與空氣軸承表面分隔開的側(cè)屏蔽偏置層的制作方法
【專利摘要】各個實施例可將數(shù)據(jù)存儲裝置配置成具有帶磁性層疊的至少一個磁性元件，該磁性層疊被配置成具有空氣軸承表面（ABS）且與側(cè)屏蔽分隔開。側(cè)屏蔽可由接觸該側(cè)屏蔽并與ABS分隔開的偏置層來偏置。
【專利說明】與空氣軸承表面分隔開的側(cè)屏蔽偏置層

【發(fā)明內(nèi)容】

[0001]各個實施例一般涉及能夠被整合到數(shù)據(jù)存儲裝置中的磁性元件。
[0002]根據(jù)各個實施例，磁性元件可具有被配置成具有空氣軸承表面(ABS)且與側(cè)屏蔽分隔開的磁性層疊。側(cè)屏蔽可由接觸該側(cè)屏蔽并與ABS分隔開的偏置層來偏置。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0003]圖1是根據(jù)各個實施例的數(shù)據(jù)存儲裝置的示例性部分的框圖。
[0004]圖2顯示了根據(jù)一些實施例構(gòu)造和操作的示例磁性元件的一部分的俯視框圖表
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[0005]圖3提供了能被用在圖1的數(shù)據(jù)存數(shù)設(shè)備中的示例磁性元件的橫截面框圖表示。
[0006]圖4顯示了根據(jù)各個實施例的示例磁性元件的一部分的等軸框圖表示。
[0007]圖5例示了根據(jù)各個實施例構(gòu)造和操作的示例磁性元件的一部分的俯視框圖表
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[0008]圖6示出了根據(jù)一些實施例操作的示例磁性元件的諸部分的框圖表示。
[0009]圖7提供了例示根據(jù)各個實施例進(jìn)行的示例性磁性元件制造例程的步驟的流程圖。
【具體實施方式】
[0010]隨著數(shù)據(jù)存儲裝置連續(xù)地爭取更多數(shù)據(jù)容量以及更快的數(shù)據(jù)訪問速率，數(shù)據(jù)存儲組件得以在尺寸上減小，以適應(yīng)更小的形狀因子數(shù)據(jù)存儲環(huán)境。在轉(zhuǎn)動數(shù)據(jù)存儲環(huán)境中，增大的面比特密度可提供較大的數(shù)據(jù)容量，但是可能具有難以區(qū)分的特定數(shù)據(jù)比特一在最小化數(shù)據(jù)磁道間距配置中尤其如此。在磁道的橫向毗鄰側(cè)上引入側(cè)屏蔽可增大數(shù)據(jù)磁道分辨率，同時減小噪聲并優(yōu)化磁性性能。
[0011]然而，在其中側(cè)屏蔽的磁化諸如因造成磁性不穩(wěn)定性和增大的磁性不對稱性而不利地影響磁性層疊的情形中，在磁性層疊近側(cè)定位一個或多個側(cè)屏蔽可能造成操作難度。因而，減小的形狀因子的數(shù)據(jù)存儲裝置中的可靠數(shù)據(jù)分辨率對于側(cè)屏蔽的磁性穩(wěn)定而言是關(guān)鍵的。
[0012]考慮到這些因素，可用具有空氣軸承表面(ABS)并與側(cè)屏蔽分隔開的磁性層疊來配置磁性元件，該側(cè)屏蔽通過與此側(cè)屏蔽接觸并與ABS分隔開的偏置層來偏置。調(diào)整偏置層的位置、大小和偏置特性的能力實現(xiàn)側(cè)屏蔽中的磁化的穩(wěn)定，這轉(zhuǎn)變?yōu)樵诓辉黾覣BS上的磁性元素的屏蔽-屏蔽間隔的情況下的優(yōu)化的磁性層疊的性能。
[0013]圖1 一般例示了根據(jù)各個實施例的可利用偏置側(cè)屏蔽的示例數(shù)據(jù)存儲裝置的數(shù)據(jù)部分100的框圖表示。數(shù)據(jù)部分100以具有致動組件102的非限制性環(huán)境的形式示出，該致動組件102在能夠存儲經(jīng)編程的比特108的磁性存儲介質(zhì)106上定位換能頭104。存儲介質(zhì)106被附接到主軸馬達(dá)110，主軸馬達(dá)110在使用過程中旋轉(zhuǎn)以產(chǎn)生空氣軸承表面(ABS) 112，在其上面，致動組件102的滑塊部分114飛行，以將包括換能頭104的頭萬向組件(HGA) 116定位在介質(zhì)106的預(yù)定部分之上。
