專利名稱：磁記錄介質(zhì)及其制造方法、以及磁記錄再生裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及在例如硬盤驅(qū)動器(HDD)等中使用的磁記錄介質(zhì)及其制造方法、以及具備這種磁記錄介質(zhì)或利用這種制造方法制造的磁記錄介質(zhì)的磁記錄再生裝置。本申請基于在2011年5月24日申請于日本的特愿2011-116149號主張優(yōu)先權(quán)并將其內(nèi)容在此引用。
背景技術(shù)：
目前，垂直磁記錄方式是如下方式，通過將朝向介質(zhì)的面內(nèi)方向的磁記錄層的易磁化軸朝向介質(zhì)的垂直方向，記錄位之間的邊界即磁化過渡區(qū)附近的退磁變小，因此，記錄密度越高，靜磁性越穩(wěn)定，抗熱波動性提高，因此，適于面記錄密度的提高。垂直磁記錄介質(zhì)是在非磁性基板上將背襯層、基底層、中間層、垂直磁記錄層依次通過薄膜層疊而成。在非磁性基板和垂直磁記錄層之間設(shè)置有由軟磁性材料構(gòu)成的背襯層的情況下，能夠作為所謂的垂直雙層介質(zhì)發(fā)揮作用，得到較高的記錄能力。此時，軟磁性背襯層起到使來自磁頭的記錄磁場回流的作用，由此，能夠提高記錄再生效率。另一方面，基底層具有決定設(shè)于其上的中間層及垂直磁記錄層的粒徑及取向的作用。另外，已知中間層在該晶粒的頂部形成穹頂形狀的凸部，因此，具有如下效果使記錄層等的結(jié)晶粒子在該凸部上成長，促進(jìn)成長的結(jié)晶粒子的分離構(gòu)造，使結(jié)晶粒子孤立化，使磁性粒子柱狀成長(參照專利文獻(xiàn)I)。但是,作為完全不同的磁記錄介質(zhì)的制造方法，已知有使用FePt納米粒子的方法(參照專利文獻(xiàn)2)。該方法是將通過涂敷技術(shù)等使FePt納米粒子排列于基板表面的FePt納米粒子排列體用于磁記錄介質(zhì)的方法，與使用現(xiàn)有薄膜的磁記錄介質(zhì)相比，可以說在減弱粒子間的磁性耦合方面具有優(yōu)越性。具體而言，專利文獻(xiàn)2中記載有如下方法，即，通過使分散劑與FePt納米粒子鍵合，使該分散劑與基板表面化學(xué)鍵合；或與使該分散劑與基板表面化學(xué)鍵合的其它分散劑化學(xué)鍵合，由此，在基板表面上形成FePt納米粒子的單分子膜。專利文獻(xiàn)I :日本特開2007-272990號公報專利文獻(xiàn)2 日本特開2009-035769號公報

發(fā)明內(nèi)容
但是，為了實(shí)現(xiàn)將上述的FePt納米粒子排列體用于垂直磁性層的磁記錄介質(zhì)，必須確保如下技術(shù)，即，使具有均一的形狀、粒徑及磁特性的FePt納米粒子以它們的易磁化軸都朝向垂直方向的方式在基板上均一地排列。但是，在使用上述的專利文獻(xiàn)2中記載的方法使FePt納米粒子以它們的易磁化軸都朝向垂直方向的方式在基板上均一地排列時，在該FePt納米粒子的排列中觀察到局部的紊亂。另外，調(diào)查產(chǎn)生該排列的紊亂的原因，結(jié)果在該產(chǎn)生部位的基板表面發(fā)現(xiàn)細(xì)微的劃痕。而且，了解到因該劃痕，分散劑的鍵合被打亂，與其鍵合的FePt納米粒子的排列也被打舌L。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是鑒于上述的課題而提案的，其目的在于，提供一種磁記錄介質(zhì)及其制造方法、以及具備這種磁記錄介質(zhì)或利用這種制造方法制造的磁記錄介質(zhì)的磁記錄再生裝置，該磁記錄介質(zhì)可以使具有均一的形狀、粒徑及磁特性的FePt或CoPt納米粒子以它們的易磁化軸都朝向垂直方向的方式在非磁性基板的表面上均一地排列。本發(fā)明者為了解決上述課題而進(jìn)行了專心研究，發(fā)現(xiàn)通過對形成垂直記錄層的形成面實(shí)施圓周方向的紋理化處理并設(shè)置細(xì)微的溝槽，能夠抑制該形成面中的納米粒子的局部的紊亂。即，本發(fā)明提供下面的發(fā)明。(I). 一種磁記錄介質(zhì)，是在圓盤狀的非磁性基板上至少具備垂直磁性層的磁記錄 介質(zhì)，其特征在于，所述垂直磁性層具有如下構(gòu)造在通過實(shí)施紋理化處理而形成了具有圓周方向成分的多個溝槽的形成面上，形成有FePt或CoPt納米粒子排列體。(2).如前項(xiàng)(I)所述的磁記錄介質(zhì),其特征在于,所述FePt或CoPt納米粒子排列體是多個FePt或CoPt納米粒子分散在有機(jī)涂層中而形成的。(3).如前項(xiàng)(I)或(2)所述的磁記錄介質(zhì)，其特征在于，所述形成面為所述非磁性基板的表面。(4).如前項(xiàng)(I)或(2)所述的磁記錄介質(zhì)，其特征在于，在所述非磁性基板和所述垂直磁性層之間依次具備基底層和中間層， 所述形成面為所述中間層的表面。(5).如前項(xiàng)⑴ ⑷中任一項(xiàng)所述的磁記錄介質(zhì)，其特征在于，所述FePt或CoPt納米粒子的平均粒徑為3 5nm的范圍。(6).如前項(xiàng)⑴ (5)中任一項(xiàng)所述的磁記錄介質(zhì),其特征在于,實(shí)施了所述紋理化處理的形成面的表面粗糙度以中心線平均粗糙度(Ra)計為0. 15 Inm的范圍，并且相鄰的溝槽的間隔為10 20nm的范圍。(7). 一種磁記錄介質(zhì)的制造方法，是在圓盤狀的非磁性基板上至少具備垂直磁性層的磁記錄介質(zhì)的制造方法，其特征在于，包含以下工序?qū)σ纬伤龃怪庇涗泴拥男纬擅鎸?shí)施紋理化處理，從而在該形成面上形成具有圓周方向成分的多個溝槽的工序；以及使FePt或CoPt納米粒子的分散溶液與實(shí)施了所述紋理化處理的形成面接觸，從而在該形成面上形成成為所述垂直磁性層的FePt或CoPt納米粒子排列體的工序。(8).如前項(xiàng)(7)所述的磁記錄介質(zhì)的制造方法，其特征在于，對成為所述形成面的所述非磁性基板的表面實(shí)施紋理化處理。(9).如前項(xiàng)(7)所述的磁記錄介質(zhì)的制造方法，其特征在于，包含在所述非磁性基板和所述垂直磁性層之間依次層疊形成基底層和中間層的工序，對成為所述形成面的所述中間層的表面實(shí)施紋理化處理。(10).如前項(xiàng)(7) (9)中任一項(xiàng)所述的磁記錄介質(zhì)的制造方法，其特征在于，將所述FePt或CoPt納米粒子的平均粒徑設(shè)為3 5nm的范圍。
