專利名稱：：多級(jí)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)單元的維護(hù)操作的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：這里的各種實(shí)施方式主要涉及非易失性存儲(chǔ)設(shè)備，并且某些特定實(shí)施方式涉及的是用于操作多級(jí)閃存單元的系統(tǒng)和方法。
背景技術(shù)：
：隨著計(jì)算設(shè)備能力和特征的提升，對(duì)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備的需求也在增長(zhǎng)。例如，數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備業(yè)已用于存儲(chǔ)可以由處理器執(zhí)行的程序指令(也就是代碼)。此外，數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備還用于存儲(chǔ)其他類型的數(shù)據(jù)，其中包括例如音頻、圖像和/或文本信息。近來(lái)，具有能夠存儲(chǔ)大量數(shù)據(jù)內(nèi)容(例如歌曲、音樂(lè)視頻等等)的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備的系統(tǒng)在便攜設(shè)備中已經(jīng)可以廣泛使用。這些便攜設(shè)備包括具有很小的形狀因子并且能用電池之類的便攜電源操作的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備(datastoragedevice,DSD)。便攜設(shè)備中的某些DSD可以提供非易失性存儲(chǔ)器，該存儲(chǔ)器能在從電源斷開的時(shí)候保持?jǐn)?shù)據(jù)。便攜設(shè)備已經(jīng)使用了各種非易失性數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備，例如硬盤驅(qū)動(dòng)器、EEPROM(電可擦寫可編程只讀存儲(chǔ)器)和閃存存儲(chǔ)器(flashmemory)。閃存存儲(chǔ)器已經(jīng)成為一種廣泛使用的DSD。例如，閃存存儲(chǔ)器可以在便攜電子設(shè)備和消費(fèi)應(yīng)用中提供非易失性存儲(chǔ)器。目前存在的兩種類型的閃存存儲(chǔ)器是NOR閃存(flash)和NAND閃存。NOR閃存通常提供的是原地執(zhí)行代碼的能力，并且它是可以被隨機(jī)存取的(也就是類似于RAM)。而NAND閃存通?？梢愿觳脸龜?shù)據(jù)以及以脈沖串的形式(例如512字節(jié)的組塊)存取數(shù)據(jù)，此外，與類似的NOR閃存相比，它可以提供更長(zhǎng)壽命的擦除周期。NAND閃存通常能以很低的每比特成本來(lái)提供非易失性存儲(chǔ)，以此作為例如數(shù)碼相機(jī)和MP3播放器這類消費(fèi)設(shè)備的高密度文件存儲(chǔ)介質(zhì)。典型的閃存存儲(chǔ)器是通過(guò)在每一個(gè)存儲(chǔ)單元(memorycell)中將電荷存儲(chǔ)在代表數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)值的電壓上來(lái)存儲(chǔ)一個(gè)單位的信息的。對(duì)單級(jí)單元來(lái)說(shuō)，它是基于將其充電成“高”電壓或者放電成“低”電壓來(lái)存儲(chǔ)一比特信息的。對(duì)NAND閃存存儲(chǔ)器來(lái)說(shuō)，已開發(fā)的NAND閃存存儲(chǔ)器能夠?qū)﹄姾蛇M(jìn)行解碼，使之處于四個(gè)不同電壓范圍之一，從而在單個(gè)單元中存儲(chǔ)兩比特之多的信息。此外，對(duì)NOR閃存存儲(chǔ)器來(lái)說(shuō)，已開發(fā)的NOR閃存存儲(chǔ)器能夠?qū)﹄姾蛇M(jìn)行解碼，使之處于256個(gè)不同電壓范圍之一，由此就能在單個(gè)單元中存儲(chǔ)8比特之多的信息。
發(fā)明內(nèi)容所描述的裝置和相關(guān)聯(lián)的系統(tǒng)、方法及計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品涉及的是閃存存儲(chǔ)設(shè)備中的多級(jí)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)。在一個(gè)通常方面中，通過(guò)檢測(cè)來(lái)自第一存儲(chǔ)單元的電壓電平，可以對(duì)包含了多個(gè)存儲(chǔ)單元的多級(jí)閃存存儲(chǔ)設(shè)備進(jìn)行管理，其中所述第一存儲(chǔ)單元存儲(chǔ)了達(dá)到代表數(shù)據(jù)值的電壓電平的電荷。該電壓電平所代表的數(shù)據(jù)值至少部分是根據(jù)與第一存儲(chǔ)單元相對(duì)應(yīng)的分辨率寄存器條目(resolutionregisterentry)來(lái)確定。電荷被施加于一個(gè)或多個(gè)存儲(chǔ)單元，以便達(dá)到代表數(shù)據(jù)值的目標(biāo)電壓。該目標(biāo)電壓至少部分是根據(jù)與一個(gè)或多個(gè)存儲(chǔ)單元相對(duì)應(yīng)的分辨率寄存器條目來(lái)確定的。本實(shí)施方式可以包括一個(gè)或多個(gè)下列特征。所述一個(gè)或多個(gè)存儲(chǔ)單元是第一存儲(chǔ)單元，并且將電荷施加于第一存儲(chǔ)單元的操作包括將附加電荷施加于第一存儲(chǔ)單元，以便調(diào)整第一存儲(chǔ)單元中的電壓暫降(voltagesag)。通過(guò)檢測(cè)存儲(chǔ)在基準(zhǔn)單元中的基準(zhǔn)電壓電平，可以確定第一存儲(chǔ)單元中的暫降量。該基準(zhǔn)單元與相應(yīng)的預(yù)定電壓電平相關(guān)聯(lián)，并且暫降量是通過(guò)將預(yù)定電壓電平與檢測(cè)到的存儲(chǔ)在基準(zhǔn)單元中電壓電平相比較來(lái)確定的。暫降量是通過(guò)檢測(cè)存儲(chǔ)在多個(gè)基準(zhǔn)單元中的電壓電平來(lái)確定的。施加于第一存儲(chǔ)單元的附加電荷量是根據(jù)一個(gè)校正函數(shù)來(lái)確定的。從主機(jī)設(shè)備接收一個(gè)啟動(dòng)維護(hù)操作的信號(hào)，響應(yīng)于接收到的信號(hào)，電荷將被施加于一個(gè)或多個(gè)存儲(chǔ)單元，以便達(dá)到代表數(shù)據(jù)值的目標(biāo)電壓。來(lái)自主機(jī)設(shè)備的信號(hào)指示的是電源條件。這個(gè)來(lái)自主機(jī)設(shè)備的信號(hào)指示了是否用交流電源為主機(jī)設(shè)備供電和/或是否將主機(jī)設(shè)備的電池充電至預(yù)定電荷等級(jí)。此外，來(lái)自主機(jī)設(shè)備的信號(hào)還指示了所調(diào)度的維護(hù)操作。從閃存存儲(chǔ)器處理器接收啟動(dòng)維護(hù)操作的信號(hào)，響應(yīng)于接收到的信號(hào)，電荷將被施加于一個(gè)或多個(gè)存儲(chǔ)單元，以便達(dá)到代表數(shù)據(jù)值的目標(biāo)電壓。