編程存儲(chǔ)器單元的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明揭示用于編程的方法、存儲(chǔ)器裝置及用于讀取的方法。用于編程存儲(chǔ)器裝置(例如，SLC存儲(chǔ)器裝置)的一個(gè)此種方法包含在編程所述存儲(chǔ)器之前將二電平數(shù)據(jù)流編碼為三電平流。
【專利說明】編程存儲(chǔ)器單元
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明實(shí)施例一股來說涉及存儲(chǔ)器，且特定實(shí)施例涉及編程及讀取存儲(chǔ)器單元?！颈尘凹夹g(shù)】
[0002]快閃存儲(chǔ)器裝置已發(fā)展成用于各種各樣電子應(yīng)用的非易失性存儲(chǔ)器的普遍來源?？扉W存儲(chǔ)器裝置通常使用允許高存儲(chǔ)器密度、高可靠性及低電力消耗的單晶體管存儲(chǔ)器單元。快閃存儲(chǔ)器的常見用途包含個(gè)人計(jì)算機(jī)、快閃驅(qū)動(dòng)器、數(shù)碼相機(jī)及蜂窩式電話。例如基本輸入/輸出系統(tǒng)(BIOS)等的程序代碼及系統(tǒng)數(shù)據(jù)通常存儲(chǔ)于快閃存儲(chǔ)器裝置中以供在個(gè)人計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中使用。
[0003]典型的快閃存儲(chǔ)器裝置是其中存儲(chǔ)器單元陣列通常組織成可在逐塊基礎(chǔ)上而非一次一個(gè)字節(jié)地擦除及重新編程的存儲(chǔ)器塊的類型的存儲(chǔ)器。存儲(chǔ)器單元中的每一者的閾值電壓確定存儲(chǔ)于每一存儲(chǔ)器單兀中的數(shù)據(jù)值。
[0004]圖1A及IB圖解說明典型的非易失性存儲(chǔ)器單元的可能編程狀態(tài)。圖1A圖解說明單電平單元(SLC)存儲(chǔ)器裝置的可能編程狀態(tài)。圖1B圖解說明多電平單元(MLC)存儲(chǔ)器裝置的可能編程狀態(tài)。
[0005]圖1A及IB中的分布中的每一者表示閾值電壓(Vt)范圍與處于所述特定范圍內(nèi)的每一閾值電壓的存儲(chǔ)器單元的數(shù)目。每一分布表示特定可編程狀態(tài)。舉例來說，圖1A展示負(fù)電壓分布101表示邏輯“I”狀態(tài)(例如，經(jīng)擦除狀態(tài))，且正電壓分布102表示邏輯“0”狀態(tài)(例如，經(jīng)編程狀態(tài))。類似地，圖1B展示負(fù)電壓分布103表示邏輯“11”狀態(tài)(例如，經(jīng)擦除狀態(tài))，且三個(gè)正電壓分布104到106分別表示邏輯“10”、“00”及“01”狀態(tài)(例如，經(jīng)編程狀態(tài))。
[0006]至少部分地由于在非易失性存儲(chǔ)器裝置中所使用的相對(duì)低的閾值電壓，編程存儲(chǔ)器裝置可易受噪聲影響。舉例來說，參考圖1A，如果-A為表示經(jīng)擦除狀態(tài)的電壓，且+A為表示經(jīng)編程狀態(tài)的電壓，那么A可在IV到3V的范圍中。因此，在編程或讀取電壓期間發(fā)生的噪聲可致使不正確地編程或不正確地讀取存儲(chǔ)器單元的數(shù)據(jù)狀態(tài)。
[0007]出于上述原因且出于所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員在閱讀及理解本說明書之后將明了的其它原因，此項(xiàng)技術(shù)中需要減少存儲(chǔ)器裝置中的噪聲的影響。

【發(fā)明內(nèi)容】
【專利附圖】

【附圖說明】
[0008]圖1A及IB展示典型的非易失性存儲(chǔ)器單元的可能編程狀態(tài)的電壓分布。
[0009]圖2展示NAND架構(gòu)存儲(chǔ)器陣列的一部分的一個(gè)實(shí)施例的示意圖。
[0010]圖3展示用于編程存儲(chǔ)器裝置的方法的一個(gè)實(shí)施例的流程圖。
[0011]圖4展示根據(jù)圖3的方法的數(shù)據(jù)及電壓流的一個(gè)實(shí)施例的表。