(11).如前項(xiàng)(7) (10)中任一項(xiàng)所述的磁記錄介質(zhì)的制造方法，其特征在于，將實(shí)施了所述紋理化處理的非磁性基板的表面粗糙度以中心線平均粗糙度(Ra)計設(shè)為0. 15 Inm的范圍，并且將彼此相鄰的溝槽的間隔設(shè)為10 20nm的范圍。(12). 一種磁記錄再生裝置，其特征在于，具備前項(xiàng)⑴ (6)中任一項(xiàng)所述的磁記錄介質(zhì)、或利用前項(xiàng)(7) (11)中任一項(xiàng)所述的制造方法制造的磁記錄介質(zhì)；沿記錄方向驅(qū)動所述磁記錄介質(zhì)的介質(zhì)驅(qū)動部；對所述磁記錄介質(zhì)進(jìn)行記錄動作和再生動作的磁頭；
使所述磁頭相對于磁記錄介質(zhì)相對移動的磁頭移動單元；用于進(jìn)行向所述磁頭輸入信號和將從所述磁頭輸出的信號再生的記錄再生信號處理單元。如上，根據(jù)本發(fā)明，可以提供一種磁記錄介質(zhì)及其制造方法，該磁記錄介質(zhì)使具有均一的形狀、粒徑及磁特性的FePt或CoPt納米粒子以它們的易磁化軸都朝向垂直方向的方式在非磁性基板的表面上均一地排列。另外，還可以提供一種磁記錄再生裝置，其具備這種磁記錄介質(zhì)或利用這種制造方法制造的磁記錄介質(zhì)。


圖IA是表示作為第一實(shí)施方式表示的磁記錄介質(zhì)的構(gòu)造的剖面圖；圖IB是放大作為第一實(shí)施方式表示的時期記錄介質(zhì)的主要部分的剖面圖；圖2A是用于說明圖I表示的磁記錄介質(zhì)的制造工序的一個工序的剖面圖；圖2B是用于說明圖I表示的磁記錄介質(zhì)的制造工序的一個工序的剖面圖；圖2C是用于說明圖I表示的磁記錄介質(zhì)的制造工序的一個工序的剖面圖；圖2D是用于說明圖I表示的磁記錄介質(zhì)的制造工序的一個工序的剖面圖；圖2E是用于說明圖I表示的磁記錄介質(zhì)的制造工序的一個工序的剖面圖；圖2F是用于說明圖I表示的磁記錄介質(zhì)的制造工序的一個工序的剖面圖；圖3A是表示作為第二實(shí)施方式表示的磁記錄介質(zhì)的構(gòu)造的剖面圖；圖3B是放大作為第二實(shí)施方式表示的磁記錄介質(zhì)的主要部分的剖面圖；圖4A是用于說明圖3表示的磁記錄介質(zhì)的制造工序的一個工序的剖面圖；圖4B是用于說明圖3表示的磁記錄介質(zhì)的制造工序的一個工序的剖面圖；圖4C是用于說明圖3表示的磁記錄介質(zhì)的制造工序的一個工序的剖面圖；圖4D是用于說明圖3表示的磁記錄介質(zhì)的制造工序的一個工序的剖面圖；圖4E是用于說明圖3表示的磁記錄介質(zhì)的制造工序的一個工序的剖面圖；圖4F是用于說明圖3表示的磁記錄介質(zhì)的制造工序的一個工序的剖面圖；圖4G是用于說明圖3表示的磁記錄介質(zhì)的制造工序的一個工序的剖面圖；圖4H是用于說明圖3表示的磁記錄介質(zhì)的制造工序的一個工序的剖面圖；圖5是表示應(yīng)用本發(fā)明的磁記錄再生裝置的一個例子的立體圖。符號說明1A、IB…磁記錄介質(zhì) 2…非磁性基板 2a…形成面3…溝槽4…垂直磁性層5…FePt或CoPt納米粒子 5A…FePt或CoPt納米粒子排列體 6…涂層 6a…具有第一官能團(tuán)的涂層劑6b…具有第二官能團(tuán)的涂層劑7…保護(hù)層8…潤滑層9…基底層(背襯層)10…中間層IOa…形成面
具體實(shí)施例方式下面，參照附圖對應(yīng)用了本發(fā)明的磁記錄介質(zhì)及其制造方法、以及磁記錄再生裝置進(jìn)行詳細(xì)說明。另外，就下面說明中使用的附圖而言，為了容易理解特征，為方便起見而有時將成為特征的部分放大表示，各構(gòu)成要素的尺寸比例等未必和實(shí)際相同。另外，下面的說明中示例的材料、尺寸等為一例，本發(fā)明未必限定于此，可以在不變更其要點(diǎn)的范圍內(nèi)適宜變更并實(shí)施。[第一實(shí)施方式](磁記錄介質(zhì))首先，作為本發(fā)明的第一實(shí)施方式，對圖IA及圖IB表示的磁記錄介質(zhì)IA進(jìn)行說明。另外，圖IA是表示該磁記錄介質(zhì)IA的構(gòu)造的剖面圖，圖IB是放大了該磁記錄介質(zhì)IA的主要部分的剖面圖。如圖IA所示,該磁記錄介質(zhì)IA具有形成面2a,該形成面2a通過對具有中心孔的圓盤狀的非磁性基板2的表面2a實(shí)施紋理化處理，形成具有圓周方向成分的多個溝槽3。而且，具有在該形成面2a上形成有成為垂直磁性層4的FePt或CoPt納米粒子排列體5A 的構(gòu)造。如圖IB所示，該納米粒子排列體5A在有機(jī)涂層6中分散形成有多個納米粒子5。具體而言，作為該納米粒子排列體5A的形成方法，可以使用公知的方法，例如，在實(shí)施了紋理化處理的形成面2a上涂敷具有第一官能團(tuán)的分散劑6a的溶液，之后，涂敷由具有第二官能團(tuán)的分散劑6b被覆的FePt或CoPt納米粒子5的分散溶液，由此，在鍵合了第一官能團(tuán)和第二官能團(tuán)的有機(jī)涂層6中形成分散有多個納米粒子5的納米粒子排列體5A。另外，還可以在實(shí)施了紋理化處理的形成面2a上涂敷被分散劑分散的FePt或CoPt納米粒子5的分散溶液，由此形成分散有多個納米粒子5的納米粒子排列體5A。另外，優(yōu)選該納米粒子排列體5A形成如下構(gòu)造，即，具有均一的形狀、粒徑及磁特性的FePt或CoPt納米粒子5以它們的易磁化軸都朝向垂直方向的方式在形成面2a上均一地排列。