具有單獨數(shù)據(jù)讀取和寫入路徑的兩個磁性隧道結(jié)（MTJ）裝置的系統(tǒng)的特定說明性實施例的圖；圖6是包含具有單獨數(shù)據(jù)讀取和寫入路徑的磁性隧道結(jié)（MTJ）裝置的陣列的系統(tǒng)的第一說明性實施例的圖；圖7是包含具有單獨數(shù)據(jù)讀取和寫入路徑的磁性隧道結(jié)（MTJ）裝置的陣列的系統(tǒng)的第二說明性實施例的圖；圖8是包含共享共同位線的具有單獨數(shù)據(jù)讀取和寫入路徑的磁性隧道結(jié)（MTJ）裝置的陣列的系統(tǒng)的第一說明性實施例的圖；圖9是包含共享共同位線的具有單獨數(shù)據(jù)讀取和寫入路徑的磁性隧道結(jié)（MTJ）裝置的陣列的系統(tǒng)的第二說明性實施例的圖；圖10是包含共享共同位線的具有單獨數(shù)據(jù)讀取和寫入路徑的磁性隧道結(jié)（MTJ）裝置的陣列的系統(tǒng)的第三說明性實施例的圖；圖11是操作磁性隧道結(jié)（MTJ）裝置的方法的特定說明性實施例的流程圖；圖12是制造磁性隧道結(jié)（MTJ）裝置的方法的特定說明性實施例的流程圖；圖13-19說明圖12的方法的制造階段的特定說明性實施例；以及圖20是包含包括多個磁性隧道結(jié)（MTJ）單元的存儲器裝置的通信裝置的框圖。具體實施方式參看圖1，描繪具有單獨數(shù)據(jù)讀取和寫入路徑的磁性隧道結(jié)（MTJ）裝置的特定說明性實施例的圖，且所述裝置一般表示為100。在特定實施例中，裝置100可包含在STT-MRAM位單元中。數(shù)據(jù)讀取路徑102和數(shù)據(jù)寫入路徑104提供耦合到裝置100的MTJ結(jié)構(gòu)的單獨電流路徑。第一參考層110、隧道勢壘層112和自由層114形成第一MTJ組件108。自由層114、第二隧道勢壘層116和第二參考層118形成第二MTJ組件106。寫入端子130耦合到自由層114。讀取端子150耦合到第二參考層118。例如晶體管的開關(guān)142耦合在第一參考層110與源極端子140之間。開關(guān)142經(jīng)耦合以接收控制信號144。在特定實施例中，裝置100可為磁性隨機存取存儲器（MRAM）裝置的陣列的一部分。在特定實施例中，數(shù)據(jù)讀取路徑102包含讀取端子150、第二MTJ組件106、第一 MTJ組件108、開關(guān)142和源極端子140。第一參考層110和第二參考層118的磁矩固定于相同方向上，且自由層114的磁矩可設(shè)定于與參考層110和118平行或反平行的方向上。由于跨越第二參考層118與自由層114之間的第二隧道勢壘116的電阻且還由于跨越自由層114與第一參考層110之間的第一隧道勢壘112的電阻，引起對沿著數(shù)據(jù)讀取路徑102的電流的電阻。因為裝置100的電阻對應(yīng)于在裝置100處存儲的數(shù)據(jù)值，所以可通過提供讀取信號并將輸出與參考信號進行比較來確定所存儲的數(shù)據(jù)值。舉例來說，讀取信號可以是施加在讀取端子150與源極端子140之間的電壓，且可將沿著數(shù)據(jù)讀取路徑102的所得電流與參考電流進行比較。作為另一實例，讀取信號可以是沿著數(shù)據(jù)讀取路徑102提供的電流，且可將讀取端子150與源極端子140之間的所得電壓與參考電壓進行比較。沿著數(shù)據(jù)寫入路徑104的電流遭遇跨越第一隧道勢壘112而不是跨越第二隧道勢壘116的電阻。因此，數(shù)據(jù)寫入路徑104具有比數(shù)據(jù)讀取路徑102低的電阻。在特定實施例中，第二參考層118和第二隧道勢壘116也可經(jīng)配置以具有比第一參考層110和第一隧道勢壘112高的電阻，以進一步增加沿著數(shù)據(jù)讀取路徑102的電阻與數(shù)據(jù)寫入路徑104的電阻的差。與針對讀取和寫入數(shù)據(jù)使用單一路徑可實現(xiàn)的結(jié)果相比，沿著數(shù)據(jù)讀取路徑102的讀取電流因此遭遇較高隧穿磁阻和改進的讀取裕度，且沿著數(shù)據(jù)寫入路徑104的寫入電流遭遇較低的隧穿磁阻和改進的寫入裕度。另外，數(shù)據(jù)寫入路徑104中減小的電阻允許實現(xiàn)較小的寫入偏壓、較小的裝置特征、較高密度和較低功率消耗。參看圖2，描繪具有單獨數(shù)據(jù)讀取和寫入路徑的磁性隧道結(jié)（MTJ）裝置的第二說明性實施例的圖，且所述裝置一般表示為200。在特定實施例中，裝置200可包含在STT-MRAM位單元中。在特定實施例中，裝置200以與圖1中說明的裝置100大體上類似的方式操作。自由層202夾在第一參考層204與第二參考層206之間并磁性耦合到第一參考層204和第二參考層206。寫入位線端子208耦合到與自由層202鄰接的傳導(dǎo)層210。底部導(dǎo)體212耦合到第一參考層204且耦合到開關(guān)214。開關(guān)214經(jīng)耦合以接收一個或一個以上控制信號，例如字線控制信號216和源極線控制信號218。數(shù)據(jù)寫入路徑包含寫入位線端子208、傳導(dǎo)層210、自由層202、第一參考層204、底部導(dǎo)體212和開關(guān)214。