用于促進對動態(tài)存儲器設備的精細自刷新控制的機制的制作方法
【專利摘要】描述了一種促進改進的存儲器設備刷新方案的機制。在一個實施例中，裝置包括存儲器設備，存儲器設備具有刷新邏輯及存儲器單元，存儲器單元包括數(shù)據(jù)單元及補充單元，補充單元將被觀察。補充單元模擬數(shù)據(jù)單元根據(jù)現(xiàn)有刷新策略執(zhí)行常規(guī)刷新操作的衰退特性。裝置還可包括刷新邏輯，用于從補充單元接收關于補充單元衰退的觀察數(shù)據(jù)，并將觀察數(shù)據(jù)關聯(lián)于數(shù)據(jù)單元性能。刷新邏輯用以基于由補充單元收集的觀察數(shù)據(jù)產(chǎn)生策略建議。
【專利說明】用于促進對動態(tài)存儲器設備的精細自刷新控制的機制
【技術領域】
[0001]本發(fā)明的實施例一般涉及存儲器設備領域，尤其涉及用于促進對動態(tài)存儲器設備的精細刷新控制的機制。
[0002]背景
[0003]存儲器設備通常用于存儲數(shù)據(jù)，并且對任何計算系統(tǒng)而言都是不可或缺的。隨著移動計算設備的崛起(例如智能手機、個人數(shù)字助理PDA、袖珍計算機、平板計算機等)，具備可保存大量數(shù)據(jù)的小型存儲器設備是較佳的。已有許多技術被推出以讓存儲器設備小型化而又有增加的存儲能力。一種這樣的存儲器設備就是動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)設備。
[0004]DRAM設備(或簡稱“DRAM”)因其架構簡化而常被使用；例如，DRAM使用了極小電容器，使得可將無數(shù)電容器裝配在單個存儲器芯片上。DRAM是易失性存儲器，意即一旦失去電源時會很快漏失掉數(shù)據(jù)。而且因DRAM存儲將數(shù)據(jù)每一位存儲在集成電路內的個別電容器中，每一電容器都可充、放電。充電和放電這兩個步驟表示位的兩個值，即一般所知的0與I。由于已知電容器會泄漏電荷，因此所存儲數(shù)據(jù)最終會逐漸消失，除非電容器電荷被周期地刷新。此種DRAM周期性刷新的需求正說明了 DRAM中的措辭“動態(tài)”所指與靜態(tài)存儲器(SRAM)中措辭“靜態(tài)”所指是相反的。
[0005]目前的DRAM設備隨時間經(jīng)過使用刷新操作來維持存儲器的每一單元(cell)的狀態(tài)。被編程為“I”的DRAM單元會隨時間衰退，導致最終無法區(qū)別0與I。為了確保單元維持本身的值，刷新操作的頻率需比衰退時間還高。例如，刷新操作的頻率需夠高至足以確保任一單元的誤差機率小于10_18。復雜的是，單元衰退與溫度有關，并且溫度每增加10°C，單元的平均衰退時間就減少一半。更糟的是，未來的存儲器設備可能直接放在芯片上系統(tǒng)(SOC)之上，這會讓DRAM設備不同部分曝露于不同溫度。用于確定衰退的常規(guī)系統(tǒng)使用單個溫度傳感器，其可能不準確和/或距DRAM設備的‘熱點’很遠。使用此單個溫度傳感器需有高度保守策略，就是將最糟情況溫度考慮進來，并使DRAM以最糟情況速率來刷新。此導致較高的功耗、較少可用帶寬，并且保持一直達不到最佳刷新速率。
[0006]依據(jù)常規(guī)技術，如圖2D所例示，溫度傳感器放置于DRAM設備的存儲器陣列上，接著利用溫度傳感器讀出來確定整個陣列的刷新策略。這種方法有許多限制。舉例而言，溫度傳感器讀出會因過程變異、傳感器在陣列中的放置情形、或者溫度傳感器設計限制(如量化等)而不準確。此外，DRAM在確定刷新策略時考慮了最糟情況(溫度)場合。因此，若溫度傳感器準確度為+/_5°C且跨存儲器陣列的最大溫度梯度為5°C，則刷新策略須考慮溫度讀出與存儲器陣列中任一給定單元之間總共10°C差異的可能性。此導致刷新操作的方法過度保守，并且也增加系統(tǒng)執(zhí)行刷新策略的功耗，而且也限制了可用系統(tǒng)帶寬，因為存儲器陣列在刷新期間不能用。此外，過多刷新操作引起的變熱使得問題加劇。
[0007]另外，DRAM設備密度的增加使得該設備的刷新操作次數(shù)也增加。因此，在使用常規(guī)刷新架構的情況下，未來的DRAM可能需要高達25% DRAM帶寬專用于刷新操作，因為密度與溫度都增加了。依據(jù)某些數(shù)據(jù)報告顯示，隨著DRAM密度與溫度的增加，刷新操作的帶寬利用會從最佳情況場合的3%上升到最糟情況場合的86%。[0008]概述
[0009]描述了一種促進改進的存儲器設備刷新方案的機制。
[0010]在一個實施例中，裝置包括存儲器設備，存儲器設備具有刷新邏輯與存儲器單元。存儲器單元包括數(shù)據(jù)單元及補充單元。數(shù)據(jù)單元根據(jù)目前條件下的現(xiàn)有策略以一頻率正常地被刷新。補充單元以低于數(shù)據(jù)單元的頻率數(shù)被采樣且補充單元的值被觀察用以確定數(shù)據(jù)單元數(shù)據(jù)保存。基于從補充單元得到的觀察數(shù)據(jù)，刷新邏輯基于由補充單元收集的觀察數(shù)據(jù)產(chǎn)生策略建議。
[0011]在一個實施例中，系統(tǒng)包括耦合于存儲器設備的處理器。處理器包括刷新邏輯，存儲器設備包括刷新邏輯與存儲器單元，其中存儲器單元包括數(shù)據(jù)單元及補充單元，且也可能再有刷新邏輯。在補充單元上執(zhí)行采樣操作的頻率低于數(shù)據(jù)單元刷新操作。處理器和/或存儲器刷新邏輯用以從補充單元接收關于數(shù)據(jù)單元于不同條件下保存數(shù)據(jù)能力的觀察數(shù)據(jù)。處理器和/或存儲器刷新邏輯用以基于由補充單元收集的觀察數(shù)據(jù)產(chǎn)生策略建議。
[0012]在一個實施例中，方法包括經(jīng)由存儲器設備的數(shù)據(jù)單元根據(jù)現(xiàn)有刷新策略執(zhí)行常規(guī)(regular)刷新操作。存儲器設備還包括補充單元。上述方法還可包括觀察補充單元，然后根據(jù)補充單元的狀態(tài)執(zhí)行刷新操作。上述方法還可包括在刷新邏輯處接收關于補充單元的觀察的觀察數(shù)據(jù)，以及基于由補充單元收集的觀察數(shù)據(jù)經(jīng)由刷新邏輯產(chǎn)生策略建議。
