專利名稱：縮小寫磁極斜交角變化范圍的方法及使用該方法的寫磁極的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明屬于計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域，更具體地，涉及一種縮小寫磁極斜交角變化范圍的方法及使用該方法的寫磁極。
背景技術(shù)：
硬盤存儲(chǔ)技術(shù)從20世紀(jì)90年代以來，逐步成為計(jì)算機(jī)主流存儲(chǔ)技術(shù)。硬盤的結(jié)構(gòu)及工作機(jī)理目前仍然采用的是溫徹斯特(Winchester)模式。該模式的精髓是在密封腔內(nèi)高速旋轉(zhuǎn)的磁盤片的每個(gè)存儲(chǔ)面上，有一個(gè)沿盤片徑向移動(dòng)的磁頭。傳統(tǒng)硬盤結(jié)構(gòu)可參考文獻(xiàn)《電子計(jì)算機(jī)磁盤存儲(chǔ)器》(張江陵編，國防工業(yè)出版社出版，7)，主要包括以下幾個(gè)部分，如圖1所示:磁盤盤片，盤片驅(qū)動(dòng)電機(jī)和主軸部件，讀寫磁頭組件，磁頭驅(qū)動(dòng)裝置以及讀寫控制電路。磁盤盤片11是用于記錄數(shù)據(jù)信息的磁存儲(chǔ)介質(zhì)，并可由主軸電機(jī)12驅(qū)動(dòng)高速旋轉(zhuǎn)。讀寫磁頭組件由讀寫磁頭、滑塊13、磁頭臂14及傳動(dòng)軸15等四部分組成，讀寫磁頭均封裝在滑塊上。在具體工作時(shí)，磁頭驅(qū)動(dòng)裝置(音圈電機(jī))16通過傳動(dòng)軸和磁頭臂驅(qū)動(dòng)滑塊以固定半徑掃描盤片，定位到既定磁道上方。同時(shí)盤片高速旋轉(zhuǎn)，讀寫磁頭在磁盤表面上飛行過程中，定位到既定扇區(qū)，完成在盤片上的數(shù)據(jù)讀寫。圖2是寫磁頭結(jié)構(gòu)俯視圖，寫磁頭包括寫磁極23與回路磁極22。二者均封裝在滑塊21上，并通過滑塊與磁頭臂20相連。寫磁極23專門負(fù)責(zé)寫入比特信息。隨著硬盤記錄密度的提高，每個(gè)記錄位元所占面積逐漸減小。為了保持所記錄信息的熱穩(wěn)定性，即保證其所存信息不隨工作溫度升高而丟失，記錄介質(zhì)的磁各向異性必須增大，同時(shí)也要求寫磁頭的磁場必須相應(yīng)提高。在傳統(tǒng)磁記錄系統(tǒng)中,磁道寬度與寫磁極寬度基本相同。所以當(dāng)記錄密度增大，磁道寬度減小后，寫磁極寬度也必須相應(yīng)減小，而寫磁極寬度減小往往會(huì)帶來寫磁場的降低。在瓦記錄系統(tǒng)中，寫磁極寬度不再受限于磁道寬度，而是采用一種更加寬大的寫磁極——通常覆蓋多個(gè)磁道寬度——進(jìn)行記錄，所以能夠得到一個(gè)足夠大的寫磁場。如圖3所示，瓦記錄采用一種覆蓋前一磁道的方式進(jìn)行記錄，以提高記錄密度。圖3中的寫磁極30從上往下依次寫磁道31、32、33和34，每一條磁道都會(huì)與其前一磁道重疊一部分(比如磁道33覆蓋了磁道32的一部分,磁道34又覆蓋了磁道33的一部分)。覆蓋的程度越大，則記錄密度越高。而寫磁極30的寫角(Writing Corner) 301是對系統(tǒng)記錄性質(zhì)影響最大的部分。與傳統(tǒng)記錄磁極不同，如圖4所示，在瓦記錄系統(tǒng)中，由于寫磁極40每次寫入當(dāng)前位元422時(shí)都會(huì)覆蓋其后幾個(gè)磁道上的位元，所以寫磁極40只需要保證其寫入時(shí)，不會(huì)擦除前一位位元421以及前一磁道41即可。而在當(dāng)前位元422之后那些被覆蓋的位元信息，會(huì)在寫磁極40接下來的移動(dòng)中逐位重新寫入。