[0012]圖5展示用于讀取已用圖3的方法編程的存儲(chǔ)器裝置的方法的一個(gè)實(shí)施例的格子狀態(tài)圖。
[0013]圖6展示可并入有使用所描述的用于感測(cè)操作的方法的存儲(chǔ)器裝置的系統(tǒng)的一個(gè)實(shí)施例的框圖。
【具體實(shí)施方式】
[0014]在以下詳細(xì)描述中，參考形成本發(fā)明的一部分且其中以圖解說明的方式展示特定實(shí)施例的附圖。在圖式中，貫穿數(shù)個(gè)視圖相似編號(hào)描述實(shí)質(zhì)上類似的組件?？衫闷渌鼘?shí)施例，且可在不背離本發(fā)明的范圍的前提下做出結(jié)構(gòu)、邏輯及電改變。因此，不應(yīng)在限制意義上理解以下詳細(xì)描述。
[0015]圖2圖解說明包括非易失性存儲(chǔ)器單元串聯(lián)串的NAND架構(gòu)存儲(chǔ)器陣列201的一部分的一個(gè)實(shí)施例的示意圖。圖2的示意圖僅用于圖解說明可編程非易失性存儲(chǔ)器裝置的一個(gè)實(shí)例的目的。用于編程的方法的實(shí)施例并不限于所圖解說明的存儲(chǔ)器陣列架構(gòu)。替代實(shí)施例也可使用NOR架構(gòu)或其它架構(gòu)。
[0016]存儲(chǔ)器陣列201包括布置成列(例如串聯(lián)串204、205)的非易失性存儲(chǔ)器單元(例如，浮動(dòng)?xùn)艠O)的陣列。所述單元中的每一者漏極到源極地耦合于每一串聯(lián)串204、205中。橫跨多個(gè)串聯(lián)串204、205的存取線(例如，字線)WL0到WL31耦合到一行中的每一存儲(chǔ)器單元的控制柵極以便偏置所述行中的存儲(chǔ)器單元的控制柵極。數(shù)據(jù)線(例如偶數(shù)/奇數(shù)位線BL_E、BL_0)耦合到所述串聯(lián)串且最終每一位線借助感測(cè)電路耦合到頁緩沖器，所述感測(cè)電路通過感測(cè)選定位線上的電流或電壓而檢測(cè)每一單元的狀態(tài)。
[0017]存儲(chǔ)器單元的每一串聯(lián)串204、205通過源極選擇柵極216、217 (例如，晶體管)耦合到源極線206，且通過漏極選擇柵極212、213(例如，晶體管)耦合到個(gè)別位線BL_E、BL_
O。源極選擇柵極216、217由耦合到其控制柵極的源極選擇柵極控制線SG(S)218控制。漏極選擇柵極212、213由漏極選擇柵極控制線SG` (D) 214控制。
[0018]每一存儲(chǔ)器單元可被編程為單電平單元(SLC)或多電平單元(MLC)。每一單元的閾值電壓(Vt)指示存儲(chǔ)于所述單元中的數(shù)據(jù)狀態(tài)。舉例來說，在SLC中，2.5V的Vt可指示經(jīng)編程單元而-2.5V的Vt可指示經(jīng)擦除單元。MLC使用各自指示不同數(shù)據(jù)狀態(tài)的多個(gè)Vt范圍。多電平單元可通過將位模式指派給特定Vt范圍來利用傳統(tǒng)快閃單元的模擬性質(zhì)。此技術(shù)準(zhǔn)許每單元存儲(chǔ)表示兩個(gè)或兩個(gè)以上位的數(shù)據(jù)狀態(tài)，此取決于指派給單元的Vt范圍的數(shù)量。在任一情況中，常規(guī)存儲(chǔ)器裝置通常使用編程狀態(tài)(例如，由分布101及102或分布103、104、105及106表示)來以一對(duì)一關(guān)系直接表示數(shù)據(jù)狀態(tài)(例如，分別為數(shù)據(jù)狀態(tài)I及0或數(shù)據(jù)狀態(tài)11、10、00及01)。
[0019]圖3圖解說明用于編程存儲(chǔ)器裝置(例如圖2中所圖解說明的SLC非易失性存儲(chǔ)器裝置)的方法的一個(gè)實(shí)施例的流程圖。所述方法以位數(shù)據(jù)流開始，例如在圖4中圖解說明為Uk數(shù)據(jù)流，其中‘k’為流中的位位置。在典型的現(xiàn)有技術(shù)編程方法中，Uk為將被編程到存儲(chǔ)器裝置中的數(shù)據(jù)流。