[0013]在一個實施例中，裝置包括存儲器設備，存儲器設備具有刷新邏輯與存儲器單元，存儲器單元包括數(shù)據(jù)單元及補充單元，補充單元將被觀察。補充單元模擬數(shù)據(jù)單元根據(jù)現(xiàn)有刷新策略執(zhí)行常規(guī)刷新操作的衰退特性。該裝置還可包括刷新邏輯，用以從補充單元接收關于補充單元衰退的觀察數(shù)據(jù)，并將觀察數(shù)據(jù)關聯(lián)至數(shù)據(jù)單元性能。刷新邏輯用以基于由補充單元收集的觀察數(shù)據(jù)產(chǎn)生策略建議。
[0014]附圖簡述
[0015]本發(fā)明的實施例作為例示而非限制在附圖的圖示中例示出，在附圖中相同附圖標記指代類似元素:
[0016]圖1例示了根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的具有DRAM存儲器設備的計算系統(tǒng)。
[0017]圖2A例示了根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的圖1的排。
[0018]圖2B例示了根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的將圖1的排的補充單元分解成單元子集以在各個區(qū)間執(zhí)行補充單元的采樣操作。
[0019]圖2C例示了根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的具有用以確定局部刷新策略的補充單元的增強型DRAM。
[0020]圖2D例示了使用常規(guī)溫度傳感器的現(xiàn)有技術方案。
[0021]圖3例示了根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的與刷新邏輯通信的DRAM存儲器排，該刷新邏輯具有用于促進改進的刷新方案的機制。
[0022]圖4例示了根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的用于促進改進的刷新方案的方法。
[0023]圖5例示了根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的用于促進改進的刷新方案的方法。
[0024]圖6例示了根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的計算機系統(tǒng)。
[0025]詳細描述
[0026]本發(fā)明的實施例一般涉及促進對存儲器設備的精細刷新(例如自刷新或基于控制器的刷新)控制。[0027]本發(fā)明實施例提供最佳化刷新速率以在存儲器設備失去其電荷之前刷新存儲器設備中的存儲器單元。本發(fā)明的實施例藉由測量鄰近用于存儲器陣列內的實際存儲的不同區(qū)域的真實單元的衰退速率來確定存儲器設備(如DRAM)的近乎最佳的刷新速率。因此減少存儲器設備整體功耗而又能增加可用帶寬。本發(fā)明實施例涵蓋了很大范圍的未來存儲器設備及系統(tǒng)的場合。例如，DRAM設備在密度方面的提升需對應地增加設備刷新操作的次數(shù)。使用本發(fā)明的實施例，這類刷新增加可被控制及消除，從而節(jié)省了原本專用于所增加的刷新操作的大量設備帶寬。在一個實施例中，提供了更準確且高效的系統(tǒng)以控制刷新操作，使得大量帶寬空出來而同時降低功耗。
[0028]圖1例示了依據(jù)本發(fā)明的一個實施例的具有DRAM存儲器設備的計算系統(tǒng)。計算系統(tǒng)100被例示為包含中央處理單元(CPU)核102，其代表連接于一個或多個存儲器控制器106的一個或多個處理器。計算系統(tǒng)100還包括操作系統(tǒng)104及由存儲器控制器106所控制的DRAM存儲器設備110。DRAMl 10被示為具有溫度傳感器120、刷新邏輯130、接口邏輯140以及許多存儲器排(memory bank) 0_7152_166。溫度傳感器120用來感測溫度(例如以攝氏度計)以執(zhí)行或觸發(fā)各種任務(例如刷新操作)。接口邏輯140用來在DRAM110與計算系統(tǒng)100的其它組件之間提供接口。例如存儲器控制器106可能不具有對DRAMl 10的直接訪問，但存儲器控制器106可通過接口邏輯140訪問DRAM以及與之通信。
[0029]此外，根據(jù)一個實施例，刷新邏輯108作為存儲器控制器106 —部分，可以控制DRAM的刷新操作，這與刷新邏輯130作為DRAM110的組件相類似，盡管是通過接口邏輯140。舉例而言，刷新邏輯108在位置上可不同于刷新邏輯130，但刷新邏輯108，130兩者(不論兩者全部或它們中的一個是否被使用)提供于貫穿本文獻中描述的相同新穎功能。在一個實施例中，兩個刷新邏輯108，130可基于其數(shù)據(jù)分析及執(zhí)行其它相關功能與操作來提供兩個不同的刷新策略。
[0030]在一個實施例中，許多補充存儲器單兀被引進且用于每一排152-166,例如,如圖所例示的，排7166具有額外或補充存儲器單元172-180以產(chǎn)生增強型DRAM(“增強型DRAM”、“DRAM設備”、“DRAM存儲器設備”、或簡單為“DRAM”) 110。雖未示出，排152-166中的全部或任意個可包含一組補充單元，用以確定適當?shù)木植克⑿虏僮鞑呗?。如就?166所例示的，在一實施例中，補充單元172-180可散布于排166的常規(guī)存儲器單元182-188中，這視需求或必要而定。在此例示中，補充單元172-180示為位于排7166的常規(guī)存儲器單元182-188之間的列或帶。在一些實施例中，額外單元可散布成無論是另一種圖案還是不具任何圖案，或者只是放置在排152-166內的單一特定點，這視需求或必要而定。雖然排7166及其數(shù)據(jù)單元182-188還有補充單元172-180都在此為簡化而示出，但是可預期的是任意數(shù)量的排152-166可包含任意數(shù)量的常規(guī)或補充單元，這些單元可以是任何形式或圖案的。此外，每一條數(shù)據(jù)單元172-180也稱為補充單元列。