這個(gè)來(lái)自閃存存儲(chǔ)器處理器的信號(hào)指示的是該閃存存儲(chǔ)器處理器具有足夠帶寬來(lái)執(zhí)行維護(hù)操作。此外，來(lái)自閃存存儲(chǔ)器處理器的信號(hào)還指示該閃存存儲(chǔ)器處理器空閑。與第一存儲(chǔ)單元相對(duì)應(yīng)的分辨率寄存器條目指示的是與第一可能數(shù)據(jù)值數(shù)量相對(duì)應(yīng)的第一分辨率。接收以與第二可能數(shù)據(jù)值數(shù)量相對(duì)應(yīng)的第二分辨率寫入的信號(hào)，并且更新與一個(gè)或多個(gè)存儲(chǔ)單元相對(duì)應(yīng)的分辨率寄存器條目，以便指示該第二分辨率。目標(biāo)電壓基于第二分辨率。第一可能數(shù)據(jù)值數(shù)量大于第二可能數(shù)據(jù)值數(shù)量，并且所述一個(gè)或多個(gè)存儲(chǔ)單元包含從多個(gè)存儲(chǔ)單元中選出的多于一個(gè)的存儲(chǔ)單元。作為替換，第一可能數(shù)據(jù)值數(shù)量等于第二可能數(shù)據(jù)值數(shù)量，并且所述一個(gè)或多個(gè)存儲(chǔ)單元包含了與第一存儲(chǔ)單元不同的存儲(chǔ)單元。第二可能數(shù)據(jù)值數(shù)量超過(guò)第一可能數(shù)據(jù)值數(shù)量。第一可能數(shù)據(jù)值數(shù)量不超過(guò)4比特；例如，第一可能數(shù)據(jù)值數(shù)量是2比特或I比特。第二可能數(shù)據(jù)值數(shù)量至少是4比特；例如，第二可能數(shù)據(jù)值數(shù)量至少是8比特。以第一分辨率存儲(chǔ)在第一存儲(chǔ)單元中的數(shù)據(jù)值是將從主機(jī)設(shè)備接收的數(shù)據(jù)寫入閃存存儲(chǔ)設(shè)備的寫入操作的結(jié)果。從主機(jī)設(shè)備接收將從主機(jī)設(shè)備接收的數(shù)據(jù)寫入閃存存儲(chǔ)設(shè)備的信號(hào)。從主機(jī)設(shè)備接收的數(shù)據(jù)值是以與第一可能數(shù)據(jù)值數(shù)量相對(duì)應(yīng)的第一分辨率而被寫入到第一存儲(chǔ)單元中的，并且所述第一分辨率被記錄在與第一存儲(chǔ)單兀相對(duì)應(yīng)的分辨率寄存器中。以與第二可能數(shù)據(jù)值數(shù)量相對(duì)應(yīng)的第二分辨率寫入的信號(hào)將被接收，并且第二可能數(shù)據(jù)值數(shù)量超過(guò)第一數(shù)據(jù)值數(shù)量。與一個(gè)或多個(gè)存儲(chǔ)單元相對(duì)應(yīng)的分辨率寄存器被更新，以便指示第二分辨率，并且目標(biāo)分辨率基于第二分辨率。從主機(jī)設(shè)備接收指示主機(jī)設(shè)備的電源條件的信號(hào)。與第一存儲(chǔ)單元相對(duì)應(yīng)的分辨率寄存器條目指示的是與第一可能數(shù)據(jù)值數(shù)量相對(duì)應(yīng)的第一分辨率。與第一存儲(chǔ)單元相關(guān)聯(lián)的分辨率寄存器條目被更新，以便指示與第二可能數(shù)據(jù)值數(shù)量相對(duì)應(yīng)的第二分辨率，并且第一可能數(shù)據(jù)值數(shù)量大于第二可能數(shù)據(jù)值數(shù)量。第二數(shù)據(jù)值以第二分辨率被寫入第一存儲(chǔ)單元。對(duì)更新與第一存儲(chǔ)單元相關(guān)聯(lián)的分辨率寄存器條目和以第二分辨率寫入第一存儲(chǔ)單元的處理來(lái)說(shuō)，這些處理是由與包含第一存儲(chǔ)單元的存儲(chǔ)單元頁(yè)面相關(guān)聯(lián)的差錯(cuò)條件觸發(fā)的。存儲(chǔ)單元頁(yè)面與降級(jí)存儲(chǔ)單元的第二頁(yè)面進(jìn)行配對(duì)。此外，邏輯尋址軟件代碼被更新，以便將存儲(chǔ)單元頁(yè)面配對(duì)視為處于第一分辨率的單個(gè)存儲(chǔ)單元頁(yè)面。在另一個(gè)通常方面中，確定是否執(zhí)行維護(hù)操作。在確定應(yīng)該執(zhí)行維護(hù)操作時(shí)，作為響應(yīng)，與存儲(chǔ)單元頁(yè)面相關(guān)聯(lián)的差錯(cuò)信息被識(shí)別，并且確定該差錯(cuò)信息是否滿足差錯(cuò)判據(jù)。與存儲(chǔ)單元頁(yè)面相對(duì)應(yīng)的一個(gè)或多個(gè)分辨率寄存器被從第一分辨率調(diào)整到第二分辨率。所述第一和第二分辨率中的每一個(gè)都定義了多個(gè)電壓范圍，并且每一個(gè)電壓范圍都對(duì)應(yīng)于一個(gè)可能的數(shù)據(jù)值。與第二分辨率相比，第一分辨率具有更多的電壓范圍。本實(shí)施方式可以包括一個(gè)或多個(gè)下列特征。確定是否執(zhí)行維護(hù)操作包括確定主機(jī)設(shè)備是否具有滿足預(yù)定條件的電源，例如主機(jī)是否正在接收交流電源或者主機(jī)設(shè)備是否具有充電至預(yù)定電荷等級(jí)的電池。確定是否執(zhí)行維護(hù)操作包括確定處理器是否具有超過(guò)預(yù)定閾值的未使用帶寬。在另一個(gè)通常方面中，針對(duì)已存儲(chǔ)數(shù)據(jù)值暫降所進(jìn)行的調(diào)整可以通過(guò)將電荷施加于多個(gè)存儲(chǔ)單元來(lái)實(shí)施。每一個(gè)存儲(chǔ)單元都被充電至與數(shù)據(jù)值相對(duì)應(yīng)的目標(biāo)電壓。這些存儲(chǔ)單元包括基準(zhǔn)單元，其中所述基準(zhǔn)單元被充電至預(yù)定電壓?；鶞?zhǔn)單元中的電壓電平被檢測(cè)，此外還會(huì)檢測(cè)來(lái)自一組存儲(chǔ)單元的電壓電平。基于在基準(zhǔn)單元中檢測(cè)到的電壓電平與預(yù)定電壓之間的差值，向存儲(chǔ)單元施加附加電荷。本實(shí)施方式還可以包括一個(gè)或多個(gè)下列特征。第二基準(zhǔn)單元中的電壓電平被檢測(cè)。將附加電荷施加于存儲(chǔ)單元的處理進(jìn)一步基于在第二基準(zhǔn)單元中檢測(cè)到的電壓電平以及預(yù)定的第二基準(zhǔn)單元電壓。該存儲(chǔ)單元是NAND閃存存儲(chǔ)單元或NOR閃存存儲(chǔ)單元。并且每一個(gè)數(shù)據(jù)值都包括多于四個(gè)的比特。在又一個(gè)通常方面中，數(shù)據(jù)被存儲(chǔ)在多個(gè)存儲(chǔ)單元中。每一個(gè)存儲(chǔ)單元都被適配成在寫入操作中接收電荷，以便達(dá)到與具有規(guī)定比特?cái)?shù)量的數(shù)據(jù)值相對(duì)應(yīng)的電壓電平。與存儲(chǔ)單元相關(guān)聯(lián)的分辨率寄存器包含多個(gè)條目，每一個(gè)條目都指示了存儲(chǔ)在一個(gè)或多個(gè)相應(yīng)存儲(chǔ)單元中的多個(gè)比特。主機(jī)接口被適配成接收來(lái)自主機(jī)設(shè)備的信號(hào)，其中該信號(hào)指示的是主機(jī)設(shè)備的電源條件。