[0020]使用Uk數(shù)據(jù)流來產(chǎn)生經(jīng)預(yù)譯碼數(shù)據(jù)流301。經(jīng)預(yù)譯碼數(shù)據(jù)流在圖4中表示為Vk。在一個(gè)實(shí)施例中，Vk=XOR (Uk, Vk^1)。在一個(gè)實(shí)施例中，假定Vk被初始化為邏輯0。
[0021]使用圖4的Uk數(shù)據(jù)流作為實(shí)例，可看出由于U0=I且Vk最初為0,因此新的V0=XORd, 0) =1。類似地，U1=O且Vtl=I，因此V1=I。此預(yù)譯碼算法針對(duì)整個(gè)Uk數(shù)據(jù)流繼續(xù)以產(chǎn)生如圖4中所圖解說明的經(jīng)預(yù)譯碼Vk數(shù)據(jù)流。
[0022]使用經(jīng)預(yù)譯碼Vk數(shù)據(jù)流來產(chǎn)生如圖4中所圖解說明的經(jīng)映射電壓流Ck303。將經(jīng)預(yù)譯碼Vk數(shù)據(jù)流從二進(jìn)制Vk數(shù)據(jù)流映射到正電壓及負(fù)電壓。在一個(gè)實(shí)施例中，如圖4中所圖解說明，映射規(guī)則可將Vk=O映射到第一電壓(例如，IV)且將Vk=I映射到第二電壓(例如，-1V)。在一個(gè)實(shí)施例中，第一與第二電壓具有相同量值。此映射針對(duì)整個(gè)Vk數(shù)據(jù)流繼續(xù)以產(chǎn)生如圖4中所圖解說明的經(jīng)映射電壓流Ck。
[0023]接著使用經(jīng)映射電壓流Ck來產(chǎn)生經(jīng)編碼流(例如圖4中所圖解說明的三進(jìn)制電壓流xk)305。在一個(gè)實(shí)施例中，Xk=ICfCV1K作為一實(shí)例，假定圖4中的Ck電壓流，則X0= {-1+1} = {0}且Xl= {-1-1} =-2。此三進(jìn)制值轉(zhuǎn)換針對(duì)整個(gè)Ck流繼續(xù)以產(chǎn)生如圖4中所圖解說明的Xk電壓流。
[0024]接著使用Xk電壓流來編程存儲(chǔ)器裝置。因此，作為用于將存儲(chǔ)器單元編程到兩個(gè)編程狀態(tài)(例如，1、0)中的一者的現(xiàn)有技術(shù)方法的替代，圖3的編程實(shí)施例將至少三個(gè)不同編程狀態(tài)(例如， 0、-2、+2)中的一者編程到SLC存儲(chǔ)器單元中。
[0025]在替代實(shí)施例中，可以另一方式從原始數(shù)據(jù)流Uk產(chǎn)生Xk的三進(jìn)制電壓。參考圖4中的Uk及Xk兩者，可看出當(dāng)Uk=O時(shí)，Xk為-2或+2且當(dāng)Uk=I時(shí)，Xk=O0另外，可看出當(dāng)在Uk中Xk的前面是奇數(shù)個(gè)邏輯I時(shí)，Xk為-2。當(dāng)在Uk中Xk的前面是偶數(shù)個(gè)邏輯I時(shí)，Xk為+2。因此，可通過以下操作來從Uk產(chǎn)生經(jīng)編碼Xk電壓流:用OV替換第一 Uk邏輯狀態(tài)(例如，邏輯I)并對(duì)在Xk中的目前位置前面的第一 Uk邏輯狀態(tài)(例如，邏輯I)的出現(xiàn)的數(shù)目進(jìn)行計(jì)數(shù)，且當(dāng)在目前位置之前的第一邏輯狀態(tài)的數(shù)量為奇數(shù)時(shí)用-2V且當(dāng)在目前位置之前的第一邏輯狀態(tài)的數(shù)量為偶數(shù)時(shí)用+2V替換第二 Uk邏輯狀態(tài)(例如，邏輯O)。
[0026]圖4中所展示的Xk值O、-2及+2僅用于圖解說明的目的。Xk值的通用表示可為
O、-A及+A，其中A的量值可為可編程到存儲(chǔ)器單元中的任何電壓。
[0027]在一個(gè)實(shí)施例中，可使用依賴于個(gè)別目前數(shù)據(jù)樣本以及過去數(shù)據(jù)樣本的序列檢測(cè)器(例如，維特比(Viterbi)檢測(cè)器)來讀取編程到存儲(chǔ)器單元中的三進(jìn)制Xk值。此維特比檢測(cè)器的一個(gè)實(shí)施例可由圖5的格子狀態(tài)圖圖解說明。