[0031]在一個實施例中，補充單元172-180放置在排7166的數(shù)據(jù)單元182-188之間以作為采樣單元，其因鄰近之故而極類似于數(shù)據(jù)單元182-188的行為。舉例而言，補充單元172-180依據(jù)現(xiàn)有刷新策略以較低頻率執(zhí)行采樣操作，并且根據(jù)補充單元狀態(tài)將衰退數(shù)據(jù)報告給刷新邏輯130，108，是非常接近數(shù)據(jù)單元182-188的衰退特性。刷新邏輯130，108可使用補充單元的狀態(tài)來修改刷新策略。在一個實施例中，為了觀察執(zhí)行于數(shù)據(jù)單元182-188上的常規(guī)刷新操作的適性，刷新邏輯130，108控制補充單元172-180的采樣頻率。補充單元172-180其觀察發(fā)現(xiàn)報告回給刷新邏輯130，108。例如觀察發(fā)現(xiàn)可指示有過多或過少的刷新操作正在排7166的數(shù)據(jù)單元182-188上執(zhí)行。刷新邏輯130，108接著可分析這些觀察發(fā)現(xiàn)并做準備，并且提供刷新策略建議以確定未來的刷新操作增加或減少常規(guī)刷新操作，從而改變常規(guī)刷新操作之間的頻率或時間量。
[0032]可預期的是，刷新邏輯130可基于良樣本與劣樣本之間的過渡位置而調整頻率。此外，在一個實施例中，當DRAMl 10掉電時，刷新邏輯130可在自刷新操作期間被使用，且在此時間期間，刷新邏輯130可調用刷新操作，觀察補充單元172-180 (以較低頻率)，并調整其自身刷新頻率。存儲器控制器106，在另一方面以及在一個實施例中，可直接對補充單元172-180執(zhí)行讀取操作，例如在刷新邏輯區(qū)塊108中，并在內部推導自已的策略(可以具有或不具有來自刷新邏輯130的建議)。此外，每一區(qū)塊152-166可獨立地確定自已的策略。
[0033]圖2A例示了根據(jù)本發(fā)明的實施例的圖1的排。在一個實施例中，排7166被示為具有與補充單元172-180交錯或交替的常規(guī)存儲器單元182-188，該補充單元172-180用于確定局部刷新操作有效性。在一個實施例中，如參照圖1所描述的，補充單元172-180配合增強型DRAM的刷新邏輯以監(jiān)視數(shù)據(jù)單元182-188執(zhí)行常規(guī)刷新操作的刷新性能。在一個實施例中，補充單元172-180藉由以不同區(qū)間(將進一步參照圖2B描述)測量各個單元子集來測量鄰近單元性能。各種采樣時間可僅為周期性的(如每毫秒)或基于溫度(如每幾攝氏度環(huán)境溫度)、行為的發(fā)生(如在檢測到慣常高的CPU負載時)、或任何其它預定準則(如溫度與時間的任意組合)等，且可應用于任一個或若干個或全部補充單元172-180。
[0034]圖2B例示了依據(jù)本發(fā)明的實施例的將圖1的排的補充單元分解成在各個周期性區(qū)間監(jiān)視的單元子集。在例示的實施例中，為了簡化與清楚目的，示出排7166的若干補充單元列172-180中的單個補充單元列172，以進一步劃分成補充單元子集202-214。每一單元子集(例如單元子集202)可包含多個單元且用來監(jiān)視在單個周期性時間區(qū)間內的單元性能，其不同于其它子集(諸如子集204-214)的那些。舉例而言，如圖所示，單元子集202可在tREFI*4區(qū)間被采樣，而其它單元子集204-214的每一個可在不同的(此例中，較長的)區(qū)間(例如，tREFI*8、tREFI*16、tREFI*32、tREFI*64、tREFI*128、tREFI*256)被采樣?？深A期的是也可采用其它布置補充單元的方式(例如與數(shù)據(jù)單元交替)。
[0035]再回來參照圖2A，在一個實施例中，描述使用補充單元172-180確定常規(guī)DRAM存儲器陣列或列182-188的刷新區(qū)間的新穎技術。并非如常規(guī)技術僅使用溫度傳感器，在一個實施例中，為了確定是否對現(xiàn)有刷新策略作任何改變(根據(jù)哪一刷新操作被執(zhí)行)，補充單元172-180的列用來配合刷新邏輯藉此觀察數(shù)據(jù)單元列182-188的現(xiàn)有常規(guī)刷新性能。在一個實施例中，如圖2B所示，每一補充單元列172可被分成多個單元子集202-214以在不同區(qū)間采樣。舉例而言，如所述及所例示的，在相同補充單元列172內，補充單元子集202可在tREFI*4區(qū)間采樣，而其它單元子集204-214在更長的區(qū)間采樣，諸如從tREFI*8到tREFI*256。藉由在較低(或較高)速率下采樣某些單元子集，可導出橫跨單元子集202-214的單元衰退分布函數(shù)，且可為數(shù)據(jù)單元(例如，182)的每一子集確定適當?shù)膖REFI。具有很多單元子集202-214有助于以個體常規(guī)存儲器列(例如，182以及單元子集202-214)的精細等級來處理不同的溫度梯度。這樣的精細信息可隨后用來確定用以調整數(shù)據(jù)單元列的常規(guī)刷新操作的現(xiàn)有刷新策略是適當還是需修正。
[0036]在一個實施例中，補充單元列172-180可在最初被設為“高”值，然后在不同區(qū)間對每一補充單元列172的每一單元子集采樣。當每一單元子集202-214被采樣，任何誤差值(如”低”)會被檢測到并用來針對常規(guī)存儲器區(qū)段182-188確定適當?shù)膖REFI。使用此信息，補充單元列172-180配合刷新邏輯運作，該刷新邏輯有關哪一刷新窗口等級誤差將可接受(例如tREFI*8、tREFI*16等)確定可針對增強型DRAM設置的策略。例如，若誤差在較低值刷新窗口被檢測到，則減小tREFI。類似地，刷新策略被產(chǎn)生以供增強型DRAM確定在哪一種等級誤差不會被檢測或觀察到，使得增加對特定區(qū)段(tREFI*32、tREFI*64等)的tREFI設定或者使其保持不變?yōu)榭山邮艿?。在此例中，作為采樣過程一部份，經(jīng)采樣的補充單元被重置為“1”，以便為下一個采樣循環(huán)作準備。