[0014]換能頭104可包括一個或多個換能元件，如磁性寫入器和磁性響應(yīng)性讀取器，它們操作以分別進(jìn)行編程和從存儲介質(zhì)106讀取數(shù)據(jù)。由此，致動組件102的受控運動導(dǎo)致了換能器與在存儲介質(zhì)表面上所定義的磁道(未示出)的對準(zhǔn)，以寫入、讀取，以及重寫數(shù)據(jù)。
[0015]應(yīng)當(dāng)注意，術(shù)語“層疊”在本公開中是非限制性術(shù)語，其可以是能夠進(jìn)行磁性讀取和寫入的一個或多個磁性或非磁性層。貫穿本申請中，術(shù)語“層疊”將被理解為表示被構(gòu)造成具有大于預(yù)定閾值的厚度(諸如大于組件的寬度的厚度)的組件。例如，但是并非以任何方式進(jìn)行限制，側(cè)層疊可以是單個導(dǎo)磁材料層，而磁性層疊可以是能寫入或讀取被編程的數(shù)據(jù)比特的磁性或非磁性層的層壓結(jié)構(gòu)。
[0016]由于數(shù)據(jù)容量和訪問速率隨著換能頭104尺寸的減小以及數(shù)據(jù)比特108密度的上升而增大，因此與磁性讀取器或?qū)懭肫鳈M向毗鄰的區(qū)域的側(cè)屏蔽可提供對于從此類增大的數(shù)據(jù)比特密度區(qū)分比特而言有益的增大的分辨率。圖2示出了能被用在圖1的數(shù)據(jù)部分100中的示例磁性元件120的一部分的俯視圖框圖表示。磁性元件120具有布置在空氣軸承表面(ABS)上的側(cè)層疊124之間的磁性層疊122，諸如能夠在外部數(shù)據(jù)比特之間進(jìn)行區(qū)分的磁性和非磁性層的層壓結(jié)構(gòu)。
[0017]磁性122層疊和側(cè)124層疊的大小、材料和類型不限于特定配置，但是在圖2中被示為具有沿Z軸自ABS測量的公共長條高度(stripe height) 126。公共長條高度126可使不同的磁性層疊寬度128與可提供最佳磁通量屏蔽以增大磁性層疊122的數(shù)據(jù)分辨率的側(cè)層疊寬度130形成對比。
[0018]雖然側(cè)層疊124可被配置成與磁性層疊122毗鄰且分隔開的固體或?qū)訅航Y(jié)構(gòu)，但是側(cè)層疊124的類型和用途不限于磁性屏蔽。例如，至少一個側(cè)層疊124可以是能夠進(jìn)行數(shù)據(jù)感測的層壓結(jié)構(gòu)，諸如磁阻元件、自旋閥(spin valve)、或固態(tài)存儲器單元，其具有與磁性層疊122相比不同的寬度130和長條高度126。此類側(cè)層疊124配置可被用來增大數(shù)據(jù)讀回速率、感測元件120與數(shù)據(jù)介質(zhì)之間的間距、以及提供源自對毗鄰數(shù)據(jù)磁道的同時訪問的兩維數(shù)據(jù)讀取。
[0019]不管側(cè)層疊124的配置和類型如何，靠近磁性層疊122存在磁化可能阻礙數(shù)據(jù)訪問可靠性和速度，因為不定(errant)磁化向量引起磁性層疊122的諸部分中的不穩(wěn)定性。此類不定磁化在具有長的長條高度126 (如在一些實施例中被定義為具有大于寬度的長度)的磁性元件120中會是尤其有害的。不管具有可調(diào)整尺寸的橫向側(cè)層疊124以及一個或多個縱向屏蔽132的存在性，磁化不穩(wěn)定性可能因增添不能通過包括附加外部屏蔽來減輕的噪聲和磁性不對稱性而阻礙磁性層疊122的數(shù)據(jù)分辨率。
