信息記錄介質(zhì)用玻璃基板的制造方法
【專利摘要】玻璃基板的制造方法具有進(jìn)行玻璃基板的研磨的工序、和在進(jìn)行了玻璃基板的研磨后進(jìn)行玻璃基板的清洗的工序。進(jìn)行玻璃基板的清洗的工序包含如下工序：在槽內(nèi)表面是由不銹鋼或樹脂構(gòu)成的第1槽中進(jìn)行玻璃基板的清洗；以及在第1槽中進(jìn)行玻璃基板的清洗的工序完成后，在槽內(nèi)表面是由石英構(gòu)成的第2槽中進(jìn)行玻璃基板的清洗。附著于玻璃基板的雜質(zhì)的電動電位值、上述不銹鋼和上述樹脂的電動電位值以及玻璃基板的電動電位值均為相同符號，與不銹鋼和樹脂的電動電位絕對值相比，玻璃基板的電動電位絕對值較大。
【專利說明】信息記錄介質(zhì)用玻璃基板的制造方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及信息記錄介質(zhì)用玻璃基板的制造方法。

【背景技術(shù)】
[0002]以往，在用于計算機等的信息記錄介質(zhì)(磁盤記錄介質(zhì))中，使用了鋁基板或者玻璃基板。在這些基板上形成有磁性薄膜層，利用磁頭使磁性薄膜層磁化，由此在磁性薄膜層中記錄信息。
[0003]近年來，在硬盤驅(qū)動器裝置中，開發(fā)出具有如下記錄密度的裝置:在I張2.5英寸的記錄介質(zhì)中記錄容量為500GB (單面250GB)、面記錄密度為630Gb/平方英寸以上，磁頭與信息記錄介質(zhì)之間的距離(飛行高度)進(jìn)一步縮小。
[0004]隨著飛行高度變小，為了抑制將信息記錄介質(zhì)用于硬盤驅(qū)動器裝置的情況下的不良(磁頭碰撞)，作為信息記錄介質(zhì)而被容許的基板表面的缺陷的大小也進(jìn)一步減小。此夕卜，關(guān)于信息記錄介質(zhì)用玻璃基板的表面缺陷，對大小以及個數(shù)的要求變得嚴(yán)格。
[0005]為了滿足這些嚴(yán)格的要求，在信息記錄介質(zhì)用玻璃基板的研磨加工、清洗方法上想辦法，想法來降低信息記錄介質(zhì)用玻璃基板的缺陷。但是，由于在磁性頭中采用的DFH(Dynamic Flying Height:動態(tài)飛行高度)機構(gòu)等，對信息記錄介質(zhì)的精度要求更加嚴(yán)格。
[0006]現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)
[0007]專利文獻(xiàn)
[0008]專利文獻(xiàn)1:日本特開2007-268448號公報


【發(fā)明內(nèi)容】

[0009]發(fā)明要解決的問題
[0010]該發(fā)明要解決的問題在于:在信息記錄介質(zhì)用玻璃基板的制造過程中，對降低信息記錄介質(zhì)用玻璃基板的缺陷的要求變得嚴(yán)格。
[0011]為了降低信息記錄介質(zhì)用玻璃基板的缺陷，該基板被要求高清潔度和高平滑度。
[0012]例如，在清洗半導(dǎo)體晶圓時，將被清洗物浸在石英槽中，施加超聲波(例如，專利文獻(xiàn)I)。
[0013]但是，在使用多個清洗槽來進(jìn)行玻璃基板的清洗時，如果簡單地將清洗槽全部設(shè)為石英槽，則不能夠充分地使附著于玻璃基板的附著物脫落。
[0014]本發(fā)明是鑒于上述實際情況而完成的，目的在于提供一種信息記錄介質(zhì)用玻璃基板的制造方法，能夠減少在信息記錄介質(zhì)用玻璃基板的制造過程中產(chǎn)生的不良。
[0015]用于解決問題的手段
[0016]本發(fā)明的信息記錄介質(zhì)用玻璃基板的制造方法具有進(jìn)行玻璃基板的研磨的工序、以及在進(jìn)行了玻璃基板的研磨后進(jìn)行玻璃基板的清洗的工序。