處理器被適配成將數(shù)據(jù)值重新寫入存儲(chǔ)單元，以及響應(yīng)于指示預(yù)定電源條件的信號(hào)，將分辨率寄存器從指示第一比特?cái)?shù)量調(diào)整為指示第二比特?cái)?shù)量。本實(shí)施方式可以包括一個(gè)或多個(gè)下列特征。邏輯尋址軟件代碼將從主機(jī)設(shè)備接收的邏輯地址轉(zhuǎn)換成在存取數(shù)據(jù)的過(guò)程中使用的物理地址。主機(jī)接口還被適配成接收來(lái)自主機(jī)設(shè)備的命令，以及與主機(jī)設(shè)備交換數(shù)據(jù)。在另一個(gè)通常方面中，確定是否執(zhí)行維護(hù)操作。與多個(gè)閃存存儲(chǔ)單元相關(guān)聯(lián)的維護(hù)日志被讀取。記錄在維護(hù)日志上的維護(hù)活動(dòng)被執(zhí)行。該維護(hù)活動(dòng)可以包括下列各項(xiàng)中的一項(xiàng)或多項(xiàng)以更高分辨率來(lái)重新寫入初始以較低分辨率存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)值；降低與預(yù)定差錯(cuò)條件相關(guān)聯(lián)的存儲(chǔ)單元組的分辨率；以與初始數(shù)據(jù)值相同的分辨率來(lái)重新寫入超過(guò)預(yù)定差錯(cuò)閾值的數(shù)據(jù)值；將最頻繁存取數(shù)據(jù)與最不頻繁存取的數(shù)據(jù)進(jìn)行交換；或者通過(guò)向存儲(chǔ)單元施加附加電荷來(lái)校正電壓暫降，以便刷新數(shù)據(jù)值。本實(shí)施方式還可以包括一個(gè)或多個(gè)下列特征。確定是否執(zhí)行維護(hù)操作包括確定主機(jī)設(shè)備是否具有滿足預(yù)定條件的電源，例如主機(jī)設(shè)備是否接收交流電源，或者主機(jī)設(shè)備是否具有充電至預(yù)定電荷等級(jí)的電池。確定是否執(zhí)行維護(hù)操作包括確定內(nèi)部處理器是否具有超過(guò)預(yù)定閾值的未使用帶寬。對(duì)于在一個(gè)或多個(gè)維護(hù)活動(dòng)中被重新寫入到不同物理存儲(chǔ)單元的數(shù)據(jù)值來(lái)說(shuō)，這些數(shù)據(jù)值的邏輯尋址軟件代碼被更新。某些實(shí)施方式可以提供一個(gè)或多個(gè)優(yōu)點(diǎn)。例如，某些實(shí)施方式可以提供高性能數(shù)據(jù)存儲(chǔ)功能。存儲(chǔ)密度和/或容量可以增加。某些實(shí)例可以提供改善的可靠性和/或降低的數(shù)據(jù)差錯(cuò)率。某些實(shí)施方式可以允許提高的集成等級(jí)、小型化、減小的電磁噪聲和/或改進(jìn)的噪聲余量。某些實(shí)施方式可以在輔助系統(tǒng)中實(shí)現(xiàn)更低的系統(tǒng)成本，例如提供給邏輯和/或編程/擦除電路的電壓供應(yīng)。在附圖和后續(xù)描述中將會(huì)闡述本發(fā)明的一個(gè)或多個(gè)實(shí)施方式的細(xì)節(jié)。從該描述和附圖以及權(quán)利要求中可以顯見(jiàn)本發(fā)明的其他特征。圖I顯示的是包含NAND閃存存儲(chǔ)顆粒(die)和閃存盤(flashdisk)控制器的多芯片組件架構(gòu)的實(shí)例。圖2A2B共同地顯示了單元電壓與存儲(chǔ)在存儲(chǔ)單元中的數(shù)字值之間的映射。圖3A3B顯示的是對(duì)從多級(jí)單元閃存存儲(chǔ)器中讀取數(shù)據(jù)頁(yè)面的處理實(shí)例進(jìn)行描述的流程圖。圖4顯示的是對(duì)從閃存存儲(chǔ)器中讀取數(shù)據(jù)頁(yè)面的處理實(shí)例進(jìn)行描述的流程圖。圖5顯示的是對(duì)通過(guò)執(zhí)行差錯(cuò)校正操作來(lái)校正包含比特差錯(cuò)的數(shù)據(jù)頁(yè)面的處理實(shí)例進(jìn)行描述的流程圖。圖6A飛C共同地顯示了用于執(zhí)行備選值命令的操作實(shí)例。圖7A7B顯示的是對(duì)將數(shù)據(jù)寫入閃存存儲(chǔ)頁(yè)面的處理實(shí)例進(jìn)行描述的流程圖。圖8A8B顯示的是對(duì)調(diào)整存儲(chǔ)頁(yè)面的單元分辨率的處理實(shí)例進(jìn)行描述的流程圖。圖9顯示的是描述維護(hù)處理實(shí)例的流程圖。圖10顯示的是對(duì)在閃存盤控制器中實(shí)施的邏輯尋址處理實(shí)例進(jìn)行描述的流程圖。圖11顯示的是包含了處于NAND閃存存儲(chǔ)顆粒外部的電荷泵和模數(shù)轉(zhuǎn)換器的系統(tǒng)實(shí)例。圖12顯示的是包含了在NAND閃存存儲(chǔ)顆粒上的去耦電源輸入的系統(tǒng)實(shí)例。在不同的圖中，相似的附圖標(biāo)記指示的是相似的部件。具體實(shí)施例方式這里的不同實(shí)施例涉及的是能夠在深多級(jí)單元(MLC)中存儲(chǔ)信息的閃存存儲(chǔ)器。深多級(jí)單元可以根據(jù)單元電壓來(lái)編碼至少若干個(gè)數(shù)據(jù)比特。某些實(shí)施方式涉及的是用于實(shí)施包括深MLC閃存存儲(chǔ)器的系統(tǒng)的架構(gòu)。某些實(shí)施方式涉及的是用深MLC閃存存儲(chǔ)器來(lái)執(zhí)行數(shù)據(jù)存儲(chǔ)操作的技術(shù)。圖I顯示的是為主機(jī)設(shè)備(未顯示)提供數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的多芯片組件(multi-chippackage,MCP)100的一個(gè)實(shí)例。MCP100包括用于存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的NAND閃存存儲(chǔ)顆粒103，以及有助于響應(yīng)來(lái)自主機(jī)的讀取和/或?qū)懭朊顏?lái)訪問(wèn)閃存存儲(chǔ)器的閃存盤控制器(FlashDiskController,FDC)106。在某些實(shí)施方式中，NAND閃存存儲(chǔ)顆粒103將數(shù)據(jù)存儲(chǔ)在深MLC中。例如，閃存存儲(chǔ)顆粒103中的單元可以保持3、4、5、6、7、8、9、10個(gè)或更多的信息比特。MCP100可以在各種便攜設(shè)備中提供數(shù)據(jù)存儲(chǔ)，其中舉例來(lái)說(shuō)，所述便攜設(shè)備可以是數(shù)碼相機(jī)、其他圖像存儲(chǔ)設(shè)備、便攜音頻設(shè)備、個(gè)人數(shù)字助理(PDA)以及數(shù)字?jǐn)z像機(jī)。某些實(shí)施方式還可以在其他應(yīng)用中使用，這些應(yīng)用的實(shí)例可以包括臺(tái)式計(jì)算機(jī)、服務(wù)器、無(wú)線路由器或是嵌入式應(yīng)用(例如汽車)，特別地，在需要快速存取數(shù)據(jù)的情形中，這些應(yīng)用實(shí)例也是可以使用的。通常，通過(guò)實(shí)施依照這里描述的實(shí)例的裝置和技術(shù)，可以提高閃存存儲(chǔ)器密度和/或?qū)崿F(xiàn)高性能和/或可靠的非易失性數(shù)據(jù)存儲(chǔ)操作。