調(diào)節(jié)相變存儲(chǔ)器單元的制作方法【專利摘要】本發(fā)明建議了一種用于調(diào)節(jié)至少一個(gè)相變存儲(chǔ)器PCM單元的方法。該P(yáng)CM單元的特征在于多個(gè)預(yù)定義的特征或特質(zhì)。針對(duì)預(yù)調(diào)節(jié)，向PCM施加至少一個(gè)調(diào)節(jié)脈沖，使得該多個(gè)預(yù)定義特征中的至少一個(gè)選定特征被改變至期望值。【專利說明】調(diào)節(jié)相變存儲(chǔ)器單元【
技術(shù)領(lǐng)域：
】[0001]本發(fā)明涉及用于調(diào)節(jié)具有多個(gè)預(yù)定義特征的至少一個(gè)相變存儲(chǔ)器(PCM)單元的方法和設(shè)備?！?br>背景技術(shù)：
】[0002]相變存儲(chǔ)器(PCM)是非易失性固態(tài)存儲(chǔ)器技術(shù)，其利用不同導(dǎo)電率的某些狀態(tài)之間特定硫?qū)倩衔锏目赡妗彷o助切換。[0003]PCM主要?dú)w因于其突出的特點(diǎn)(包括低延遲、高穩(wěn)定性、長(zhǎng)持久性和高可縮放性)，成為有前途的、先進(jìn)的新興非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)。PCM可視為針對(duì)閃速替換、嵌入式/混合式存儲(chǔ)器和儲(chǔ)存類存儲(chǔ)器的主要候選。對(duì)于PCM技術(shù)競(jìng)爭(zhēng)力的關(guān)鍵要求可以是多層級(jí)單元功能性(尤其對(duì)于每位(bit)的低成本而言)，以及高速讀取/寫入操作(尤其對(duì)于高帶寬而言)。多層級(jí)功能性(即，針對(duì)每個(gè)PCM單元的多個(gè)位)可以是增大容量以及由此降低成本的方式。[0004]多層級(jí)PCM是以存儲(chǔ)最低(SET)電阻值和最高(RESET)電阻值之間的多個(gè)電阻水平為基礎(chǔ)的。多個(gè)電阻水平或水平對(duì)應(yīng)于PCM單元的部分非結(jié)晶的和部分結(jié)晶的相位分布。相位變換(即，存儲(chǔ)器編程)可以通過焦耳加熱來啟用。就此而言，焦耳加熱可受控于編程電流或電壓脈沖。在PCM單元中存儲(chǔ)多個(gè)電阻水平是挑戰(zhàn)性的任務(wù)。[0005]例如，圖1示出了用于對(duì)PCM單元進(jìn)行編程的RESET脈沖和SET脈沖的圖示。圖1圖示的X軸示出了時(shí)間t，并且y軸示出了溫度T和電流I。RESET脈沖短于SET脈沖，但是其具有較高的電流幅度。此外，RESET脈沖超過融化溫度Tjnelt。相反，SET脈沖落入融化溫度Tjnelt和玻璃化溫度T_glass之間。[0006]此外，可能要注意的是，理想的非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)擁有多個(gè)特征或特點(diǎn)，這些特征或特點(diǎn)使得其能夠在多個(gè)不同應(yīng)用中、跨差異巨大的工作負(fù)荷進(jìn)行使用。這種特征包括高編程速度、低編程功率、每位的低成本、可靠性，就所存儲(chǔ)信息隨時(shí)間和/或溫度的穩(wěn)定性方面而言，針對(duì)低誤差率的較大噪聲裕度(margin)和高循環(huán)持久性。對(duì)于單元編程特征的持久性影響在參考文獻(xiàn)[I]到[4]中進(jìn)行報(bào)道。[0007]關(guān)于高編程速度，快速讀取和寫入對(duì)于傳統(tǒng)上主要由DRAM服務(wù)的高性能主存儲(chǔ)器應(yīng)用而言是關(guān)鍵的。關(guān)于低編程功率，該方式是最小化每個(gè)存儲(chǔ)位的能量。這可能對(duì)于嵌入式應(yīng)用和縮放至將來技術(shù)節(jié)點(diǎn)而言是關(guān)鍵的。關(guān)于每個(gè)位的低成本，這可能至少部分由多層級(jí)單元(MLC)儲(chǔ)存器實(shí)現(xiàn)。[0008]傳統(tǒng)的非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)僅具有上述特點(diǎn)的子集，該子集使得這些技術(shù)不適合于通用存儲(chǔ)器。具體地，閃存受到非常長(zhǎng)的寫入/擦除延遲和低持久性的困擾，這可能使其不能用作主存儲(chǔ)器乃至混合存儲(chǔ)器，例如，與作為高速緩存的DRAM—起，或者充當(dāng)DRAM的高速緩存。PCM繼而針對(duì)寫入表現(xiàn)出每個(gè)位的相對(duì)高的能量，并且可能具有可靠性問題，這主要是由于短期電阻漂移引起的。[0009]另一方面，電阻式RAM(尤其是基于離子的)無論是持久性方面還是單元狀態(tài)退化方面可能受困于低可靠性。[0010]典型地，可以以另一期待特征的退化為代價(jià)，實(shí)現(xiàn)上述期待特征中一個(gè)或多個(gè)的改進(jìn)。傳統(tǒng)的折衷(trade-off)是增大低電阻狀態(tài)(SET)和高電阻狀態(tài)(RESET)之間的電阻裕度(R-裕度)，這以較高的編程功率(其典型的有害于單元持久性)為代價(jià)支持MLC存儲(chǔ)。[0011]因此，本發(fā)明的一個(gè)方面在于定制PCM單元的特征?！?br/>發(fā)明內(nèi)容】[0012]根據(jù)本發(fā)明第一方面的實(shí)施方式，提供了一種用于調(diào)節(jié)至少一個(gè)相變存儲(chǔ)器(PCM)單元的方法。該P(yáng)CM單元的特征在于多個(gè)預(yù)定義特征、特質(zhì)、特點(diǎn)或?qū)傩?。為了調(diào)節(jié)或預(yù)調(diào)節(jié)，向PCM單元施加至少一個(gè)調(diào)節(jié)脈沖,使得多個(gè)預(yù)定義特征的至少一個(gè)選定特征改變至期望值。[0013]根據(jù)某些實(shí)現(xiàn)，可以定制PCM單元的特征(尤其是PCM單元的編程特征)以適合于不同的應(yīng)用乃至多個(gè)應(yīng)用。具體地，也可以提供PCM單元性能的同時(shí)增強(qiáng)，以及MLC能力的增強(qiáng)和編程功率的降低。由此，可以提供通用存儲(chǔ)器，其可以根據(jù)選擇的應(yīng)用進(jìn)行調(diào)整或定制。[0014]根據(jù)某些實(shí)現(xiàn)，可以根據(jù)目標(biāo)應(yīng)用或選擇的應(yīng)用、實(shí)現(xiàn)期待的特征或?qū)傩灾g的若干有利折衷，尤其是通過改變調(diào)節(jié)脈沖的參數(shù)實(shí)現(xiàn)。由此，PCM單元可以接近類DRAM行為，包括快速讀取/寫入和高可靠性。