[0017]進(jìn)行玻璃基板的清洗的工序包含如下工序:在槽內(nèi)表面是由不銹鋼或樹脂構(gòu)成的第I槽中，進(jìn)行玻璃基板的清洗；以及在第I槽中進(jìn)行玻璃基板的清洗的工序完成后，在槽內(nèi)表面是由石英構(gòu)成的第2槽中，進(jìn)行玻璃基板的清洗。
[0018]附著于玻璃基板的雜質(zhì)的電動(zeta)電位值、上述不銹鋼和上述樹脂的電動電位值以及玻璃基板的電動電位值均為相同符號，與不銹鋼和樹脂的電動電位絕對值相比，玻璃基板的電動電位絕對值較大。
[0019]此外，在本說明書中，“附著于玻璃基板的雜質(zhì)”的概念包含:在玻璃基板的研磨工序中附著的研磨工序?qū)е碌碾s質(zhì)、清洗槽的材質(zhì)導(dǎo)致的雜質(zhì)中的一方或者雙方。
[0020]在I個實施方式中，在上述信息記錄介質(zhì)用玻璃基板的制造方法中，雜質(zhì)的電動電位絕對值與不銹鋼和樹脂的電動電位絕對值之差為1mV以上。
[0021]在I個實施方式中，在上述信息記錄介質(zhì)用玻璃基板的制造方法中，第I槽的槽內(nèi)表面由聚氯乙烯、聚四氟乙烯、聚丙烯和聚碳酸酯構(gòu)成的組中的一種材料構(gòu)成。
[0022]在I個實施方式中，在上述信息記錄介質(zhì)用玻璃基板的制造方法中，進(jìn)行玻璃基板的清洗的工序包含如下工序:在第2槽中進(jìn)行玻璃基板的清洗的工序之前，對玻璃基板進(jìn)行擦洗(Scrub Cleaner)。
[0023]在I個實施方式中，在上述信息記錄介質(zhì)用玻璃基板的制造方法中，在第2槽中進(jìn)行玻璃基板的清洗的工序包含如下工序:對玻璃基板施加900kHz以上的頻率的超聲波。
[0024]發(fā)明效果
[0025]根據(jù)本發(fā)明，能夠降低在信息記錄介質(zhì)用玻璃基板的制造過程中產(chǎn)生的不良。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0026]圖1是實施方式中的信息記錄介質(zhì)用玻璃基板的立體圖。
[0027]圖2是實施方式中的信息記錄介質(zhì)的立體圖。
[0028]圖3是示出實施方式中的信息記錄介質(zhì)的制造方法的流程圖。
[0029]圖4是示意性示出用于進(jìn)行本發(fā)明的實施例的各清洗工序的清洗裝置的圖。
[0030]圖5是示出清洗液的氫離子指數(shù)、雜質(zhì)、玻璃基板以及清洗槽內(nèi)表面的zeta電位之間的關(guān)系的圖。

【具體實施方式】
[0031]以下，對本發(fā)明的實施方式以及實施例進(jìn)行說明。此外，對于相同或者相當(dāng)?shù)牟糠?，有時標(biāo)注相同的參照標(biāo)號，且不再重復(fù)其說明。
[0032]此外，在以下說明的實施方式以及實施例中，在提及個數(shù)、數(shù)量等的情況下，除了特別說明的情況以外，本發(fā)明的范圍不限于該個數(shù)、數(shù)量等。此外，在以下的實施方式中，除了特別說明的情況以外，各個構(gòu)成要素對本發(fā)明不一定是必須的。
[0033](信息記錄介質(zhì)I的結(jié)構(gòu))
[0034]參照圖1和圖2，對信息記錄介質(zhì)用玻璃基板IG以及信息記錄介質(zhì)I的結(jié)構(gòu)進(jìn)行說明。圖1是信息記錄介質(zhì)用玻璃基板IG的立體圖，圖2是信息記錄介質(zhì)的立體圖。