作為說(shuō)明性實(shí)例，MCP100可以通過(guò)在閃存存儲(chǔ)器的單元組(例如，按頁(yè)或塊)的每一個(gè)單元中存儲(chǔ)一個(gè)字節(jié)的信息(也就是8比特)來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)文件。某些其他實(shí)例可以具有16比特、32比特、64比特或更高的分辨率。在某些實(shí)施方式中，分辨率可以通過(guò)單元柵極上的單個(gè)或多個(gè)電子檢測(cè)來(lái)確定。在其他實(shí)施方式中，信息的任何實(shí)際比特?cái)?shù)量都可以編碼成在單個(gè)閃存存儲(chǔ)單元充電達(dá)到的電壓。FDC106包括主機(jī)接口109、處理器112和閃存接口115。FDC106經(jīng)由主機(jī)接口109而從主機(jī)設(shè)備接收命令和/或數(shù)據(jù)(例如軟件代碼更新或用戶數(shù)據(jù))，和/或向主機(jī)設(shè)備傳送數(shù)據(jù)，其中該主機(jī)設(shè)備可以是臺(tái)式計(jì)算機(jī)、服務(wù)器或便攜計(jì)算設(shè)備上的處理器。與主機(jī)進(jìn)行的通信可以使用定制或標(biāo)準(zhǔn)協(xié)議，例如高級(jí)技術(shù)附件(AdvancedTechnologyAttachment,ΑΤΑ)、串行ΑΤΑ(SATA)、塊提取(BlockAbstracted)NAND、安全數(shù)字(SD)或是多媒體卡(MMC)。在某些實(shí)施方式中，MCP100可以是與主機(jī)設(shè)備相同的產(chǎn)品的一部分。在其他實(shí)施方式中，主機(jī)設(shè)備可以通過(guò)與至少一個(gè)基于處理器的其他設(shè)備相連的通信鏈路(例如USB、火線、藍(lán)牙)來(lái)與MCP100進(jìn)行可操作通信。例如，主機(jī)可以通過(guò)在至少一個(gè)網(wǎng)絡(luò)上發(fā)送控制消息以及發(fā)送和接收數(shù)據(jù)消息來(lái)遠(yuǎn)程訪問(wèn)MCP100，其中所述至少一個(gè)網(wǎng)絡(luò)可以包括有線、無(wú)線或光纖鏈路，或是其組合。這些網(wǎng)絡(luò)可以支持基于分組的通信，并且可以包括局域網(wǎng)或廣域網(wǎng)，例如因特網(wǎng)。主機(jī)設(shè)備上的處理器可以使用由FDC106處理且用于識(shí)別閃存存儲(chǔ)器中的物理地址的邏輯尋址方案來(lái)從NAND閃存存儲(chǔ)顆粒103中讀取數(shù)據(jù)和/或向其寫入數(shù)據(jù)。在某些實(shí)施方式中，主機(jī)接口109可以被配置成使用ΑΤΑ/IDE接口來(lái)與主機(jī)設(shè)備進(jìn)行通信。處理器112可以對(duì)接收到的命令進(jìn)行處理，并且可以使用閃存接口115來(lái)存取NAND閃存存儲(chǔ)顆粒103。FDC106可以被配置成提供諸如磨損管理(wearmanagement)、塊管理、差錯(cuò)校正和邏輯尋址管理功能之類的功能，以便提高NAND閃存存儲(chǔ)顆粒103的性能，例如增加可靠性、縮短讀寫時(shí)間、改善電源效率，以及提高每芯片體積的容量。這里描述的某些技術(shù)和裝置既適用于NAND和/或NOR閃存存儲(chǔ)器，也適用于其他類型的電可擦寫或電可寫入存儲(chǔ)器，還適用于那些數(shù)據(jù)存取分辨率以頁(yè)面或塊為單位的存儲(chǔ)器。雖然在圖I中只顯示了一個(gè)NAND閃存存儲(chǔ)顆粒103，但是MCP100也可以包括多于一個(gè)的NAND閃存存儲(chǔ)顆粒103。某些實(shí)施方式可以包括非易失性存儲(chǔ)器的任何組合，這些組合可以包括NAND閃存、NOR閃存或電可擦寫可編程只讀存儲(chǔ)器(EEPR0M)。在某些說(shuō)明性實(shí)例中，MCPlOO可以包括兩個(gè)、三個(gè)、四個(gè)或者至少八個(gè)NAND閃存存儲(chǔ)顆粒103。例如，MCP100可以包括處于與四個(gè)NAND閃存存儲(chǔ)顆粒103封裝在一起(例如在堆棧中)的顆粒上的閃存盤控制器106。在某些實(shí)施方式中，閃存盤控制器106和閃存存儲(chǔ)顆粒103可以在單個(gè)顆粒上實(shí)施。在其他實(shí)施方式中，閃存盤控制器106中的一個(gè)或多個(gè)組件可以部分或者完全在單個(gè)顆?；騇CP100的外部實(shí)施。例如，某些或所有同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(SDRAM)151和/或非易失性存儲(chǔ)器(NVM)154可以在MCP100的外部實(shí)施。在某些實(shí)施例中，某些或所有閃存盤控制器106可以按與閃存存儲(chǔ)顆粒103分離的方式封裝。在一個(gè)說(shuō)明性實(shí)例中，NVM154、SDRAM151、主機(jī)接口109以及至少一部分處理器112中的每一個(gè)都可以在MCP100的外部實(shí)施。在其他實(shí)施方式中，閃存接口115與閃存存儲(chǔ)顆粒103之間的模擬和/或數(shù)字信號(hào)可以在外部被路由到集成組件。通過(guò)實(shí)施遠(yuǎn)程或分布式傳輸結(jié)構(gòu)(例如受到屏蔽和/或控制的阻抗信號(hào)路徑)，可以傳送往來(lái)于至少一個(gè)閃存存儲(chǔ)顆粒103的信號(hào)。在某些實(shí)施方式中，通過(guò)安裝非易失性存儲(chǔ)器的附加組件，可以提供存儲(chǔ)器擴(kuò)展。緩沖和/或路由設(shè)備可以用于支持將模擬和/或數(shù)字信號(hào)分發(fā)到數(shù)量可變的存儲(chǔ)顆粒103。此外，處理器112的功能可以在MCP100的外部實(shí)施。在各個(gè)實(shí)施例中，處理器112既可以完全或部分在同一基底(例如印刷電路板)上的電路中實(shí)施，也可以在與MCP100相同的產(chǎn)品中實(shí)施。該處理器112還可以由另一個(gè)經(jīng)通信鏈路(例如有線、無(wú)線、光纖或是其組合)而與MCP100進(jìn)行可操作通信的計(jì)算設(shè)備來(lái)實(shí)施。MCP100可以是任何實(shí)際存儲(chǔ)器大小，例如高達(dá)至少100吉字節(jié)或以上。在所描述的實(shí)例中，NAND閃存存儲(chǔ)顆粒103被組織成包含多個(gè)閃存存儲(chǔ)塊(flashmemoryblock)118。在某些實(shí)施方式中，NAND閃存存儲(chǔ)顆粒103可以包括數(shù)百或數(shù)千個(gè)閃存存儲(chǔ)塊118。每一個(gè)閃存存儲(chǔ)塊118都包括多個(gè)閃存存儲(chǔ)頁(yè)面(flashmemorypage)1210如所示，每一個(gè)閃存存儲(chǔ)頁(yè)面121都包括可以存儲(chǔ)數(shù)據(jù)124的單元以及可以存儲(chǔ)與數(shù)據(jù)相關(guān)聯(lián)的糾錯(cuò)碼(ECC)127的單元。作為例示，閃存存儲(chǔ)頁(yè)面121可以存儲(chǔ)2048字節(jié)的數(shù)據(jù)和64字節(jié)的ECC數(shù)據(jù)。