數(shù)據(jù)讀取路徑包含位線讀取導(dǎo)體240、第二參考層206、自由層202、第一參考層204、底部導(dǎo)體212和開關(guān)214。自由層202包含數(shù)據(jù)寫入路徑和數(shù)據(jù)讀取路徑兩者中的至少兩個自由層部分220和 222。自由層202還包含數(shù)據(jù)讀取路徑中的自由層部分252。自由層部分220、222和252中的材料可取決于鄰近層的材料。舉例來說，從底部到頂部，自由層部分220、222和252可包含CoFeB/NiFe/CoFeB或CoFeB或CoFe/CoFeB或NiFe/CoFeB或CoFe/NiFe/CoFeB。在特定實施例中，與自由層202和寫入位線端子208鄰接的傳導(dǎo)層210包含傳導(dǎo)材料，例如Ta、Ru、Cu、Mg、Al、Ti、Au或其任何組合。在特定實施例中，自由層部分220、222和252的形狀、大小和材料組成可彼此不同。在另一實施例中，自由層202可包含自由層部分220、222和252中的僅一者或兩者。第一中間層224定位在自由層202與第一參考層204之間。在特定實施例中，為了增加寫入電流，與第一參考層204介接的自由層202可為具有非常薄的MgO勢壘的電流垂直于平面（CPP）巨磁阻（GMR）或隧穿磁阻（TMR）結(jié)構(gòu)。在特定實施例中，第一中間層224包含氧化隧穿勢壘，例如MgO或AlOx。在另一實施例中，第一中間層224包含傳導(dǎo)層，例如Ru、Cu或Cr。在特定實施例中，第一參考層204包含以CoFeB層226、Ru層228和CoFe層230形成的合成反鐵磁體（SAF）結(jié)構(gòu)。SAF結(jié)構(gòu)的磁場方向由反鐵磁（AFM）層232固定。AFM層232耦合到底部導(dǎo)體212。在替代實施例中，AFM層232可耦合到種子層或襯底層。在特定實施例中，位線讀取導(dǎo)體240是還充當(dāng)裝置200的覆蓋層的頂部導(dǎo)體。在特定實施例中，位線讀取導(dǎo)體240主要包含傳導(dǎo)材料，例如Ru、Ta、Cu、Au或其任何組合。第二參考層206包含耦合到位線讀取導(dǎo)體240的AFM層242。AFM層242固定第二SAF結(jié)構(gòu)的磁場方向，在特定實施例中，所述第二SAF結(jié)構(gòu)包含CoFe層244、Ru層246和CoFeB層248。第一參考層204的固定的磁場平行于第二參考層206的固定的磁場。第二中間層250定位在第二參考層206與自由層202之間。在特定實施例中，第二中間層250為沿著數(shù)據(jù)讀取路徑提供TMR的MgO或AlOx層。跨越第二中間層250的電阻可隨著第二中間層250的厚度增加而增加。在特定實施例中，第二中間層250可顯著比第一中間層224厚。參看圖3，描繪具有單獨數(shù)據(jù)讀取和寫入路徑的磁性隧道結(jié)（MTJ）裝置的第三說明性實施例的圖，且所述裝置一般表示為300。在特定實施例中，裝置300可包含在STT-MRAM位單元中。在特定實施例中，裝置300以與圖1中說明的裝置100大體上類似的方式操作。自由層302夾在第一參考層304與第二參考層306之間并磁性耦合到第一參考層304和第二參考層306。裝置300的例如電流路徑和電阻的性質(zhì)主要由自由層 302的面積而不是由第一參考層304和第二參考層306確定。因此，可根據(jù)設(shè)計和制造要求調(diào)節(jié)第一參考層304、第二參考層306和自由層302的形狀和大小。如圖3中所說明，第一參考層304可大體在裝置300的寬度上延伸。寫入位線端子308耦合到與自由層302鄰接的傳導(dǎo)層310。底部導(dǎo)體312耦合到第一參考層304且耦合到開關(guān)314。開關(guān)314經(jīng)耦合以接收一個或一個以上控制信號，例如字線控制信號316和源極線控制信號318。數(shù)據(jù)寫入路徑包含寫入位線端子308、傳導(dǎo)層310、自由層302、第一參考層304、底部導(dǎo)體312和開關(guān)314。數(shù)據(jù)讀取路徑包含位線讀取導(dǎo)體340、第二參考層306、自由層302、第一參考層304、底部導(dǎo)體312和開關(guān)314。自由層302包含數(shù)據(jù)寫入路徑和數(shù)據(jù)讀取路徑兩者中的至少兩個自由層部分320和322。自由層302還包含數(shù)據(jù)讀取路徑中的自由層部分352。自由層部分320、322和352中的材料可取決于鄰近層的材料。舉例來說，從底部到頂部，自由層部分320、322和352可包含CoFeB/NiFe/CoFeB或CoFeB或CoFe/CoFeB或NiFe/CoFeB或CoFe/NiFe/CoFeB。在特定實施例中，使用例如Ta、Ru、Cu、Mg、Al、Ti、Au或其任何組合的傳導(dǎo)材料形成與自由層302和寫入位線端子308鄰接的傳導(dǎo)層310。第一中間層324定位在自由層302與第一參考層304之間。在特定實施例中，為了增加寫入電流，與第一參考層304介接的自由層302可為具有非常薄的MgO勢壘的電流垂直于平面（CPP）巨磁阻（GMR）或隧穿磁阻（TMR）結(jié)構(gòu)。在特定實施例中，第一中間層324包含氧化隧穿勢壘，例如MgO或AlOx。