[0035]如圖1所示，在信息記錄介質(zhì)I中使用的信息記錄介質(zhì)用玻璃基板IG (以下，稱作“玻璃基板1G”)呈在中心形成有孔11的環(huán)狀的圓板形狀。玻璃基板IG具有外周端面12、內(nèi)周端面13、正面主表面14以及反面主表面15。作為玻璃基板1G，使用了非晶質(zhì)玻璃等，例如，外徑約65mm,內(nèi)徑約20mm,厚度約0.8mm,表面粗糙度約2.0 A以下。
[0036]對玻璃基板IG的英寸尺寸沒有特別限定,可以制造0.8英寸、1.0英寸、1.8英寸、
2.5英寸、3.5英寸各種玻璃基板IG作為信息記錄介質(zhì)用的盤片。
[0037]為了有效應(yīng)對由下落沖擊導(dǎo)致的玻璃基板IG的破裂，玻璃基板IG的厚度優(yōu)選為
0.30mm?2.2mm。此處所謂玻璃基板IG的厚度表示在作為基板上的點對象的任意數(shù)點處測定的值的平均值。
[0038]如圖2所示，信息記錄介質(zhì)I在上述玻璃基板IG的正面主表面14上形成有磁性薄膜層23。在圖示中，僅在正面主表面14上形成磁性薄膜層23，但是，也可以在反面主表面15上設(shè)置磁性薄膜層23。
[0039]作為磁性薄膜層23的形成方法，可以使用現(xiàn)有公知的方法，例如可舉出在基板上旋涂分散有磁性粒子的熱固化性樹脂來形成的方法、通過濺射來形成的方法以及通過非電解鍍來形成的方法。
[0040]旋涂法得到的膜厚為約0.3?1.2 μ m左右，濺射法得到的膜厚為0.04?0.08 μ m左右，非電解鍍法得到的膜厚為0.05?0.1 μ m左右，出于薄膜化以及高密度化的觀點，基于濺射法和非電解鍍法的膜形成較好。
[0041]作為在磁性薄膜層23中使用的磁性材料，沒有特別限定，可以使用現(xiàn)有公知的方法，但是，為了得到高保持力，Co類合金等是合適的，Co類合金是以結(jié)晶各向異性高的Co為基礎(chǔ)，出于調(diào)整剩余磁通密度的目的添加N1、Cr而成的。近年來，作為適合于熱輔助記錄用的磁性層材料，使用了 FePt類的材料。
[0042]為了提高磁性頭的光滑度，可以在磁性薄膜層23的表面薄薄地涂覆潤滑劑。作為潤滑劑，例如可舉出用氟利昂類等溶劑將作為液體潤滑劑的全氟聚醚(PFPE)稀釋而成的潤滑劑。
[0043]根據(jù)需要，可以設(shè)置基底層、保護(hù)層。信息記錄介質(zhì)I中的基底層可根據(jù)磁性膜來進(jìn)行選擇。作為基底層的材料，例如可舉出從Cr、Mo、Ta、T1、W、V、B、Al、Ni等非磁性金屬中選出的至少一種以上的材料。
[0044]基底層不限于單層，也可以設(shè)為層疊相同種類或不同種類的層而成的多層結(jié)構(gòu)。例如,可以設(shè)為 Cr/Cr、Cr/CrMo、Cr/CrV, NiAl/Cr、NiAl/CrMo、NiAl/CrV 等的多層基底層。
[0045]作為防止磁性薄膜層23的磨損、腐蝕的保護(hù)層，例如，可舉出Cr層、Cr合金層、碳層、氫化碳層、氧化鋯層、二氧化硅層等。保護(hù)層可以通過內(nèi)聯(lián)型濺射裝置，與基底層、磁性膜等一起連續(xù)地形成。保護(hù)層可以是單層，或者由相同種類或不同種類的層構(gòu)成的多層結(jié)構(gòu)。
[0046]可以在上述保護(hù)層上形成其它保護(hù)層，或者，替代上述保護(hù)層而形成其它保護(hù)層。例如，替代上述保護(hù)層，在Cr層上，在用酒精類的溶劑稀釋四烷氧基硅烷得到的產(chǎn)物中，分散地涂覆膠態(tài)二氧化硅微粒子并進(jìn)行燒結(jié)，形成氧化硅(S12)層。
[0047](玻璃基板IG的制造工序)
[0048]接下來，參照圖3，對本實施方式的玻璃基板IG和信息記錄介質(zhì)I的制造方法進(jìn)行說明。圖3是示出玻璃基板IG和信息記錄介質(zhì)I的制造方法的流程圖。