為了形成具有這種構(gòu)造的納米粒子排列體5A，優(yōu)選將實(shí)施了紋理化處理的形成面2a的表面粗糙度即中心線平均粗糙度(Ra)設(shè)為0. 15 Inm的范圍，并且將彼此相鄰的溝槽的間隔設(shè)為10 20nm的范圍。另外還優(yōu)選將FePt或CoPt納米粒子5的平均粒徑設(shè)為3 5nrn的范圍。而且，如圖IA所示，該磁記錄介質(zhì)IA具有如下構(gòu)造，S卩，在由這種納米粒子排列體5構(gòu)成的垂直磁性層4上依次層疊保護(hù)層7和潤滑層8。具有以上構(gòu)造的磁記錄介質(zhì)IA中，通過對非磁性基板2的表面(形成面)2a實(shí)施圓周方向的紋理化處理并設(shè)置細(xì)微的溝槽3，可抑制該形成面2a上的納米粒子5的局部紊舌L。因此，根據(jù)本發(fā)明，可以得到具備垂直磁性層4的磁記錄介質(zhì)1A，該垂直磁性層4由具有均一的形狀、粒徑及磁特性的FePt或CoPt納米粒子5以其易磁化軸都朝向垂直方向的方式在形成面2a上均一地排列的納米粒子排列體5A構(gòu)成。(磁記錄介質(zhì)的制造方法)接著,參照圖2A 圖2F對上述圖IA及圖IB表示的磁記錄介質(zhì)IA的制造方法進(jìn)行說明。在制造上述磁記錄介質(zhì)IA時，首先，如圖2A所示，準(zhǔn)備具有中心孔的圓盤狀的非磁性基板2。該非磁性基板2優(yōu)選使用可以承受500 900°C程度的加熱的材質(zhì)的物質(zhì)。如后述，這是由于為了使FePt或CoPt納米粒子5的晶體結(jié)構(gòu)規(guī)則化為LI。型，且提高磁各向異性，而需要500°C以上的加熱，在采用這種熱處理產(chǎn)生的晶體結(jié)構(gòu)的情況下，需要非磁性基板2能夠承受上述溫度的條件。而且，作為這種非磁性基板2，可以使用例如硅、氧化鎂、藍(lán) 寶石、氧化鋁、氮化硅、碳化硅等。接著，如圖2B所示，通過對該非磁性基板2的表面(形成面)2a實(shí)施紋理化處理，形成具有圓周方向成分的多個溝槽3 (稱為紋理化工序)。紋理化工序中，也可以對非磁性基板2的表面2a直接實(shí)施紋理化處理，另外，也可以在非磁性基板的表面形成軟磁性膜等基底層后，對該基底層的表面實(shí)施紋理化處理。紋理化處理是如下處理，即，在以低速旋轉(zhuǎn)的非磁性基板2的表面2a上滴下含有金剛石磨?；蜓趸X磨粒等的拋光液，并按壓紋理帶，由此在非磁性基板2的表面2a上形成多個溝槽3。作為此時使用的拋光液，可以列舉例如水性金剛石漿液等。另一方面，作為紋理帶，可以列舉聚酯系超細(xì)纖維織布等。非磁性基板2的轉(zhuǎn)速因其直徑不同而各異，例如，在制造直徑I. 89 3. 5英寸的磁記錄介質(zhì)的情況下，非磁性基板2的轉(zhuǎn)速可以設(shè)為150 800rpm的范圍。非磁性基板2的轉(zhuǎn)速比該范圍過大時，可能使非磁性基板2的表面2a粗糙，另一方面，非磁性基板2的轉(zhuǎn)速比該范圍過小時，加工時間變長，故不優(yōu)選。實(shí)施了紋理化處理的非磁性基板2的表面粗糙度按中心線平均粗糙度(Ra)計優(yōu)選設(shè)為0. 15 Inm( 1.5 - 10A)的范圍，更優(yōu)選為0.2 0. 5nm( 2.0 ~ 5人)的范圍。非磁性基板2的表面粗糙度Ra不足0. 15nm( 1.5人)時，進(jìn)行紋理化處理的溝槽3的效果不明顯，使后述的FePt或CoPt粒子在基板表面均一排列的效果不明顯。另一方面，非磁性基板2的表面粗糙度Ra超過Inm ( 10A )時，最終的磁記錄介質(zhì)IA的表面粗糙度惡化，不能充分縮小磁頭的浮動量，故不優(yōu)選。在實(shí)施了紋理化處理的非磁性基板2的表面2a上，彼此相鄰的溝槽3的間隔優(yōu)選設(shè)為10 20nm的范圍。由于上述的FePt或CoPt納米粒子的平均粒徑為3 5nm，因此，通過將溝槽3的間隔設(shè)為該范圍，能夠使FePt或CoPt粒子在非磁性基板2的表面2a均一地排列。另外，形成于非磁性基板2的表面2a上的溝槽3的間隔依存于拋光液中含有的磨粒的種類、粒徑、濃度、供給量、紋理帶的材質(zhì)、纖維的密度、按壓壓力、基板的轉(zhuǎn)速。因此，適宜選擇這些條件,可以調(diào)整非磁性基板2的表面2a上的相鄰的溝槽3的間隔。另外，非磁性基板2的表面粗糙度(Ra)及相鄰的溝槽3的間隔可以使用AFM測定。接著，通過使FePt或CoPt納米粒子5的分散溶液與實(shí)施了紋理化處理的非磁性基板2的表面2a接觸，形成成為上述垂直磁性層4的FePt或CoPt納米粒子排列體5A。具體而言，如圖2C所示，首先，使具有第一官能團(tuán)的分散劑6a的溶液與實(shí)施了紋理化處理的非磁性基板2的表面2a接觸(稱為第一接觸工序)。在第一接觸工序中，作為具有第一官能團(tuán)的分散劑6a，優(yōu)選使用如下有機(jī)物，SP，在該有機(jī)物的分子鏈的一端側(cè)具有易于與后述的第二官能團(tuán)鍵合，并難以與非磁性基板2的表面2a鍵合的第一官能團(tuán)，另一方 面，在該有機(jī)物的分子鏈的另一端側(cè)具有易于與非磁性基板2的表面2a鍵合，并難以與第二官能團(tuán)鍵合的第三官能團(tuán)。由此，分散劑分子經(jīng)由第三官能團(tuán)與非磁性基板2的表面2a進(jìn)行化學(xué)鍵合，在該非磁性基板2的面上形成具有第一官能團(tuán)的分散劑6a的單分子膜。具有這種特性的第一、三官能團(tuán)中，作為第一官能團(tuán)，可以列舉例如硫醇基、氨基等，作為第三官能團(tuán)，可以列舉甲氧基硅烷基、乙氧基硅烷基等烷氧基硅烷基、硅烷醇基、羥基等，可以適宜選擇并使用它們。例如，作為具有例如這些第一及第三官能團(tuán)的分散劑6a，可以列舉3-巰基三乙氧基硅烷等。作為使這種分散劑6a的溶液與非磁性基板2的表面2a接觸的方法，可以使用目前公知的方法，例如，可以使用如下方法，即，使分散劑6a在甲苯等溶劑中溶解，在該溶液中浸潰非磁性基板2，以例如50 70°C的溫度加熱I 20分鐘。