數(shù)據(jù)單元124存儲(chǔ)的是從閃存盤控制器106接收的信息。ECC單元127存儲(chǔ)的是與存儲(chǔ)在數(shù)據(jù)單元124中的數(shù)據(jù)相關(guān)聯(lián)的附加完整性元數(shù)據(jù)(例如ECC數(shù)據(jù))。在各個(gè)實(shí)施方式中，ECC數(shù)據(jù)允許閃存盤控制器106檢測(cè)和/或校正數(shù)據(jù)中的比特差錯(cuò)。在圖示實(shí)例中，每一個(gè)閃存存儲(chǔ)塊118還包括一個(gè)或多個(gè)基準(zhǔn)單元130a、130b、130c。在某些實(shí)施方式中，F(xiàn)DC106可以監(jiān)視基準(zhǔn)單元130a、130b、130c中的電壓，以便估計(jì)單元124、127中的電壓暫降(voltagesag)或漂移。在每個(gè)塊118中，基準(zhǔn)單元130a可以位于塊118的開端，并且基準(zhǔn)單元130b可以位于塊118的末端。每一個(gè)閃存存儲(chǔ)頁(yè)面121可以包括基準(zhǔn)單元130c。在某些實(shí)施方式中，在頁(yè)面、塊和存儲(chǔ)顆粒103的任何圖案中可以分布數(shù)量更多或更少的基準(zhǔn)單元，以便確定單元124、127的可能性能。在某些實(shí)施方式中，基準(zhǔn)單元可以位于經(jīng)歷讀/寫使用等級(jí)(usagelevel)的單元之中或是其周圍，其中所述等級(jí)代表的是所關(guān)注的某些數(shù)據(jù)單元的使用等級(jí)。補(bǔ)償方法可基于非基準(zhǔn)單元與其他非基準(zhǔn)單元的比較。舉個(gè)例子，如果同一頁(yè)面或塊中的多個(gè)單元中的電壓相對(duì)較低，那么所述補(bǔ)償可以包括根據(jù)測(cè)量得到的值來(lái)向下調(diào)整閾值(例如單元中不同值等級(jí)之間的電壓閾值)，由此可以顯著降低讀取差錯(cuò)。其他實(shí)例包括根據(jù)在基準(zhǔn)單元中檢測(cè)到的電壓來(lái)確定校正函數(shù)，其中該校正函數(shù)會(huì)在將檢測(cè)到的電壓轉(zhuǎn)換成存儲(chǔ)單元所代表的數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)值之前調(diào)整檢測(cè)到的電壓。在某些實(shí)施方式中，通過(guò)將附加電荷施加于多個(gè)單元，可以校正檢測(cè)到的電壓暫降，由此刷新存儲(chǔ)單元。舉個(gè)例子，如果一個(gè)或多個(gè)基準(zhǔn)單元的電壓電平指示的是一個(gè)超過(guò)某個(gè)閾值量的電壓漂移，那么與一個(gè)或多個(gè)基準(zhǔn)單元相關(guān)聯(lián)的一個(gè)或多個(gè)頁(yè)面或是一個(gè)或多個(gè)塊中的存儲(chǔ)單元既可以通過(guò)施加附加電荷來(lái)調(diào)整，也可以被重寫，以便根據(jù)所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)而將這些單元恢復(fù)到適當(dāng)?shù)碾妷弘娖?。這些調(diào)整既可以在檢測(cè)到一個(gè)或多個(gè)基準(zhǔn)單元中的電壓漂移的時(shí)候立即執(zhí)行，也可以作為以后的維護(hù)操作的一部分。在某些實(shí)施方式中，可以根據(jù)檢測(cè)到的一個(gè)或多個(gè)基準(zhǔn)單元電壓與一個(gè)或多個(gè)目標(biāo)基準(zhǔn)單元電壓之間的差值來(lái)施加附加電荷或是重寫該存儲(chǔ)單元，其中所述差值可以被假設(shè)成是指示了一個(gè)或多個(gè)基準(zhǔn)單元以及相應(yīng)數(shù)據(jù)單元的恰當(dāng)電壓漂移或暫降量。在某些實(shí)施方式中，施加附加電荷或重寫存儲(chǔ)單元的處理可以通過(guò)讀取所有單元，對(duì)照閾值來(lái)執(zhí)行必要調(diào)整(例如根據(jù)基準(zhǔn)單元電壓和/或使用這里描述的其他技術(shù)來(lái)使用校正函數(shù))以及通過(guò)對(duì)檢測(cè)到的數(shù)據(jù)執(zhí)行差錯(cuò)校正以獲取所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)而被執(zhí)行。此后，該數(shù)據(jù)可以用于確定恰當(dāng)?shù)碾妷弘娖?，或是用于確定各個(gè)存儲(chǔ)單元需要多少附加電荷來(lái)校正所識(shí)別的電壓漂移或暫降。在某些實(shí)施方式中，所施加的附加電荷量可以根據(jù)一個(gè)校正函數(shù)來(lái)確定，其中該校正函數(shù)與用于在將檢測(cè)到的電壓轉(zhuǎn)換成數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)值之前調(diào)整被檢測(cè)電壓的校正函數(shù)是相同或相似的。在某些實(shí)施方式中，其中可以自適應(yīng)地重新指定閃存存儲(chǔ)器中的單元。例如，基準(zhǔn)單元可以在需要時(shí)響應(yīng)于讀取或?qū)懭胧褂眯畔?、溫度、產(chǎn)品使用年限、電源電壓(例如低電池、AC線路功率)和/或檢測(cè)到的差錯(cuò)等級(jí)而被添加、移除、再分配和/或再分布。如果某些存儲(chǔ)塊或頁(yè)面中的差錯(cuò)很低，那么可以將較少的單元指定為ECC單元127和/或基準(zhǔn)單元130，這樣做將會(huì)提供更多的數(shù)據(jù)單元124。將單元指定給基準(zhǔn)、數(shù)據(jù)和ECC功能的相對(duì)指定關(guān)系以及單個(gè)單元的分辨率可以根據(jù)當(dāng)前工作條件和/或根據(jù)預(yù)定條件而被動(dòng)態(tài)調(diào)整。舉個(gè)例子，該分辨率可以根據(jù)差錯(cuò)率而被調(diào)整，而每頁(yè)面的ECC單元數(shù)量則可基于差錯(cuò)率以及讀寫歷史信息，并且基準(zhǔn)單元的位置和分布可以基于差錯(cuò)率和產(chǎn)品使用年限。本實(shí)例僅僅描述的是可以根據(jù)各種判據(jù)進(jìn)行動(dòng)態(tài)調(diào)整的控制器106和閃存存儲(chǔ)顆粒。其他判據(jù)可以包括數(shù)據(jù)重要性、電源可用性(例如AC線路功率、電池功率)以及關(guān)于最大存儲(chǔ)器大小的相對(duì)重要性、速度性能以及數(shù)據(jù)完整性的定義判據(jù)。舉個(gè)例子，如果保持需要大量軟件校正來(lái)維護(hù)高單元分辨率，那么有可能導(dǎo)致較長(zhǎng)的存取時(shí)間。這些判據(jù)可以由用戶、產(chǎn)品制造商或軟件根據(jù)應(yīng)用的需要來(lái)進(jìn)行設(shè)計(jì)。在某些實(shí)施方式中，在維護(hù)操作中可以重寫需要大量軟件校正的數(shù)據(jù)，以便校正與經(jīng)過(guò)的時(shí)間相關(guān)聯(lián)的電荷的變化，或是校正已經(jīng)開始降級(jí)的存儲(chǔ)單元頁(yè)面。通常，在改變一個(gè)或多個(gè)存儲(chǔ)單元的分辨率的時(shí)候，數(shù)據(jù)將被寫入到存儲(chǔ)單元的不同頁(yè)面中，并且可以按相同或不同的分辨率寫入。