在另一實施例中，第一中間層324包含傳導(dǎo)層，例如Ru、Cu或Cr。在特定實施例中，第一參考層304包含以CoFeB層326、Ru層328和CoFe層330形成的合成反鐵磁體（SAF）結(jié)構(gòu)。SAF的磁場方向由反鐵磁（AFM）層332固定。AFM層332耦合到底部導(dǎo)體312。在替代實施例中，AFM層332可耦合到種子層或襯底層。在特定實施例中，位線讀取導(dǎo)體340是還充當(dāng)裝置300的覆蓋層的頂部導(dǎo)體。在特定實施例中，位線讀取導(dǎo)體340主要包含傳導(dǎo)材料，例如Ru、Ta、Cu、Au、Ti或其任何組合。第二參考層306包含耦合到位線讀取導(dǎo)體340的AFM層342。在特定實施例中，AFM層342固定第二SAF結(jié)構(gòu)的磁矩方向，所述第二SAF結(jié)構(gòu)以CoFe層344、Ru層346和CoFeB層348形成。第一參考層304的固定的磁矩平行于第二參考層306的固定的磁矩。第二中間層350定位在第二參考層306與自由層302之間。在特定實施例中，第二中間層350為沿著數(shù)據(jù)讀取路徑提供TMR的MgO或AlOx層?？缭降诙虚g層350的 電阻可隨著第二中間層350的厚度增加而增加。在特定實施例中，第二中間層350可顯著比第一中間層324厚。參看圖4，描繪具有單獨數(shù)據(jù)讀取和寫入路徑的磁性隧道結(jié)（MTJ）裝置的第四說明性實施例的圖，且所述裝置一般表示為400。在特定實施例中，裝置400可包含在STT-MRAM位單元中。在特定實施例中，裝置400以與圖1中說明的裝置100、圖2中說明的裝置200或圖3中說明的裝置300大體上類似的方式操作。自由層402夾在第一參考層404與第二參考層406之間并磁性耦合到第一參考層404和第二參考層406。寫入位線端子408耦合到與自由層402鄰接的傳導(dǎo)層410。底部導(dǎo)體412耦合到第一參考層404且耦合到開關(guān)414。開關(guān)414經(jīng)耦合以接收一個或一個以上控制信號，例如字線控制信號416和源極線控制信號418。數(shù)據(jù)寫入路徑包含寫入位線端子408、傳導(dǎo)層410、自由層402、第一參考層404、底部導(dǎo)體412和開關(guān)414。數(shù)據(jù)讀取路徑包含位線讀取導(dǎo)體440、第二參考層406、自由層402、第一參考層404、底部導(dǎo)體412和開關(guān)414。第一中間層424定位在自由層402與第一參考層404之間。第一參考層404包含合成反鐵磁體（SAF）結(jié)構(gòu)425和反鐵磁（AFM）層432。AFM層432固定SAF結(jié)構(gòu)425中的磁矩方向。AFM層432耦合到底部導(dǎo)體412。在特定實施例中，位線讀取導(dǎo)體440是還充當(dāng)裝置400的覆蓋層的頂部導(dǎo)體。數(shù)據(jù)讀取路徑包含耦合到第二參考層406的位線讀取導(dǎo)體440。第二參考層406包含固定SAF層443的磁矩方向的第二AFM結(jié)構(gòu)442。第一參考層404的固定的磁矩平行于第二參考層406的固定的磁矩。第二中間層450耦合到第二參考層406。在特定實施例中，薄層460夾在第二中間層450與自由層402之間。在特定實施例中，薄層460在讀取電流路徑內(nèi)但不在寫入電流路徑內(nèi)。在特定實施例中，薄層460為主要由Mg組成的薄層。在替代實施例中，裝置400可不包含薄層460。參看圖5，描繪包含共享共同位線的具有單獨數(shù)據(jù)讀取和寫入路徑的兩個磁性隧道結(jié)（MTJ）裝置的系統(tǒng)的特定說明性實施例的圖，且所述系統(tǒng)一般表示為500。系統(tǒng)500包含第一MTJ裝置502和第二MTJ裝置504。第一MTJ裝置502包含與數(shù)據(jù)寫入路徑508分離的數(shù)據(jù)讀取路徑506。第二MTJ裝置504包含與數(shù)據(jù)寫入路徑512分離的數(shù)據(jù)讀取路徑510。第一MTJ裝置502包含第一參考層516、第一中間層518、第一自由層520、第二中間層522和第二參考層524。開關(guān)526響應(yīng)于控制信號528以選擇性地將第二參考層524耦合到源極端子530。數(shù)據(jù)讀取路徑506包含耦合到第一參考層516、第一中間層 518、自由層520、第二中間層522、第二參考層524、開關(guān)526和源極端子530的位線514。數(shù)據(jù)寫入路徑508包含耦合到自由層520、第二中間層522、第二參考層524、開關(guān)526和源極端子530的共享位線532。在特定實施例中，參考層516和524各自包含固定的平行磁矩。中間層518和522可包含隧道勢壘層。自由層520包含可經(jīng)編程以平行或反平行于參考層516和524的磁矩的磁矩。自由層520的磁矩方向確定第一MTJ裝置502的電阻且指示在第一MTJ裝置502處存儲的數(shù)據(jù)值。第二MTJ裝置504包含第一參考層536,、第一中間層538、第一自由層540、第二中間層542和第二參考層544。開關(guān)546響應(yīng)于控制信號548以選擇性地將第二參考層544耦合到源極端子550。