專利名稱：一種改進(jìn)了效率的固態(tài)硬盤的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種改進(jìn)了效率的固態(tài)硬盤，其屬于固態(tài)硬盤類。
背景技術(shù)：
固態(tài)硬盤(Solid State Disk或Solid State Drive),也稱作電子硬盤或者固態(tài)電子盤，是由固態(tài)硬盤控制單元和固態(tài)存儲(chǔ)單元(DRAM或FLASH芯片)俗稱閃存組成的硬盤。固態(tài)硬盤的接口規(guī)范、定義、功能以及使用方法上與普通硬盤的相同，在 產(chǎn)品外形和尺寸上也與普通硬盤一致。由于固態(tài)硬盤沒有普通硬盤的旋轉(zhuǎn)介質(zhì)，因而抗震性極佳。其芯片的工作溫度范圍很寬(-40 85°C)。目前廣泛應(yīng)用于軍事、車載、工控、視頻監(jiān)控、網(wǎng)絡(luò)監(jiān)控、網(wǎng)絡(luò)終端、電力、醫(yī)療、航空、導(dǎo)航設(shè)備等領(lǐng)域，也大量用于移動(dòng)存儲(chǔ)設(shè)備使用。在現(xiàn)有技術(shù)中，所述固態(tài)硬盤一般包括固態(tài)硬盤控制單元和固態(tài)存儲(chǔ)單元，所述固態(tài)存儲(chǔ)單元聯(lián)接到固態(tài)硬盤控制單元，所述固態(tài)硬盤控制單元包括微處理器、RAM、標(biāo)準(zhǔn)接口模塊以及閃存控制模塊，所述RAM、以及標(biāo)準(zhǔn)接口模塊閃存控制單元均聯(lián)接到微處理器，其中標(biāo)準(zhǔn)接口模塊負(fù)責(zé)與外部設(shè)備的聯(lián)接，現(xiàn)有技術(shù)的固態(tài)硬盤由于固態(tài)存儲(chǔ)單元的寫效率和讀效率之間存在較大的差異，寫入效率低，讀效率高，為此寫入成了影響固態(tài)硬盤工作效率的瓶頸，直接影響到固態(tài)硬盤的總體工作效率，顯然現(xiàn)有技術(shù)有進(jìn)一步改進(jìn)的必要。
發(fā)明內(nèi)容本實(shí)用新型的目的在于提供一種改進(jìn)了效率的固態(tài)硬盤，以解決現(xiàn)有技術(shù)存在的問題。本實(shí)用新型的一種改進(jìn)了效率的固態(tài)硬盤，包括固態(tài)硬盤控制單元和固態(tài)存儲(chǔ)單元，所述固態(tài)存儲(chǔ)單元聯(lián)接到固態(tài)硬盤控制單元，所述固態(tài)硬盤控制單元包括標(biāo)準(zhǔn)接口模塊和閃存控制模塊，其特征在于所述固態(tài)硬盤控制單元還包括第一微處理器、第二微處理器、第一 RAM、第二 RAM，所述標(biāo)準(zhǔn)接口模塊和閃存控制單元聯(lián)接到第一微處理器和第二微處理器，所述第一 RAM聯(lián)接到第一微處理器，所述第二 RAM聯(lián)接到第二微處理器。本實(shí)用新型的這種改進(jìn)了效率的固態(tài)硬盤，第一微處理器負(fù)責(zé)“寫入”事務(wù)，第一RAM負(fù)責(zé)寫入數(shù)據(jù)的緩存，第二微處理器負(fù)責(zé)“讀”事務(wù)，第二 RAM負(fù)責(zé)讀出數(shù)據(jù)的緩存，這樣分開處理的好處在于不至于由于“寫入”事務(wù)的處理而影響到“讀”事務(wù)的處理，這樣就提升了固態(tài)硬盤的整體工作效率，顯然本實(shí)用新型的目的得以實(shí)現(xiàn)。

圖I是本實(shí)用新型較佳實(shí)施例所提供的一種改進(jìn)了效率的固態(tài)硬盤系統(tǒng)結(jié)構(gòu)框圖。圖中I為固態(tài)硬盤控制單元；2為固態(tài)存儲(chǔ)單元；[0010]101第一微處理器；102為第二微處理器；103 為第一 RAM;104 為第二 RAM;105為標(biāo)準(zhǔn)接口模塊；106為閃存控制模塊。
具體實(shí)施方式