[0020]圖3顯示了能被用在圖1的數(shù)據(jù)存數(shù)設(shè)備中的磁性元件140的另一示例的橫截面框圖表示。磁性元件140具有位于ABS上的頂部144屏蔽和底部146屏蔽之間的側(cè)屏蔽142。雖然各個實施例將側(cè)屏蔽142配置成一種材料的單個層，但是使用鐵磁148層和間隔150層的層壓結(jié)構(gòu)可提供調(diào)整側(cè)屏蔽142的磁屏蔽屬性的能力，諸如通過將層148和150配置成具有不同的材料、厚度、和形狀。
[0021]通過將鐵磁材料引入側(cè)屏蔽142，在長條高度152中磁化可能是非均勻的，這對于側(cè)屏蔽142的磁性穩(wěn)定性和不對稱性而言可能是有害的。在具有長的長條高度152的一些實施例中，可在具有沿Z軸的與ABS正交的一般磁化方向的ABS的遠(yuǎn)側(cè)找到非均勻磁化區(qū)域，這進(jìn)一步增大了磁性不對稱性，并且會對磁性元件140中的整體磁性不穩(wěn)定性作出貢獻(xiàn)。通過將偏置層154耦合至側(cè)屏蔽142中可能呈現(xiàn)有害的磁化方向(諸如橫向磁性定向)的預(yù)定區(qū)域，可減輕有害磁化。
[0022]應(yīng)當(dāng)注意，偏置層154的材料、大小以及相對于側(cè)屏蔽142的位置不限于圖3中所示的配置，并且可被調(diào)節(jié)以提供對不定側(cè)屏蔽磁化的減輕。在由示例磁性元件140提供的實施例中，偏置層154被構(gòu)造成反鐵磁(AFM)和/或合成反鐵磁(SAF)，其被定位成與側(cè)屏蔽142的鐵磁層148中的一個接觸，與ABS相距預(yù)定距離156，同時具有沿Z軸自預(yù)定距離156的末端測得的連續(xù)預(yù)定長條高度158。此類對偏置層154遠(yuǎn)離ABS的定位可在不用在ABS處向磁性元件140增添大小的情況下向側(cè)屏蔽142的預(yù)定部分精確地提供偏置磁化。
[0023]偏置層154被配置成具有沿Y軸測得的厚度，該厚度與在頂部屏蔽144與側(cè)屏蔽142之間的覆層(cap layer) 160相匹配,但不限于此定向，因為偏置層154可被構(gòu)造成側(cè)屏蔽142、頂部屏蔽144、和底部屏蔽146的部分以便提供對側(cè)屏蔽142的偏置磁化。例如，偏置層154可以以形成為像凹口、斜角、和切口之類的特征的凹槽的形式被部分或整體定位在頂部屏蔽144的范圍內(nèi)。不管偏置層154是否被定位在頂部屏蔽142的范圍內(nèi)，偏置層154與頂部屏蔽144的磁性隔離可通過將磁性絕緣體162放置在頂部屏蔽144與偏置層154之間來達(dá)成。
[0024]雖然單個偏置層154可被調(diào)整并用來阻止側(cè)屏蔽142的諸部分的磁化，但不要求此類配置，因為多個偏置層154可被定位成處在單個鐵磁層148的不同區(qū)域上以及處在分開的諸鐵磁層148上與ABS分隔開。即，具有類似或不同的材料、長條高度158、以及厚度的一個以上的偏置層154可與側(cè)屏蔽142的諸個不同部分接觸，諸如分別在分開的鐵磁層148上覆160層和種子164層的近側(cè)處。
[0025]作為示例，第一偏置層154可在與ABS相距第一距離下從第一鐵磁層148連續(xù)擴展至頂部屏蔽144中的凹口中，而第二偏置層具有一厚度，該厚度與種子層164匹配，且不擴展至底部屏蔽146的連續(xù)均勻橫截面中，并且在與ABS相距不同于第一距離的第二距離下與第二鐵磁層148接觸。通過此類用于向側(cè)屏蔽142提供偏置磁化的多種調(diào)整能力，可達(dá)成精確的磁化配置，該精確的磁化配置優(yōu)化側(cè)屏蔽142的磁通量抑制，同時增大磁性元件140的分辨率。
[0026]圖4例示了具有分別配置成帶有調(diào)整的偏置層186和188的側(cè)屏蔽182和184的示例磁性元件180的一部分的等軸框圖表示。在側(cè)屏蔽182中，側(cè)屏蔽182的一部分已被移除并且被偏置層186代替。偏置層186的位置，即側(cè)屏蔽182的移除區(qū)段，被調(diào)整成與ABS相距第一距離188且具有長條高度190的預(yù)定位置。雖然未被示出，但是偏置層186可被配置成具有基本上與從側(cè)屏蔽180移除的材料的量相匹配的大小和形狀，這導(dǎo)致側(cè)屏蔽182在其長條高度192中具有均勻的形狀。