還可以使用如下方法，即，在非磁性基板2上通過旋涂等涂敷上述溶液，并保持與上述浸潰時間相同的時間。接著，如圖2D所示，使由具有第二官能團(tuán)的分散劑6b被覆的FePt或CoPt納米粒子5的分散溶液與、接觸了具有第一官能團(tuán)的分散劑6a的非磁性基板2的表面2a接觸。(稱為第二接觸工序)。在第二接觸工序中，使由具有第二官能團(tuán)的分散劑6b被覆的FePt或CoPt納米粒子5的分散溶液與形成了具有上述第一官能團(tuán)的分散劑6a的單分子膜的非磁性基板2的表面2a接觸，由此，使第一官能團(tuán)和第二官能團(tuán)化學(xué)鍵合。由此，能夠在實(shí)施了非磁性基板2的紋理化處理的形成面2a上形成多個FePt或CoPt納米粒子5均一地排列的FePt或CoPt磁性納米粒子排列體5A。第二接觸工序中使用的分散劑6b優(yōu)選使用如下有機(jī)物，即，在該有機(jī)物的分子鏈的一端側(cè)具有易于與第一官能團(tuán)鍵合，并難以與FePt或CoPt納米粒子5鍵合的第二官能團(tuán)，另一方面，在該有機(jī)物的分子鏈的另一端側(cè)具有難以與第一官能團(tuán)鍵合，并易于與FePt或CoPt納米粒子5鍵合的第四官能團(tuán)。由此，涂層劑分子經(jīng)由第四官能團(tuán)與納米粒子5的表面進(jìn)行化學(xué)鍵合，在該納米粒子5的表面形成分散劑6b的單分子膜，并且成為其表面被第二官能團(tuán)被覆的狀態(tài)。具有這種特性的第二、四官能團(tuán)中，作為第二官能團(tuán)，可以列舉例如硫醇基等，作為第四官能團(tuán)，可以列舉硫醇基、氨基、氰基等，可以適宜選擇并使用它們。例如，作為具有這些第二官能團(tuán)和第四官能團(tuán)的分散劑6b，可以列舉1，6_己二硫醇、I，9-壬二硫醇、I，10-癸二硫醇等。作為在FePt或CoPt納米粒子5上被覆具有第二官能團(tuán)的分散劑6b的方法，可以使用目前公知的方法，例如可以使用如下方法，即，使分散劑6b在甲苯、正己烷等溶劑中溶解，以例如20 60°C的溫度將FePt或CoPt納米粒子5在該溶液中浸潰I 20分鐘。作為使由具有第二官能團(tuán)的分散劑6b被覆的FePt或CoPt納米粒子5的分散溶液、與非磁性基板2的表面2a接觸的方法，可以使用目前公知的方法，例如，可以使用如下方法，即，在上述分散溶液中浸潰非磁性基板2的方法、或在非磁性基板2的表面2a上通過旋涂等涂敷上述分散溶液的方法。對于第二接觸工序中使用的FePt納米粒子，可以通過目前公知的方法制造。作為FePt納米粒子的具體的制造方法的一個例子，首先，使Pt化合物和還原劑的混合溶液反應(yīng)，通過Pt化合物的還原在液中生成金屬Pt核粒子。作為此時使用的Pt化合物，可以列舉例如Pt乙酰丙酮化物、Pt乙醇鹽(Pt(OEt)2)等。另一方面，作為還原劑，可以列舉例如I-十八烯等碳數(shù)16 18的不飽和烴(優(yōu)選直鏈狀的不飽和烴，還優(yōu)選在一末端具有雙鍵的不飽和烴)、1，2_十六烷二醇等碳數(shù)16 18的飽和烴二醇(優(yōu)選飽和碳化氫基為直鏈狀的飽和烴二醇、還優(yōu)選在1，2-位各具有羥基的飽和烴二醇)等。另外，在該還原反應(yīng)時，優(yōu)選向混合溶液中添加用于使Pt核粒子均一地分散的分散劑，作為該分散劑，可以列舉例如油酸、油胺等碳數(shù)3 17的直鏈不飽和脂肪酸、N-2-乙烯基吡咯烷酮等。接著，向生成并分散了金屬Pt核粒子的溶液中添加Fe化合物，使金屬Fe在上述金屬Pt核粒子上析出。作為此時使用的Fe化合物，可以列舉例如五羰基鐵、乙酰丙酮鐵、 乙醇鐵等。接著，將用上述方法得到的納米粒子在反應(yīng)液中加熱到200°C 300°C程度。由此，形成使Pt原子和Fe原子相互擴(kuò)散的FePt納米粒子。然后，從溶液分離FePt納米粒子，另外，通過分離時進(jìn)行濕式分級，可以得到粒徑分布更一致的FePt納米粒子。優(yōu)選FePt納米粒子的平均粒徑設(shè)為3 5nm的范圍。由此，可以使FePt納米粒子在實(shí)施了圓周方向的紋理化處理的非磁性基板的表面均一地排列。另外，F(xiàn)ePt納米粒子的平均粒徑可以根據(jù)透射電鏡(TEM)照片計算。將該FePt納米粒子分散在基板表面后，對基板面垂直施加外部磁場，并且在Ar氣體等惰性氣體環(huán)境中，以500°C、30分鐘程度的條件進(jìn)行熱處理，由此，可以使FePt納米粒子規(guī)則化為Lltl型，并賦予垂直取向性。另一方面，對于第二接觸工序中使用的CoPt納米粒子，也可以利用目前公知的方法進(jìn)行制造。作為CoPt納米粒子的具體的制造方法的一個例子，首先，使Pt化合物和還原劑的混合溶液反應(yīng)，通過Pt化合物的還原，在液中生成金屬Pt核粒子。作為此時使用的Pt化合物，可以列舉例如Pt乙酰丙酮化物、Pt乙醇鹽(Pt(OEt)2)等。另一方面，作為還原劑，可以列舉例如I-十八烯等碳數(shù)16 18的不飽和烴(優(yōu)選直鏈狀的不飽和烴，另外優(yōu)選在一末端具有雙鍵的不飽和烴)、1，2-十六烷二醇等碳數(shù)16 18的飽和烴二醇(優(yōu)選飽和碳化氫基為直鏈狀的飽和烴二醇、另外優(yōu)選在1，2-位各具有羥基的飽和烴二醇)等。另外，在該還原反應(yīng)時，優(yōu)選向混合溶液中添加用于使Pt核粒子均一地分散的分散劑，作為該分散劑，可以列舉例如油酸等碳數(shù)3 17的直鏈不飽和脂肪酸、N-2-乙烯基吡咯烷酮等。接著，向生成并分散金屬Pt核粒子的溶液中添加Co化合物,使金屬Co在上述金屬Pt核粒子上析出。作為此時使用的Co化合物，可以列舉例如乙酰乙酸鈷、八羰基鈷等。接著，將用上述方法得到的納米粒子在反應(yīng)液中加熱到200°C 300°C程度。由此，形成使Co原子和Pt原子相互擴(kuò)散的CoPt納米粒子。然后，從溶液分離CoPt納米粒子，另外，通過分離時進(jìn)行濕式分級，可以得到粒子徑分布更一致的CoPt納米粒子。