數(shù)據(jù)讀取路徑510包含耦合到第一參考層536、第一中間層538、自由層540、第二中間層542、第二參考層544、開關(guān)546和源極端子550的共享位線532。數(shù)據(jù)寫入路徑512包含耦合到自由層540、第二中間層542、第二參考層544、開關(guān)546和源極端子550的位線552。在特定實施例中，參考層536和544各自包含固定的平行磁矩。中間層538和542可包含隧道勢壘層。自由層540包含可經(jīng)編程以平行或反平行于參考層536和544的磁矩的磁矩。自由層540的磁矩方向確定第二MTJ裝置504的電阻且指示在第二MTJ裝置504處存儲的數(shù)據(jù)值。在操作期間，共享位線532可用于第二MTJ裝置504處的數(shù)據(jù)讀取操作、第一MTJ裝置502處的數(shù)據(jù)寫入操作，或兩者。當(dāng)信號被提供于共享位線532上時，控制信號528和548確定啟用針對第一MTJ裝置502的數(shù)據(jù)寫入路徑508，還是啟用針對第二MTJ裝置504的數(shù)據(jù)讀取路徑510，抑或兩者。因此當(dāng)?shù)谝籑TJ裝置502和第二MTJ裝置504是MTJ裝置的陣列的一部分時，位線的數(shù)目可減少。參看圖6，描繪包含具有單獨數(shù)據(jù)讀取和寫入路徑的磁性隧道結(jié)（MTJ）裝置的陣列的系統(tǒng)的第一說明性實施例的圖，且所述系統(tǒng)一般表示為600。系統(tǒng)600包含耦合到磁性隨機存取存儲器（MRAM）存儲器單元的陣列604的存儲器控制邏輯電路602。陣列604的每一MRAM存儲器單元（例如，代表性單元608）經(jīng)配置以使用單獨的數(shù)據(jù)讀取和寫入路徑操作。存儲器控制邏輯電路602經(jīng)耦合以經(jīng)由字線606的集合選擇陣列604的特定行。存儲器控制邏輯電路602還經(jīng)耦合以選擇陣列604的特定列以用于經(jīng)由讀取位線610、620、630讀取，且用于經(jīng)由寫入位線612、622、632寫入。源極線614、624、634提供從陣列604的選定單元到存儲器控制邏輯電路602的返回電流路徑。一個或一個以上數(shù)據(jù)讀 取端口可耦合到陣列604，例如第一數(shù)據(jù)讀取端口650和第二數(shù)據(jù)讀取端口652，其經(jīng)由存儲器控制邏輯電路602耦合到陣列604。在特定實施例中，陣列604的MRAM存儲器單元可包含磁性隧道結(jié)（MTJ）裝置，例如圖1-4中所說明。每一MTJ裝置可包含耦合到讀取位線的第一參考層和耦合到寫入位線的自由層。舉例來說，代表性單元608可包含具有耦合到讀取位線610的第一參考層和耦合到寫入位線612的自由層的MTJ結(jié)構(gòu)。第二參考層可耦合到開關(guān)（例如，晶體管），其具有響應(yīng)于字線606中的相應(yīng)一者的柵極端子。代表性單元608的數(shù)據(jù)讀取路徑可包含讀取位線610、第一參考層、第一參考層與自由層之間的第一隧道勢壘、自由層、自由層與第二參考層之間的第二隧道勢壘、第二參考層、開關(guān)和源極線614。相比之下，代表性單元608的數(shù)據(jù)寫入路徑可包含寫入位線612、自由層、第二隧道勢壘、第二參考層、開關(guān)和源極線614。至少部分由于數(shù)據(jù)讀取路徑中的額外參考層和隧道層的緣故，數(shù)據(jù)讀取路徑的電阻可高于數(shù)據(jù)寫入路徑的電阻。在操作期間，存儲器控制邏輯電路602可適于激活字線606并選擇性地激活讀取位線610、620、630或?qū)懭胛痪€612、622、632以存取陣列604的選定單元。信號可施加到選定位線，且可將所得輸出與參考進行比較以確定在選定單元處存儲的數(shù)據(jù)值。舉例來說，存儲器控制邏輯電路602可通過在讀取線610與源極線614之間施加電壓而在代表性單元608處執(zhí)行讀取操作，且可例如經(jīng)由電流讀出放大器將穿過讀取線610或源極線614的所得電流與參考電流進行比較。作為另一實例，可將電流施加到讀取線610，且可例如經(jīng)由電壓讀出放大器將讀取線610與源極線614之間的所得電壓與參考電壓進行比較?？山?jīng)由第一數(shù)據(jù)讀取端口650或第二數(shù)據(jù)讀取端口652提供從讀取操作確定的數(shù)據(jù)值。參看圖7，描繪包含具有單獨數(shù)據(jù)讀取和寫入路徑的磁性隧道結(jié)（MTJ）裝置的陣列的系統(tǒng)的第二說明性實施例的圖，且所述系統(tǒng)一般表示為700。系統(tǒng)700包含耦合到磁性隨機存取存儲器（MRAM）存儲器單元的陣列704的存儲器控制邏輯電路702。陣列704的每一MRAM存儲器單元（例如，代表性單元708）經(jīng)配置以使用單獨的數(shù)據(jù)讀取和寫入路徑操作。存儲器控制邏輯電路702經(jīng)耦合以經(jīng)由字線706的集合選擇陣列704的特定行。存儲器控制邏輯電路702還經(jīng)耦合以選擇陣列704的特定列以用于經(jīng)由讀取位線710、720、730讀取，且用于經(jīng)由寫入位線712、722、732寫入。