此外，通過施加不同的調(diào)節(jié)脈沖，PCM單元可以接近類儲(chǔ)存器行為，尤其是歸因于較高M(jìn)LC能力的每位低開銷。這是可以實(shí)現(xiàn)的，因?yàn)閷?duì)單元特征的影響可依賴于所施加調(diào)節(jié)脈沖的能量。[0015]根據(jù)某些實(shí)現(xiàn)，可以提供帶有單元循環(huán)的PCM單的SET電阻(R-SET)的降低和編程(電阻與電壓，或R-V)曲線的快速擴(kuò)展。具體地，在適當(dāng)電流處的短持續(xù)時(shí)間DC調(diào)節(jié)脈沖可以模仿此效果。此外，預(yù)調(diào)節(jié)的PCM單元的單元持續(xù)時(shí)間可以不受損害。[0016]如前所述，若干有利的折衷都是可行的，尤其就定制的或通用的存儲(chǔ)器特征方面。例如，可以提供針對(duì)給定編程延遲和功率的較高R-裕度。較高的R-裕度繼而可以支持更多層級(jí)或更高噪音裕度的儲(chǔ)存與更好漂移容忍之間的折衷。[0017]根據(jù)另一示例，可以針對(duì)固定R-裕度和固定編程功率提供短程序延遲。此處，高性能存儲(chǔ)器應(yīng)用可以是可行的。[0018]根據(jù)另一示例，可以針對(duì)固定R-裕度和固定程序延遲提供較低編程功率。由此，可以提供每位低能量和高持續(xù)時(shí)間，這使得PCM單元可以用于技術(shù)擴(kuò)展。[0019]根據(jù)另一示例，R窗口可以在相同的R-裕度和編程功率處向下位移。對(duì)于快速傳感存儲(chǔ)器應(yīng)用而言，這可能是期待的。此外，可以提供較低的漂移和較低的電阻。[0020]根據(jù)某些實(shí)現(xiàn)，特征或?qū)傩缘母鞣N期待組合都是可行的，尤其是關(guān)于將存儲(chǔ)器特征針對(duì)多種不同應(yīng)用進(jìn)行定制而言，或者接近可以在存儲(chǔ)器儲(chǔ)存等級(jí)體系中起各種作用的儲(chǔ)存器類存儲(chǔ)器而言。[0021]在一個(gè)實(shí)施方式中，該方法包括:從多個(gè)預(yù)定義特征中選擇待改變的至少一個(gè)特征，選擇用于將選擇的特征改變至期望值或以定義的方式改變的至少一個(gè)調(diào)節(jié)脈沖，以及向PCM單元施加至少一個(gè)調(diào)節(jié)脈沖，使得選擇的特征被改變至期望的值或定義的方式。[0022]該調(diào)節(jié)脈沖可以根據(jù)待改變的所選特征(以及，具體的是根據(jù)所選特征的期望值)進(jìn)行選擇。[0023]在其他實(shí)施方式中，該方法包括:從針對(duì)PCM單元預(yù)定的行為集合中選擇特定行為，依據(jù)選擇的特定行為來選擇至少一個(gè)調(diào)節(jié)脈沖，以及向PCM單元施加至少一個(gè)調(diào)節(jié)脈沖，使得該P(yáng)CM單元獲得選擇的特定行為。此處，依據(jù)針對(duì)PCM單元選擇的特定行為來選擇或生成調(diào)節(jié)脈沖。[0024]在另一實(shí)施方式中，該方法包括:從針對(duì)PCM單元的預(yù)定行為集合中選擇特定行為，根據(jù)選擇的特定行為，從多個(gè)預(yù)定義特征中選擇待改變的至少一個(gè)特征，選擇用于將選擇的至少一個(gè)特征改變?yōu)槠谕档闹辽僖粋€(gè)調(diào)節(jié)脈沖，以及向PCM單元施加至少一個(gè)調(diào)節(jié)脈沖，使得選擇的至少一個(gè)特征改變至期望值。[0025]在另一實(shí)施方式中，多個(gè)預(yù)定義特征包括PCM單元的最低(SET)電阻值和最高(RESET)電阻值之間的某個(gè)電阻裕度，定義為將PCM單元帶至確定(definite)低電阻狀態(tài)所需編程脈沖的持續(xù)期間的特定編程速度，以及定義為將該單元帶至確定高電阻狀態(tài)所需編程脈沖功率的特定編程功率。[0026]如上所述，通過利用某個(gè)持續(xù)時(shí)間的特定電流或電壓脈沖偏置PCM單元來實(shí)現(xiàn)PCM單元的調(diào)節(jié)。調(diào)節(jié)脈沖的形狀、持續(xù)時(shí)間和幅度可以取決于調(diào)節(jié)之后存儲(chǔ)器的目標(biāo)特征來進(jìn)行調(diào)整。[0027]在其他實(shí)施方式中，該方法包括:選擇預(yù)定義特征中的兩個(gè)并固定這兩個(gè)特征，以及通過至少一個(gè)調(diào)節(jié)脈沖來改變非固定第三預(yù)定義特征。此處，兩個(gè)特征是固定的，例如，電阻裕度和編程速度，而第三特征(此處例如是編程功率)以選擇的特定方式改變。[0028]在其他實(shí)施方式中，該方法包括:選擇預(yù)定義特征中的一個(gè)并固定該特征，以及通過至少一個(gè)調(diào)節(jié)脈沖將另外兩個(gè)預(yù)定義特征改變?yōu)槠谕怠４颂?，一個(gè)特征是固定的，例如電阻裕度，而另外兩個(gè)特征(此處，例如編程功率和編程速度)以選擇的特定方式改變。[0029]在其他實(shí)施方式中，調(diào)節(jié)脈沖具有至少是用于編程PCM單元以具有最高(RESET)電阻值的RESET編程脈沖至少IO4倍(尤其是IO5倍)長(zhǎng)的持續(xù)時(shí)間，其中RESET編程脈沖的持續(xù)時(shí)間短于100ns。[0030]在其他實(shí)施方式中，調(diào)節(jié)脈沖由單個(gè)長(zhǎng)脈沖實(shí)現(xiàn)，或者由一系列短脈沖實(shí)現(xiàn)，其中短脈沖的每一個(gè)是方形脈沖，即，具有非常短上升沿和下降沿的矩形脈沖。具體地，短脈沖具有與RESET脈沖類似的持續(xù)時(shí)間。例如，長(zhǎng)脈沖具有等于RESET脈沖持續(xù)時(shí)間至少IO4倍的持續(xù)時(shí)間。[0031]在其他實(shí)施方式中，在PCM單元用于針對(duì)PCM單元的多個(gè)應(yīng)用中特定應(yīng)用之前、向PCM單元施加一次調(diào)節(jié)脈沖。由此，PCM單元在其被制造出之后、在特定應(yīng)用中使用之前被預(yù)調(diào)節(jié)。[0032]具體地，PCM單元受控于連接至位線的第一端子和連接至字線的第二端子。調(diào)節(jié)脈沖可以是施加至字線以及由此施加至第二端子的調(diào)節(jié)脈沖。備選地，調(diào)節(jié)脈沖可以是施加至位線和第一端子的調(diào)節(jié)脈沖。備選地，PCM單元可以受控于單個(gè)端子，與二極管選擇器器件中的典型情況相同。在此情況中，調(diào)節(jié)脈沖是施加至此單個(gè)端子的脈沖。