另一方面，位元422延長線的法線與當(dāng)前磁道42的交角被稱為“斜交角”。在寫磁頭隨著磁頭臂沿徑向移動(dòng)的過程中，斜交角Θ也會(huì)隨之增大或減小。而無論斜交角增大或減小，寫磁極都有可能對前一位元(例如位元421)或者前一磁道(例如磁道41)產(chǎn)生擦除影響。比如，當(dāng)斜交角Θ增大時(shí)，寫磁極40的a邊會(huì)對前一位元421產(chǎn)生更大的影響,而當(dāng)斜交角Θ減小時(shí),寫磁極40的b邊會(huì)對前一磁道41產(chǎn)生更大的影響。圖5是系統(tǒng)寫入誤碼率與斜交角變化范圍的關(guān)系，從圖中可以看出，斜交角變化范圍增大后，系統(tǒng)寫入誤碼率明顯增大。因此，減小寫磁極的斜交角Θ的變化范圍，降低寫磁極40對前一比特421和前一磁道41的擦除影響，對于瓦記錄系統(tǒng)非常重要。到目前為止，瓦記錄系統(tǒng)的寫磁極只有一個(gè)寫角，所以，當(dāng)寫磁極由最內(nèi)磁道沿徑向移動(dòng)到最外磁道時(shí)，該單一寫角也必須隨之移動(dòng)跨越所有磁道，斜交角Θ的變化范圍較大(通常為18° 30° )，從而導(dǎo)致系統(tǒng)的寫入誤碼率較高。

發(fā)明內(nèi)容
針對現(xiàn)有技術(shù)的缺陷，本發(fā)明的目的在于提供一種縮小寫磁極斜交角變化范圍的方法，旨在解決現(xiàn)有瓦記錄系統(tǒng)中寫磁極斜交角變化范圍較大的問題，并能夠縮小斜交角變化范圍，從而降低系統(tǒng)的寫入誤碼率。為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供了一種縮小寫磁極斜交角變化范圍的方法，包括以下步驟:(I)判斷寫磁極是否需要寫內(nèi)記錄區(qū)，如果需要，則進(jìn)入步驟(2)，如果不需要，則進(jìn)入步驟(4)；(2)寫磁極采用瓦記錄方式，利用內(nèi)區(qū)寫角首先寫所需記錄的起始磁道，然后進(jìn)入步驟(3)；(3)寫磁極始終由內(nèi)區(qū)朝外區(qū)方向移動(dòng)，并在移動(dòng)過程中依次逐步寫入各條磁道，每次寫的當(dāng)前磁道都會(huì)覆蓋上一磁道一部分，直至所需寫入內(nèi)記錄區(qū)的信息全部寫完為止;(4)判斷寫磁極是否需要寫外區(qū)，如果需要，則進(jìn)入步驟(5)，如果不需要，則進(jìn)入步驟(7);(5)寫磁極采用瓦記錄方式，利用外區(qū)寫角首先寫所需記錄的起始磁道，然后進(jìn)入步驟(6)；(6)寫磁極始終由外區(qū)朝內(nèi)區(qū)方向移動(dòng)，并在移動(dòng)過程中依次逐步寫入各條磁道，每次寫的當(dāng)前磁道都會(huì)覆蓋上一磁道一部分，直至所需寫入外記錄區(qū)的信息全部寫完為止;(7)寫磁極采用常規(guī)記錄方式寫中間記錄區(qū)。內(nèi)區(qū)的范圍是盤片最內(nèi)磁道和中區(qū)內(nèi)邊界磁道之間的區(qū)域，外區(qū)的范圍是中區(qū)外邊界磁道與盤片最外磁道之間的區(qū)域，中區(qū)的范圍是中區(qū)內(nèi)邊界磁道和中區(qū)外邊界磁道之間的區(qū)域。中區(qū)內(nèi)邊界磁道與中區(qū)外邊界磁道是除了最內(nèi)磁道和最外磁道之外的任意磁道，且中區(qū)內(nèi)邊界磁道比中區(qū)外邊界磁道更靠近最內(nèi)磁道。