源極線714、724、734提供從陣列704的選定單元到存儲器控制邏輯電路702的返回電流路徑。陣列704的每一行的存 儲器單元共享相應(yīng)源極線714、724或734。一個或一個以上數(shù)據(jù)讀取端口可耦合到陣列704，例如第一數(shù)據(jù)讀取端口750和第二數(shù)據(jù)讀取端口752，其經(jīng)由存儲器控制邏輯電路702耦合到陣列704。在特定實施例中，陣列704的MRAM存儲器單元可包含磁性隧道結(jié)（MTJ）裝置，例如圖1-4中所說明。每一MTJ裝置可包含耦合到讀取位線的第一參考層和耦合到寫入位線的自由層。舉例來說，代表性單元708可包含具有耦合到讀取位線710的第一參考層和耦合到寫入位線712的自由層的MTJ結(jié)構(gòu)。第二參考層可耦合到開關(guān)（例如，晶體管），其具有響應(yīng)于字線706中的相應(yīng)一者的柵極端子。代表性單元708的數(shù)據(jù)讀取路徑可包含讀取位線710、第一參考層、第一參考層與自由層之間的第一隧道勢壘、自由層、自由層與第二參考層之間的第二隧道勢壘、第二參考層、開關(guān)和源極線714。相比之下，代表性單元708的數(shù)據(jù)寫入路徑可包含寫入位線712、自由層、第二隧道勢壘、第二參考層、開關(guān)和源極線714。至少部分由于數(shù)據(jù)讀取路徑中的額外參考層和隧道層的緣故，數(shù)據(jù)讀取路徑的電阻可高于數(shù)據(jù)寫入路徑的電阻。在操作期間，存儲器控制邏輯電路702可適于激活字線706并選擇性地激活讀取位線710、720、730或?qū)懭胛痪€712、722、732以存取陣列704的選定單元。信號可被施加到選定位線，且可將所得輸出與參考進行比較以確定在選定單元處存儲的數(shù)據(jù)值。舉例來說，存儲器控制邏輯電路702可通過在讀取線710與源極線714之間施加電壓而在代表性單元708處執(zhí)行讀取操作，且可例如經(jīng)由電流讀出放大器將穿過讀取線710或源極線714的所得電流與參考電流進行比較。作為另一實例，可將電流施加到讀取線710，且可例如經(jīng)由電壓讀出放大器將讀取線710與源極線714之間的所得電壓與參考電壓進行比較?？山?jīng)由第一數(shù)據(jù)讀取端口750或第二數(shù)據(jù)讀取端口752提供從讀取操作確定的數(shù)據(jù)值。參看圖8，描繪包含共享共同位線的具有單獨讀取和寫入路徑的磁性隧道結(jié)（MTJ）裝置的陣列的系統(tǒng)的第一說明性實施例的圖，且所述系統(tǒng)一般表示為800。系統(tǒng)800包含耦合到磁性隨機存取存儲器（MRAM）存儲器單元的陣列804的存儲器控制邏輯電路802。陣列804的每一MRAM存儲器單元（例如，第一代表性單元808和第二代表性單元809）經(jīng)配置以使用單獨的數(shù)據(jù)讀取和寫入路徑操作并共享共同位線。存儲器控制邏輯電路802經(jīng)耦合以經(jīng)由字線806的集合選擇陣列804的特定行。存儲器控制邏輯電路802經(jīng)耦合以選擇陣列804的特定列以用于經(jīng)由位線810、820、830讀取和寫入。源極線814、824、834提供從陣列804的選定單元到存儲器控制邏輯電路 802的返回電流路徑。在特定實施例中，陣列804的MRAM存儲器單元可包含磁性隧道結(jié)（MTJ）裝置，例如圖1-5中所說明。每一MTJ裝置可包含耦合到讀取位線的第一參考層和耦合到寫入位線的自由層。舉例來說，代表性單元808可包含具有耦合到位線810的第一參考層和耦合到位線820的自由層的MTJ結(jié)構(gòu)。第二參考層可耦合到開關(guān)（例如，晶體管），其具有響應(yīng)于字線806中的相應(yīng)一者的柵極端子。第一代表性單元808的數(shù)據(jù)讀取路徑可包含位線810、第一參考層、第一參考層與自由層之間的第一隧道勢壘、自由層、自由層與第二參考層之間的第二隧道勢壘、第二參考層、開關(guān)和源極線814。相比之下，代表性單元808的數(shù)據(jù)寫入路徑可包含位線820、自由層、第二隧道勢壘、第二參考層、開關(guān)和源極線814。至少部分由于數(shù)據(jù)讀取路徑中的額外參考層和隧道層的緣故，數(shù)據(jù)讀取路徑的電阻可高于數(shù)據(jù)寫入路徑的電阻。第二代表性單元809的數(shù)據(jù)讀取路徑可包含與第一代表性單元808的數(shù)據(jù)寫入路徑共享的位線820。第二代表性單元809的數(shù)據(jù)讀取路徑還可包含第一參考層、第一參考層與自由層之間的第一隧道勢壘、自由層、自由層與第二參考層之間的第二隧道勢壘、第二參考層、開關(guān)和源極線824。第二代表性單元809的數(shù)據(jù)寫入路徑可包含位線830、自由層、第二隧道勢壘、第二參考層、開關(guān)和源極線824。至少部分由于數(shù)據(jù)讀取路徑中的額外參考層和隧道層的緣故，數(shù)據(jù)讀取路徑的電阻可高于數(shù)據(jù)寫入路徑的電阻。在操作期間，存儲器控制邏輯電路802可適于激活位線810、820、830并選擇性地激活讀取字線或?qū)懭胱志€以存取陣列804的選定單元。