[0033]在其他實(shí)施方式中，根據(jù)針對(duì)PCM單元的多個(gè)應(yīng)用中的選定應(yīng)用來調(diào)整調(diào)節(jié)脈沖的持續(xù)時(shí)間、幅度和形狀的至少一個(gè)。[0034]例如，調(diào)節(jié)脈沖可以是定義的形狀(例如，矩形、三角形或不規(guī)則四邊形)的DC脈沖。[0035]在其他實(shí)施方式中，該方法包括:選擇PCM單元陣列的子集，以及向選擇的子集的PCM單元施加至少一個(gè)調(diào)節(jié)脈沖，使得多個(gè)預(yù)定義特征的至少一個(gè)選定特征得以改變。[0036]在其他實(shí)施方式中，該方法包括:標(biāo)識(shí)陣列中針對(duì)其的預(yù)定義特征不具有期望值的那些PCM單元，以及向標(biāo)識(shí)的PCM單元施加至少一個(gè)調(diào)節(jié)脈沖，使得標(biāo)識(shí)的PCM單元的特征獲得期望值。[0037]第一方面的任何實(shí)施方式可以與第一方面的任何實(shí)施方式組合，以獲得第一方面的另一實(shí)施方式。[0038]根據(jù)第二方面的實(shí)施方式，本發(fā)明涉及一種包括程序代碼的計(jì)算機(jī)程序，用于當(dāng)在至少一個(gè)計(jì)算機(jī)上運(yùn)行時(shí)、執(zhí)行用于調(diào)節(jié)至少一個(gè)PCM單元的第一方面的方法。[0039]根據(jù)第三方面的實(shí)施方式，提供了一種用于調(diào)節(jié)至少一個(gè)相變存儲(chǔ)器(PCM)單元的設(shè)備。該P(yáng)CM單元的特征在于多個(gè)預(yù)定義特征或特性。該設(shè)備包括預(yù)調(diào)節(jié)器，被配置用于向PCM單元施加至少一個(gè)調(diào)節(jié)脈沖，使得多個(gè)預(yù)定義特征的至少一個(gè)選擇特征改變至期望值。[0040]預(yù)調(diào)節(jié)器也可以稱為偏置器。預(yù)調(diào)節(jié)器或偏置器可以是任何偏置裝置。[0041]各個(gè)裝置，尤其是預(yù)調(diào)節(jié)器或偏置器，可以以硬件或軟件實(shí)現(xiàn)。如果所述裝置以硬件實(shí)現(xiàn)，則其可以實(shí)現(xiàn)為設(shè)備，例如，計(jì)算機(jī)或處理器或系統(tǒng)(例如，計(jì)算機(jī)系統(tǒng))的一部分。如果所述裝置以軟件實(shí)現(xiàn)，則其可以實(shí)現(xiàn)為計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品，功能，例程，程序代碼或可執(zhí)行對(duì)象。[0042]在下文中，參考附圖來描述本發(fā)明的示例性實(shí)施方式?！緦＠綀D】【附圖說明】[0043]圖1示出了用于對(duì)PCM單元進(jìn)行編程的RESET脈沖和SET脈沖的圖；[0044]圖2示出了用于調(diào)節(jié)PCM單元的方法步驟序列的第一實(shí)施方式；[0045]圖3-8示出了針對(duì)不同脈沖寬度的PCM單元的R-V曲線示例；[0046]圖9示出了用于調(diào)節(jié)PCM單元的方法步驟序列的第二實(shí)施方式；[0047]圖10示出了在調(diào)節(jié)PCM單元之前、PCM單元的R-V曲線的第一示例；[0048]圖11示出了在調(diào)節(jié)PCM單元之后、針對(duì)1.5V調(diào)節(jié)脈沖的R-V曲線的第一示例；[0049]圖12示出了在調(diào)節(jié)PCM單元之后、針對(duì)2.5V調(diào)節(jié)脈沖的R-V曲線的第一示例；[0050]圖13示出了在調(diào)節(jié)PCM單元之后、針對(duì)3.0V調(diào)節(jié)脈沖的R-V曲線的第一示例；[0051]圖14不出了不意電阻裕度、編程速度和編程功率的二角關(guān)系的不例圖不；[0052]圖15示出了在調(diào)節(jié)PCM單元之前、PCM單元的R-V曲線的第二示例；[0053]圖16示出了在調(diào)節(jié)PCM單元之后、針對(duì)1.5V調(diào)節(jié)脈沖的R-V曲線的第二示例；[0054]圖17示出了在調(diào)節(jié)PCM單元之后、針對(duì)2.5V調(diào)節(jié)脈沖的R-V曲線的第二示例；[0055]圖18示出了在調(diào)節(jié)PCM單元之后、針對(duì)3.0V調(diào)節(jié)脈沖的R-V曲線的第二示例；[0056]圖19示出了在調(diào)節(jié)PCM單元之前、PCM單元R-V曲線的第三示例；[0057]圖20示出了在調(diào)節(jié)PCM單元之后、針對(duì)1.5V調(diào)節(jié)脈沖的R-V曲線的第三示例；[0058]圖21示出了在調(diào)節(jié)PCM單元之后、針對(duì)2.5V調(diào)節(jié)脈沖的R-V曲線的第三示例；[0059]圖22示出了在調(diào)節(jié)PCM單元之后、針對(duì)3.0V調(diào)節(jié)脈沖的R-V曲線的第三示例；[0060]圖23示出了在調(diào)節(jié)PCM單元之前、PCM單元的R-V曲線的第四示例；[0061]圖24示出了在調(diào)節(jié)PCM單元之后、針對(duì)1.5V調(diào)節(jié)脈沖的R-V曲線的第四示例；[0062]圖25示出了在調(diào)節(jié)PCM單元之后、針對(duì)2.5V調(diào)節(jié)脈沖的R-V曲線的第四示例；[0063]圖26示出了在調(diào)節(jié)PCM單元之后、針對(duì)3.0V調(diào)節(jié)脈沖的R-V曲線的第四示例；[0064]圖27示出了用于調(diào)節(jié)PCM單元的設(shè)備實(shí)施方式的框圖；以及[0065]圖28示出了適用于執(zhí)行用以調(diào)節(jié)PCM單元的方法的系統(tǒng)實(shí)施方式的示意框圖。[0066]在附圖中，如無相反指示，類似的元素或功能類似的元素已經(jīng)分配了相同的附圖己O【具體實(shí)施方式】[0067]在圖2中，描述了用于調(diào)節(jié)PCM單元的方法步驟序列的第一實(shí)施方式。[0068]在步驟201中，提供PCM單元，其具有多個(gè)預(yù)定義特征，例如，用于編程PCM單元的某個(gè)編程功率和某個(gè)編程速度，以及某個(gè)R-裕度。具體地，提供PCM單元作為PCM單元陣列的一部分。具體地，PCM單元是多層級(jí)PCM單元，其被配置用于存儲(chǔ)位于最低(SET)和最高(RESET)電阻值之間的多個(gè)電阻水平。[0069]相應(yīng)的PCM單元可受控于連接至位線的第一端子和連接至字線的第二端子。