優(yōu)選CoPt納米粒子的平均粒徑設(shè)為3 5nm的范圍。由此，可以使CoPt納米粒子在實(shí)施了圓周方向的紋理化處理的非磁性基板的表面均一地排列。另外，CoPt納米粒子的平均粒徑可以根據(jù)透射電鏡(TEM)像計算。將該CoPt納米粒子在基板表面分散后，對基板面垂直施加外部磁場，并且在Ar氣體等惰性氣體環(huán)境中，以500°C、30分鐘程度的條件進(jìn)行熱處理，由此，可以使CoPt納米粒子規(guī)則化為Lltl型或Ll1型并賦予垂直取向性。另外，作為FePt或CoPt納米粒子排列體5A的形成方法，不限定于上述的方法，除此以外，也可以在例如實(shí)施了紋理化處理的非磁性基板2的形成面2a上涂敷被分散劑分散的FePt或CoPt納米粒子5的分散溶液，由此，也可以形成分散了多個納米粒子5的納米粒子排列體5A。在非磁性基板2上形成FePt或CoPt納米粒子排列體5A后,通過對該納米粒子排列體5A賦予垂直磁各向異性,形成垂直磁性層4。
具體而言,對該FePt或CoPt納米粒子排列體5A垂直施加外部磁場,并且在Ar氣體等惰性氣體環(huán)境中，以500 900°C、30分鐘程度的條件進(jìn)行熱處理。由此，可以使FePt或CoPt納米粒子5的易磁化軸都沿著外部磁場的施加方向即垂直方向，并賦予垂直取向性。接著，如圖2E所示，在該垂直磁性層4上形成保護(hù)層7。保護(hù)層7用于防止垂直磁性層4的腐蝕并且防止磁頭與介質(zhì)接觸時損傷介質(zhì)表面，其可以使用目前公知的材料，例如含有C、SiO2, ZrO2的材料。保護(hù)層7的厚度為I 5nm的范圍，由于可以縮小磁頭和介質(zhì)表面的距離，所以基于高記錄密度而優(yōu)選。接著，如圖2F所示，在該保護(hù)層7上涂敷潤滑劑，由此形成潤滑層8。該潤滑層8可以使用目前公知的材料例如全氟聚醚、氟化醇、氟化羧酸酯等，通常以I 4nm的厚度形成。經(jīng)過以上工序,能夠制造上述圖IA及圖2B表示的磁記錄介質(zhì)1A。本發(fā)明中，通過如上那樣對非磁性基板2的表面(形成面)2a實(shí)施紋理化處理，形成具有圓周方向成分的多個溝槽3。由此，可以將使FePt或CoPt納米粒子5產(chǎn)生局部紊亂的基板表面上的缺陷、劃痕等進(jìn)行遮掩，從而使FePt或CoPt納米粒子5在該非磁性基板2的表面2a均一地排列。因此，根據(jù)本發(fā)明，可以制造使具有均一的形狀、粒徑及磁特性的FePt或CoPt納米粒子5以其易磁化軸都朝向垂直方向并在基板2的表面2a上均一地排列的磁記錄介質(zhì)IA0[第二實(shí)施方式](磁記錄介質(zhì))作為本發(fā)明的第二實(shí)施方式，首先對圖3A及圖3B表示的磁記錄介質(zhì)IB進(jìn)行說明。另外，圖3A是表示該磁記錄介質(zhì)IB的構(gòu)造的剖面圖，圖3B是放大該磁記錄介質(zhì)IB的主要部分的剖面圖。另外，下面的說明中，對與上述磁記錄介質(zhì)IA相同的部位省略說明，并且在附圖中標(biāo)注相同的符號。如圖3A及圖3B所示，該磁記錄介質(zhì)IB在非磁性基板2和垂直磁性層4之間依次具備基底層9和中間層10，對中間層10的表面IOa實(shí)施紋理化處理，代替對非磁性基板2的表面實(shí)施紋理化處理，由此，具有形成具有圓周方向成分的多個溝槽3的形成面10a。從而具有在該形成面IOa上形成了成為垂直磁性層4的FePt或CoPt納米粒子排列體5A的結(jié)構(gòu)。除此之外，具有與上述圖IA及圖IB表示的磁記錄介質(zhì)IA—樣的構(gòu)成。具有以上那樣構(gòu)造的磁記錄介質(zhì)IA中，通過對中間層10的表面(形成面)IOa實(shí)施圓周方向的紋理化處理而設(shè)置細(xì)微的溝槽3，可抑制該形成面IOa上的納米粒子5的局部的紊亂。因此，根據(jù)本發(fā)明，可以得到具備垂直磁性層4的磁記錄介質(zhì)1B，該垂直磁性層4由使具有均一的形狀、粒徑及磁特性的FePt或CoPt納米粒子5的易磁化軸都朝向垂直方向并在形成面IOa上均一地排列的納米粒子排列體5 A構(gòu)成。(磁記錄介質(zhì)的制造方法)接著,參照圖4A 圖4H對上述圖3A及圖3B表示的磁記錄介質(zhì)IB的制造方法進(jìn)行說明。制造上述磁記錄介質(zhì)IB時，如圖4A所示，首先準(zhǔn)備具有中心孔的圓盤狀的非磁性基板2。接著，如圖4B所示，在該非磁性基板2上形成基底層9?；讓?可以使用例如CoFe合金等軟磁性材料。通過在基底層9使用CoFe合金，可實(shí)現(xiàn)高飽和磁通密度Bs(l. 4[T]以上)，能夠得到優(yōu)異的記錄再生特性。CoFe合金中的Fe的含量優(yōu)選設(shè)為5 60原子％的范圍。Fe的含量不足5原子％時，軟磁性材料的飽和磁通密度Bs變低。另一方面，F(xiàn)e的含量超過60原子％時，軟磁性材料的腐食性惡化，故而不優(yōu)選?；讓?的層厚優(yōu)選設(shè)為20 80nm的范圍?；讓?的層厚不足20nm時，不能充分吸收來自磁頭的磁通，寫入不充分，記錄再生特性惡化。另一方面，基底層9的層厚超過SOnm時，生產(chǎn)力顯著降低，故而不優(yōu)選。另外，基底層9優(yōu)選設(shè)為依次層疊第一軟磁性層、Ru層、第二軟磁性層的構(gòu)造。即，該基底層9通過在兩層軟磁性層之間夾入Ru層，成為處于Ru層的上下的軟磁性層反鐵耦合(AFC)的構(gòu)造。由此，能夠提高對于外部磁場的耐性，以及對于垂直磁記錄特有的問題即WATE(Wide Area Tack Erasure)現(xiàn)象的固定性。另外，在磁記錄介質(zhì)IB中，在磁頭向垂直磁性層(垂直磁記錄層)4寫入時，需要在垂直磁性層4的下方設(shè)置用于將磁場返回到磁頭的基底層(軟磁性層)9。但是，在非磁性基板2的表面直接設(shè)置軟磁性層9時，由于非磁性基板2的表面的吸附氣體、水分的影響、基板成分的擴(kuò)散等，有可能對軟磁性層9進(jìn)行腐蝕。