舉例來說，存儲器控制邏輯電路802可激活共享位線820且可激活第一字線816，所述第一字線816耦合到第一代表性單元808以寫入到第一代表性單元808。另外，存儲器控制邏輯802可激活共享位線820且可激活第二字線818，所述第二字線818耦合到第二代表性單元809以從第二代表性單元809讀取。此外，因為共享共同位線820的鄰近的單元808和809耦合到單獨的源極線814和824，所以可使用共同位線820在單元808和809處同時實行讀取和寫入操作。因此，可使用由鄰近單元共享的相同位線執(zhí)行讀取操作、寫入操作或兩者。參看圖9，描繪包含共享共同位線的具有單獨讀取和寫入路徑的磁性隧道結(jié)（MTJ）裝置的陣列的系統(tǒng)的第二說明性實施例的圖，且所述系統(tǒng)一般表示為900。系統(tǒng)900包含耦合到磁性隨機存取存儲器（MRAM）存儲器單元的陣列904的存儲器控制邏輯電路902。陣列904的每一MRAM存儲器單元（例如，第一代表性單元908和第二代表性單元909）經(jīng)配置以使用單獨的數(shù)據(jù)讀取和寫入路徑操作并共享共同位線。存儲器控制邏輯電路902經(jīng)耦合以經(jīng)由字線906的集合選擇陣列904的特定行。存 儲器控制邏輯電路902經(jīng)耦合以選擇陣列904的特定列以用于經(jīng)由位線910、920、930讀取和寫入。源極線914、924、934提供從陣列904的選定單元到存儲器控制邏輯電路902的返回電流路徑。在特定實施例中，陣列904的MRAM存儲器單元可包含磁性隧道結(jié)（MTJ）裝置，例如圖1-5中所說明。每一MTJ裝置可包含耦合到讀取位線的第一參考層和耦合到寫入位線的自由層。舉例來說，代表性單元908可包含具有耦合到位線910的第一參考層和耦合到位線920的自由層的MTJ結(jié)構(gòu)。第二參考層可耦合到開關(guān)（例如，晶體管），其具有響應(yīng)于字線906中的相應(yīng)一者的柵極端子。第一代表性單元908的數(shù)據(jù)讀取路徑可包含位線910、第一參考層、第一參考層與自由層之間的第一隧道勢壘、自由層、自由層與第二參考層之間的第二隧道勢壘、第二參考層、開關(guān)和源極線914。相比之下，代表性單元908的數(shù)據(jù)寫入路徑可包含位線920、自由層、第二隧道勢壘、第二參考層、開關(guān)和源極線914。至少部分由于數(shù)據(jù)讀取路徑中的額外參考層和隧道層的緣故，數(shù)據(jù)讀取路徑的電阻可高于數(shù)據(jù)寫入路徑的電阻。第二代表性單元909的數(shù)據(jù)讀取路徑可包含與第一代表性單元908的數(shù)據(jù)寫入路徑共享的位線920。第二代表性單元909的數(shù)據(jù)讀取路徑還可包含第一參考層、第一參考層與自由層之間的第一隧道勢壘、自由層、自由層與第二參考層之間的第二隧道勢壘、第二參考層、開關(guān)和源極線924。第二代表性單元909的數(shù)據(jù)寫入路徑可包含位線930、自由層、第二隧道勢壘、第二參考層、開關(guān)和源極線924。至少部分由于數(shù)據(jù)讀取路徑中的額外參考層和隧道層的緣故，數(shù)據(jù)讀取路徑的電阻可高于數(shù)據(jù)寫入路徑的電阻。在操作期間，存儲器控制邏輯電路902可適于激活位線910、920、930、字線906和源極線914、924、934以選擇性地激活陣列904的單元以用于讀取或?qū)懭氩僮?。舉例來說，存儲器控制邏輯電路902可激活共享位線920且可激活第一字線916，所述第一字線916耦合到第一代表性單元908和第二代表性單元909。存儲器控制邏輯電路902可激活源極線914以在第一代表性單元908處執(zhí)行寫入操作，或激活源極線924以在第二代表性單元909處執(zhí)行讀取操作。參看圖10，描繪包含共享共同位線的具有單獨讀取和寫入路徑的磁性隧道結(jié)（MTJ）裝置的陣列的系統(tǒng)的第三說明性實施例的圖，且所述系統(tǒng)一般表示為1000。系統(tǒng)1000包含耦合到磁性隨機存取存儲器（MRAM）存儲器單元的陣列1004的存儲器控制邏輯電路1002。陣列1004的每一MRAM存儲器單元（例如，第一代表性單元1008和第二代表性單元1009）經(jīng)配置以使用單獨的數(shù)據(jù)讀取和寫入路徑操作并共享共同位線。存儲器控制邏輯電路1002經(jīng)耦合以經(jīng)由字線1014、1024、1034的集合選擇陣列1004 的特定列。存儲器控制邏輯電路1002經(jīng)耦合以經(jīng)由源極線1040、1042選擇陣列1004的特定行。存儲器控制邏輯電路1002經(jīng)耦合以選擇-bBit線1010、1020、1030以確定在陣列1004的選定單元處的讀取操作或?qū)懭氩僮鳌Ｔ谔囟▽嵤├?，陣?004的MRAM存儲器單元可包含磁性隧道結(jié)（MTJ）裝置，例如圖1-5中所說明。每一MTJ裝置可包含耦合到讀取位線的第一參考層和耦合到寫入位線的自由層。舉例來說，代表性單元1008可包含具有耦合到位線1010的第一參考層和耦合到位線1020的自由層的MTJ結(jié)構(gòu)。第二參考層可耦合到開關(guān)（例如，晶體管），其具有響應(yīng)于字線1014的柵極端子。