[0027]偏置層186的配置可通過被定位在側(cè)屏蔽184的凹槽194和面積范圍內(nèi)的偏置層188來形成互補(complement)。偏置層188與ABS的距離196、偏置層188的厚度198和長條高度200可被各自調(diào)整，以提供側(cè)屏蔽184中與側(cè)屏蔽182相比不同的大小和磁性特性。通過圖4中所示的調(diào)整的偏置層186和188的不同大小和位置，側(cè)屏蔽182和184可呈現(xiàn)不同的磁性特性，這些磁性特性有助于增大磁性層疊202的磁性穩(wěn)定性、不對稱性、和分辨率。[0028]然而，對磁性元件180的調(diào)整并非是在側(cè)屏蔽182和184的領(lǐng)域中專有的(exclusively)，因為可在優(yōu)化成與調(diào)整的偏置層186和188聯(lián)用的預(yù)定配置中構(gòu)造磁性層疊202。在圖4中，磁性層疊202被配置成由非磁性間隔的任一側(cè)上的磁性自由層204表征的“三層”讀取傳感器。三層配置在減小的形狀因子的數(shù)據(jù)存儲環(huán)境中尤其有用，因為磁性層疊202中缺少固定磁化層使得ABS處的磁性元件180的厚度最小化，這就是被稱為屏蔽-配置間隔的。
[0029]磁性層疊202的三層配置可由分開的后部偏置磁體206來進(jìn)一步表征，該分開的后部偏置磁體206將磁性自由(magnetically free)層204設(shè)置成默認(rèn)磁化,這可被調(diào)整成補充偏置層186和188以提供預(yù)定磁化定向，諸如在側(cè)屏蔽182和184中沿X軸與ABS平行。作為磁性層疊202的調(diào)整概率的示例，相應(yīng)自由層204的厚度206可以是相同或不同的，同時可被選擇成與ABS上的一個或多個側(cè)屏蔽182和184的寬度208相對應(yīng)。
[0030]圖5顯示了根據(jù)各個實施例調(diào)整的示例磁性元件210的一部分的俯視框圖表示?？绱判詫盈B218從一個側(cè)屏蔽214連續(xù)橫跨至另一個216的單個偏置層212例示了對磁性元件210的磁化不限于與每個側(cè)屏蔽相對應(yīng)的分開的偏置層。
[0031]如圖所示，偏置層212具有由長條高度220和寬度222定義的矩形形狀，并且被定位成與ABS相距預(yù)定距離224。然而，此類配置并不進(jìn)行任何限制，因為各個實施例將偏置層212配置成具有圓形、方形、或相對于ABS傾斜的梯形形狀以使得從偏置層212至ABS的距離沿著X軸變化。磁性層疊218以及兩個側(cè)屏蔽216和218的諸部分的連續(xù)橫跨可允許磁性層疊的諸部分(諸如圖4的磁性自由層204中的一個)的偏置來作為后部偏置磁體的補充或替代。
[0032]單個偏置層212可被定位成在側(cè)屏蔽214和216以及磁性層疊218的頂上，諸如在頂部屏蔽的凹槽中，但是不排除使用定位成在ABS的遠(yuǎn)端的附加且可能分開的偏置層來補充連續(xù)偏置層212。不管偏置層212是被個體地使用還是被作為偏置層的集合的部分來使用，每個偏置層的調(diào)整的配置可提供預(yù)定側(cè)屏蔽和磁性層疊磁化，這通過定位在預(yù)定區(qū)域的近端而非遵循側(cè)屏蔽和/或磁性層疊的形狀和大小來提升磁性元件210的磁性穩(wěn)定性。
[0033]圖6 —般地例示了作為根據(jù)各個實施例配置的一個或多個偏置層的結(jié)果被定向成預(yù)定磁化的示例側(cè)屏蔽230和磁性層疊232的俯視圖框圖表示。
[0034]在基本上平行于ABS的方向上定向側(cè)屏蔽的磁化可引起磁性層疊232中——特別是在ABS的近端——的預(yù)定磁化方向。側(cè)屏蔽230的磁化例示了磁化方向中的變化可如何調(diào)整以使得對于ABS近端的磁性層疊232的磁化不是有害的。