備選地，可以采用具有控制PCM單元的一個(gè)端子的選擇設(shè)備，如同二極管的情況那樣。[0070]在步驟202中，向PCM單元施加至少一個(gè)調(diào)節(jié)脈沖，使得該多個(gè)預(yù)定義特征的至少一個(gè)選定特征改變?yōu)槠谕怠0071]具體地，所述步驟202可以包括從該多個(gè)預(yù)定義特征中選擇待改變的至少一個(gè)特征，選擇用于以預(yù)定方式改變選定特征的至少一個(gè)調(diào)節(jié)脈沖，以及通過選定的至少一個(gè)調(diào)節(jié)脈沖偏置該P(yáng)CM單元，使得選定的特征以定義的方式改變。[0072]例如，該調(diào)節(jié)脈沖具有這樣的持續(xù)時(shí)間，該持續(xù)時(shí)間是用于對(duì)PCM單元進(jìn)行編程以具有RESET電阻值的編程脈沖的至少IO4倍長(zhǎng)。[0073]具體地，在針對(duì)PCM單元的多個(gè)應(yīng)用中的某個(gè)應(yīng)用中使用PCM單元之前，向PCM單元施加一次調(diào)節(jié)脈沖。因而，通用PCM單元借助于選定的調(diào)節(jié)脈沖而針對(duì)某個(gè)應(yīng)用進(jìn)行調(diào)整。所述調(diào)節(jié)脈沖可以是施加至字線(或位線)、以及由此施加至第二(或第一)端子的字線(或位線)脈沖。此外，所述步驟202可以包括選擇PCM單元陣列的子集，以及通過至少一個(gè)調(diào)節(jié)脈沖來偏置選定子集的PCM單元，使得以特定方式改變?cè)摱鄠€(gè)預(yù)定義特征的至少一個(gè)選定特征。PCM單元的子集可以以等同方式進(jìn)行調(diào)整，以用于使用的等同應(yīng)用。[0074]典型單元的單元特征可能對(duì)于多層級(jí)存儲(chǔ)而言不夠理想，這是由于其較小的RESET/SET對(duì)比以及較高的SET電阻。由此，需要增大RESET/SET對(duì)比以及實(shí)現(xiàn)較低的SET電阻。這例如可以通過圖2的方法實(shí)現(xiàn)，其中DC脈沖對(duì)R-V曲線的影響(其中ID。為160μA)在圖3-圖8的示例中示出。[0075]就此而言，圖3示出了在DC調(diào)節(jié)之前、PCM單元集合的多個(gè)平均R-V曲線。在圖3中，曲線401，402，403和404分別利用脈沖寬度為100ns,200ns,500ns和1000ns的電壓脈沖、通過將電壓脈沖的幅度從0.2伏改變至4.0伏而生成。[0076]此外，圖4示出了在利用持續(xù)時(shí)間等于10ms、幅度等于160μA的DC電流脈沖進(jìn)行調(diào)節(jié)之后、相同單元的平均R-V曲線。類似地，圖5，6，7和8示出了在振幅等于160μA、持續(xù)時(shí)間分別等于100ms，Is,IOs和IOOs的DC電流脈沖調(diào)節(jié)之后、相同單元的平均R-V曲線。[0077]此外，在圖4-圖8中，圖4-圖8的曲線501，502，503和504分別利用脈沖寬度為100ns,200ns,500ns和1000ns的電壓脈沖、將電壓脈沖的幅度從0.2伏改變?yōu)?.0伏而生成。[0078]對(duì)圖4-圖8進(jìn)行比較示出了電阻裕度在DC脈沖持續(xù)期間、從圖4向圖8增大。由此，在圖8中，示出了圖4-圖8中最高的電阻裕度。[0079]在圖9中，描繪了用于調(diào)節(jié)PCM單元的方法步驟序列的第二實(shí)施方式。在步驟901中，提供了參考圖2示意性說明的、具有多個(gè)預(yù)定義特征的PCM單元。[0080]在步驟902中，選擇了針對(duì)PCM單元的多個(gè)應(yīng)用的某個(gè)行為或應(yīng)用。一個(gè)應(yīng)用可以是混合式存儲(chǔ)器應(yīng)用，其中速度和持久性是關(guān)鍵，以及另一應(yīng)用可以是儲(chǔ)存應(yīng)用，其中高M(jìn)LC容量是關(guān)鍵。[0081]在步驟903中，選擇用于根據(jù)選定的應(yīng)用、將PCM單元的預(yù)定義特征集合中選定的至少一個(gè)特征改變?yōu)槠谕档闹辽僖粋€(gè)調(diào)節(jié)脈沖。[0082]此外，在步驟904中，向PCM單元施加至少一個(gè)調(diào)節(jié)脈沖，使得選定的至少一個(gè)特征改變?yōu)槠谕怠0083]而且，圖9的方法可以包括選擇針對(duì)PCM單元的多個(gè)應(yīng)用的某個(gè)應(yīng)用，選擇預(yù)定義特征的兩個(gè)特征，以及固定這兩個(gè)特征，和通過至少一個(gè)調(diào)節(jié)脈沖改變非固定第三預(yù)定義特征使得PCM單元的編程行為變得更適合于選定應(yīng)用這些步驟。例如，三個(gè)預(yù)定義特征可以包括確定的編程速度，確定的編程功率和確定的R-裕度。[0084]圖10-圖13示出了在利用調(diào)節(jié)脈沖調(diào)節(jié)之前和之后的、PCM單元R-V曲線的第一示例。就此而言，圖10示出了在調(diào)節(jié)之前、PCM單元的R-V曲線。圖11示出了在調(diào)節(jié)PCM單元之后、針對(duì)1.5V調(diào)節(jié)脈沖的R-V曲線。[0085]圖12示出了在調(diào)節(jié)PCM單元之后、針對(duì)2.5V調(diào)節(jié)脈沖的R-V曲線。此外，圖13示出了在調(diào)節(jié)PCM單元之后、針對(duì)3.0V調(diào)節(jié)脈沖的R-V曲線。[0086]就此而言，在圖10中，利用脈沖寬度為IOOns的脈沖來生成曲線1001，利用脈沖寬度為200ns的脈沖來生成曲線1002，利用脈沖寬度為500ns的脈沖來生成曲線1003，以及利用脈沖寬度為IOOOns的脈沖來生成曲線1004。此外，在圖11-圖13中，分別利用脈沖寬度為30ns,50ns,100ns,200ns和400ns的脈沖生成曲線1101，1102，1103，1104和1105。[0087]圖14不出了不意電阻裕度1401,編程速度1402和編程功率1403的“二角”關(guān)系(trade-off“triangle”)的示例性圖示。例如，可以選擇這些預(yù)定義特征(例如，電阻裕度1401和編程速度1402)中的兩個(gè)，并將其固定。非固定的第三預(yù)定義特征(此處是編程功率1403)可以由至少一個(gè)調(diào)節(jié)脈沖改變。[0088]針對(duì)這種方法的三個(gè)對(duì)應(yīng)示例在圖15-圖18，圖19-圖22和圖23-圖26中進(jìn)行描述。[0089]在圖15-圖18的不例中，固定了編程速度和編程功率,而PCM單兀的R-裕度由調(diào)節(jié)脈沖改變。