第一代表性單元1008的數(shù)據(jù)讀取路徑可包含位線1010、第一參考層、第一參考層與自由層之間的第一隧道勢壘、自由層、自由層與第二參考層之間的第二隧道勢壘、第二參考層、開關(guān)和源極線1040。相比之下，代表性單元1008的數(shù)據(jù)寫入路徑可包含位線1020、自由層、第二隧道勢壘、第二參考層、開關(guān)和源極線1040。至少部分由于數(shù)據(jù)讀取路徑中的額外參考層和隧道層的緣故，數(shù)據(jù)讀取路徑的電阻可高于數(shù)據(jù)寫入路徑的電阻。第二代表性單元1009的數(shù)據(jù)讀取路徑可包含與第一代表性單元1008的數(shù)據(jù)寫入路徑共享的位線1020。第二代表性單元1009的數(shù)據(jù)讀取路徑還可包含第一參考層、第一參考層與自由層之間的第一隧道勢壘、自由層、自由層與第二參考層之間的第二隧道勢壘、第二參考層、開關(guān)和源極線1040。第二代表性單元1009的數(shù)據(jù)寫入路徑可包含位線1030、自由層、第二隧道勢壘、第二參考層、開關(guān)和源極線1040。至少部分由于數(shù)據(jù)讀取路徑中的額外參考層和隧道層的緣故，數(shù)據(jù)讀取路徑的電阻可高于數(shù)據(jù)寫入路徑的電阻。在操作期間，存儲器控制邏輯電路1002可適于激活位線1010、1020、1030、字線1014、1024、1034和源極線1040、1042以選擇性地激活陣列1004的單元以用于讀取或?qū)懭氩僮?。舉例來說，存儲器控制邏輯電路1002可激活共享位線1020、字線1014和源極線1040以寫入到第一代表性單元1008。在共享位線1020和源極線1040被激活的情況下，存儲器控制邏輯102可減活字線1014并激活字線1024以從第二代表性單元1009讀取。如本文所使用，為與其它所揭示的實施例一致，術(shù)語“源極線”用于表示耦合到開關(guān)的切換端子（例如，場效應(yīng)晶體管的源極端子）的線，且“字線”用于表示耦合到開關(guān)的控制端子（例如，場效應(yīng)晶體管的柵極）的線，盡管在圖10中說明的實施例中，每一字線1014、1024、1034表示陣列1004的相應(yīng)列，且每一源極線1040、1042表示陣列1004的相應(yīng)行。參看圖11，描繪操作磁性隧道結(jié)（MTJ）裝置的方法的特定說明性實施例的流程圖。在1102處，通過將電流施加到數(shù)據(jù)寫入路徑來執(zhí)行寫入操作，所述數(shù)據(jù)寫入路徑耦合到磁性隧道結(jié)（MTJ）裝置以在MTJ裝置的自由層處存儲數(shù)據(jù)值。MTJ裝置耦合到單獨的數(shù)據(jù)讀取路徑。在特定實施例中，數(shù)據(jù)寫入路徑具有比數(shù)據(jù)讀取路徑低的電阻。在說明性實施例中，數(shù)據(jù)寫入路徑包含一個參考層，且數(shù)據(jù)讀取路徑包含兩個參考層。在特定實施例中，MTJ裝置可在由存儲器控制邏輯電路控制的MTJ裝置的陣列中，例如圖6-10中所說明。繼續(xù)到1104，通過將電流施加到數(shù)據(jù)讀取路徑來執(zhí)行讀取操作，所述數(shù)據(jù)讀取路徑耦合到磁性隧道結(jié)（MTJ）裝置以讀取數(shù)據(jù)值。MTJ裝置耦合到單獨的數(shù)據(jù)寫入路徑。在特定實施例中，可在單獨的MTJ裝置處同時執(zhí)行讀取和寫入操作。在特定實施例中，可在相同MTJ裝置處連續(xù)執(zhí)行讀取和寫入操作。在特定實施例中，MTJ裝置包含自由層以存儲數(shù)據(jù)值，且包含磁性耦合到自由層的參考層，且數(shù)據(jù)讀取路徑包含第二參考層。在特定實施例中，MTJ裝置包含彼此磁性耦合的兩個MTJ結(jié)構(gòu)，例如圖1中說明的MTJ組件106和108。參看圖12，其描繪制造磁性隧道結(jié)（MTJ）裝置的方法的特定說明性實施例的流程圖。在特定實施例中，所述方法可用于制造具有單獨讀取和寫入路徑的MTJ裝置，例如圖1-4中所說明。在1202處，將膜層沉積到襯底上以形成第一MTJ結(jié)構(gòu)。圖13中描繪說明性非限定性實例1300，且其包含反鐵磁（AFM）層1302、合成反鐵磁體（SAF）層1304、中間層1306和自由層1308。舉例來說，SAF層1304可包含CoFe/Ru/CoFeB子層。中間層1306可為隧道勢壘層（例如，MgO或AlOx）或傳導(dǎo)層（例如，Cu或Ru）。自由層1308可包含作為說明性非限定性實例的CoFeB/NiFe/CoFeB或CoFeB或CoFe/CoFeB或NiFe/CoFeB或CoFe/NiFe/CoFeB子層。繼續(xù)到1204，在特定實施例中，將底部參考電極圖案化。圖14中描繪經(jīng)圖案化底部電極1400的說明性非限定性實例。經(jīng)圖案化底部電極1400包含經(jīng)圖案化AFM層1402、經(jīng)圖案化SAF層1404、經(jīng)圖案化隧道勢壘層1406和經(jīng)圖案化自由層1408。移動到1206，在特定實施例中，用電介質(zhì)材料（例如，氮化硅）填充在對底部參考電極進行圖案化期間在第一MTJ結(jié)構(gòu)中形成的空隙。