[0049]首先，步驟10(以下，省略為“S10”，在步驟11以后也相同)的“玻璃熔融工序”中，使構(gòu)成玻璃基板的玻璃坯料熔融。
[0050]在Sll的“模壓(press)成型工序”中，通過使用了上模和下模的模壓，將熔融玻璃坯料制造成玻璃基板。所使用的玻璃組分使用了通常的鋁硅酸鹽玻璃。作為玻璃基板的制造方法，不限于成型，也可以是作為公知的方法的從板狀玻璃的切割等，玻璃組分也不限于此。
[0051]在S12的“第I磨削(lap)工序”中，對玻璃基板的兩主表面進(jìn)行磨削加工。該第I磨削工序是使用利用了行星齒輪機構(gòu)的雙面磨削裝置來進(jìn)行的。具體而言，從上下方將磨削盤按壓于玻璃基板的雙面，在玻璃基板的主表面上提供研削液，使它們相對地移動來進(jìn)行磨削加工。通過該磨削加工，得到具有大致平坦的主表面的玻璃基板。
[0052]在S13的“取心(- 7 U y V、工序”中，使用圓筒狀的金剛石鉆頭，在玻璃基板的中心部形成孔，制造出圓環(huán)狀的玻璃基板。通過鉆石磨具研削玻璃基板的內(nèi)周端面和外周端面，實施規(guī)定的倒角加工。
[0053]在S14的“第2磨削工序”中，與上述第I磨削工序(S12)同樣，對玻璃基板的兩主表面進(jìn)行磨削加工。通過進(jìn)行該第2磨削工序，能夠預(yù)先將在前工序的取心和端面加工中形成在主表面的細(xì)微的凹凸形狀去除。其結(jié)果是，能夠縮短后續(xù)工序中的主表面的研磨時間。
[0054]在S15的“外周研磨工序”中，在玻璃基板的外周端面,進(jìn)行基于磨刷(brush)研磨的鏡面研磨。作為此時的研磨磨粒，使用了包含通常的氧化鈰磨粒的漿料。
[0055]在S16的“第I拋光工序”中，進(jìn)行主表面研磨。該第I拋光工序的主目的是對在上述第I磨削工序和第2磨削工序(S12、S14)中殘留在主表面的劃痕和翹曲進(jìn)行矯正。在該第I拋光工序中，利用具有行星齒輪機構(gòu)的雙面研磨裝置來進(jìn)行主表面的研磨。作為研磨劑，使用了通常的氧化鈰磨粒。
[0056]在S17的“化學(xué)強化工序”中，對玻璃基板IG的主表面形成表面強化層。具體而言，在加熱到300°C的硝酸鉀(70% )和硝酸鈉(30% )的混合溶液中，將玻璃基板IG浸泡約30分鐘，由此進(jìn)行化學(xué)強化。其結(jié)果是，玻璃基板的內(nèi)周端面和外周端面的鋰離子和鈉離子分別被化學(xué)強化溶液中的鈉離子和鉀離子置換，形成壓縮應(yīng)力層，由此使玻璃基板的主表面和端面得到強化。
[0057]在S18的“第2拋光工序”中，實施主表面研磨工序。該第2拋光工序的目的是，消除在到上述為止的工序中產(chǎn)生并殘存在主表面上的微小缺陷等，精加工成鏡面狀，消除翹曲，精加工成期望的平坦度。在該第2拋光工序中，利用具有行星齒輪機構(gòu)的雙面研磨裝置來進(jìn)行研磨。為了得到平滑面，使用平均粒徑為約20nm的膠態(tài)二氧化硅作為研磨劑。
[0058]在S19的“最終清洗工序(Final Cleaning) ”中，實施玻璃基板的主表面、端面的最終清洗。由此，將殘存在玻璃基板上的附著物去除。
[0059]在S20的“磁性薄膜層成膜工序”中，在進(jìn)行了通過上述的工序而得到的玻璃基板的清洗后，在玻璃基板的兩個主表面，依次形成由Cr合金構(gòu)成的緊密附著層、由CoFeZr合金構(gòu)成的軟磁性層、由Ru構(gòu)成的指向控制基底層、由CoCrPt合金構(gòu)成的垂直磁性記錄層、C類的保護(hù)層、由F類構(gòu)成的潤滑層的膜，由此，制造出垂直磁性記錄方式的信息記錄介質(zhì)。該結(jié)構(gòu)是垂直磁性記錄方式的結(jié)構(gòu)的一例，可以構(gòu)成磁性層等作為面內(nèi)信息記錄介質(zhì)。然后，通過實施S21的“后熱處理工序”，完成信息記錄介質(zhì)。