在某些實(shí)施方式中，存儲(chǔ)單元的初始頁(yè)面將被降低到某個(gè)較低分辨率，隨著存儲(chǔ)單元的老化和降級(jí)，這種情況通常是必然的。在由于所識(shí)別的電壓漂移或暫降而執(zhí)行數(shù)據(jù)重寫時(shí)，可以將數(shù)據(jù)寫入存儲(chǔ)單元的相同或不同的頁(yè)面或塊。閃存接口115提供了針對(duì)閃存存儲(chǔ)顆粒103的直接控制、握手處理以及數(shù)據(jù)傳送訪問(wèn)。該閃存接口115包括控制接口133和模擬接口136。在某些實(shí)施方式中，控制接口133可以向閃存存儲(chǔ)顆粒103發(fā)送控制、地址和數(shù)據(jù)信號(hào)。這些命令和存儲(chǔ)地址可以在數(shù)字信號(hào)或模擬信號(hào)中傳送。閃存盤控制器106還可以接收來(lái)自閃存存儲(chǔ)顆粒103的模擬信號(hào)。閃存盤控制器106可以包括用于與閃存顆粒103上的閃存存儲(chǔ)器邏輯對(duì)接的處理器，并且這個(gè)用于與閃存存儲(chǔ)顆粒上的閃存存儲(chǔ)器邏輯對(duì)接的處理器可以集成在閃存接口115中。響應(yīng)于讀取命令，閃存存儲(chǔ)顆粒103可以輸出代表存儲(chǔ)在單個(gè)數(shù)據(jù)單元124中的數(shù)據(jù)的單元電壓。閃存盤控制器106可以接收從閃存存儲(chǔ)顆粒103上的每一個(gè)存儲(chǔ)單元輸出的模擬電壓信號(hào)。這些模擬單兀電壓或模擬電壓信號(hào)可以被傳送到FDC106中的模擬接口136。在某些實(shí)施方式中，閃存接口115還可以包括與控制接口133以及模擬接口136分離的數(shù)據(jù)總線，用以與閃存存儲(chǔ)顆粒103進(jìn)行通信。模擬接口136可以包括模擬前端(模擬FE)139和模數(shù)轉(zhuǎn)換器(ADC)142。一旦接收到模擬信號(hào)，那么模擬FE139可以根據(jù)需要來(lái)調(diào)節(jié)(condition)信號(hào)，例如提供偏移、校正電平偏移、增益、緩沖、濾波或是用于最小化反射的受控阻抗。模擬FE可以提供高阻抗輸入，以便最小化閃存存儲(chǔ)單元的負(fù)載，此外它還可以提供低阻抗輸出，以便驅(qū)動(dòng)與ADC142的輸入相耦合的采樣和保持或追蹤和保持電路。在某些實(shí)施方式中，模擬FE139還可以包括模擬復(fù)用器(未顯示)，以便從來(lái)自一個(gè)或多個(gè)閃存存儲(chǔ)顆粒的多個(gè)模擬輸出線路中選擇其中一個(gè)。ADC142對(duì)模擬值進(jìn)行處理，以便確定數(shù)據(jù)單元124、127中的電壓的相應(yīng)數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)值表示。ADC142接收經(jīng)過(guò)調(diào)節(jié)的模擬信號(hào)，并且將模擬信號(hào)轉(zhuǎn)換成模擬電壓的數(shù)字表示。然后，ADC142(或ADC中的處理器)將數(shù)字表示轉(zhuǎn)換成存儲(chǔ)在存儲(chǔ)單元上的且由電壓所代表的數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)值，其中舉例來(lái)說(shuō)，所述轉(zhuǎn)換基于映射函數(shù)。處理器112還可以用于將數(shù)字表示轉(zhuǎn)換成數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)值。模擬電壓的數(shù)字表示可以包括足以允許ADC142或處理器區(qū)分多個(gè)模擬電壓電平的信息，其中每一個(gè)模擬電壓電平都代表了一個(gè)特定的數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)值。該數(shù)字表示可以包括數(shù)量多于數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)值的數(shù)據(jù)比特。在某些實(shí)施方式中，ADC142可以集成在閃存存儲(chǔ)顆粒103中，而不是包含在閃存盤控制器106中。在這種情況下，閃存接口115可以接收來(lái)自閃存存儲(chǔ)顆粒103的單元電壓的數(shù)字表示或數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)值。在這里顯示了映射函數(shù)145的一個(gè)實(shí)例。根據(jù)映射函數(shù)145，ADC142或處理器112可以將模擬單元電壓轉(zhuǎn)換成數(shù)字表示和/或數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)值。舉個(gè)例子，在這里可以使用一系列模擬電壓閾值來(lái)將模擬電壓映射成數(shù)字表示和/或數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)值。同樣，該映射函數(shù)145還可以描述將模擬電壓的數(shù)字表示轉(zhuǎn)換成數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)值的處理。舉個(gè)例子，模擬電壓的一個(gè)或多個(gè)數(shù)字表示可以映射成一個(gè)特定的數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)值，其中每一個(gè)數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)值都具有相應(yīng)的一個(gè)或多個(gè)數(shù)字表示的不同集合。在某些實(shí)施方式中，ADC142或處理器112可以接收用于改變映射函數(shù)145的參數(shù)。例如，F(xiàn)DC106可以根據(jù)當(dāng)前溫度、電源電壓、頁(yè)面數(shù)據(jù)讀寫次數(shù)和/或基準(zhǔn)單元130a、130b和/或130c中的電壓來(lái)適配映射函數(shù)145。在某些實(shí)施方式中，映射函數(shù)適配可以基于相鄰數(shù)據(jù)單元124、ECC單元127和/或其他單元的電壓特性。關(guān)于單元電壓與數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)值之間的映射145的更多細(xì)節(jié)是參考圖2A2B描述的。在某些實(shí)施方式中，ADC142或處理器還可以響應(yīng)于備選值命令來(lái)執(zhí)行操作，以便為接收到的模擬信號(hào)或模擬信號(hào)的數(shù)字表示檢索備選值(alternativevalue)。關(guān)于備選值命令的例示實(shí)施方式的更多細(xì)節(jié)是參考圖6A飛C來(lái)描述的。閃存盤控制器106還包括ECC引擎148。在不同的實(shí)施方式中，ECC引擎148可以使用ECC單元127來(lái)執(zhí)行硬件和/或軟件差錯(cuò)檢查和校正。在某些實(shí)施方式中，ECC引擎148可以提供基于狀態(tài)機(jī)的數(shù)據(jù)恢復(fù)。