[0037]可預期的是，在一些實施例中，補充單元列172-180可不被劃分為單元子集，而整個補充單元列，諸如排7166的補充單元列172-180，可用來執(zhí)行并觀察于各個區(qū)間的刷新有效性。與單元子集202-214—樣，不同的采樣操作可在補充單元列等級下被執(zhí)行及觀察，例如在不同的區(qū)間由每一排(如排7166)的每一補充單元列174-180執(zhí)行與觀察，這與由每一補充單元列(如補充單元列172)的每一單元子集進行相反。
[0038]現(xiàn)在參考圖2C，其例示了根據(jù)本發(fā)明的實施例的具有用以確定局部刷新有效性的補充單元的增強型DRAM。在此例示的實施例中，增強型DRAMl 10包括許多排152-166，每一排都具有數(shù)據(jù)單元與補充單元。如同圖1，為簡化且便于了解，只有排7166示出具有經(jīng)編號的數(shù)據(jù)單元182-188及補充單元172-180，但可預期的是，增強型DRAM110可以具有任意數(shù)量的排0-7152-166，且每一排0-7152-166可具有任意數(shù)量的常規(guī)及補充單元。具有補充單元172-180可讓常規(guī)DRAM變成為增強型DRAMl 10，且當增強型DRAMl 10經(jīng)歷各種熱梯度222-226時允許局部刷新策略。例如，補充單元172-180(及其子集單元，諸如補充單元列176的子集單元202-214)用來確定局部刷新策略，該局部刷新策略使每一排(如排7166)的每一補充單元列(如補充單元列172)的每一子集單元(如子集單元202-214)測試不同熱梯度222-226，并為每一子集單元202-214在DRAMl 10上測試多個刷新區(qū)間及其對應的熱梯度222-226。在一實施例中，數(shù)據(jù)單元182-188可在tREFI區(qū)間被刷新，而補充單元172-180可在不同于tREFI的其它區(qū)間被采樣。此種新穎技術被補充單元172-180用來將局部加熱的效果形式化，且將關于其的信息提供給刷新邏輯以形成相關刷新策略。這種增強型DRAM110的多個較小區(qū)段內使用局部化(因此，定制)的各個tREFI的技術明顯地比對整個存儲器芯片使用單個保守tREFI的常規(guī)技術有利，并且常規(guī)單個tREFI無法局部化并考慮到整個存儲器芯片上的各種且改變的熱梯度。例如在此例中使用了定制刷新區(qū)間，因為數(shù)據(jù)單元182-188在其區(qū)域中具有不同的刷新速率。
[0039]在實施例中，準確度可藉由執(zhí)行校準程序來比較補充單元性能與數(shù)據(jù)單元性能而獲得改善。有時，當數(shù)據(jù)單元未被使用時(例如，沒有相關數(shù)據(jù)存儲在它們中，諸如啟動時)，數(shù)據(jù)單元可類似于補充單元而被采樣，然后比較結果。真實數(shù)據(jù)單元結果與補充單元結果之間的差異可用來在形成策略時精煉補充單元信息。
[0040]圖2D例示了反映只使用常規(guī)溫度傳感器280的電流方案的常規(guī)技術，該常規(guī)技術用來得到用于整個DRAM存儲器芯片250的單個保守tREFI，其無法考慮到在DRAM250上不同的熱區(qū)段或梯度272-276，因此，單個tREFI必須將DRAM250上可能的最大熱梯度272計入考慮?，F(xiàn)有技術刷新邏輯290 (連同常規(guī)接口邏輯295)無法識別各個熱區(qū)段272-276，并且需要考慮最大熱梯度272并根據(jù)其來行動。[0041]圖3例示了依據(jù)本發(fā)明的一個實施例的與刷新邏輯通信的DRAM存儲器排，其具有用于促進改進的刷新方案的機制。在一個實施例中，刷新邏輯130，108包括多個組件304-310，用以管理DRAMl 10的排166的補充單元172-180及數(shù)據(jù)單元182-188。此常規(guī)及補充單元182-188、172-180的管理包括許多動作，包括:對數(shù)據(jù)單元182-188執(zhí)行現(xiàn)有刷新策略、采樣并提供觀察支持給補充單元172-180、從補充單元172-180接收觀察發(fā)現(xiàn)或數(shù)據(jù)、分析觀察數(shù)據(jù)、產(chǎn)生提供刷新策略給未來的刷新操作的刷新策略。刷新邏輯130，108的組件304-310可為軟件、硬件、或其任意組合(例如固件)。在一個實施例中，由刷新邏輯130，108對補充及數(shù)據(jù)單元172-180、182-188的管理包括:監(jiān)視與分析執(zhí)行于DRAMl 10上的基于現(xiàn)有刷新策略的刷新操作的有效性、以及準備更高效的刷新操作策略或方案。在一個實施例中，例如，刷新邏輯130，108與補充單元(諸如補充單元172-180)的組合可用來為DRAM110就各個溫度值以及在各個溫度梯度下確定最佳刷新策略。此外，將溫度傳感器120結合補充單元172-180以及從補充單元172-180獲得的觀察數(shù)據(jù)來使用，以進一步有助于刷新邏輯130，108產(chǎn)生最佳且動態(tài)的刷新操作策略。
[0042]在一個實施例中，由于存儲器控制器106不太可能具有對DRAM166的直接訪問，因此刷新邏輯130可與存儲器控制器106通信，諸如經(jīng)由接口邏輯140，以促進其議程并執(zhí)行其工作。此外，作為存儲器控制器106的一部分的刷新邏輯108可執(zhí)行或參與或利用改進的刷新方案的機制(“機制”)300。在此實施例中，除了別的之外，顯式激活、自動刷新、或策略設定命令也是由存儲器控制器106發(fā)出而非使用存儲器中的自刷新組件。在一個實施例中，作為增強DRAM166的替代或補充，存儲器控制器106為了觀察的目的，可保留陣列(例如來自單元182-188)內的某些存儲器數(shù)據(jù)單元來用作補充單元172-180，而且可在延長的區(qū)間訪問這些存儲器單元。因此，存儲器控制器106可調整其刷新策略。這種新穎技術提供額外好處，即不需對存儲器部位有任何增強以利用本發(fā)明實施例。