圖15中描繪說明性非限定性實例1500，其說明填充在底部電極的圖案化期間形成的空隙的SiNx或其它電介質(zhì)材料1510和1512。前進到1208，在特定實施例中，將第一MTJ結(jié)構(gòu)的自由層圖案化。圖16中描繪說明性非限定性實例1600，其說明在施加光致抗蝕劑1616和蝕刻工藝之后的經(jīng)圖案化自 由層1614。進行到1210，沉積傳導(dǎo)層，其耦合到第一MTJ結(jié)構(gòu)的自由層。在特定實施例中，傳導(dǎo)層與自由層的至少一個壁鄰接。圖17中描繪說明性非限定性實例1700，其說明與MTJ結(jié)構(gòu)的經(jīng)圖案化自由層鄰接的傳導(dǎo)層1718的沉積。作為說明性實例，傳導(dǎo)層1718可為Cu、Ru、Ta、Mg、Al、其它傳導(dǎo)材料，或其任何組合。繼續(xù)到1212，在特定實施例中，形成大體平面的頂部部分。舉例來說，形成大體平面的頂部部分可包含移除在將自由層圖案化時沉積的光致抗蝕劑。圖18中描繪說明性非限定性實例1800，其說明大體平面的頂部部分1802。移動到1214，沉積第二組膜層以在第一MTJ結(jié)構(gòu)上形成第二MTJ結(jié)構(gòu)。圖19中描繪說明性非限定性實例1900，其說明自由層部分1920、隧道勢壘層1922、SAF層1924、AFM層1926和頂部傳導(dǎo)層1928。作為說明性實例，自由層部分1920可包含圖13中說明的子層1308中的一者或一者以上。作為替代性實施例，所述組膜層可不包含自由層部分1920。隧道勢壘層1922可包含厚MgO或AlOx層以增加裝置的讀取電阻。SAF層1924可包含CoFe/Ru/CoFeB子層。頂部傳導(dǎo)層1928可包含Cu、Ru、Ta、Mg、Al、其它傳導(dǎo)材料，或其任何組合。在特定實施例中，讀取線耦合到第二MTJ結(jié)構(gòu)，且寫入線耦合到傳導(dǎo)層。圖20是包含存儲器裝置的通信裝置2000的框圖，所述存儲器裝置包含多個磁性隧道結(jié)（MTJ）單元。通信裝置2000包含MTJ單元的存儲器陣列2032和MTJ單元的高速緩沖存儲器2064，其耦合到處理器（例如，數(shù)字信號處理器（DSP）2010）。通信裝置2000還包含耦合到DSP2010的磁阻隨機存取存儲器（MRAM）裝置2066。在特定實例中，MTJ單元的存儲器陣列2032、MTJ單元的高速緩沖存儲器2064和MRAM裝置2066包含多個MTJ單元，其中每一MTJ單元包含單獨讀取和寫入路徑，如參看圖1-16所描述。圖20還展示耦合到數(shù)字信號處理器2010且耦合到顯示器2028的顯示器控制器2026。編碼器/解碼器（CODEC）2034也可耦合到數(shù)字信號處理器2010。揚聲器2036和麥克風(fēng)2038可耦合到CODEC2034。圖20還指示無線控制器2040可耦合到數(shù)字信號處理器2010且耦合到無線天線2042。在特定實施例中，輸入裝置2030和電源2044耦合到芯片上系統(tǒng)2022。此外，在特定實施例中，如圖20中所說明，顯示器2028、輸入裝置2030、揚聲器2036、麥克風(fēng)2038、無線天線2042和電源2044在芯片上系統(tǒng)2022外部。然而，每一者可耦合到芯片上系統(tǒng)2022的組件，例如接口或控制器。技術(shù)人員將進一步了解，結(jié)合本文揭示的實施例描述的各種說明性邏輯塊、配置、模塊、電路和算法步驟可實施為電子硬件、計算機軟件，或兩者的組合。為了清楚地說明硬件與軟件的這種可交換性，上文已大體上依照各種說明性組件、塊、配置、模塊、電路和步驟的功能性而描述了所述各種說明性組件、塊、配置、模塊、電路和步驟。此功能性實施為硬件還是軟件取決于特定應(yīng)用和強加于整個系統(tǒng)的設(shè)計約束。熟練的技術(shù)人員可針對每一特定應(yīng)用以不同方式實施所描述的功能性，但這些實施決策不應(yīng)解釋為導(dǎo)致與本發(fā)明范圍的偏離。結(jié)合本文所揭示的實施例而描述的方法或算法的步驟可直接用硬件、由處理器執(zhí)行的軟件模塊或所述兩者的組合來實施。軟件模塊可駐存在RAM存儲器、快閃存儲器、ROM存儲器、PROM存儲器、EPROM存儲器、EEPROM存儲器、寄存器、硬盤、可換式磁盤、CD-ROM或此項技術(shù)中已知的任何其它形式的存儲媒體中。示范性存儲媒體耦合到處理器，使得處理器可從存儲媒體讀取信息并向存儲媒體寫入信息。在替代實施例中，存儲媒體可與處理器成一體式。處理器和存儲媒體可駐留在ASIC中。ASIC可駐留在計算裝置或用戶終端中。在替代實施例中，處理器和存儲媒體可作為離散組件而駐留在計算裝置或用戶終端中。提供對所揭示的實施例的先前描述以使所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員能夠制造或使用所揭示的實施例。所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員將易于了解對這些實施例的各種修改，且本文定義的一般原理可在不偏離本發(fā)明精神或范圍的情況下應(yīng)用于其它實施例。因此，不希望本發(fā)明限于本文展示的實施例，而是本發(fā)明應(yīng)被賦予與如所附權(quán)利要求書界定的原理和新穎特征一致的可能的最廣泛范圍。