[0035]雖然圖6中所示的磁化例示了可根據(jù)一些實施例如何調(diào)整各個層，但是磁化不受限制，因為可通過將一個或多個偏置層定位成與ABS遠(yuǎn)端的側(cè)屏蔽230接觸來提供不受限的磁化方向和強度。根據(jù)各個實施例，側(cè)屏蔽230和磁性層疊232中預(yù)定方向上的一般磁化定向可被配置成具有單軸各向異性，該單軸各向異性進(jìn)一步支持磁化沿預(yù)定方向的發(fā)展。
[0036]圖7提供了根據(jù)各個實施例進(jìn)行的用于提供配置成提供通過頂部屏蔽的磁通閉合的側(cè)屏蔽層壓結(jié)構(gòu)的示例性磁性元件制造例程250。最初，在步驟252，例程250可確定側(cè)屏蔽和磁性層疊的配置。如以上所討論的，對于多個側(cè)屏蔽，長條高度、寬度、層的數(shù)目、和材料可以是類似或不同的，而磁性層疊可被構(gòu)造成三層固定磁化參考層——包括數(shù)據(jù)讀取層壓結(jié)構(gòu)以及具有唯一性或公共大小和長條高度的數(shù)據(jù)寫入器。[0037]在步驟252中確定相應(yīng)的側(cè)屏蔽和磁性層疊的配置之后是步驟254，在那里，設(shè)計一個或多個偏置層的至少位置、大小和材料。即，側(cè)屏蔽和磁性層疊的配置可提供磁化特性(諸如橫向磁化方向的局部化區(qū)域)，其確定減輕那些磁化特性的偏置層的設(shè)計。作為一示例，結(jié)合長的長條高度磁性層疊將側(cè)屏蔽配置成磁性和非磁性層的層壓結(jié)構(gòu)可對應(yīng)于一個或多個偏置層的特定大小、與ABS相距的位置、形狀和材料。
[0038]步驟256接下來遵循步驟252和254中確定的尺寸和材料在并發(fā)或連續(xù)沉積工藝中形成預(yù)定磁性層疊和側(cè)屏蔽。在形成側(cè)屏蔽的情況下，判決258評估在步驟254中設(shè)計的偏置層是部分還是整體地嵌入到側(cè)屏蔽和/或磁性層疊中。如果偏置層的至少一些將被嵌入，則步驟260移除所形成的磁性層疊和/或側(cè)屏蔽的諸部分，以使得在步驟262中形成的偏置層恰當(dāng)?shù)胤项A(yù)定配置。如果沒有偏置層要嵌入，則判決258行進(jìn)至步驟262，以在不用移除磁性層疊和側(cè)屏蔽中的任一個的情況下形成偏置層。
[0039]可領(lǐng)會，通過例程250，可構(gòu)造具有調(diào)整的磁性層疊、側(cè)屏蔽和偏置層的磁性元件以提供優(yōu)化的磁性穩(wěn)定性和不對稱性。然而，例程250不受限制，因為可省去、改變和添加各個步驟。例如，例程250可進(jìn)一步包括形成和處理頂部和底部屏蔽的步驟，該頂部和底部屏蔽可具有容納偏置層的諸部分的凹口和凹槽。
[0040]可領(lǐng)會對至少具有向側(cè)屏蔽提供偏置磁化的偏置層的磁性元件的調(diào)整。調(diào)整偏置層的配置(諸如利用偏置層與ABS相隔的距離)的能力可控制側(cè)屏蔽磁化。此外，對在ABS遠(yuǎn)端的偏置層的定位實現(xiàn)磁化控制，同時不增加ABS上的磁性元件的屏蔽-屏蔽間距，這允許磁性元件更容易地用在縮減的形狀因子的數(shù)據(jù)存儲環(huán)境中。
[0041]將理解，盡管在先前描述中連同各實施例的結(jié)構(gòu)和功能的細(xì)節(jié)一起闡述了本公開的各實施例的許多特性和結(jié)構(gòu)，但是此詳細(xì)描述僅僅是示例性的，并且可以在細(xì)節(jié)上作出修改，尤其在由表達(dá)所附權(quán)利要求的術(shù)語的寬泛的一般含義所指示的盡可能范圍內(nèi)在本公開的原理內(nèi)對部件的結(jié)果和布置的諸方面作出修改。例如，在不偏離本發(fā)明技術(shù)的精神和范圍的情況下，特定元件可以取決于特定應(yīng)用而變化。
【權(quán)利要求】