[0090]就此而言，在圖15中，分別利用脈沖寬度為100ns，200ns，500ns和1000ns的脈沖來生成曲線1501，1502，1503和1504。此外，在圖16-圖18中，分別利用脈沖寬度為30ns,50ns,100ns,200ns和400ns的脈沖來生成曲線1601，1602，1603，1604和1605。[0091]參考圖15以及針對(duì)為IOOns的脈沖寬度示例(參見曲線1501)，在調(diào)節(jié)PCM單元之前，R-裕度是對(duì)數(shù)電阻比例尺中的0.8，而R-裕度被定義為在固定編程電壓處(在此情況中等于3.0伏)獲取的電阻與最低電阻之間的差值。參考圖16和曲線1603(也對(duì)應(yīng)于IOOns脈沖寬度)，在調(diào)節(jié)之后、針對(duì)為1.5V的調(diào)節(jié)脈沖，R-裕度增大至1.1。[0092]R-裕度通過分別將調(diào)節(jié)脈沖增大至2.5V(參見圖17)和3.0V(參見圖18)而進(jìn)一步增大至1.5和1.7。[0093]參考圖15-圖18，R-裕度在相同的編程功率和編程速度下急劇增大。由此，PCM單元或者可以提供更多的級(jí)別，或者具有較高的噪音裕度以及由此容忍更多的漂移，并且具有較小的R-SET，導(dǎo)致較少的漂移和更快速的讀出。具體地，較之于圖15和圖18，R-裕度改進(jìn)了101?=7.94的因數(shù)。[0094]在圖19-圖22的不例中，R-裕度和編程速度是固定的，而編程功率由調(diào)節(jié)脈沖改變。[0095]就此而言，在圖19中，分別利用寬度為100ns，200ns，500ns和1000ns的脈沖來生成曲線1901，1902，1903和1904。此外，在圖20-圖22中，分別利用脈沖寬度為30ns，50ns，100ns,200ns和400ns的脈沖來生成曲線2001，2002，2003，2004和2005。[0096]對(duì)于R-裕度為0.8以及編程脈沖寬度為IOOns的示例中，圖19示出了對(duì)應(yīng)于3.0V的編程功率，圖20示出了對(duì)應(yīng)于2.5V的編程功率，圖21示出了對(duì)應(yīng)于2.2V的編程功率，以及圖22示出了對(duì)應(yīng)于2.3V的編程功率。[0097]概括圖19-圖22，編程功率在相同的編程速度和R-裕度處急劇增大。這導(dǎo)致了較低的能量/每位和較高的持久性。而且，R-裕度向低電阻的漂移導(dǎo)致了高速讀取和較少的漂移。[0098]在圖23-圖26的不例中，R-裕度和編程功率是固定的，而PCM單兀的編程速度由調(diào)節(jié)脈沖進(jìn)行改變。[0099]就此而言，在圖23中，分別利用脈沖寬度為100ns，200ns，500ns和1000ns的脈沖來生成曲線2301，2302，2303和2304。此外，在圖24-圖26中，分別利用脈沖寬度為30ns,50ns,100ns,200ns和400ns的脈沖來生成曲線2401，2402，2403，2404和2405。[0100]對(duì)于編程功率對(duì)應(yīng)于3.0V和R-裕度為1.2的示例，圖23示出了寬度為200ns的所需編程脈沖(參見曲線2302)，圖24示出了寬度為IOOns的所需編程脈沖(參見曲線2403)，圖25示出了寬度小于IOOns的所需編程脈沖(參見曲線2403)和圖26也示出了寬度小于IOOns的所需編程脈沖(參見曲線2403)。[0101]由此，單元調(diào)節(jié)可能導(dǎo)致相同R-裕度和編程功率處、編程延遲的急劇減小。因此，高性能應(yīng)用(具體地，存儲(chǔ)器應(yīng)用)可以是可能的。[0102]圖27示出了用于調(diào)節(jié)PCM單元的設(shè)備10的實(shí)施方式的框圖。設(shè)備10包括提供器11和預(yù)調(diào)節(jié)器12。提供器11被配置用于提供或制造具有多個(gè)預(yù)定義特征的PCM單元。具體地，提供器提供多個(gè)PCM單元的陣列。[0103]預(yù)調(diào)節(jié)器12被配置用于利用至少一個(gè)調(diào)節(jié)脈沖來偏置PCM單元，使得多個(gè)預(yù)定義特征的至少一個(gè)選定特征得到改變。預(yù)調(diào)節(jié)器12可以被調(diào)整以偏置PCM單元陣列選定子集的PCM單元。[0104]計(jì)算機(jī)化的設(shè)備可以針對(duì)實(shí)現(xiàn)此處描述的本發(fā)明實(shí)施方式進(jìn)行適當(dāng)設(shè)計(jì)。在該方面，可以理解，此處描述的方法主要是非交互式且自動(dòng)化的。在示例性實(shí)施方式中，此處描述的方法可以以交互式、部分交互式或非交互式系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)。此處描述的方法可以實(shí)現(xiàn)在軟件(例如，固件)、硬件或其組合中。在示例性實(shí)施方式中，此處描述的方法實(shí)現(xiàn)在軟件中，作為可執(zhí)行程序，后者由適當(dāng)?shù)臄?shù)字處理設(shè)備執(zhí)行。在其他示例性實(shí)施方式中，圖2或圖9的上述方法的至少一個(gè)步驟或所有步驟可以以軟件實(shí)現(xiàn)，作為可執(zhí)行程序，后者由適當(dāng)?shù)臄?shù)字處理設(shè)備執(zhí)行。更一般而言，本發(fā)明的實(shí)施方式可以實(shí)現(xiàn)，其中使用通用數(shù)字計(jì)算機(jī)，諸如個(gè)人計(jì)算機(jī)，工作臺(tái)等。[0105]例如，圖28中描述的系統(tǒng)800示意性地代表計(jì)算機(jī)化的單元801，例如，通用計(jì)算機(jī)。例如，系統(tǒng)800可以實(shí)現(xiàn)圖27所示的設(shè)備10。在示例性實(shí)施方式中，在如圖28所示的硬件架構(gòu)方面，單元801包括處理器805，耦合至存儲(chǔ)器控制器815的存儲(chǔ)器810，和經(jīng)由本地輸入/輸出控制器835可通信耦合的一個(gè)或多個(gè)輸入和/或輸出(I/O)設(shè)備840，845，850,855(或外設(shè))。輸入/輸出控制器835可以是但不限于本領(lǐng)域已知的一個(gè)或多個(gè)總線，或其他有線或無線連接。輸入/輸出控制器835可以具有附加的元素(省略以簡(jiǎn)化)，諸如控制器，緩沖器(高速緩存)，驅(qū)動(dòng)器，中繼器和接收器，以支持通信。此外，本地接口可以包括地址、控制和/或數(shù)據(jù)連接，以支持在前述部件之間的適當(dāng)通信。[0106]處理器805是用于執(zhí)行軟件(尤其是存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器810中的軟件)的硬件設(shè)備。