通過本發(fā)明所構(gòu)思的以上技術(shù)方案，與現(xiàn)有技術(shù)相比，本方法具有以下的有益效果:本發(fā)明降低了磁盤寫磁極的斜交角變化范圍，從而降低了系統(tǒng)的寫入誤碼率:因?yàn)椴捎昧瞬襟E(3)和步驟(6)，寫磁極利用兩個(gè)不同的寫角，分別寫磁盤盤片的不同區(qū)域，寫磁極在不同區(qū)域中的斜交角變化范圍，均比利用單一寫角寫整個(gè)盤片的斜交角變化范圍低。因此，本發(fā)明降低了磁盤寫磁極的斜交角變化范圍，從而降低了系統(tǒng)的寫入誤碼率。本發(fā)明的另一目的在于提供一種使用上述縮小寫磁極斜交角變化范圍的方法的寫磁極，旨在解決現(xiàn)有瓦記錄系統(tǒng)中寫磁極斜交角變化范圍較大的問題，并能夠縮小斜交角變化范圍，從而降低系統(tǒng)的寫入誤碼率。為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供了一種使用上述縮小寫磁極斜交角變化范圍的方法的寫磁極。通過本發(fā)明所構(gòu)思的以上技術(shù)方案，與現(xiàn)有技術(shù)相比，本寫磁極具有以下的有益效果:本發(fā)明降低了磁盤寫磁極的斜交角變化范圍，從而降低了系統(tǒng)的寫入誤碼率:因?yàn)椴捎昧瞬襟E(3)和步驟(6)，寫磁極利用兩個(gè)不同的寫角，分別寫磁盤盤片的不同區(qū)域，寫磁極在不同區(qū)域中的斜交角變化范圍，均比利用單一寫角寫整個(gè)盤片的斜交角變化范圍低。因此，本發(fā)明降低了磁盤寫磁極的斜交角變化范圍，從而降低了系統(tǒng)的寫入誤碼率。為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明還提供了一種使用上述縮小寫磁極斜交角變化范圍的方法的寫磁極，包括內(nèi)區(qū)寫角和外區(qū)寫角，內(nèi)區(qū)寫角的大小α I可調(diào)節(jié)，且調(diào)節(jié)范圍為50° 120°，外區(qū)寫角的大小α 2可調(diào)節(jié)，且調(diào)節(jié)范圍為50。 120°。通過本發(fā)明所構(gòu)思的以上技術(shù)方案，與現(xiàn)有技術(shù)相比，本寫磁極具有以下的有益效果:因?yàn)椴捎昧藘蓚€(gè)大小可調(diào)的寫角，分別記錄盤片的不同區(qū)域，從而降低了寫磁極斜交角的變化范圍，并降低了磁盤的寫入誤碼率。為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明還提供了一種使用上述縮小寫磁極斜交角變化范圍的方法的寫磁極，包括內(nèi)區(qū)寫角和外區(qū)寫角，內(nèi)區(qū)寫角的大小α I可調(diào)節(jié)，調(diào)節(jié)范圍為50° 120°，外區(qū)寫角的大小α2可調(diào)節(jié)，調(diào)節(jié)范圍為50° 120°，內(nèi)區(qū)寫角的起始斜交角大小可調(diào)，其調(diào)節(jié)范圍為-30° ^30°，外區(qū)寫角的起始斜交角大小可調(diào)，其調(diào)節(jié)范圍為-30。 30。。通過本發(fā)明所構(gòu)思的以上技術(shù)方案，與現(xiàn)有技術(shù)相比，本寫磁極具有以下的有益效果:因?yàn)椴捎昧藘蓚€(gè)大小可 調(diào)的寫角，每個(gè)寫角負(fù)責(zé)記錄盤片的不同區(qū)域，并且兩個(gè)寫角的起始斜交角大小可調(diào)節(jié)，所以降低了寫磁極斜交角的變化范圍，并降低了磁盤的寫入誤碼率。