[0060](最終清洗工序(S19)的實施方式)
[0061]以下，對上述最終清洗工序(S19)的具體的實施方式進(jìn)行說明。最終清洗工序(S19)包含如下工序:在槽內(nèi)表面(與清洗液接觸的面)是由不銹鋼或樹脂構(gòu)成的第I槽中，進(jìn)行玻璃基板的清洗；以及，在槽內(nèi)表面是由石英構(gòu)成的第2槽中，進(jìn)行玻璃基板的清洗。關(guān)于第I槽和第2槽，可以分別設(shè)置多個，也可以分別設(shè)置I個。
[0062]在本說明書中，有時將槽內(nèi)表面是由不銹鋼、樹脂和石英構(gòu)成的清洗槽分別稱作不銹鋼槽、樹脂槽和石英槽。
[0063]在典型的例中，第I槽是整體由不銹鋼構(gòu)成的槽，或者是在整體由不銹鋼構(gòu)成的槽的內(nèi)表面涂覆樹脂而成的槽，第2槽是整體由石英構(gòu)成的槽，但是，第I槽、第2槽的形態(tài)不限于上述方式。例如，可以將整體由樹脂構(gòu)成的槽作為樹脂層來使用，也可以將雙重結(jié)構(gòu)的槽(在外槽的外表面安裝超聲波產(chǎn)生器，在內(nèi)槽中放入清洗液)作為石英槽來使用，該雙重結(jié)構(gòu)為在由不銹鋼構(gòu)成的外槽中放入傳導(dǎo)液、并在該傳導(dǎo)液中設(shè)置由石英構(gòu)成的內(nèi)槽。
[0064]在第I槽和第2槽中分別進(jìn)行玻璃基板的清洗的工序可以包含超聲波清洗。在第2槽中進(jìn)行玻璃基板的清洗的工序是在第I槽中進(jìn)行玻璃基板的清洗的工序完成后進(jìn)行的。此外，在第2槽中進(jìn)行玻璃基板的清洗的工序之前，可以設(shè)置對玻璃基板進(jìn)行擦洗的工序。
[0065]作為構(gòu)成第I槽的樹脂，例如可考慮聚氯乙烯(PVC)、聚四氟乙烯(PTFE)、聚丙烯(PP)和聚碳酸酯(PC)等。此外，典型地，第I槽的厚度例如為0.03μπι以上且0.6μπι以下左右；典型地，第2槽的厚度大于第I槽的厚度，例如為Icm以上且3cm以下左右。
[0066]然而，當(dāng)在槽內(nèi)表面是由不銹鋼或樹脂構(gòu)成的清洗槽中進(jìn)行清洗的情況下，不銹鋼成分或樹脂成分會附著于玻璃基板，這有可能在后續(xù)工序中成為引起錯誤的因素。尤其是，不銹鋼成分的影響較大。
[0067]另一方面，在僅使用槽內(nèi)表面是由石英構(gòu)成的清洗槽的情況下，即使進(jìn)行超聲波清洗，也不能充分去除在研磨工序中附著的附著物。關(guān)于其原因，本發(fā)明 申請人:進(jìn)行了認(rèn)真研究，結(jié)果判明原因是:在石英槽中，由于在超聲波清洗時作為振動板的板厚的偏差較大，因此超聲波的衰減率產(chǎn)生偏差，在清洗中容易產(chǎn)生不均。
[0068]此外，在對石英槽使用了堿性的清洗液的情況下，石英有可能溶出。
[0069]因此，在本實施方式中，采用了如下思想:在不銹鋼槽或樹脂槽中進(jìn)行了清洗后，在石英槽中進(jìn)行最終的清洗。即，在本實施方式中，采用如下思想:針對由研磨工序?qū)е碌母街?，通過第I槽(不銹鋼槽或樹脂槽)中的清洗來去除，針對由清洗槽導(dǎo)致的附著物，通過第2槽(石英槽)中的清洗來去除。
[0070]在典型的例子中，在石英槽中，進(jìn)行較高頻率(作為一例，為900kHz以上)的超聲波清洗。通過進(jìn)行高頻率的超聲波清洗，能夠?qū)⒃诓讳P鋼槽或樹脂槽的清洗工序中不能充分去除的微小附著物去除。