1.一種包括配置成具有空氣軸承表面(ABS)并且與側(cè)屏蔽分隔開的的磁性層疊的數(shù)據(jù)存儲裝置，所述側(cè)屏蔽由與所述側(cè)屏蔽接觸并與所述ABS分隔開的偏置層來進(jìn)行偏置。
2.如權(quán)利要求1所述的數(shù)據(jù)存儲裝置，其特征在于，所述磁性層疊被配置為三層讀取傳感器，所述三層讀取傳感器包括第一和第二磁性自由層，沒有磁性釘扎參考結(jié)構(gòu)。
3.如權(quán)利要求1所述的數(shù)據(jù)存儲裝置，其特征在于，所述磁性層疊被配置為包括至少一個固定磁化參考層的磁阻讀取傳感器。
4.如權(quán)利要求1所述的數(shù)據(jù)存儲裝置，其特征在于，所述偏置層包括合成反鐵磁體。
5.如權(quán)利要求1所述的數(shù)據(jù)存儲裝置，其特征在于，所述側(cè)屏蔽包括單個導(dǎo)磁材料層。
6.如權(quán)利要求1所述的數(shù)據(jù)存儲裝置，其特征在于，所述側(cè)屏蔽包括磁性和非磁性層的層壓結(jié)構(gòu)。
7.如權(quán)利要求1所述的數(shù)據(jù)存儲裝置，其特征在于，所述偏置層被放置在所述側(cè)屏蔽和頂部屏蔽之間。
8.如權(quán)利要求7所述的數(shù)據(jù)存儲裝置，其特征在于，所述絕緣體層被放置在所述偏置層與頂部屏蔽之間，以使所述偏置層與所述頂部屏蔽在磁性上絕緣。
9.如權(quán)利要求7所述的數(shù)據(jù)存儲裝置，其特征在于，所述偏置層延伸到所述頂部屏蔽中的凹口中。
10.如權(quán)利要求1所述的數(shù)據(jù)存儲裝置，其特征在于，所述偏置層延伸到所述側(cè)屏蔽中的減小厚度的部分中。
11.如權(quán)利要求1所述的數(shù)據(jù)存儲裝置，其特征在于，所述偏置層連續(xù)地延伸成與所述側(cè)屏蔽和磁性層疊兩者接觸。
12.—種設(shè)備,包括: 配置成具有空氣軸承表面(ABS)且與側(cè)屏蔽分開的磁性層疊；以及 用于將所述側(cè)屏蔽偏置成預(yù)定磁化的裝置。
13.如權(quán)利要求12所述的設(shè)備，其特征在于，所述用于使側(cè)屏蔽偏置的裝置包括接觸所述側(cè)屏蔽的連續(xù)偏置層。
14.如權(quán)利要求12所述的設(shè)備，其特征在于，所述用于使側(cè)屏蔽偏置的裝置包括接觸所述側(cè)屏蔽的不同區(qū)域的多個偏置層。
15.如權(quán)利要求13所述的設(shè)備，其特征在于，所述預(yù)定磁化基本上平行于所述ABS。
16.一種包括配置有空氣軸承表面(ABS)的磁性層疊的數(shù)據(jù)元件，所述磁性層疊被放置在第一與第二側(cè)屏蔽之間并與所述第一和第二側(cè)屏蔽分隔開，所述側(cè)屏蔽由分別接觸所述側(cè)屏蔽的第一和第二偏置層來偏置，每個偏置層與所述ABS分隔開。
17.如權(quán)利要求16所述的數(shù)據(jù)元件，其特征在于，所述第一和第二偏置層具有不同的長條高度。
18.如權(quán)利要求16所述的數(shù)據(jù)元件，其特征在于，所述第一和第二偏置層在與所述ABS相距公共距離下分別接觸所述第一和第二側(cè)屏蔽。
19.如權(quán)利要求16所述的數(shù)據(jù)元件，其特征在于，所述第一和第二偏置層在與所述ABS相距不同的距離下分別接觸所述第一和第二側(cè)屏蔽。
20.如權(quán)利要求16所述的數(shù)據(jù)元件，其特征在于，所述偏置層中的至少一個被嵌入到形成于所述第一和第二側(cè)屏蔽的至少一個中的凹口中。
【文檔編號】G11B5/11GK103854664SQ201310111596
【公開日】2014年6月11日 申請日期:2013年4月1日 優(yōu)先權(quán)日:2012年11月28日
【發(fā)明者】V·B·薩波日尼科夫, M·S·U·帕特瓦瑞, S·E·麥肯雷 申請人:希捷科技有限公司