圖1是磁盤的內(nèi)部部分結(jié)構(gòu)俯視圖。圖2是現(xiàn)有寫磁頭結(jié)構(gòu)的ABS視圖。圖3是寫磁極采用瓦記錄方式寫入位元信息的示意圖。圖4是寫磁極的斜交角示意圖。圖5是系統(tǒng)寫入誤碼率與斜交角變化范圍的關(guān)系曲線。圖6是本發(fā)明磁盤盤片的記錄區(qū)劃分示意圖。圖7是本發(fā)明利用雙寫角寫入技術(shù)縮小寫磁極斜交角變化范圍的方法流程圖。圖8是本發(fā)明利用雙寫角寫入技術(shù)縮小寫磁極斜交角變化范圍的方法示意圖。圖9是使用本發(fā)明方法的一種寫磁極結(jié)構(gòu)的ABS視圖。圖10是使用本發(fā)明方法的另一種寫磁極結(jié)構(gòu)的ABS視圖。
具體實(shí)施例方式為了使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白，以下結(jié)合附圖及實(shí)施例，對本發(fā)明進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)說明。應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實(shí)施例僅僅用以解釋本發(fā)明，并不用于限定本發(fā)明。以下首先就本發(fā)明的術(shù)語進(jìn)行解釋和說明:內(nèi)記錄區(qū)(以下簡稱內(nèi)區(qū)):如圖6所示，以磁盤不同的磁道為邊界，將磁盤盤片60分為了三個(gè)記錄區(qū):內(nèi)記錄區(qū)66、中間記錄區(qū)67 (以下簡稱中區(qū))和外記錄區(qū)68 (以下簡稱外區(qū))，內(nèi)記錄區(qū)66的范圍是盤片最內(nèi)磁道61和中區(qū)內(nèi)邊界磁道62之間的區(qū)域，該區(qū)域包括最內(nèi)磁道61，但不包括中區(qū)內(nèi)邊界磁道62。中間記錄區(qū):圖6中，中間記錄區(qū)67的范圍是中區(qū)內(nèi)邊界磁道62和中區(qū)外邊界磁道63之間的區(qū)域，該區(qū)域既包括中區(qū)內(nèi)邊界磁道62，又包括中區(qū)外邊界磁道63。外記錄區(qū):圖6中，外記錄區(qū)68的范圍是中區(qū)外邊界磁道63與盤片最外磁道64之間的區(qū)域，該區(qū)域包括最外磁道64，但不包括中區(qū)外邊界磁道63。內(nèi)區(qū)寫角:僅用于記錄內(nèi)區(qū)中磁道的寫角。外區(qū)寫角:僅用于記錄外區(qū)中磁道的寫角。中區(qū)內(nèi)邊界磁道:在圖6中，中區(qū)內(nèi)邊界磁道62是除了盤片最內(nèi)磁道61和最外磁道64之外的任意磁道。中區(qū)內(nèi)邊界磁道62與中區(qū)外邊界磁道63可以為同一條磁道，也可以為兩條不同的磁道，且如果為兩條不同的磁道，中區(qū)內(nèi)邊界磁道62比中區(qū)外邊界磁道63更靠近最內(nèi)磁道。中區(qū)外邊界磁道:在圖6中，中區(qū)外邊界磁道63是除了盤片最內(nèi)磁道61和最外磁道64之外的任意磁道。中區(qū)外邊界磁道63與中區(qū)內(nèi)邊界磁道62可以為同一條磁道，也可以為兩條不同的磁道，且如果為兩條不同的磁道，中區(qū)內(nèi)邊界磁道62比中區(qū)外邊界磁道63更靠近最內(nèi)磁道。下面結(jié)合附圖和實(shí)例對本發(fā)明作進(jìn)一步具體的說明。本發(fā)明利用寫磁極不同寫角，采用瓦記錄和常規(guī)記錄方式分別寫磁盤不同的記錄區(qū)域以降低寫磁極斜交角變化范圍。如圖6所示，以磁盤不同的磁道為邊界，將磁盤盤片60分為了三個(gè)記錄區(qū):內(nèi)記錄區(qū)66 (以下簡稱內(nèi)區(qū))，中間記錄區(qū)67 (以下簡稱中區(qū))和外記錄區(qū)68 (以下簡稱外區(qū))。