因此，優(yōu)選在非磁性基板2和軟磁性層9之間設(shè)置附著層(未圖示。)。另外，作為附著層，可以適宜選擇并使用例如Cr、Cr合金、Ti、Ti合金等。另外，附著層的厚度優(yōu)選為2nm以上。接著，如圖4C所示，在基底層9上形成中間層10。中間層10是用于將垂直磁性層4形成c軸取向的柱狀晶體的層，可利用例如Ru或Ru合金形成。作為Ru合金，可示例例如RuCo、RuAl、RuMruRuMo、RuFe合金。Ru合金中的Ru量也可以為50原子％ 90原子％。另外，中間層10的層厚為30nm以下,優(yōu)選為16nm以下。通過減薄中間層10,磁頭和基底層(軟磁性層)9之間的距離變小，能夠使來自磁頭的磁通變得急峻。其結(jié)果能夠進(jìn)一步減薄軟磁性層9的層厚，可以提高生產(chǎn)力。接著，如圖4D所示，對該中間層10的表面(形成面)IOa實(shí)施紋理化處理，由此形成具有圓周方向成分的多個的溝槽3 (稱為紋理化工序)。
紋理化處理是如下處理，即，在以低速旋轉(zhuǎn)的非磁性基板2的中間層10的表面IOa上滴下含有金剛石磨?；蜓趸X磨粒等的拋光液，同時按壓紋理帶，由此在中間層10的表面IOa上形成多個溝槽3。作為此時使用的拋光液，可以列舉例如水性金剛石漿液等。另一方面，作為紋理帶，可以列舉例如聚酯系超細(xì)纖維織布等。非磁性基板2的轉(zhuǎn)速因其直徑不同而各異，例如，在制造直徑I. 89 3. 5英寸的磁記錄介質(zhì)時，非磁性基板2的轉(zhuǎn)速可以設(shè)為150 800rpm的范圍。非磁性基板2的轉(zhuǎn)速比該范圍過大時，可能中間層10的表面IOa變得粗糙，另一方面，非磁性基板2的轉(zhuǎn)速比該范圍過小時，加工時間變長，故而不優(yōu)選。實(shí)施了紋理化處理的中間層10的表面粗糙度以中心線平均粗糙度(Ra)計優(yōu)選設(shè)為0. 15 Inm( 1.5~10入)的范圍，更優(yōu)選為0.2 0.5_(2.0~5人)的范圍。中間層10的表面粗糙度Ra不足0. 15nm( 1.5A )時，進(jìn)行紋理化處理的溝槽3的效果不明顯，使后述的FePt或CoPt粒子在基板表面均一地排列的效果不明顯。另一方面，中間層10的表面粗糙度Ra超過Inm ( 10A )時，最終的磁記錄介質(zhì)IB的表面粗糙度惡化，不能充分減小磁 頭的浮動量，故而不優(yōu)選。實(shí)施了紋理化處理的中間層10的表面IOa中，彼此相鄰的溝槽3的間隔優(yōu)選設(shè)為10 20nm的范圍。由于上述的FePt或CoPt納米粒子的平均粒徑為3 5nm,因此,通過將溝槽3的間隔設(shè)為該范圍，能夠使FePt或CoPt粒子在中間層10的表面IOa均一地排列。另外，形成于中間層10的表面IOa上的溝槽3的間隔依存于拋光液中含有的磨粒的種類、粒徑、濃度、供給量、紋理帶的材質(zhì)、纖維的密度、按壓壓力、基板的轉(zhuǎn)速。因此，適宜選擇這些條件，可以調(diào)整中間層10的表面IOa上相鄰的溝槽3的間隔。另外，中間層10的表面粗糙度(Ra)及相鄰的溝槽3的間隔可以使用AFM測定。接著，通過使FePt或CoPt納米粒子5的分散溶液與實(shí)施了紋理化處理的中間層10的表面IOa接觸，形成成為上述垂直磁性層4的FePt或CoPt納米粒子排列體5A。具體而言，如圖4E所示，首先，使具有第一官能團(tuán)的分散劑6a的溶液與實(shí)施了紋理化處理的中間層10的表面IOa接觸(稱為第一接觸工序)。第一接觸工序中，作為具有第一官能團(tuán)的分散劑6a，優(yōu)選使用如下有機(jī)物，S卩，在該有機(jī)物的分子鏈的一端側(cè)具有易于與后述的第二官能團(tuán)鍵合，并難以與中間層10的表面IOa鍵合的第一官能團(tuán)，另一方面，在該有機(jī)物的分子鏈的另一端側(cè)具有易于與中間層10的表面IOa鍵合，并難以與第二官能團(tuán)鍵合的第三官能團(tuán)。由此，分散劑分子經(jīng)由第三官能團(tuán)與中間層10的表面IOa進(jìn)行化學(xué)鍵合，在該中間層10的面上形成具有第一官能團(tuán)的分散劑6a的單分子膜。具有這種特性的第一、三官能團(tuán)中，作為第一官能團(tuán)，可以列舉例如硫醇基、氨基等，作為第三官能團(tuán)，可以列舉甲氧基硅烷基、乙氧基硅烷基等烷氧基硅烷基、硅烷醇基、羥基等，可以適宜選擇并使用它們。例如，作為具有這些第一及第三官能團(tuán)的分散劑6a，可以列舉3-巰基三乙氧基硅烷等。作為使這種分散劑6a的溶液與中間層10的表面IOa接觸的方法，可以使用目前公知的方法，例如，可以使用如下方法，即，使分散劑6a在甲苯等溶劑中溶解，在該溶液中浸潰非磁性基板2，以例如50 70°C的溫度加熱I 20分鐘。還可以使用如下方法，即，在中間層10上通過旋涂等涂敷上述溶液，并保持與上述浸潰時間相同的時間。
接著，如圖4F所示，使由具有第二官能團(tuán)的分散劑6b被覆的FePt或CoPt納米粒子5的分散溶液與接觸了具有第一官能團(tuán)的分散劑6a的、中間層10的表面IOa接觸。(稱為第二接觸工序)。第二接觸工序中，使由具有第二官能團(tuán)的分散劑6b被覆的FePt或CoPt納米粒子5的分散溶液與形成了具有上述第一官能團(tuán)的分散劑6a的單分子膜的、中間層10的表面IOa接觸，由此，使第一官能團(tuán)和第二官能團(tuán)化學(xué)鍵合。由此，能夠在中間層10的實(shí)施了紋理化處理的形成面IOa上形成多個FePt或CoPt納米粒子5均一地排列的FePt或CoPt磁性納米粒子排列體5A。第二接觸工序中使用的分散劑6b優(yōu)選使用如下有機(jī)物，即，在該有機(jī)物的分子鏈的一端側(cè)具有易于與第一官能團(tuán)鍵合，并難以與FePt或CoPt納米粒子5鍵合的第二官能團(tuán)，另一方面，在該有機(jī)物的分子鏈的另一端側(cè)具有難以與第一官能團(tuán)鍵合，并易于與FePt或CoPt納米粒子5鍵合的第四官能團(tuán)。