[0071]此外，在本實施方式中，為了在第I槽的清洗中更有效地從玻璃基板去除附著物，對附著于玻璃基板的雜質(zhì)、第I槽內(nèi)表面和玻璃基板的電動電位大小關(guān)系進(jìn)行調(diào)整。具體而言，使附著于玻璃基板的雜質(zhì)(典型地，由研磨工序?qū)е碌哪z態(tài)二氧化硅等)的電動電位值(ζ I)、第I槽內(nèi)表面的電動電位值(ζ 2)以及玻璃基板的電動電位值U 3)均為相同符號(典型地，均為負(fù))，并且，使玻璃基板的電動電位絕對值(I ζ 3 I)大于第I槽內(nèi)表面的電動電位絕對值(I 4 2|)。
[0072]上述各zeta電位能夠通過調(diào)整清洗槽內(nèi)表面的材質(zhì)或清洗液的pH來進(jìn)行控制。優(yōu)選的是，將研磨工序?qū)е碌母街锏碾妱与娢唤^對值(I 4 1|)與第I槽內(nèi)表面的電動電位絕對值(I ζ 2|)之差調(diào)整為1mV以上左右。
[0073]此外，即使使用相同的清洗液，電動電位值也會因玻璃基板的材質(zhì)和清洗槽的材質(zhì)而變動。例如，在清洗槽的材質(zhì)為樹脂的情況下，當(dāng)清洗液的PH增大(朝強堿側(cè))時，玻璃基板上的附著物的電動電位絕對值與清洗槽內(nèi)表面的電動電位絕對值之差具有增大的趨勢。
[0074]這樣，清洗槽具有用于調(diào)整電動電位調(diào)整單元。此外，在增大清洗液的pH(朝強堿偵D時，投入氫氧化鈉(NaOH)或氫氧化鉀(KOH)，在減小清洗液的pH(酸性側(cè))時，投入鹽酸(HCl)或硫酸(H2SO4)來進(jìn)行調(diào)整。
[0075]如上所述，通過調(diào)整電動電位大小關(guān)系，在第I槽的清洗工序中，清洗槽中存在的雜質(zhì)對第I槽內(nèi)表面和玻璃基板雙方反彈，但是，對玻璃基板更強地反彈。其結(jié)果是，雜質(zhì)容易殘留在第I槽中，而難以附著于玻璃基板。但是，在雜質(zhì)緊緊附著于清洗槽或者沉淀在清洗槽上而積聚時，有時會成為清洗液污濁或朝玻璃基板再次附著的原因，因此，優(yōu)選的是，也將清洗槽壁面與雜質(zhì)(附著物)的zeta電位之差如上述那樣調(diào)整為1mV以上左右。
[0076]這樣，在本實施方式中，分開使用兩種清洗槽來實施清洗工序，并且，在第I槽的清洗工序中，以能夠更有效地去除雜質(zhì)的方式調(diào)整電動電位大小關(guān)系，由此,作為結(jié)果,能夠有效地去除在信息記錄介質(zhì)用玻璃基板的制造過程中成為不良原因的附著物。
[0077]<實施例>
[0078]以下，通過實施例和比較例，對上述最終清洗工序(S19)的具體的清洗工序進(jìn)行說明。
[0079]在上述“最終清洗工序(S19) ”中，使用圖4所示的清洗裝置100，實施玻璃基板的清洗。該清洗裝置100具有玻璃基板裝載站LD、第I清洗站101 (添加了氟化氫的酸清洗、PH = 3)、第2清洗站102 (使用了純水的清洗)、第3清洗站103 (使用了酸性洗劑的清洗、pH = 3)、第4清洗站104 (使用了純水的超聲波清洗:130kHz)、第5清洗站105 (使用了純水的超聲波清洗:950kHz)，第6清洗站106 (IPA干燥)和玻璃基板卸載站ULD，在各站之間依次傳送玻璃基板。
[0080]另外，在實施例1?3和比較例I?4中，均在共由6個槽構(gòu)成的清洗槽中進(jìn)行清洗工序。
[0081]在本實施例中，在第I清洗站101、第2清洗站102、第4清洗站104中，使用在不銹鋼槽的內(nèi)表面施加了 PVC(聚氯乙烯)涂層的樹脂槽，在第3清洗站103中，使用在不銹鋼槽的內(nèi)表面施加了 PTFE (聚四氟乙烯)涂層的樹脂槽，在第5清洗站105中，使用了槽整體由石英構(gòu)成的石英槽。
[0082]此外，作為玻璃基板，使用如下條件。