內(nèi)區(qū)66的范圍是盤片最內(nèi)磁道61和中區(qū)內(nèi)邊界磁道62之間的區(qū)域，中區(qū)67的范圍是中區(qū)內(nèi)邊界磁道62和中區(qū)外邊界磁道63之間的區(qū)域，外區(qū)68的范圍是中區(qū)外邊界磁道63與盤片最外磁道64之間的區(qū)域。中區(qū)內(nèi)邊界磁道62與中區(qū)外邊界磁道63是除了最內(nèi)磁道61和最外磁道64之外的任意磁道，且中區(qū)內(nèi)邊界磁道62比中區(qū)外邊界磁道63更靠近最內(nèi)磁道。如圖7和圖8所示，本發(fā)明縮小寫磁極斜交角變化范圍的方法包括以下步驟:(I)首先判斷寫磁極80是否需要寫內(nèi)記錄區(qū)81，如果需要，則進(jìn)入步驟(2);如果不需要，則進(jìn)入步驟(4)；(2)寫磁極80采用瓦記錄方式,利用內(nèi)區(qū)寫角801首先寫所需記錄的起始磁道,例如圖8中磁道811，然后進(jìn)入步驟(3)；(3)寫磁極80寫完該磁道(例如磁道811)后，朝盤片外區(qū)方向移動(dòng)一定距離，利用內(nèi)區(qū)寫角801寫下一磁道(例如磁道812)，該磁道會(huì)覆蓋上一磁道811 —部分。寫完磁道812之后，寫磁極80再次朝外區(qū)方向移動(dòng)一定距離，并利用內(nèi)區(qū)寫角801寫磁道813。以此類推，寫磁極利用內(nèi)區(qū)寫角801，始終由內(nèi)區(qū)朝外區(qū)方向移動(dòng)，并在移動(dòng)過程中依次逐步寫入各條磁道，每次寫的當(dāng)前磁道都會(huì)覆蓋上一磁道一部分，直至所需寫入內(nèi)記錄區(qū)81的信息全部與完為止；(4)判斷寫磁極80是否需要寫外記錄區(qū)82，如果需要，則進(jìn)入步驟(5);如果不需要，則進(jìn)入步驟(7)；(5)寫磁極80采用瓦記錄方式，利用外區(qū)寫角802首先寫所需記錄的起始磁道，例如圖8中磁道821，然后進(jìn)入步驟(6)；(6)寫磁極80寫完該磁道(例如磁道821)后，朝盤片內(nèi)區(qū)方向移動(dòng)一定距離，利用外區(qū)寫角802寫下一磁道(例如磁道822)，該磁道會(huì)覆蓋上一磁道821 —部分。寫完磁道822之后，寫磁極80再次朝內(nèi)區(qū)方向移動(dòng)一定距離，并利用外區(qū)寫角802寫磁道823。以此類推，寫磁極利用外區(qū)寫角802，始終由外區(qū)朝內(nèi)區(qū)方向移動(dòng)，并在移動(dòng)過程中依次逐步寫入各條磁道，每次寫的當(dāng)前磁道都會(huì)覆蓋上一磁道一部分，直至所需寫入外記錄區(qū)82的信息全部與完為止；(7)寫磁極80采用常規(guī)記錄方式寫中間記錄區(qū)83 ;具體而言，寫磁極80移動(dòng)到中區(qū)內(nèi)所需記錄的相應(yīng)磁道上方(例如圖8中磁道831)，采用常規(guī)記錄方式，利用寫磁極的寫邊(圖8中寫磁極的a邊)記錄該磁道。寫完該磁道后，移動(dòng)到中區(qū)下一個(gè)需要記錄的磁道上方(例如磁道832)，利用寫邊進(jìn)行寫入，直至所需寫入中間記錄區(qū)83的信息全部寫完。與內(nèi)記錄區(qū)和外記錄區(qū)不同，中間記錄區(qū)的磁道不相互覆蓋。本發(fā)明降低了磁盤寫磁極的斜交角變化范圍，從而降低了系統(tǒng)的寫入誤碼率:因?yàn)椴捎昧瞬襟E(3)和步驟(6)，寫磁極利用兩個(gè)不同的寫角，分別寫磁盤盤片的不同區(qū)域，寫磁極在不同區(qū)域中的斜交角變化范圍，均比利用單一寫角寫整個(gè)盤片的斜交角變化范圍低。因此，本發(fā)明降低了磁盤寫磁極的斜交角變化范圍，從而降低了系統(tǒng)的寫入誤碼率。