以下將結(jié)合本實(shí)用新型較佳實(shí)施例所提供的一種改進(jìn)了效率的固態(tài)硬盤及其附圖對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步說明。本實(shí)用新型較佳實(shí)施例所提供的一種改進(jìn)了效率的固態(tài)硬盤，如附圖I所示，包括固態(tài)硬盤控制單元I和固態(tài)存儲(chǔ)單元2，所述固態(tài)存儲(chǔ)單元2聯(lián)接到固態(tài)硬盤控制單元1，所述固態(tài)硬盤控制單元I包括標(biāo)準(zhǔn)接口模塊105以及閃存控制模塊106，其特征在于所述固態(tài)硬盤控制單元I還包括第一微處理器101、第二微處理器102、第一 RAM103、第二RAM104，所述標(biāo)準(zhǔn)接口模塊105閃存控制單元106聯(lián)接到第一微處理器101和第二微處理器102，所述第一 RAM103聯(lián)接到第一微處理器101，所述第二 RAM104聯(lián)接到第二微處理器102。綜上所述，本實(shí)用新型的一種帶撥碼開關(guān)單元的固態(tài)硬盤，包括固態(tài)硬盤控制單元和固態(tài)存儲(chǔ)單元，所述固態(tài)存儲(chǔ)單元聯(lián)接到固態(tài)硬盤控制單元，所述固態(tài)硬盤控制單元包括標(biāo)準(zhǔn)接口模塊以及閃存控制模塊，其特征在于所述固態(tài)硬盤控制單元還包括第一微處理器、第二微處理器、第一 RAM、第二 RAM，所述標(biāo)準(zhǔn)接口模塊和閃存控制單元分別聯(lián)接到第一微處理器和第二微處理器，所述第一 RAM聯(lián)接到第一微處理器，所述第二 RAM聯(lián)接到第二微處理器，本實(shí)用新型解決了現(xiàn)有技術(shù)存在的固態(tài)硬盤整體工作效率不高的問題。以上所述，僅為本實(shí)用新型的具體實(shí)施方式
。但本實(shí)用新型保護(hù)范圍并不局限于此。任何熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本實(shí)用新型披露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到的變化或替換，都應(yīng)涵蓋在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)，因此，本實(shí)用新型的保護(hù)范圍應(yīng)以權(quán)利要求的保護(hù)范圍為準(zhǔn)。
權(quán)利要求1.一種改進(jìn)了效率的固態(tài)硬盤，包括固態(tài)硬盤控制單元和固態(tài)存儲(chǔ)單元，所述固態(tài)存儲(chǔ)單元聯(lián)接到固態(tài)硬盤控制單元，所述固態(tài)硬盤控制單元包括標(biāo)準(zhǔn)接口模塊和閃存控制模塊，其特征在于所述固態(tài)硬盤控制單元還包括第一微處理器、第二微處理器、第一 RAM、第二 RAM，所述標(biāo)準(zhǔn)接口模塊和閃存控制單元聯(lián)接到第一微處理器和第二微處理器，所述第一RAM聯(lián)接到第一微處理器，所述第二 RAM聯(lián)接到第二微處理器。
專利摘要一種帶撥碼開關(guān)單元的固態(tài)硬盤，包括固態(tài)硬盤控制單元和固態(tài)存儲(chǔ)單元，所述固態(tài)存儲(chǔ)單元聯(lián)接到固態(tài)硬盤控制單元，所述固態(tài)硬盤控制單元包括標(biāo)準(zhǔn)接口模塊以及閃存控制模塊,其特征在于所述固態(tài)硬盤控制單元還包括第一微處理器、第二微處理器、第一RAM、第二RAM，所述標(biāo)準(zhǔn)接口模塊和閃存控制單元分別聯(lián)接到第一微處理器和第二微處理器，所述第一RAM聯(lián)接到第一微處理器，所述第二RAM聯(lián)接到第二微處理器，本實(shí)用新型解決了現(xiàn)有技術(shù)存在的固態(tài)硬盤整體工作效率不高的問題。
文檔編號(hào)G11C7/10GK202601205SQ20122025591
公開日2012年12月12日 申請(qǐng)日期2012年6月1日 優(yōu)先權(quán)日2012年6月1日
發(fā)明者楚一兵 申請(qǐng)人:深圳市瑞耐斯技術(shù)有限公司