處理器805可以是任何定制或商業(yè)可購(gòu)買的處理器，中央處理單元(CPU)，與計(jì)算機(jī)801關(guān)聯(lián)的若干處理器中的輔助處理器，基于半導(dǎo)體的微處理器(采用微芯片或芯片集的形式)，或者更通用的用于執(zhí)行軟件指令的任何設(shè)備。[0107]存儲(chǔ)器810可以包括易失性存儲(chǔ)器元件(例如，隨機(jī)訪問存儲(chǔ)器)和非易失性存儲(chǔ)器元件的任一或其組合。而且，存儲(chǔ)器810可以并入電的、磁的、光的和/或其他類型存儲(chǔ)介質(zhì)。注意，存儲(chǔ)器810可以具有分布式架構(gòu)，而各種部件彼此遠(yuǎn)離，但是可以由處理器805訪問。[0108]存儲(chǔ)器810中的軟件可以包括一個(gè)或多個(gè)單獨(dú)的程序，每個(gè)程序包括用于實(shí)現(xiàn)邏輯功能的可執(zhí)行指令有序列表。在圖28的示例中，存儲(chǔ)器810中的軟件包括此處根據(jù)示例性實(shí)施方式描述的方法和適當(dāng)?shù)牟僮飨到y(tǒng)(0S)811。0S811實(shí)質(zhì)上控制其他計(jì)算機(jī)程序的執(zhí)行，諸如此處描述的方法(例如，圖2或圖9)，以及提供調(diào)度、輸入-輸出控制、文件和數(shù)據(jù)管理、存儲(chǔ)器管理和通信控制及相關(guān)服務(wù)。[0109]此處描述的方法可以采用源程序、可執(zhí)行程序(目標(biāo)代碼)、腳本或包括待執(zhí)行指令集的任何其他實(shí)體的形式。當(dāng)采用源程序形式時(shí)，程序需要經(jīng)由編譯器、匯編器、解釋器等(本身是已知的)進(jìn)行轉(zhuǎn)譯，其可以包括在也可以不包括在存儲(chǔ)器810中，以便結(jié)合0S811進(jìn)行適當(dāng)操作。此外，這些方法可以編寫為面向?qū)ο蟮木幊陶Z言，其具有數(shù)據(jù)和方法的類，或者過程編程語言，其具有例程、子例程和/或功能。[0110]可能的是，傳統(tǒng)鍵盤850和鼠標(biāo)855可以耦合至輸入/輸出控制器835。其他I/O設(shè)備840-855可以包括傳感器(尤其在網(wǎng)絡(luò)元件的情況下)，即，以在物理狀況(例如溫度或壓力(待監(jiān)測(cè)的物理數(shù)據(jù)))改變時(shí)、產(chǎn)生可測(cè)量響應(yīng)的硬件設(shè)備。典型地，傳感器產(chǎn)生的模擬信號(hào)由模數(shù)轉(zhuǎn)換器數(shù)字化，并且發(fā)送至控制器835以做進(jìn)一步處理。傳感器節(jié)點(diǎn)理想情況下是小型、低能耗的，并且是自動(dòng)且無需干預(yù)地操作。[0111]此外，I/O設(shè)備840-855可以進(jìn)一步包括傳達(dá)輸入和輸出二者的設(shè)備。系統(tǒng)800可以進(jìn)一步包括耦合至顯示器830的顯示器控制器825。在示例性實(shí)施方式中，系統(tǒng)800可以進(jìn)一步包括用于耦合至網(wǎng)絡(luò)865的網(wǎng)絡(luò)接口或收發(fā)器860。[0112]網(wǎng)絡(luò)865在單元801和外部系統(tǒng)之間傳輸和接收數(shù)據(jù)。網(wǎng)絡(luò)865有可能以無線方式(例如，使用諸如IEEE802.15.4或類似的無線協(xié)議和技術(shù))實(shí)現(xiàn)。網(wǎng)絡(luò)865可以是固定無線網(wǎng)絡(luò),無線局域網(wǎng)(LAN)，無線廣域網(wǎng)(WAN)，個(gè)人局域網(wǎng)(PAN)，虛擬私有網(wǎng)絡(luò)(VPN)，內(nèi)聯(lián)網(wǎng)或其他適當(dāng)網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)，并且包括用于接收和發(fā)射信號(hào)的設(shè)備。[0113]當(dāng)單元801運(yùn)轉(zhuǎn)時(shí)，處理器805被配置用于執(zhí)行存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器810中的軟件，與存儲(chǔ)器810傳送數(shù)據(jù)，以及一般情況下依照該軟件來控制計(jì)算機(jī)801的操作。此處描述的方法和0S811整體或部分由處理器805讀取，典型地緩沖在處理器805內(nèi)，并繼而執(zhí)行。當(dāng)此處描述的方法(例如，參考圖2或圖9)以軟件實(shí)現(xiàn)時(shí)，該方法可以存儲(chǔ)在任何計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)(諸如，儲(chǔ)存器820)上，供任何計(jì)算機(jī)相關(guān)系統(tǒng)或方法使用或與之結(jié)合。[0114]所屬【
技術(shù)領(lǐng)域：
】的技術(shù)人員知道，本發(fā)明的各個(gè)方面可以實(shí)現(xiàn)為系統(tǒng)、方法或計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品。因此，本發(fā)明的各個(gè)方面可以具體實(shí)現(xiàn)為以下形式，即:完全的硬件實(shí)施方式、完全的軟件實(shí)施方式(包括固件、駐留軟件、微代碼等)，或硬件和軟件方面結(jié)合的實(shí)施方式，這里可以統(tǒng)稱為“電路”、“模塊”或“系統(tǒng)”。此外，在一些實(shí)施例中，本發(fā)明的各個(gè)方面還可以實(shí)現(xiàn)為在一個(gè)或多個(gè)計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)中的計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品的形式，該計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)中包含計(jì)算機(jī)可讀的程序代碼。可以采用一個(gè)或多個(gè)計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)的任意組合。計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)可以是計(jì)算機(jī)可讀信號(hào)介質(zhì)或者計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)。