[0043]在一實施例中，補充單元172-180是從內建于存儲器的單元分配出，但是無法使用，因為這是要當作用來取代缺陷的冗余數(shù)據(jù)單元，或者本身為有缺陷的(但不妨礙其用于觀察目的)，并且已不再像數(shù)據(jù)單元般工作。其好處是保持整個可尋址存儲器空間為可當作數(shù)據(jù)單元使用。與為使用目的而建立的補充單元172-180不同，DRAMl 10具有此功能所增加的成本就被隱藏了。
[0044]在一個實施例中，機制300包括通信模塊302以促進刷新邏輯130，108與在DRAMl 10出所使用的補充單元(例如在DRAMl 10的排7166所使用的補充單元172-180)之間的雙向通信。舉例而言，通信模塊302可用來傳送來自刷新邏輯130 (或通過接口邏輯140而使用刷新邏輯108的存儲器控制器106)的刷新命令及其它指令至補充及數(shù)據(jù)單元172-180，182-188，并從補充單元172-180接收刷新操作發(fā)現(xiàn)或數(shù)據(jù)。在一個實施例中，刷新邏輯130，108還包括監(jiān)視模塊304，該監(jiān)視模塊304引導補充單元172-180 (及其單元子集，如果有的話)依據(jù)包括由策略產(chǎn)生器308所提供的現(xiàn)有刷新策略的特定指令執(zhí)行采樣操作，藉此以更精細的粒度觀察熱梯度及相應的刷新操作。
[0045]在一個實施例中，補充單元172-180執(zhí)行采樣操作以確定現(xiàn)有刷新策略的有效性以及其是否需改變。例如，如參照圖2B所述的，一個或多個補充單元列172-180可分成許多單元子集，其中每一單元子集可被設定成在特定刷新區(qū)間(例如tREFI*4、tREFI*8等)執(zhí)行采樣操作。接著這些補充單元172-180可收集關于現(xiàn)有刷新策略(與當前刷新區(qū)間tREFI有關)的相關數(shù)據(jù)，例如補充單元172-180如何作出響應、以及現(xiàn)有策略是有利還是不利于DRAM110。所收集采樣數(shù)據(jù)然后經(jīng)由通信模塊302被提供到刷新邏輯130，108。
[0046]刷新邏輯130，108還包括數(shù)據(jù)分析器306，用以分析從補充單元172-180接收的采樣操作數(shù)據(jù)。數(shù)據(jù)分析器306考慮到影響刷新操作的各個因素和變量(例如，計算系統(tǒng)是否正在執(zhí)行視頻、圖形、聯(lián)網(wǎng)等)，并依據(jù)這些因素與變量分析補充采樣發(fā)現(xiàn)，并且確定是否要對刷新策略做出任何改變。舉例而言，若刷新操作的次數(shù)被限制以達到最佳刷新方案，則數(shù)據(jù)分析器306提供該信息給刷新邏輯130，108的策略產(chǎn)生器308。策略產(chǎn)生器308接收該信息并產(chǎn)生刷新策略，該刷新策略由刷新產(chǎn)生器310執(zhí)行。
[0047]刷新邏輯130，108的刷新產(chǎn)生器310在DRAMl 10的排中的數(shù)據(jù)單元182-188上執(zhí)行自刷新和/或自動刷新(或其它種類的刷新)操作。在一個實施例中，刷新產(chǎn)生器在周期性區(qū)間tREFI發(fā)出刷新命令。其它實施例可在不同的時間發(fā)出刷新命令；例如，取決于存儲器單元可用性。
[0048]在一個實施例中，當存儲器控制器106正控制刷新策略(例如，當存儲器正被活躍地用于計算時)，使用基于控制器的刷新邏輯108，其具有類似存儲器中刷新邏輯130的功能。存儲器控制器刷新邏輯108可不同地實現(xiàn)邏輯區(qū)塊304-310，且目的是更適合被存儲器控制器106使用。特別地，可能的是，在刷新邏輯108中實現(xiàn)的刷新不同于刷新邏輯130中(例如更簡單)的刷新。
[0049]可預期的是，所例示的排166及其常規(guī)及補充單元182-188是出于簡化、明白、便于理解目的而示出的，且限制的實施例既不限于此單個排166也不限于DRAM110內的這些單元172-188的數(shù)量、類型或放置，且實施例是可應用于任何數(shù)目、類型及架構的存儲器設備及其存儲器單元和刷新策略以及可與它們合作。
[0050]圖4例示了根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的促進改進的刷新方案的方法。方法400可藉由處理邏輯執(zhí)行，該處理邏輯可包含硬件(例如電路、專用電路、可編程邏輯、微代碼等)、軟件(諸如運行于處理設備上的指令)，或其組合，諸如硬件設備內的固件或功能性電路。在一個實施例中，方法400由用于促進刷新邏輯130，108所利用的改進的刷新方案的機制來執(zhí)行，其中刷新邏輯130，108使用為如圖3中例示的增強型DRAMl 10所利用的補充單元。在一個實施例中，刷新邏輯130，108可位于DRAMl 10之外且遠離該DRAMl 10 ;在另一實施例中，刷新邏輯130，108可被用在DRAM110內或用在DRAM110上；在再一實施例中，刷新邏輯130，108可位于DRAM之外但耦合于DRAMl 10。
[0051]舉例而言，此實施例假設刷新組中有兩個補充單元，補充單元S2對比于補充單元SI以一半的速率(兩倍時間)被采樣。使用縮放計數(shù)器(“縮放器”)來提供比tREFI長的安全邊際，即數(shù)據(jù)單元的當前刷新速率。例如，可能希望擁有比基礎衰退速率(SI變成0的點)快8倍的標稱刷新速率。由于單元衰退的指數(shù)特性，以及數(shù)字系統(tǒng)中以冪次2來操作的方便性，所說明的策略中S2以相比于SI的一半速率被采樣，且當tREFI必須改變時，以因子2 (翻倍或減半)來改變以進行匹配。
[0052]其它實施例也可使用數(shù)據(jù)單元的任意刷新速率、任意補充采樣區(qū)間以及用于改變常規(guī)刷新速率的任意策略。同樣地，其它實施例可選擇在刷新組中使用更多或更少補充單
J Li o
[0053]方法400開始于框405，其中初始化縮放器，該縮放器被設定到相比于數(shù)據(jù)單元的刷新區(qū)間的安全區(qū)間。在框410，最小刷新時間被應用于tREFI區(qū)間，其(在此實施例中)是保證在任何操作條件下正確刷新單元的時間。最后，在框415，刷新框中的數(shù)據(jù)單元最初被刷新且補充單元SI，S2被初始化為I。