[0028]圖5的格子狀態(tài)圖圖解說明Ck與Xk之間的關(guān)系。由于圖4的實(shí)施例的Ck展示兩個(gè)值(例如，-1及I)，因此展示所述格子具有兩個(gè)可能狀態(tài)(例如，-1及I)。所述格子中的每一圓圈501表不Ck^1狀態(tài)。每一 Clrf狀態(tài)之間的線表不向相同狀態(tài)(例如，-1到-1)或向第二狀態(tài)(例如，-1到I)的移動(dòng)。這些線中的每一者由觸發(fā)所述移動(dòng)的Uk/Xk值502表不。
[0029]對(duì)格子狀態(tài)圖的解譯的實(shí)例參考圖4的表及圖5的格子狀態(tài)圖兩者。圖4展示當(dāng)CV1=-UUk=O且Xk=-2時(shí)，則目前狀態(tài)將為-1 (例如，Ck=-1)。此由格子狀態(tài)圖的頂邊緣505圖解說明。類似地，當(dāng)Clri=UUk=O且Xk=2時(shí)，則目前狀態(tài)將為1(例如，Ck=l)。此由格子狀態(tài)圖的底邊緣506圖解說明。
[0030]圖5的格子狀態(tài)圖還展示當(dāng)Clri=-U Uk=I且Xk=O時(shí)，則目前狀態(tài)將為1(例如，Ck=D。類似地，當(dāng)Clri=UUk=I且Xk=O時(shí)，則目前狀態(tài)將為-1 (例如，Ck=-D。
[0031]與典型的現(xiàn)有技術(shù)SLC編程相比，所述用于編程的方法可導(dǎo)致SLC存儲(chǔ)器編程期間的平均能量的加倍。舉例來說，假定兩個(gè)SLC狀態(tài)的分布以電壓-A及+A為中心，如圖1中所展示，則現(xiàn)有技術(shù)編程方法的平均信號(hào)功率為A2。本編程方法的Xk的平均信號(hào)功率為(1/2) [4A2+0]=2A2，因此改進(jìn)了信噪比。
[0032]維特比檢測(cè)器是序列檢測(cè)器。換句話說，其并非基于其個(gè)別Xk輸出而做出關(guān)于個(gè)別Uk的決策。而是其依賴于過去樣本的序列來做出其決策。在以下對(duì)維特比檢測(cè)器的描述中，Yk表示Xk的有噪聲版本。也就是說，Yk=Xk+Nk，其中Nk為作為對(duì)非易失性存儲(chǔ)器的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)及檢索過程的一部分而被添加到Xk的電子噪聲。在每一時(shí)間單位k處，維特比檢測(cè)包括四個(gè)操作:分支度量計(jì)算、路徑度量更新、幸存者交換及決策發(fā)布。
[0033]在描述分支度量計(jì)算時(shí)，參考圖5的格子狀態(tài)圖，連接一對(duì)狀態(tài)的每一邊緣505、506為一分支。在從存儲(chǔ)器讀取Yk之后，針對(duì)格子的所述階段中的每一分支確定(Yk-Xk)2。由于在格子的每一階段中存在四個(gè)轉(zhuǎn)變，因此格子階段為將狀態(tài)Clri連接到狀態(tài)Ck的分支的集合；其描述時(shí)間單位k處的事務(wù)狀態(tài)-確定后面的四個(gè)分支度量，其中BI及B2是指離開狀態(tài)0的轉(zhuǎn)變且B3及B4是指離開狀態(tài)I的轉(zhuǎn)變:
[0034]Bl=(Yk+2A)2
[0035]B2= (Yk=O)2
[0036]B3= (Yk-O)2
[0037]B4= (Yk-2A)2
[0038]展開這些量且從每一方程式舍棄噪聲項(xiàng)(Y2)產(chǎn)生:
[0039]Bl=4Ayk+4A2:
[0040]B2=0
[0041]B3=0
[0042]B4=-4Ayk+4A2
[0043]稱為狀態(tài)度量(也稱作路徑度量)的量與兩個(gè)狀態(tài)相關(guān)聯(lián)。此量在每一時(shí)間單位k處被更新。為了表示所述事實(shí)，時(shí)間單位k處的兩個(gè)路徑度量分別由p(0，k)及p(i，k)表示。在時(shí)間單位0處將兩個(gè)路徑度量初始化為O。接著，在每一時(shí)間單位k處，針對(duì)兩個(gè)狀態(tài)中的每一者，觀察到存在兩個(gè)單獨(dú)的候選路徑:一個(gè)是來自狀態(tài)0且另一個(gè)是來自狀態(tài)I。在時(shí)間k處以狀態(tài)0結(jié)束的兩個(gè)候選路徑的度量由符號(hào)CPl (0，k)及CP2(0，k)表示且按下式計(jì)算:
[0044]CPl (0，k) =P (0，k-1) +BI