例如，ECC引擎148可以檢測(cè)數(shù)據(jù)頁(yè)面中的差錯(cuò)比特?cái)?shù)量。然后，ECC引擎148可以確定所使用的是哪一種ECC算法。舉個(gè)例子，ECC引擎148可以被配置成首先嘗試硬件ECC算法，其中舉例來(lái)說(shuō)，此類算法使用的是漢明(Hamming)或里德-所羅門(Reed-Solomn)碼。如果硬件ECC算法無(wú)法成功恢復(fù)數(shù)據(jù)頁(yè)面，那么可以嘗試軟件ECC校正。在這里參考圖5描述了一種例示方法，其中該方法描述的是組合使用硬件ECC、軟件ECC以及其他技術(shù)。在某些實(shí)施例中，ECC引擎148可以提供至少達(dá)到約10%或以上的數(shù)據(jù)頁(yè)面大小的差錯(cuò)校正。在某些實(shí)施方式中，處理器可以確定使用哪一種ECC算法。在某些實(shí)施方式中，如果使用ECC算法來(lái)恢復(fù)包含超過(guò)某個(gè)預(yù)定數(shù)量或百分比的差錯(cuò)的數(shù)據(jù)，那么處理器112將會(huì)重寫或刷新存儲(chǔ)在閃存存儲(chǔ)頁(yè)面中的數(shù)據(jù)。在其他實(shí)施方式中，處理器112會(huì)在維護(hù)日志中記錄包含此類差錯(cuò)的數(shù)據(jù)的位置、物理和/或邏輯位置。然后，處理器112會(huì)在維護(hù)操作過(guò)程中重寫或刷新該數(shù)據(jù)(參見(jiàn)圖9)。維護(hù)操作可以在發(fā)生如下情況時(shí)執(zhí)行在主機(jī)設(shè)備依照某個(gè)預(yù)定電源條件工作時(shí)，在處理器112具有預(yù)定量的過(guò)剩帶寬和/或以所調(diào)度的間隔工作時(shí)。閃存盤控制器(FDC)106可以包括動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)。本實(shí)例的閃存盤控制器106還包括同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(SDRAM)151。舉個(gè)例子，SDRAM151可以是單倍數(shù)據(jù)速率的SDRAM或雙倍數(shù)據(jù)速率的SDRAM。在某些實(shí)施方式中，F(xiàn)DC106可以使用SDRAM151作為高速和高密度緩沖器，以便存儲(chǔ)諸如用于主機(jī)設(shè)備的輸出數(shù)據(jù)之類的臨時(shí)數(shù)據(jù)，以及用于數(shù)據(jù)頁(yè)面的備選數(shù)字值。FDC106還可以包括其他類型的RAM，例如DRAM。舉個(gè)例子，F(xiàn)DC106可以接收來(lái)自NAND閃存存儲(chǔ)顆粒103的模擬數(shù)據(jù)。然后，F(xiàn)DC106可以將檢測(cè)到的模擬電壓轉(zhuǎn)換成數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)，在某些情況下，該數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)包括用于一個(gè)或多個(gè)單元的備選數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)值。然后，ECC引擎148檢查和校正數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)，由此可以為每一個(gè)閃存存儲(chǔ)頁(yè)面121上的單元檢查數(shù)據(jù)值和備選數(shù)據(jù)值的多個(gè)不同組合。如果差錯(cuò)校正成功，那么處理器112可以將數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)存入SDRAM151的主機(jī)輸出緩沖器。在某些實(shí)施方式中，主機(jī)設(shè)備可以從主機(jī)輸出緩沖器中檢索數(shù)據(jù)。作為替換，閃存盤控制器106可以將數(shù)據(jù)從主機(jī)輸出緩沖器轉(zhuǎn)發(fā)到主機(jī)設(shè)備。SDRAM151或其他高速緩存還可以用于存儲(chǔ)那些將被寫入閃存存儲(chǔ)顆粒103的數(shù)據(jù)。FDC106還包括非易失性存儲(chǔ)器(NVM)154。在本實(shí)例中，NVM154包括磨損管理軟件代碼157、塊管理軟件代碼160、邏輯尋址軟件代碼163以及單元分辨率寄存器(resolutionregister)166,這其中的每一個(gè)都包含了指令(或者指向閃存存儲(chǔ)器中指令的指針),其中當(dāng)由處理器112執(zhí)行時(shí)，所述指令(或者指向閃存存儲(chǔ)器中指令的指針)將會(huì)執(zhí)行一定的操作。在某些實(shí)施方式中，NVM154可以與NAND閃存存儲(chǔ)顆粒103分離。例如，NVM154可以是NOR閃存存儲(chǔ)器或是另一個(gè)NAND閃存存儲(chǔ)器。在其他實(shí)施方式中，NVM154可以是NAND閃存存儲(chǔ)顆粒103中的一個(gè)或多個(gè)頁(yè)面。在其他實(shí)施方式中，NVM154可以存儲(chǔ)指向存儲(chǔ)在NAND閃存存儲(chǔ)顆粒103中的數(shù)據(jù)的指針或存儲(chǔ)位置。在某些實(shí)施方式中，處理器112可以執(zhí)行磨損管理軟件代碼157、塊管理軟件代碼160以及邏輯尋址軟件代碼163，以便提高M(jìn)CP100的效率、性能和/或可靠性。處理器112可以使用磨損管理軟件代碼157來(lái)管理MCP100中的頁(yè)面121、塊118或顆粒103的磨損度(wear)。舉個(gè)例子，磨損管理軟件代碼157可以包括在由處理器112運(yùn)行時(shí)執(zhí)行包括負(fù)載平衡操作在內(nèi)的多種操作的指令，以便將最頻繁使用的存儲(chǔ)頁(yè)面中的數(shù)據(jù)交換(swap)到較少使用的存儲(chǔ)頁(yè)面。所述交換操作還可以包括對(duì)邏輯尋址軟件代碼163進(jìn)行更新。磨損管理軟件代碼157可以在維護(hù)操作中被激活。在某些實(shí)施方式中，每一個(gè)讀取操作的物理和/或邏輯地址都被記錄在維護(hù)日志中。每一個(gè)寫入操作同樣可以記錄在維護(hù)日志中。然后，磨損管理軟件代碼157可以使用預(yù)定閾值來(lái)確定如何在存儲(chǔ)單元頁(yè)面中重新排列已存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。其中舉例來(lái)說(shuō)，這些閾值可以包括在一周或一個(gè)月的時(shí)間將存儲(chǔ)單元頁(yè)面讀取100或1000次。在其他實(shí)施方式中，閾值可以基于讀取操作總數(shù)的百分比，或者基于與每時(shí)間每頁(yè)面的讀取平均次數(shù)的偏差。在圖9中描述了維護(hù)操作的一個(gè)實(shí)例。塊管理軟件代碼160可以包括用于管理閃存存儲(chǔ)顆粒103中的不良?jí)K的代碼。例如，塊管理軟件代碼160可以包括閃存存儲(chǔ)塊118的歷史差錯(cuò)信息。在某些實(shí)施方式中，該差錯(cuò)信息可以用于保持每一個(gè)閃存存儲(chǔ)頁(yè)面中的單元分辨率。