由此，涂層劑分子經(jīng)由第四官能團(tuán)與納米粒子5的表面進(jìn)行化學(xué)鍵合，在該納米粒子5的表面形成分散劑6b的單分子膜，并且成為其表面被第二官能團(tuán)被覆的狀態(tài)。 具有這種特性的第二、四官能團(tuán)中，作為第二官能團(tuán)，可以列舉例如硫醇基等，作為第四官能團(tuán)，可以列舉硫醇基、氨基、氰基等，可以適宜選擇并使用它們。例如，作為具有這些第二官能團(tuán)和第四官能團(tuán)的分散劑6b，可以列舉1，6_己二硫醇、I，9-壬二硫醇、I，10-癸二硫醇等。作為在FePt或CoPt納米粒子5上被覆具有第二官能團(tuán)的分散劑6b的方法，可以使用目前公知的方法，例如，可以使用如下方法，即，使分散劑6b在甲苯、己烷等溶劑中溶解，以例如20 60°C的溫度將FePt或CoPt納米粒子5在該溶液中浸潰I 20分鐘。作為使由具有第二官能團(tuán)的分散劑6b被覆的FePt或CoPt納米粒子5的分散溶液與中間層10的表面IOa接觸的方法，可以使用目前公知的方法，例如，可以使用如下方法，即，在上述分散溶液中浸潰非磁性基板2 ;或在中間層10的表面IOa上通過旋涂等涂敷上述分散溶液。另外，作為FePt或CoPt納米粒子排列體5A的形成方法，不限定于上述的方法，除此以外，也可以在例如實(shí)施了紋理化處理的中間層10的形成面IOa上涂敷被分散劑分散的FePt或CoPt納米粒子5的分散溶液，由此，形成分散有多個納米粒子5的納米粒子排列體5A。在中間層10上形成FePt或CoPt納米粒子排列體5A后,對該納米粒子排列體5A賦予垂直磁各向異性，由此形成垂直磁性層4。具體而言，對該FePt或CoPt納米粒子排列體5A垂直施加外部磁場，并且在氬氣等惰性氣體環(huán)境中，以500°C、30分鐘程度的條件進(jìn)行熱處理。由此，可以使FePt或CoPt納米粒子5的易磁化軸沿外部磁場的施加方向即垂直方向一致，并賦予垂直取向性。接著，如圖4G所示，在該垂直磁性層4上形成保護(hù)層7后，如圖4H所示，在該保護(hù)層7上涂敷潤滑劑，由此形成潤滑層8。經(jīng)過以上工序，從而能夠制造上述圖3A及圖3B表示的磁記錄介質(zhì)1B。如上，本發(fā)明中，通過對中間層10的表面(形成面)IOa實(shí)施紋理化處理，從而形成具有圓周方向成分的多個溝槽3。由此，可以遮掩使FePt或CoPt納米粒子5產(chǎn)生局部紊亂的基板表面的缺陷、劃痕等，并使FePt或CoPt納米粒子5在該中間層10的表面IOa均一地排列。因此，根據(jù)本發(fā)明，可以制造使具有均一的形狀、粒徑及磁特性的FePt或CoPt納米粒子5的易磁化軸都朝向垂直方向并在中間層10的表面IOa上均一地排列的磁記錄介質(zhì)IB0(磁記錄再生裝置)圖5是表示應(yīng)用了本發(fā)明的磁記錄再生裝置的一個例子的圖。該磁記錄再生裝置具備垂直磁記錄介質(zhì)50、旋轉(zhuǎn)驅(qū)動垂直磁記錄介質(zhì)50的介質(zhì)驅(qū)動部51、在垂直磁記錄介質(zhì)50上記錄再生信息的磁頭52、使該磁頭52對垂直磁記錄介 質(zhì)50作相對運(yùn)動的磁頭驅(qū)動部53、記錄再生信號處理系統(tǒng)54。另外，記錄再生信號處理系統(tǒng)54可以處理從外部輸入的數(shù)據(jù)并將記錄信號輸送至磁頭52，且可處理來自磁頭52的再生信號并將數(shù)據(jù)輸送至外部。該磁記錄再生裝置中，為了應(yīng)對上述垂直磁記錄介質(zhì)的更高記錄密度化的要求，磁頭52使用對垂直磁記錄介質(zhì)50的寫入能力優(yōu)異的單磁極磁頭。另外，磁記錄再生裝置中，作為再生元件，可以使用具有利用巨磁阻(GMR)的GMR元件等作為再生元件的適合更高記錄密度的磁頭52。應(yīng)用了本發(fā)明的磁記錄再生裝置中，使用上述圖3A及圖3B表示的磁記錄介質(zhì)IB作為垂直磁記錄介質(zhì)50。而且，垂直磁記錄介質(zhì)50中，為了對應(yīng)這種單磁極磁頭，在非磁性基板2和垂直磁性層4之間設(shè)置基底層(軟磁性層)9，實(shí)現(xiàn)單磁極磁頭和垂直磁記錄層5之間的磁通的出入效率的提高。 實(shí)施例下面，通過實(shí)施例更能明確本發(fā)明的效果。另外，本發(fā)明不限定于下面的實(shí)施例，可以在不變更其要點(diǎn)的范圍內(nèi)適宜變更并實(shí)施。〈FePt納米粒子的制造〉本實(shí)施例中，首先，制備包含0. 5mmol/dm3的Pt乙酰丙酮化物(Pt(acac)2)為Pt化合物；包含I. 5mmol/dm3的I-十八烯為還原劑；包含0. 94mmol/dm3的油酸為第一粒子分散劑；以二芐醚為溶劑的溶液。而且，在氬氣環(huán)境中將該溶液在燒瓶中加熱到100°C，成為100°C后，添加0. 99mmol/dm3的五羰基鐵(Fe(CO)5)作為Fe化合物，將溫度進(jìn)一步升溫至120°C并保持5分鐘，五羰基鐵溶解后，添加I. 4mmol/dm3的油胺作為第二粒子分散劑。而且，將該溶液升溫至245°C，在該溫度下熟化120分鐘后，冷卻至室溫，得到FePt納米粒子。而且，使用離心處理去除剩余的前體及副生成物后，使之在己烷中分散，由此，得到用分散劑被覆表面的FePt納米粒子的分散溶液。 另外，使該FePt納米粒子分散于I，6-己二硫醇中，以40°C的溫度浸潰10分鐘，由此將FePt納米粒子的表面由分散劑分子的單分子膜被覆。而且，通過將其分散于己烷中，得到被分散劑分子的單分子膜被覆的FePt納米粒子的分散液?！创庞涗浗橘|(zhì)的制造〉接著，作為非磁性基板，準(zhǔn)備硅基板(直徑2. 5英寸)，對硅基板進(jìn)行凈洗后，將該硅基板置于真空腔室內(nèi)，將真空腔室排氣至I. 0 X IO-5Pa以下。在此使用的硅基板為外徑65mm、內(nèi)徑20mm、平均表面粗糖度(Ra)O. 2nm。