[0045]CP2(0, k) =P(I, k-l)+B3
[0046]接著確定以上兩個(gè)候選者中的哪一者較小。選擇最小候選者作為到狀態(tài)0的經(jīng)更新路徑且隨后稱作在時(shí)間k處到狀態(tài)0的路徑度量P (0，k)。針對(duì)狀態(tài)I執(zhí)行相同操作以產(chǎn)生 p(l，k-1)。接著在 CP1(1，k) =P (0, k-l)+B2 與 CP2(1，k) =P (I, k_l)+B4 之間執(zhí)行比較。接著挑選最小者作為在時(shí)間k處到狀態(tài)I的經(jīng)更新路徑度量且隨后表示為P(l，k)。
[0047]在決策過程的開始，給兩個(gè)狀態(tài)中的每一者指派一寄存器陣列。這些寄存器通常稱為幸存者陣列或簡(jiǎn)稱為幸存者。幸存者中的每一者中的寄存器的數(shù)目稱為路徑-存儲(chǔ)器。如果路徑-存儲(chǔ)器為20，那么狀態(tài)0的幸存者由SO=SO (0)、SO (I)、...SO (19)表示且狀態(tài)I的幸存者由Sl=Sl (0)、SI (I)、...、SI (19)表示。
[0048]在路徑度量更新階段中，一旦已產(chǎn)生針對(duì)給定狀態(tài)的經(jīng)更新路徑度量，那么將到達(dá)所述狀態(tài)的所選分支上的Uk標(biāo)簽壓入到對(duì)應(yīng)幸存者中。舉例來說，當(dāng)產(chǎn)生針對(duì)狀態(tài)0的經(jīng)更新路徑度量P(0，k)時(shí)，如果選擇了 CPl (0，k)，那么將Uk標(biāo)簽壓入在BI分支上(例如，O到SO中)。如果選擇了 CP2 (0，k)，那么將Uk標(biāo)簽壓入在B3分支上(例如，I到SO中)。
[0049]類似地，當(dāng)產(chǎn)生針對(duì)狀態(tài)I的經(jīng)更新路徑度量P(l，k)時(shí)，如果CPl(l，k)獲勝，那么將Uk標(biāo)簽壓入在分支B2上(例如，I到SI中)。如果CP2 (I, k)獲勝，那么將Uk標(biāo)簽壓入在分支B4上(例如，0到SI中)。
[0050]如果路徑-存儲(chǔ)器為20，那么此過程無法進(jìn)行超過20個(gè)時(shí)間單位。其由路徑-存儲(chǔ)器的長(zhǎng)度限制。在所述點(diǎn)處，幸存者為滿的且無法將任何新的Uk壓入到幸存者中。此即為決策發(fā)布發(fā)生時(shí)的情形。針對(duì)狀態(tài)0將最舊內(nèi)容壓入于幸存者SO(O)中且針對(duì)狀態(tài)I將Sl(O)從幸存者推出。此外，將每一幸存者的所有剩余內(nèi)容向左回推I以針對(duì)狀態(tài)0利用SO (0)中且針對(duì)狀態(tài)I利用SI (0)中的空槽。此為新傳入的Uk創(chuàng)建空間。針對(duì)狀態(tài)0將新的Uk壓入到第19個(gè)寄存器SO (19)中且針對(duì)狀態(tài)I壓入到SI (19)中。這些現(xiàn)在變?yōu)槊恳粻顟B(tài)的新幸存者。
[0051]幸存者的兩個(gè)推出的內(nèi)容現(xiàn)在為可用的-從SO推出的一者及從SI推出的另一者。選擇這兩者中的一者作為決策并發(fā)布。先驗(yàn)地決定需要從哪一幸存者發(fā)布決策:SO或Si。針對(duì)決策發(fā)布自始至終使用此幸存者。由于第一決策發(fā)布僅在幸存者為滿之后發(fā)生，因此存在等于路徑存儲(chǔ)器的等待時(shí)間，在此實(shí)例中其為20。換句話說，在時(shí)間20處發(fā)布的決策為大約Utl，在時(shí)間21處發(fā)布的決策為大約U1，在時(shí)間22處發(fā)布的決策為大約U2等等。
[0052]在先前技術(shù)中，實(shí)質(zhì)上瞬時(shí)地做出決策。換句話說，一觀察到Y(jié)k，就決定對(duì)應(yīng)的Uk。維特比檢測(cè)器通過考慮在到達(dá)目前狀態(tài)時(shí)所遍歷的路徑的歷史而延遲地做出決策。此使得其知曉某些路徑為不合法的且Uk的正確序列將不會(huì)采取所述路徑。瞬時(shí)快照決策可能不能區(qū)分錯(cuò)誤路徑與正確路徑，因?yàn)槠浜雎粤寺窂綒v史。因此，維特比檢測(cè)器可提供較佳抗噪聲性的優(yōu)點(diǎn)。