[0083]Si0250-70%
[0084]Al2030-20%
[0085]B2030-5%
[0086]其中，Si02+Al203+B203= 50-85%
[0087]Li2O = 3-10%，Na2O = 4-15%, K2O = 0.1-5%
[0088]Mg0+Ca0+Ba0+Sr0+Zn0 = 2-20%
[0089](注:均為重量％)
[0090]在實施例2、3和比較例I~4中，改變在第3清洗站103的清洗槽的內(nèi)表面的涂層中使用的樹脂，改變清洗液的氫離子指數(shù)(PH)，根據(jù)表1所示的7個條件(實施例1~3和比較例I~4)，實施清洗工序。此外，在第3清洗站103以外，在任意實施例和比較例中，均以相同的條件進(jìn)行清洗。
[0091]圖5示出了上述組分的玻璃基板、樹脂槽、石英槽以及膠態(tài)二氧化硅(研磨工序?qū)е碌母街?的zeta電位與清洗液的氫離子指數(shù)(pH)之間的關(guān)系。此外，圖5中的樹脂槽A是在不銹鋼槽的內(nèi)表面施加了 PVC涂層的樹脂槽，樹脂槽B是在不銹鋼槽的內(nèi)表面施加了 PTFE涂層的樹脂槽。
[0092]如圖5所示，各zeta電位根據(jù)清洗液的氫離子指數(shù)而變動，因此，通過調(diào)整清洗液的氫離子指數(shù)或樹脂槽內(nèi)表面的材料，能夠得到上述電動電位大小關(guān)系。
[0093][表 I]
[0094]

【權(quán)利要求】
1.一種信息記錄介質(zhì)用玻璃基板的制造方法，具有如下工序: 進(jìn)行玻璃基板的研磨；以及 在進(jìn)行所述玻璃基板的研磨后，進(jìn)行所述玻璃基板的清洗， 進(jìn)行所述玻璃基板的清洗的工序包含如下工序: 在槽內(nèi)表面是由不銹鋼或樹脂構(gòu)成的第I槽中，進(jìn)行所述玻璃基板的清洗；以及在所述第I槽中進(jìn)行所述玻璃基板的清洗的工序完成后，在槽內(nèi)表面是由石英構(gòu)成的第2槽中，進(jìn)行所述玻璃基板的清洗， 附著于所述玻璃基板的雜質(zhì)的電動電位的值、所述不銹鋼和所述樹脂的電動電位值以及所述玻璃基板的電動電位值均為相同符號，與所述不銹鋼和所述樹脂的電動電位絕對值相比，所述玻璃基板的電動電位絕對值較大。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的信息記錄介質(zhì)用玻璃基板的制造方法，其中， 所述雜質(zhì)的電動電位絕對值與所述不銹鋼和所述樹脂的電動電位絕對值之差為1mV以上。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的信息記錄介質(zhì)用玻璃基板的制造方法，其中， 所述第I槽的槽內(nèi)表面由聚氯乙烯、聚四氟乙烯、聚丙烯和聚碳酸酯所構(gòu)成的組中的一種材料構(gòu)成。
4.根據(jù)權(quán)利要求1?3中的任意一項所述的信息記錄介質(zhì)用玻璃基板的制造方法，其中， 進(jìn)行所述玻璃基板的清洗的工序包含如下工序:在所述第2槽中進(jìn)行所述玻璃基板的清洗的工序之前，對所述玻璃基板進(jìn)行擦洗。
5.根據(jù)權(quán)利要求1?4中的任意一項所述的信息記錄介質(zhì)用玻璃基板的制造方法，其中， 在所述第2槽中進(jìn)行所述玻璃基板的清洗的工序包含如下工序:對所述玻璃基板施加900kHz以上的頻率的超聲波。
【文檔編號】G11B5/84GK104137180SQ201280061332
【公開日】2014年11月5日 申請日期:2012年12月19日 優(yōu)先權(quán)日:2011年12月28日
【發(fā)明者】島津典子 申請人:Hoya株式會社