而且，使用DC濺射法對該硅基板層疊60nm的FeCoB薄膜為基底層(軟磁性層)、IOnm的Ru薄膜為中間層(非磁性層)后，沿基板圓周方向?qū)υ摶鍖?shí)施紋理化處理。紋理化處理中，使用含有平均粒徑0. I y m的金剛石磨粒的水性金剛石漿液作為拋光液，使用聚酯超細(xì)纖維織布作為紋理帶，并將基板的轉(zhuǎn)速設(shè)為550rpm。另外，用AFM調(diào)查紋理化處理后的基板表面，Ra為0. 3nm、相鄰的溝槽的間隔為13nm。而且，通過旋涂對該基板表面涂敷稀釋了的3-巰基丙基三甲氧基硅烷，之后，以100°C對基板加熱8分鐘，由此，在基板表面形成具有第一官能團(tuán)的單分子膜。而且，通過旋涂對形成有具有第一官能團(tuán)的單分子膜的非磁性基板的表面涂敷被具有上述第二官能團(tuán)的分散劑被覆的FePt納米粒子的分散溶液，之后，使基板干燥。然后，對進(jìn)行了上述處理的基板垂直施加外部磁場，同時在氬氣等惰性氣體環(huán)境下以700°C進(jìn)行30分鐘的熱處理，由此對FePt納米粒子排列體賦予垂直磁取向性。然后，為了賦予磁記錄介質(zhì)的保護(hù)膜功能，因此，利用濺射法在基板上形成4nm的 碳膜后，通過浸潰法在其表面形成潤滑劑膜?！丛u價〉對利用以上方法制造的磁記錄介質(zhì)進(jìn)行評價，確認(rèn)了表面的平滑性高，另外可以磁記錄再生。產(chǎn)業(yè)上可利用性 根據(jù)本發(fā)明，可以提供一種磁記錄介質(zhì)及其制造方法，該磁記錄介質(zhì)使具有均一的形狀、粒徑及磁特性的FePt或CoPt納米粒子以它們的易磁化軸都朝向垂直方向的方式在非磁性基板的表面上均一地排列。還可以提供一種磁記錄再生裝置，其具備這種磁記錄介質(zhì)或利用這種制造方法制造的磁記錄介質(zhì)，因此，可在產(chǎn)業(yè)上利用。
權(quán)利要求
1.一種磁記錄介質(zhì)，是在圓盤狀的非磁性基板上至少具備垂直磁性層的磁記錄介質(zhì)，其特征在于， 所述垂直磁性層具有如下構(gòu)造在通過實(shí)施紋理化處理而形成了具有圓周方向成分的多個溝槽的形成面上，形成有FePt或CoPt納米粒子排列體。
2.如權(quán)利要求I所述的磁記錄介質(zhì)，其特征在于，所述FePt或CoPt納米粒子排列體是多個FePt或CoPt納米粒子分散在有機(jī)涂層中而形成的。
3.如權(quán)利要求I或2所述的磁記錄介質(zhì)，其特征在于，所述形成面為所述非磁性基板的表面。
4.如權(quán)利要求I或2所述的磁記錄介質(zhì)，其特征在于，在所述非磁性基板和所述垂直磁性層之間依次具備基底層和中間層， 所述形成面為所述中間層的表面。
5.如權(quán)利要求I 4中任一項(xiàng)所述的磁記錄介質(zhì),其特征在于,所述FePt或CoPt納米粒子的平均粒徑為3 5nm的范圍。
6.如權(quán)利要求I 5中任一項(xiàng)所述的磁記錄介質(zhì)，其特征在于，實(shí)施了所述紋理化處理的形成面的表面粗糙度以中心線平均粗糙度(Ra)計為0. 15 Inm的范圍，并且相鄰的溝槽的間隔為10 20nm的范圍。
7.一種磁記錄介質(zhì)的制造方法，是在圓盤狀的非磁性基板上至少具備垂直磁性層的磁記錄介質(zhì)的制造方法，其特征在于，包含以下工序 對要形成所述垂直記錄層的形成面實(shí)施紋理化處理，從而在該形成面上形成具有圓周方向成分的多個溝槽的工序；以及 使FePt或CoPt納米粒子的分散溶液與實(shí)施了所述紋理化處理的形成面接觸，從而在該形成面上形成成為所述垂直磁性層的FePt或CoPt納米粒子排列體的工序。
8.如權(quán)利要求7所述的磁記錄介質(zhì)的制造方法，其特征在于，對成為所述形成面的所述非磁性基板的表面實(shí)施紋理化處理。
9.如權(quán)利要求7所述的磁記錄介質(zhì)的制造方法，其特征在于，包含在所述非磁性基板和所述垂直磁性層之間依次層疊形成基底層和中間層的工序， 對成為所述形成面的所述中間層的表面實(shí)施紋理化處理。
10.如權(quán)利要求7 9中任一項(xiàng)所述的磁記錄介質(zhì)的制造方法，其特征在于，將所述FePt或CoPt納米粒子的平均粒徑設(shè)為3 5nm的范圍。
11.如權(quán)利要求7 10中任一項(xiàng)所述的磁記錄介質(zhì)的制造方法，其特征在于，將實(shí)施了所述紋理化處理的非磁性基板的表面粗糙度以中心線平均粗糙度(Ra)計設(shè)為0. 15 Inm的范圍，并且將彼此相鄰的溝槽的間隔設(shè)為10 20nm的范圍。
12.一種磁記錄再生裝置，其特征在于，具備 權(quán)利要求I 6中任一項(xiàng)所述的磁記錄介質(zhì)、或利用權(quán)利要求7 11中任一項(xiàng)所述的制造方法制造的磁記錄介質(zhì)； 沿記錄方向驅(qū)動所述磁記錄介質(zhì)的介質(zhì)驅(qū)動部； 對所述磁記錄介質(zhì)進(jìn)行記錄動作和再生動作的磁頭； 使所述磁頭相對于磁記錄介質(zhì)相對移動的磁頭移動單元； 用于進(jìn)行向所述磁頭輸入信號和將從所述磁頭輸出的信號再生的記錄再生信號處理單元。
全文摘要
本發(fā)明提供一種磁記錄介質(zhì)及其制造方法、以及具備這種磁記錄介質(zhì)或利用這種制造方法制造的磁記錄介質(zhì)的磁記錄再生裝置，所述磁記錄介質(zhì)在圓盤狀的非磁性基板上至少具備垂直磁性層，其特征在于，上述垂直磁性層具有如下構(gòu)造，即，通過實(shí)施紋理化處理，在形成有具有圓周方向成分的多個溝槽的形成面上形成FePt或CoPt納米粒子排列體。
文檔編號G11B5/84GK102800332SQ201210225470
公開日2012年11月28日 申請日期2012年5月22日 優(yōu)先權(quán)日2011年5月24日
發(fā)明者逢坂哲彌, 杉山敦史, 蜂巢琢磨, 茂智雄, 福島正人, 山根明, 坂脅彰 申請人:昭和電工株式會社, 學(xué)校法人早稻田大學(xué)