[0053]圖6圖解說明可包括例如圖2中所圖解說明的存儲(chǔ)器陣列架構(gòu)且可使用本文中所揭示的編程方法編程的存儲(chǔ)器裝置600的功能框圖。存儲(chǔ)器裝置600耦合到外部控制器610。外部控制器610可為微處理器或某一其它類型的控制器。存儲(chǔ)器裝置600及外部控制器610形成系統(tǒng)620的一部分。
[0054]存儲(chǔ)器裝置600包含存儲(chǔ)器單元(例如，非易失性存儲(chǔ)器單元)陣列630。存儲(chǔ)器陣列630布置成字線行及位線列的庫(kù)。在一個(gè)實(shí)施例中，存儲(chǔ)器陣列630的列包括存儲(chǔ)器單兀串聯(lián)串。
[0055]提供地址緩沖器電路640以鎖存通過I/O電路660提供的地址信號(hào)。地址信號(hào)由行解碼器644及列解碼器646接收并解碼以存取存儲(chǔ)器陣列630。
[0056]存儲(chǔ)器裝置600通過使用感測(cè)電路650感測(cè)存儲(chǔ)器陣列列中的電壓或電流改變而讀取存儲(chǔ)器陣列630中的數(shù)據(jù)。在一個(gè)實(shí)施例中，感測(cè)電路650經(jīng)耦合以從存儲(chǔ)器陣列630讀取并鎖存一行數(shù)據(jù)。如先前所描述，感測(cè)電路650包含感測(cè)電路以及用于執(zhí)行編程檢驗(yàn)操作的其它電路。通過用于經(jīng)由多個(gè)數(shù)據(jù)連接662與控制器610雙向數(shù)據(jù)通信以及地址通信的I/O電路660而輸入及輸出數(shù)據(jù)。提供寫入電路655以將數(shù)據(jù)寫入到存儲(chǔ)器陣列。
[0057]內(nèi)部控制器(例如，控制電路及/或固件)670解碼在控制接口 672上從外部控制器610提供的信號(hào)。這些信號(hào)用于控制對(duì)存儲(chǔ)器陣列630的操作，包含數(shù)據(jù)讀取、數(shù)據(jù)寫入(編程)及擦除操作。內(nèi)部控制器670可為產(chǎn)生所述存儲(chǔ)器控制信號(hào)的狀態(tài)機(jī)、定序器或某一其它類型的控制器。在一個(gè)實(shí)施例中，內(nèi)部控制器670經(jīng)配置以控制本發(fā)明的編程實(shí)施例的執(zhí)行。在替代實(shí)施例中，外部控制器610經(jīng)配置以控制本發(fā)明的編程實(shí)施例的執(zhí)行。
[0058]圖6中所圖解說明的存儲(chǔ)器裝置已經(jīng)簡(jiǎn)化以促進(jìn)對(duì)存儲(chǔ)器的特征的基本理解。所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員已知快閃存儲(chǔ)器的內(nèi)部電路及功能的更詳細(xì)的理解。
[0059]結(jié)論
[0060]總的來說，編程操作的一個(gè)或一個(gè)以上實(shí)施例可在編程存儲(chǔ)器單元時(shí)提供經(jīng)改進(jìn)的信噪比。此可通過將SLC存儲(chǔ)器裝置的兩個(gè)原始數(shù)據(jù)狀態(tài)編碼成至少三個(gè)不同編程狀態(tài)因此增加經(jīng)編程信號(hào)功率來實(shí)現(xiàn)。
[0061]雖然本文中已圖解說明及描述了特定實(shí)施例，但所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員將了解，任何旨在實(shí)現(xiàn)相同目的的布置均可替代所展示的特定實(shí)施例。所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員將明了本發(fā)明的許多修改。因此，本申請(qǐng)案打算涵蓋本發(fā)明的任何修改或變化。
【權(quán)利要求】