計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)例如可以是——但不限于——電、磁、光、電磁、紅外線、或半導(dǎo)體的系統(tǒng)、裝置或器件，或者任意以上的組合。計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)的更具體的例子(非窮舉的列表)包括:具有一個(gè)或多個(gè)導(dǎo)線的電連接、便攜式計(jì)算機(jī)盤、硬盤、隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RAM)、只讀存儲(chǔ)器(ROM)、可擦式可編程只讀存儲(chǔ)器(EPR0M或閃存)、光纖、便攜式緊湊盤只讀存儲(chǔ)器(CD-ROM)、光存儲(chǔ)器件、磁存儲(chǔ)器件、或者上述的任意合適的組合。在本文件中，計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)可以是任何包含或存儲(chǔ)程序的有形介質(zhì)，該程序可以被指令執(zhí)行系統(tǒng)、裝置或者器件使用或者與其結(jié)合使用。[0115]計(jì)算機(jī)可讀的信號(hào)介質(zhì)可以包括在基帶中或者作為載波一部分傳播的數(shù)據(jù)信號(hào)，其中承載了計(jì)算機(jī)可讀的程序代碼。這種傳播的數(shù)據(jù)信號(hào)可以采用多種形式，包括——但不限于——電磁信號(hào)、光信號(hào)或上述的任意合適的組合。計(jì)算機(jī)可讀的信號(hào)介質(zhì)還可以是計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)以外的任何計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)，該計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)可以發(fā)送、傳播或者傳輸用于由指令執(zhí)行系統(tǒng)、裝置或者器件使用或者與其結(jié)合使用的程序。計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)上包含的程序代碼可以用任何適當(dāng)?shù)慕橘|(zhì)傳輸，包括一但不限于一無線、有線、光纜、RF等等，或者上述的任意合適的組合。[0116]可以以一種或多種程序設(shè)計(jì)語言或其組合來編寫用于執(zhí)行本發(fā)明操作的計(jì)算機(jī)程序代碼，所述程序設(shè)計(jì)語言包括面向?qū)ο蟮某绦蛟O(shè)計(jì)語言一諸如Java、Smalltalk、C++，還包括常規(guī)的過程式程序設(shè)計(jì)語言一諸如”C”語言或類似的程序設(shè)計(jì)語言。程序代碼可以完全地在單元801上執(zhí)行、部分地在單元801上執(zhí)行、類似地部分地在一個(gè)單元801上并且部分地在另一單元801上執(zhí)行。[0117]下面將參照根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的方法、裝置(系統(tǒng))和計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品的流程圖和/或框圖描述本發(fā)明。應(yīng)當(dāng)理解，流程圖和/或框圖的每個(gè)方框以及流程圖和/或框圖中各方框的組合，都可以由計(jì)算機(jī)程序指令實(shí)現(xiàn)。這些計(jì)算機(jī)程序指令可以提供給通用計(jì)算機(jī)、專用計(jì)算機(jī)或其它可編程數(shù)據(jù)處理裝置的處理器，從而生產(chǎn)出一種機(jī)器，使得這些計(jì)算機(jī)程序指令在通過計(jì)算機(jī)或其它可編程數(shù)據(jù)處理裝置的處理器執(zhí)行時(shí)，產(chǎn)生了實(shí)現(xiàn)流程圖和/或框圖中的一個(gè)或多個(gè)方框中規(guī)定的功能/動(dòng)作的裝置。[0118]也可以把計(jì)算機(jī)程序指令加載到計(jì)算機(jī)、其它可編程數(shù)據(jù)處理裝置、或其它設(shè)備上，使得在計(jì)算機(jī)、其它可編程數(shù)據(jù)處理裝置或其它設(shè)備上執(zhí)行一系列操作步驟，以產(chǎn)生計(jì)算機(jī)實(shí)現(xiàn)的過程，從而使得在計(jì)算機(jī)或其它可編程裝置上執(zhí)行的指令能夠提供實(shí)現(xiàn)流程圖和/或框圖中的方框中規(guī)定的功能/操作的過程。[0119]附圖中的流程圖和框圖顯示了根據(jù)本發(fā)明的多個(gè)實(shí)施例的系統(tǒng)、方法和計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品的可能實(shí)現(xiàn)的體系架構(gòu)、功能和操作。在這點(diǎn)上，流程圖或框圖中的每個(gè)方框可以代表一個(gè)模塊、程序段或代碼的一部分，所述模塊、程序段或代碼的一部分包含一個(gè)或多個(gè)用于實(shí)現(xiàn)規(guī)定的邏輯功能的可執(zhí)行指令。也應(yīng)當(dāng)注意，在有些作為替換的實(shí)現(xiàn)中，方框中所標(biāo)注的功能也可以以不同于附圖中所標(biāo)注的順序發(fā)生。例如，兩個(gè)連續(xù)的方框?qū)嶋H上可以基本并行地執(zhí)行，它們有時(shí)也可以按相反的順序執(zhí)行，這依所涉及的功能而定。也要注意的是，框圖和/或流程圖中的每個(gè)方框、以及框圖和/或流程圖中的方框的組合，可以用執(zhí)行規(guī)定的功能或動(dòng)作的專用的基于硬件的系統(tǒng)來實(shí)現(xiàn)，或者可以用專用硬件與計(jì)算機(jī)指令的組合來實(shí)現(xiàn)。[0120]更一般而言，盡管已經(jīng)參照特定實(shí)施例描述了本發(fā)明，但本領(lǐng)域技術(shù)人員將理解可以進(jìn)行各種變化以及替換各種等效物而不背離本發(fā)明的范圍。此外，可以進(jìn)行許多修改以將特定情形適配到本發(fā)明的教導(dǎo)而不背離其范圍。因此，本發(fā)明并不旨在局限于所公開的特定實(shí)施例，而是本發(fā)明將包括落入所附權(quán)利要求范圍內(nèi)的所有實(shí)施例。