圖9是使用圖7所示方法的一種`寫磁極的空氣軸承面(Air Bearing Surface,以下簡稱ABS)視圖，該寫磁極90包括內(nèi)區(qū)寫角901和外區(qū)寫角902,內(nèi)區(qū)寫角901的大小α I可調(diào)節(jié)，調(diào)節(jié)范圍為50° 120° ;外區(qū)寫角902的大小α 2也可調(diào)節(jié)，調(diào)節(jié)范圍為50° 120°，α I的大小與α 2無關(guān)。本實(shí)施方式的寫磁極90具有以下的優(yōu)點(diǎn):因?yàn)椴捎昧藘蓚€(gè)大小可調(diào)的寫角，分別記錄盤片的不同區(qū)域，從而降低了寫磁極斜交角的變化范圍，并降低了磁盤的寫入誤碼率。圖10是使用圖7所示方法的另一種寫磁極的ABS視圖，該寫磁極100包括內(nèi)區(qū)寫角1001和外區(qū)寫角1002。內(nèi)區(qū)寫角1001的大小α I可調(diào)節(jié)，調(diào)節(jié)范圍為50° 120°，外區(qū)寫角1002的大小α 2也可調(diào)節(jié)，調(diào)節(jié)范圍為50° 120°。內(nèi)區(qū)寫角1001的起始斜交角大小(即內(nèi)區(qū)寫角1001在寫盤片的最內(nèi)磁道時(shí)的斜交角大小)可調(diào)，其調(diào)節(jié)范圍為-30° ^30°，在本實(shí)施方式中，可以通過a邊調(diào)節(jié)；外區(qū)寫角1002的起始斜交角大小(即外區(qū)寫角1002在寫盤片的最外磁道時(shí)的斜交角大小)可調(diào)，其調(diào)節(jié)范圍為-30° ^30°，在本實(shí)施方式中，可以通過b邊調(diào)節(jié)。本實(shí)施方式的寫磁極100具有以下的優(yōu)點(diǎn):因?yàn)椴捎昧藘蓚€(gè)大小可調(diào)的寫角，每個(gè)寫角負(fù)責(zé)記錄盤片的不同區(qū)域，并且兩個(gè)寫角的起始斜交角大小可調(diào)節(jié)，所以降低了寫磁極斜交角的變化范圍，并降低了磁盤的寫入誤碼率。圖9與圖10所示的寫磁極結(jié)構(gòu)中，與寫角無關(guān)的部分，形狀可為任意可能的設(shè)計(jì)。具體而言，圖9與圖10所示的寫磁極結(jié)構(gòu)的下半部分(即隔斷符以下部分)形狀可為任意可能的設(shè)計(jì)。 本領(lǐng)域的技術(shù)人員容易理解，以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)所作的任何修改、等同替換和改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種縮小寫磁極斜交角變化范圍的方法，其特征在于，包括以下步驟: (1)判斷寫磁極是否需要寫內(nèi)記錄區(qū)，如果需要，則進(jìn)入步驟(2)，如果不需要，則進(jìn)入步驟(4)； (2)寫磁極采用瓦記錄方式，利用內(nèi)區(qū)寫角首先寫所需記錄的起始磁道，然后進(jìn)入步驟(3)； (3)寫磁極始終由內(nèi)區(qū)朝外區(qū)方向移動(dòng)，并在移動(dòng)過程中依次逐步寫入各條磁道，每次寫的當(dāng)前磁道都會(huì)覆蓋上一磁道一部分，直至所需寫入內(nèi)記錄區(qū)的信息全部寫完為止； (4)判斷寫磁極是否需要寫外區(qū)，如果需要，則進(jìn)入步驟(5)，如果不需要，則進(jìn)入步驟(7)； (5)寫磁極采用瓦記錄方式，利用外區(qū)寫角首先寫所需記錄的起始磁道，然后進(jìn)入步驟(6)； (6)寫磁極始終由外區(qū)朝內(nèi)區(qū)方向移動(dòng)，并在移動(dòng)過程中依次逐步寫入各條磁道，每次寫的當(dāng)前磁道都會(huì)覆蓋上一磁道一部分，直至所需寫入外記錄區(qū)的信息全部寫完為止； (7)寫磁極采用常規(guī)記錄方式寫中間記錄區(qū)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，內(nèi)區(qū)的范圍是盤片最內(nèi)磁道和中區(qū)內(nèi)邊界磁道之間的區(qū)域，外區(qū)的范圍是中區(qū)外邊界磁道與盤片最外磁道之間的區(qū)域，中區(qū)的范圍是中區(qū)內(nèi)邊界磁道和中區(qū)外邊界磁道之間的區(qū)域。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，其特征在于，中區(qū)內(nèi)邊界磁道與中區(qū)外邊界磁道是除了最內(nèi)磁道和最外磁道之外的任意磁道，且中區(qū)內(nèi)邊界磁道與中區(qū)外邊界磁道可以為同一條磁道，也可以為兩條不同的磁道，且如果為兩條不同的磁道，中區(qū)內(nèi)邊界磁道比中區(qū)外邊界磁道更靠近最內(nèi)磁道。
4.一種使用根據(jù)權(quán)利要求1所述方法的寫磁極。
5.一種使用根據(jù)權(quán)利要求1所述方法的寫磁極，其特征在于， 包括內(nèi)區(qū)寫角和外區(qū)寫角； 內(nèi)區(qū)寫角的大小α I可調(diào)節(jié)，且調(diào)節(jié)范圍為50° 120° ； 外區(qū)寫角的大小α 2可調(diào)節(jié)，且調(diào)節(jié)范圍為50° 120°。
6.一種使用根據(jù)權(quán)利要求1所述方法的寫磁極，其特征在于， 包括內(nèi)區(qū)寫角和外區(qū)寫角； 內(nèi)區(qū)寫角的大小α I可調(diào)節(jié)，調(diào)節(jié)范圍為50° 120° ； 外區(qū)寫角的大小α 2可調(diào)節(jié)，調(diào)節(jié)范圍為50° 120° ； 內(nèi)區(qū)寫角的起始斜交角大小可調(diào)，其調(diào)節(jié)范圍為-30° ^30° ； 外區(qū)寫角的起始斜交角大小可調(diào)，其調(diào)節(jié)范圍為-30° ^30°。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種縮小寫磁極斜交角變化范圍的方法，包括步驟判斷寫磁極是否需要寫內(nèi)區(qū)，如果需要，則寫磁極采用瓦記錄方式，利用內(nèi)區(qū)寫角首先寫所需記錄的起始磁道，然后寫磁極始終由內(nèi)區(qū)朝外區(qū)方向移動(dòng)，并在移動(dòng)過程中依次逐步寫入各條磁道，直至所需寫入內(nèi)區(qū)的信息全部寫完為止，如果不需要，則判斷寫磁極是否需要寫外區(qū)，如果需要，則寫磁極采用瓦記錄方式，利用外區(qū)寫角首先寫所需記錄的起始磁道，寫磁極始終由外區(qū)朝內(nèi)區(qū)方向移動(dòng)，并在移動(dòng)過程中依次逐步寫入各條磁道，直至所需寫入外區(qū)的信息全部寫完為止，如果不需要，則寫磁極采用常規(guī)記錄方式寫中間記錄區(qū)。本發(fā)明降低了磁盤寫磁極的斜交角變化范圍，從而降低了系統(tǒng)的寫入誤碼率。
文檔編號G11B5/58GK103177735SQ20131004244
公開日2013年6月26日 申請日期2013年2月4日 優(yōu)先權(quán)日2013年2月4日
發(fā)明者徐庶, 劉波, 陳進(jìn)才 申請人:華中科技大學(xué)