1.一種用于編程存儲(chǔ)器單元的方法，所述方法包括: 使用數(shù)據(jù)流產(chǎn)生經(jīng)編碼流，其中所述經(jīng)編碼流包括至少三個(gè)不同編程狀態(tài)；及 使用所述經(jīng)編碼流來編程所述存儲(chǔ)器單元。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述至少三個(gè)不同編程狀態(tài)中的第一編程狀態(tài)表示兩個(gè)數(shù)據(jù)狀態(tài)中的第一數(shù)據(jù)狀態(tài)，且所述至少三個(gè)不同編程狀態(tài)中的第二及第二編程狀態(tài)兩者均表示所述兩個(gè)數(shù)據(jù)狀態(tài)中的第二數(shù)據(jù)狀態(tài)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中三個(gè)不同編程電平中的第一編程狀態(tài)具有第一電壓量值，且所述三個(gè)不同編程狀態(tài)中的第二編程狀及第三編程狀態(tài)兩者均具有第二電壓量值。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其中所述第二編程狀態(tài)為負(fù)第二電壓且所述第三編程狀態(tài)為正第二電壓。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，且其進(jìn)一步包括用序列檢測(cè)器從所述經(jīng)編碼流讀取所述數(shù)據(jù)流。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其中所述序列檢測(cè)器對(duì)個(gè)別當(dāng)前數(shù)據(jù)樣本及過去數(shù)據(jù)樣本兩者做出響應(yīng)。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中產(chǎn)生經(jīng)編碼流包括直接從所述數(shù)據(jù)流產(chǎn)生所述經(jīng)編碼流。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中直接從所述數(shù)據(jù)流產(chǎn)生所述經(jīng)編碼流包括: 當(dāng)所述數(shù)據(jù)流的目前位位置具有第一數(shù)據(jù)狀態(tài)時(shí)，針對(duì)所述經(jīng)編碼流的目前位位置產(chǎn)生第一經(jīng)編碼狀態(tài)； 當(dāng)所述數(shù)據(jù)流的所述目前位位置具有第二數(shù)據(jù)狀態(tài)時(shí)且當(dāng)所述數(shù)據(jù)流的所述目前位位置的前面是所述數(shù)據(jù)流中的奇數(shù)個(gè)具有所述第一數(shù)據(jù)狀態(tài)的位位置時(shí)，針對(duì)所述經(jīng)編碼流的所述目前位位置產(chǎn)生第二經(jīng)編碼狀態(tài)；及 當(dāng)所述數(shù)據(jù)流的所述目前位位置具有所述第二數(shù)據(jù)狀態(tài)時(shí)且當(dāng)所述數(shù)據(jù)流的所述目前位位置的前面是所述數(shù)據(jù)流中的偶數(shù)個(gè)具有所述第一數(shù)據(jù)狀態(tài)的位位置時(shí)，針對(duì)所述經(jīng)編碼流的所述目前位位置產(chǎn)生第三經(jīng)編碼狀態(tài)。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中產(chǎn)生所述經(jīng)編碼流包括: 從所述數(shù)據(jù)流產(chǎn)生經(jīng)預(yù)譯碼數(shù)據(jù)流； 從所述經(jīng)預(yù)譯碼數(shù)據(jù)流產(chǎn)生經(jīng)映射電壓流；及 從所述經(jīng)映射電壓流產(chǎn)生所述經(jīng)編碼流。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中產(chǎn)生所述經(jīng)預(yù)譯碼數(shù)據(jù)流包括邏輯組合原始數(shù)據(jù)流的目前數(shù)據(jù)值與所述經(jīng)預(yù)譯碼數(shù)據(jù)流的先前數(shù)據(jù)值。