[0054]對于所有迭代，在框420中，刷新操作以tREFI的間距隔開，然后在框425中，縮放器以被減小I。在框430，455中如果縮放器不是0或50%，則執(zhí)行簡單刷新操作475。
[0055]由于DRAM讀取及刷新操作的再生特性，為了降低復雜度并保持補充單元與數(shù)據(jù)單元的相似性(親近性)，此實施例描述刷新數(shù)據(jù)單元同時采樣補充單元(如在框435和460處)的好處。補充單元不需同時被采樣，也不需有公共電路或定時關系。當補充單元被采樣時，它們也被重設為1，以便為接下來的采樣操作做準備。
[0056]當在框430處縮放器不為0，但在框455處其為50%時，則執(zhí)行快速補充測試。針對SI的刷新及采樣操作執(zhí)行于框460。在框465，若SI為0，這意味著其已衰退，則經(jīng)縮放的刷新速率是不足的，且在框470中tREFI被減少，導致執(zhí)行更多的刷新操作。SI被重設為I (可能是以可再生的方式)以便為接下來的快速采樣操作做準備。
[0057]當在框430處縮放器為0時，執(zhí)行慢速補充測試。在框435執(zhí)行刷新及采樣操作，且在框440處，縮放器被設定到安全區(qū)間。假如以慢速率采樣的補充單元S2在框445為1，則會有太多刷新操作被執(zhí)行，且在框450刷新區(qū)間被增加以減慢數(shù)據(jù)單元的刷新速率。S2被重設為I (可能是以可再生的方式)以便為接下來的慢速采樣操作做準備。假如在框445，S2作為I被采樣，即意味著其值已衰退，則在框465測試SI以確保刷新速率是足夠的。
[0058]此實施例在S2為0而SI為I時的點停止。這意味著，經(jīng)縮放的刷新速率是足夠的且并非是過度的。例如，當tREFI在框410被設成最小區(qū)間時，SI和S2 二者都可能是1，因為條件比所預期最糟情況更有利。S2，即慢速率指示器，將是第一個衰退的，因此在框465的測試總是在此點失敗。在由縮放器指定的每一區(qū)間，在框445測試S2，而I在框450增加tREF，直到僅必要數(shù)量的常規(guī)刷新操作被執(zhí)行，如S2的衰退所指示的。在此初始過程的最后，S2為0而SI為I。
[0059]要避免關于其中SI無法成為I的系統(tǒng)或存儲器缺陷以及其中S2無法成為0的示例性系統(tǒng)，或者差劣的縮放器選擇的問題，對tREFI的調整施加限制會是明智的。為了強調本發(fā)明的方法，關于限制的處理并未示出。
[0060]圖5例示了根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的促進改進的刷新方案的方法。方法500可藉由處理邏輯執(zhí)行，處理邏輯包含硬件(例如電路、專用電路、可編程邏輯、微代碼等)、軟件(諸如運行于處理設備上的指令)，或其組合，諸如硬件設備內的固件或功能性電路。在一個實施例中，方法500由用于促進由刷新邏輯130，108利用的改進的刷新方案的機制所執(zhí)行，該刷新邏輯130，108使用諸如圖3中例示的增強型DRAM110所利用的補充單元。在一個實施例中，刷新邏輯130，108可位于DRAM110之外并遠離該DRAM110 ;在另一實施例中，刷新邏輯130，108可被用在DRAMl 10內或用在DRAM110上；在再一實施例中，刷新邏輯130，108可位于DRAM之外但耦合于DRAMl 10。
[0061]方法500開始于框505，其中經(jīng)由存儲器設備(諸如DRAM)的數(shù)據(jù)單元根據(jù)現(xiàn)有刷新策略執(zhí)行常規(guī)刷新操作。存儲器設備還包括補充單元。在框510，觀察補充單元并將其重設為已知值以進行接下來的采樣操作。在框515，與補充單元的觀察相關的觀察數(shù)據(jù)在刷新邏輯被接收。在框520，使用刷新邏輯并基于由補充單元收集的觀察數(shù)據(jù)來產(chǎn)生策略建議。在525，策略建議被付諸操作，這可能改變刷新操作的頻率及類型。過程回到框505，利用新策略執(zhí)行刷新。
[0062]圖6例示了其上可實現(xiàn)本發(fā)明的實施例的計算機系統(tǒng)100。計算機系統(tǒng)100包括用于傳送信息的系統(tǒng)總線620，以及耦合至總線620的用于處理信息的處理器102。根據(jù)一個實施例，使用多個微處理器之一實現(xiàn)處理器102。然而，本領域普通技術人員將可理解，可使用其它處理器。采用DRAM110的計算機系統(tǒng)100在圖1中進一步描述。
[0063]計算機系統(tǒng)100還包括耦合至總線620的隨機存取存儲器(RAM)或其它動態(tài)存儲裝置625 (在本文中被稱為主存儲器)，用于存儲要由處理器102執(zhí)行的信息和指令。主存儲器625還可用于存儲處理器102執(zhí)行指令期間的臨時變量或其它中間信息。在一個實施例中，主存儲器625的部分可通過使用增強型DRAM110連同存儲器控制器106來實現(xiàn)。計算機系統(tǒng)100還可包括耦合至總線620的只讀存儲器(ROM)和或其它靜態(tài)存儲裝置626，用于存儲由處理器102使用的靜態(tài)信息和指令。
[0064]諸如磁盤或光盤等數(shù)據(jù)存儲裝置625及其相應的驅動器也可耦合至計算機系統(tǒng)100以存儲信息和指令。計算機系統(tǒng)100還可經(jīng)由輸入/輸出(I/O)接口 630耦合至第二輸入/輸出(I/O)總線650。多個I/O設備可耦合至I/O總線650，包括顯示設備624、輸入設備(例如，字母數(shù)字輸入設備623和/或光標控制裝置622)。通信裝置621用于經(jīng)由外部數(shù)據(jù)網(wǎng)絡訪問其它計算機(服務器或客戶機)。通信裝置621可包括調制解調器、網(wǎng)絡接口卡或其它公知的接口設備，諸如用于耦合至以太網(wǎng)、令牌環(huán)或其它類型網(wǎng)絡的設備。計算機系統(tǒng)100包括但不限于網(wǎng)絡計算機設備、移動電話、個人數(shù)據(jù)助理(PDA)等。