[0121]參考文獻(xiàn)[0122][I]“Evolutionofphasechangememorycharacteristicswithoperatingcycles:Electricalcharacterizationandphysicalmodeling，，，J.Sarkar和B.Gleixner,Apl.Phys.Lett.,91,233506(2007).[0123][2]“Setofelectricalcharacteristicsparameterssuitableforreliabilityanalysisofmultimegabitphasechangememoryarrays，，，A.Chimenton等人，NVSMW2008,pp.49-51.[0124][3]“SETswitchingeffectsonPCMendurance，，，V.DellaMarca等人，ESSDERC2010,pp.321-324.[0125][4]“EmpiricalinvestigationofSETseasoningeffectsinphasechangememoryarrays”,C.Zambelli等人,SolidStateElectronics,Vol.58,Iss.1,pp.23-27,2011年4月?！緳?quán)利要求】1.一種用于調(diào)節(jié)具有多個(gè)預(yù)定義特征(1401，1402，1403)的至少一個(gè)相變存儲(chǔ)器PCM單元的方法，所述方法包括:向所述PCM單元施加(202，904)至少一個(gè)調(diào)節(jié)脈沖，使得所述多個(gè)預(yù)定義特征(1401，1402，1403)的至少一個(gè)選擇的特征被改變至期望值。2.如權(quán)利要求1所述的方法，包括:從所述多個(gè)預(yù)定義特征選擇待改變的至少一個(gè)特征，選擇用于將選擇的所述特征改變至期望值的至少一個(gè)調(diào)節(jié)脈沖，以及向所述PCM單元施加至少一個(gè)調(diào)節(jié)脈沖，使得選擇的所述特征被改變至所述期望值。3.如權(quán)利要求1所述的方法，包括:從針對(duì)所述PCM單元的預(yù)定行為集合選擇特定行為，根據(jù)選擇的所述特定行為來選擇至少一個(gè)調(diào)節(jié)脈沖，以及向所述PCM單元施加至少一個(gè)調(diào)節(jié)脈沖，使得所述PCM單元獲得選擇的所述特定行為。4.如權(quán)利要求1所述的方法，包括:從針對(duì)所述PCM單元的預(yù)定行為集合選擇(901)特定行為，根據(jù)選擇的所述特定行為，從所述多個(gè)預(yù)定義特征選擇(902)待改變的至少一個(gè)特征，選擇(903)用于將選擇的所述至少一個(gè)特征改變至所述期望值的至少一個(gè)調(diào)節(jié)脈沖，以及向所述PCM單元施加(904)至少一個(gè)調(diào)節(jié)脈沖，使得選擇的所述至少一個(gè)特征被改變至所述期望值。5.如權(quán)利要求1-4中任一所述的方法，其中所述多個(gè)預(yù)定義特征(1401，1402，1403)包括所述PCM單元的最低(SET)電阻值和最高(RESET)電阻值之間的某個(gè)電阻裕度(1401)、被定義為將所述PCM單元帶至確定低電阻狀態(tài)所需的編程脈沖的持續(xù)期間的特定編程速度(1403)以及被定義為將所述單元帶至確定高電阻狀態(tài)所需的編程脈沖功率的特定編程功率。6.如權(quán)利要求5所述的方法，包括:選擇所述預(yù)定義特征中的兩個(gè)預(yù)定義特征并固定這兩個(gè)特征，以及通過所述至少一個(gè)調(diào)節(jié)脈沖來改變非固定的第三預(yù)定義特征。7.如權(quán)利要求5所述的方法，包括:選擇所述預(yù)定義特征中的一個(gè)預(yù)定義特征并固定該特征，以及通過所述至少一個(gè)調(diào)節(jié)脈沖將另外兩個(gè)預(yù)定義特征改變至期望值。8.如權(quán)利要求1-7中任一所述的方法，其中所述調(diào)節(jié)脈沖具有至少是用于將所述PCM單元編程為具有最高(RESET)電阻值的RESET編程脈沖至少IO4倍長(zhǎng)的持續(xù)時(shí)間，尤其是IO5倍長(zhǎng)的持續(xù)時(shí)間，其中所述RESET編程脈沖具有短于IOOns的持續(xù)時(shí)間。9.如權(quán)利要求1-8中任一所述的方法，其中所述調(diào)節(jié)脈沖由單個(gè)長(zhǎng)脈沖實(shí)現(xiàn)，或者由一系列短脈沖實(shí)現(xiàn)，其中所述短脈沖中的每一個(gè)是方形脈沖。10.如權(quán)利要求1-9中任一所述的方法，其中在所述PCM單元在針對(duì)所述PCM單元的多個(gè)應(yīng)用中的特定應(yīng)用中使用之前，向所述PCM單元施加一次所述調(diào)節(jié)脈沖。11.如權(quán)利要求1-10中任一所述的方法，其中所述PCM單元可受控于連接至位線的第一端子和連接至字線的第二端子，其中所述調(diào)節(jié)脈沖是施加至所述字線和所述第二端子的脈沖，或者所述調(diào)節(jié)脈沖是施加至所述位線和所述第一端子的脈沖。12.如權(quán)利要求1-11中任一所述的方法，其中根據(jù)所述PCM單元所述至少一個(gè)選擇的特征的所述期望值來調(diào)整所述調(diào)節(jié)脈沖的持續(xù)時(shí)間、幅度和形狀的至少一個(gè)。13.如權(quán)利要求1-12中任一所述的方法，包括:選擇PCM單元陣列的子集，以及向選擇的所述子集的所述PCM單元施加至少一個(gè)調(diào)節(jié)脈沖，使得所述多個(gè)預(yù)定義特征的至少一個(gè)選擇的特征被改變。14.如權(quán)利要求13所述的方法，包括:標(biāo)識(shí)所述陣列中針對(duì)其的所述預(yù)定義特征不具有所述期望值的那些PCM單元；以及向標(biāo)識(shí)的所述PCM單元施加至少一個(gè)調(diào)節(jié)脈沖，使得標(biāo)識(shí)的所述PCM單元的所述特征獲得所述期望值。15.一種用于調(diào)節(jié)具有多個(gè)預(yù)定義特征(1401，1402，1403)的至少一個(gè)相變存儲(chǔ)器PCM單元的設(shè)備(10)，所述設(shè)備(10)包括:預(yù)調(diào)節(jié)器(12)，用于向所述PCM單元施加至少一個(gè)調(diào)節(jié)脈沖，使得所述多個(gè)預(yù)定義特征(1401,1402，1403)的至少一個(gè)選擇的特征被改變至期望值?！疚臋n編號(hào)】G11C7/20GK103890851SQ201280052438【公開日】2014年6月25日申請(qǐng)日期:2012年10月10日優(yōu)先權(quán)日:2011年10月28日【發(fā)明者】N·帕潘德雷奧,C·波齊迪斯申請(qǐng)人:國(guó)際商業(yè)機(jī)器公司