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中產(chǎn)生所述經(jīng)映射電壓流包括將所述經(jīng)預(yù)譯碼數(shù)據(jù)流的每一數(shù)據(jù)值映射到相應(yīng)電壓。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中將所述經(jīng)預(yù)譯碼數(shù)據(jù)流的每一數(shù)據(jù)值映射到相應(yīng)電壓包括將所述經(jīng)預(yù)譯碼數(shù)據(jù)流的第一邏輯狀態(tài)映射到第一電壓且將所述經(jīng)預(yù)譯碼數(shù)據(jù)流的第二邏輯狀態(tài)映射到第二電壓。
13.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中已將所述經(jīng)預(yù)譯碼數(shù)據(jù)流的初始在前數(shù)據(jù)值初始化為第一邏輯狀態(tài)。
14.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中所述產(chǎn)生所述經(jīng)編碼流包括使用所述經(jīng)映射電壓流產(chǎn)生三進(jìn)制電壓流，其中所述三進(jìn)制電壓流包括電壓0、A及-A，使得第一狀態(tài)由OV表示且第二狀態(tài)由A伏及-A伏兩者表示。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其中具有所述第二數(shù)據(jù)狀態(tài)的第一位響應(yīng)于所述經(jīng)預(yù)譯碼數(shù)據(jù)流中在所述第一位之前的奇數(shù)個(gè)位具有所述第一數(shù)據(jù)狀態(tài)而由A伏表示，且具有所述第二數(shù)據(jù)狀態(tài)的第二位響應(yīng)于所述經(jīng)預(yù)譯碼數(shù)據(jù)流中在所述第二位之前的偶數(shù)個(gè)位具有所述第一數(shù)據(jù)狀態(tài)而由-A伏表示。
16.一種裝置，其包括: 存儲(chǔ)器單元陣列 '及 控制器，其經(jīng)配置以: 從數(shù)據(jù)流產(chǎn)生經(jīng)編碼流，其中所述經(jīng)編碼流包括至少三個(gè)不同編程狀態(tài)；及使用所述經(jīng)編碼流來編程所述陣列的存儲(chǔ)器單元。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的裝置，其中所述控制器進(jìn)一步經(jīng)配置以對(duì)所述數(shù)據(jù)流中在目前位之前的具有第一數(shù)據(jù)狀態(tài)的特定數(shù)目個(gè)位進(jìn)行計(jì)數(shù)且使用所述計(jì)數(shù)至少部分地產(chǎn)生所述經(jīng)編碼流。
18.根據(jù)權(quán)利要求16所述的裝置，其中所述控制器經(jīng)配置以產(chǎn)生所述經(jīng)編碼流包括所述控制器經(jīng)配置以 通過邏輯組合所述數(shù)據(jù)流的位與經(jīng)預(yù)譯碼數(shù)據(jù)流的在前位而從所述數(shù)據(jù)流產(chǎn)生所述經(jīng)預(yù)譯碼數(shù)據(jù)流。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的裝置，其中所述控制器進(jìn)一步經(jīng)配置以將所述經(jīng)預(yù)譯碼數(shù)據(jù)流映射到電壓流。
20.根據(jù)權(quán)利要求16所述的裝置，其中所述控制器進(jìn)一步經(jīng)配置以將所述數(shù)據(jù)流編碼成包括電壓O、A及-A的三進(jìn)制電壓流。
【文檔編號(hào)】G11C16/34GK103620691SQ201280028920
【公開日】2014年3月5日 申請(qǐng)日期:2012年4月24日 優(yōu)先權(quán)日:2011年5月12日
【發(fā)明者】錢德拉·瓦拉納西 申請(qǐng)人:美光科技公司