[0065]計算機系統(tǒng)100可互連在客戶機/服務器網(wǎng)絡系統(tǒng)中。網(wǎng)絡可包括局域網(wǎng)(LAN)、廣域網(wǎng)(WAN)、城域網(wǎng)(MAN)、內部網(wǎng)、因特網(wǎng)，等等?？蓸嬒?，可以存在經(jīng)由該網(wǎng)絡連接的任意數(shù)量的設備。經(jīng)由多種標準或非標準協(xié)議，設備可將數(shù)據(jù)流傳輸(諸如流送媒體數(shù)據(jù))至網(wǎng)絡系統(tǒng)中的其它設備。
[0066]在以上描述中，出于說明目的闡述了眾多具體細節(jié)以便提供對本發(fā)明的全面理解。然而，對本領域技術人員將顯而易見的是，沒有這些具體細節(jié)中的一些也可實踐本發(fā)明。在其他情況下，公知結構和設備以框圖的形式示出。在所示組件之間可能存在中間結構。本文描述或示出的組件可具有未示出或描述的附加輸入或輸出。
[0067]本發(fā)明的各種實施例可包括各種過程。這些過程可由硬件組件來執(zhí)行或可以用計算機程序或機器可執(zhí)行指令來實現(xiàn)，這可用于使得通用或專用處理器或邏輯電路經(jīng)用這些指令編碼來執(zhí)行這些過程。或者，這些過程可由硬件和軟件的組合來執(zhí)行。
[0068]本文檔通篇中描述的一個或多個模塊、組件或要素，諸如在DRAM增強機構的實施例中示出或的與其關聯(lián)的模塊、組件或要素，可包括硬件、軟件和/或硬件和軟件的組合。在模塊包括軟件的情況下，軟件數(shù)據(jù)、指令和/或配置可經(jīng)由制品通過機器/電子設備/硬件來提供。制品可包括具有提供指令、數(shù)據(jù)等內容的機器可存取/可讀介質。
[0069]本發(fā)明的各種實施例的多個部分可作為計算機程序產(chǎn)品被提供，該計算機程序產(chǎn)品可包括其上存儲了計算機程序指令的計算機可讀介質，這些計算機程序指令可用于對計算機(或其它電子設備)編程以執(zhí)行根據(jù)本發(fā)明的實施例的過程。機器可讀介質可包括，但不限于，軟盤、光盤、壓縮盤只讀存儲器(CD-ROM)、以及磁光盤、只讀存儲器(ROM)、隨機存取存儲器(RAM)、可擦除可編程只讀存儲器(EPROM)、EEPR0M、磁卡或光卡、閃存、或適于存儲電子指令的其它類型的介質/機器可讀介質。此外，本發(fā)明還可作為計算機程序產(chǎn)品來下載，其中該程序可以從遠程計算機傳送到作出請求的計算機。
[0070]許多方法是以其最基本的形式來描述的，但可以向這些方法中的任一個添加或從中刪除過程，并且可以向所描述的消息中的任一個添加或從中減去信息，而不背離本發(fā)明的基本范圍。對本領域技術人員而言顯而易見的是，還可以作出許多修改和改編。各具體實施例不是為了限制本發(fā)明而是為了說明本發(fā)明來提供的。本發(fā)明的實施例的范圍不是由以上提供的各具體示例來確定的，而是僅由所附權利要求書來確定的。
[0071]如果說要素“A”耦合至或耦合于要素“B”，則要素A可直接耦合于要素B或例如通過要素C間接耦合。當說明書和權利要求書聲稱某一組件、特征、結構、過程或特性A“致使”某一組件、特征、結構、過程或特性B，這表示“A”是“B”的至少部分成因但也可以有至少一個其它組件、特征、結構、過程或特性幫助致使“B”。如果說明書指出“可”、“可以”或“可能”包含某一組件、特征、結構、過程或特性，則不是必須包括該具體組件、特征、結構、過程或特性。如果說明書或權利要求書提到“一”或“一個”要素，這不表示所描述要素只有一個。
[0072]一個實施例是本發(fā)明的一種實現(xiàn)或示例。說明書中對“一實施例”、“一個實施例”、“一些實施例”或“其它實施例”的引用表示結合這些實施例描述的具體特征、結構或特性包含在至少一些實施例中，但不一定包含在全部實施例中。各處出現(xiàn)的“一實施例”、“一個實施例”或“一些實施例”不一定全部表示相同的實施例。類似地，應當領會，在對本發(fā)明的示例實施例的以上描述中，出于使本公開流暢以及輔助理解各發(fā)明方面中的一個或多個方面的目的，各個特征有時被一起編組在單個實施例、附圖、或其描述中。然而，本發(fā)明的方法不應被解釋為反映所要求保護的發(fā)明需要比在每一權利要求中明確表述的特征更多的特征的意圖。相反，如所附權利要求書所反映的，各發(fā)明性方面在于比以上公開的單個實施例的所有特征要少的特征。因此，權利要求書在此明確地合并到本說明書中，且每一權利要求都獨立作為本發(fā)明的一單獨實施例。
【權利要求】
1.一種裝置，包括: 存儲器設備，包含刷新邏輯和存儲器單元，所述存儲器單元包含數(shù)據(jù)單元和補充單元，所述補充單元將被被觀察，其中所述補充單元模擬所述數(shù)據(jù)單元根據(jù)現(xiàn)有刷新策略執(zhí)行常規(guī)刷新操作的衰退特性；以及 所述刷新邏輯用以從所述補充單元接收關于所述補充單元的衰退的觀察數(shù)據(jù)，并將所述觀察數(shù)據(jù)關聯(lián)于數(shù)據(jù)單元性能，所述刷新邏輯用以基于由所述補充單元收集的所述觀察數(shù)據(jù)產(chǎn)生策略建議。
2.如權利要求1所述的裝置，其特征在于，所述刷新邏輯還分析從所述補充單元所接收的所述觀察數(shù)據(jù)。
3.如權利要求1所述的裝置，其特征在于，所述策略建議包括建議以下各項中的一個或多個:維持所述現(xiàn)有刷新策略不變、提議改變所述現(xiàn)有刷新策略、以及以新的刷新策略取代所述現(xiàn)有刷新策略。
4.如權利要求1所述的裝置，其特征在于，提議改變包括增大或減小所述常規(guī)刷新操作的頻率。
5.如權利要求1所述的裝置，其特征在于，所述刷新邏輯包括用以分析所述觀察數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)分析器，用以從所述補充單元接收所述觀察數(shù)據(jù)并傳送刷新命令至所述數(shù)據(jù)單元以及采樣命令至所述補充單元的通信模塊、用以從所述補充單元接收數(shù)據(jù)的監(jiān)視模塊、以及用以形成并產(chǎn)生所述策略建議的策略產(chǎn)生器。
6.如權利要求1所述的裝置，其特征在于，所述刷新邏輯還測量真實數(shù)據(jù)單元衰退并將所測量的所述真實數(shù)據(jù)單元衰退關聯(lián)至補充單元性能，以改進策略產(chǎn)生。
7.如權利要求1所述的裝置，其特征在于，所述存儲器設備包括動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)設備。
8.如權利要求7所述的裝置，其特征在于，所述補充單元是從所述存儲器設備內的冗余單元或缺陷單元得到的，其中所述冗余單元和所述缺陷單元無法通過正常存儲器操作來訪問。
9.如權利要求7所述的裝置，其特征在于，所述補充單元是從所述存儲器設備的數(shù)據(jù)單元分配的，其中所分配的數(shù)據(jù)單元不用作數(shù)據(jù)存儲。
10.一種系統(tǒng),包括: 處理器，耦合于存儲器設備； 所述存儲器設備具有刷新邏輯和存儲器單元，所述存儲器單元包含數(shù)據(jù)單元和補充單元，所述補充單元將被觀察，其中所述補充單元模擬所述數(shù)據(jù)單元根據(jù)現(xiàn)有刷新策略執(zhí)行常規(guī)刷新操作的衰退特性；以及 所述刷新邏輯用以從所述補充單元接收關于所述補充單元的衰退的觀察數(shù)據(jù)，并將所述觀察數(shù)據(jù)關聯(lián)至數(shù)據(jù)單元性能，所述刷新邏輯用以根據(jù)由所述補充單元收集的所述觀察數(shù)據(jù)產(chǎn)生策略建議。
11.如權利要求10所述的系統(tǒng)，其特征在于，所述刷新邏輯還分析從所述補充單元接收的所述觀察數(shù)據(jù)。
12.如權利要求10所述的系統(tǒng)，其特征在于，所述策略建議包含建議以下各項中的一個或多個:維持所述現(xiàn)有刷新策略不變、提議改變所述現(xiàn)有刷新策略、以及以新的刷新策略取代所述現(xiàn)有刷新策略。
13.如權利要求10所述的系統(tǒng)，其特征在于，所述提議改變包括增大或減小所述常規(guī)刷新操作的頻率。
14.如權利要求10所述的系統(tǒng)，其特征在于，所述刷新邏輯包括用以分析所述數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)分析器、用以從所述補充單元接收所述觀察數(shù)據(jù)并傳送刷新命令至所述數(shù)據(jù)單元以及采樣命令至所述補充單元的通信模塊、用以從所述補充單元接收數(shù)據(jù)的監(jiān)視模塊、以及用以形成并產(chǎn)生所述策略建議的策略產(chǎn)生器。
15.如權利要求10所述的系統(tǒng)，其特征在于，所述刷新邏輯還測量真實數(shù)據(jù)單元衰退并將所測量的所述真實數(shù)據(jù)單元衰退關聯(lián)至補充單元性能，以改進策略產(chǎn)生。
16.如權利要求10所述的系統(tǒng)，其特征在于，所述存儲器設備包括動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)設備。
17.如權利要求16所述的系統(tǒng)，其特征在于，所述補充單元是從所述存儲器設備內的冗余單元或缺陷單元得到的，其中所述冗余單元及所述缺陷單元無法通過正常存儲器操作來訪問。
18.如權利要求16所述的系統(tǒng)，其特征在于，所述補充單元是從所述存儲器設備的數(shù)據(jù)單元分配的，其中所分配的數(shù)據(jù)單元不用作數(shù)據(jù)存儲。
19.一種方法,包括: 依據(jù)現(xiàn)有刷新策略經(jīng)由存儲器設備的數(shù)據(jù)單元執(zhí)行常規(guī)刷新操作，其中所述存儲器設備還包括補充單元； 經(jīng)由所述補充單元執(zhí)行采樣操作，其中所述補充單元還模擬所述數(shù)據(jù)單元根據(jù)所述現(xiàn)有刷新策略執(zhí)行常規(guī)刷新操作的衰退特性；以及` 在刷新邏輯處接收關于所述補充單元的衰退的觀察數(shù)據(jù)并將所述觀察數(shù)據(jù)關聯(lián)至數(shù)據(jù)單元性能，所述刷新邏輯用以基于從所述補充單元接收的所述觀察數(shù)據(jù)產(chǎn)生策略建議。
20.如權利要求19所述的方法，其特征在于，所述刷新邏輯還分析從所述補充單元接收的所述觀察數(shù)據(jù)。
21.如權利要求19所述的方法，其特征在于，所述策略建議包含建議以下各項中的一個或多個:維持所述現(xiàn)有刷新策略不變、提議改變所述現(xiàn)有刷新策略、以及以新的刷新策略取代所述現(xiàn)有刷新策略，其中所述提議改變包括增大或減小所述常規(guī)刷新操作的頻率。
22.如權利要求19所述的方法，其特征在于，所述刷新邏輯包括用以分析所述數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)分析器、用以從所述補充單元接收所述觀察數(shù)據(jù)并傳送刷新命令至所述數(shù)據(jù)單元以及采樣命令至所述補充單元的通信模塊、用以從所述補充單元接收數(shù)據(jù)的監(jiān)視模塊、以及用以形成并產(chǎn)生所述策略建議的策略產(chǎn)生器，并且所述方法還包括測量真實數(shù)據(jù)單元衰退并將所測量的所述真實數(shù)據(jù)單元衰退關聯(lián)至補充單元性能，以改進策略產(chǎn)生。
23.如權利要求19所述的方法，其特征在于，所述存儲器設備包含動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)設備，其中所述補充單元是從所述存儲器設備內的冗余單元或缺陷單元得到的，其中所述冗余單元及所述等缺陷單元無法通過正常存儲器操作來訪問，其中所述補充單元是從所述存儲器設備的數(shù)據(jù)單元分配的，其中所分配的所述數(shù)據(jù)單元不用作數(shù)據(jù)存儲。
【文檔編號】G11C11/401GK103688311SQ201280025142
【公開日】2014年3月26日 申請日期:2012年6月22日 優(yōu)先權日:2011年6月30日
【發(fā)明者】R·伊薩克, A·魯貝格 申請人:晶像股份有限公司