關(guān)于塊管理軟件代碼實(shí)例的更多細(xì)節(jié)是參考圖8A和8B來(lái)描述的。塊管理軟件代碼160可以與邏輯尋址軟件代碼163和/或單元分辨率寄存器166相結(jié)合，該代碼還可以用于對(duì)閃存存儲(chǔ)顆粒103中具有降低分辨率(在單元分辨率寄存器166中更新)的不良?jí)K或不良頁(yè)面配對(duì)，并且處于邏輯尋址目的而將不良?jí)K或不良頁(yè)面的集合視為等價(jià)于具有初始較高分辨率的存儲(chǔ)單元中的單個(gè)塊或單個(gè)頁(yè)面。塊管理軟件代碼157可以在維護(hù)操作過(guò)程中被激活。在圖9中描述了維護(hù)操作的一個(gè)實(shí)例。邏輯尋址軟件代碼163可以包括用于將主機(jī)命令中的邏輯地址轉(zhuǎn)換成NAND閃存存儲(chǔ)顆粒103中的物理地址的代碼。在某些實(shí)例中，邏輯頁(yè)面可以與NAND閃存存儲(chǔ)顆粒103中的多個(gè)物理存儲(chǔ)頁(yè)面相關(guān)聯(lián)。邏輯尋址軟件代碼163對(duì)NVM154中的邏輯地址的轉(zhuǎn)換和更新進(jìn)行管理。在一個(gè)實(shí)例中，舉例來(lái)說(shuō)，在將頁(yè)面從10比特分辨率降級(jí)到8比特分辨率的時(shí)候，或者在出于磨損管理目的而將邏輯塊地址映射至不同物理頁(yè)面地址的時(shí)候，邏輯尋址軟件代碼163可以動(dòng)態(tài)維護(hù)物理頁(yè)面地址與來(lái)自主機(jī)的邏輯塊地址之間的聯(lián)系。此外，舉例來(lái)說(shuō)，在邏輯與物理地址之間的轉(zhuǎn)換處理過(guò)程中可以產(chǎn)生中間地址形式。通過(guò)產(chǎn)生、處理、存儲(chǔ)、使用和/或以其他方式操縱中間地址形式，可以執(zhí)行各種非易失性存儲(chǔ)器操作。關(guān)于邏輯尋址軟件代碼實(shí)例的更多細(xì)節(jié)是參考圖10來(lái)描述的。單元分辨率寄存器166存儲(chǔ)了每一個(gè)閃存存儲(chǔ)頁(yè)面121中的單元分辨率的信息。例如，NAND閃存存儲(chǔ)顆粒103可以是一個(gè)8比特MLC閃存存儲(chǔ)器。在某些實(shí)施方式中，某些閃存存儲(chǔ)塊118可以響應(yīng)于各種條件而被降級(jí)或升級(jí)。關(guān)于此類條件的說(shuō)明性實(shí)例包括差錯(cuò)性能、溫度、電壓條件、單個(gè)單元的讀寫循環(huán)次數(shù)、單元組、頁(yè)面、相鄰位置中的單元、基準(zhǔn)單元、具有類似的讀和/或?qū)懯褂脷v史記錄的單元或是其他因素，例如設(shè)備使用年限。關(guān)于某些或所有這些條件的信息可以存儲(chǔ)在數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備中，或者也可以從已存儲(chǔ)信息的一個(gè)或多個(gè)其他比特中確定或估計(jì)。在一個(gè)實(shí)例中，已存儲(chǔ)的信息可以包括歷史讀取和寫入使用數(shù)據(jù)，其中該數(shù)據(jù)代表的是存儲(chǔ)顆粒103中的至少某些單元的使用等級(jí)。處理器112可以更新單元分辨率寄存器166，以便減小降級(jí)存儲(chǔ)頁(yè)面的單元分辨率，例如將其降低至4比特，由此閃存存儲(chǔ)頁(yè)面121仍舊可以結(jié)合較小的存儲(chǔ)器大小來(lái)使用。在其他實(shí)施方式中，單元分辨率寄存器166還可以存儲(chǔ)每一個(gè)閃存存儲(chǔ)塊118的單元分辨率。在某些實(shí)施方式中，在將數(shù)據(jù)從主機(jī)設(shè)備傳送給MCP100中的存儲(chǔ)單元之前，單元分辨率寄存器166將被向下調(diào)整到單比特分辨率或是另一個(gè)低數(shù)量比特分辨率。在圖7B中更詳細(xì)地描述了這個(gè)處理。由于在為每一個(gè)存儲(chǔ)單元充電的時(shí)候需要較低的精度，因此，通過(guò)在傳送數(shù)據(jù)之前降低單元分辨率寄存器166，可以提供更快的數(shù)據(jù)傳輸速率。所傳送的數(shù)據(jù)隨后可以按較高分辨率被重新寫入存儲(chǔ)單元。在某些實(shí)施方式中，在維護(hù)操作過(guò)程中(例如在以后有足夠處理資源可用并且重寫處理不會(huì)干擾其他讀寫操作的時(shí)候)可以按較高的分辨率來(lái)重新寫入所傳送的數(shù)據(jù)。在某些實(shí)施方式中，在維護(hù)日志中做出低單元分辨率數(shù)據(jù)傳送的記錄。在某些實(shí)施方式中，邏輯尋址軟件代碼163、分辨率寄存器166和/或塊管理軟件代碼160會(huì)將降級(jí)存儲(chǔ)頁(yè)面(或降級(jí)存儲(chǔ)塊)一起組成組，并且出于邏輯尋址目的而將該組視為單個(gè)的非降級(jí)存儲(chǔ)頁(yè)面(或塊)。降級(jí)存儲(chǔ)頁(yè)面組的存儲(chǔ)頁(yè)面不必與存儲(chǔ)頁(yè)面相鄰。降級(jí)存儲(chǔ)頁(yè)面組可以包括來(lái)自不同塊的存儲(chǔ)頁(yè)面，甚至可以包括來(lái)自不同存儲(chǔ)顆粒的頁(yè)面。在某些實(shí)施方式中，處于一組降級(jí)存儲(chǔ)頁(yè)面或塊中的每一個(gè)降級(jí)存儲(chǔ)頁(yè)面或塊都會(huì)響應(yīng)于與頁(yè)面或塊相關(guān)聯(lián)的差錯(cuò)條件而被降級(jí)。圖2A2B共同地顯示了單元電壓與存儲(chǔ)在存儲(chǔ)單元中的數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)值之間的映射。如圖2A所示，該圖顯示了一個(gè)8比特存儲(chǔ)單元的說(shuō)明性的數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)值分布200。8比特存儲(chǔ)單元包括256個(gè)可能的數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)值；4比特存儲(chǔ)單元包括16個(gè)可能的數(shù)據(jù)值。可能數(shù)據(jù)值的數(shù)量等于2n(其中η等于比特?cái)?shù)量)，但是可能數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)值的數(shù)量不必與η比特的可能數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)值數(shù)量相對(duì)應(yīng)。每一個(gè)存儲(chǔ)單元都可以具有大于I的整數(shù)個(gè)可能數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)值，其中舉例來(lái)說(shuō)，某些存儲(chǔ)單元可以具有10個(gè)可能的數(shù)據(jù)值。數(shù)字值分布200包括數(shù)字值分布曲線205210，其中這些曲線代表的是每一個(gè)數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)值的電壓分布。每一個(gè)數(shù)字值分布曲線(例如205210)都代表了某個(gè)范圍的數(shù)字電壓值，其中該范圍與關(guān)聯(lián)于每一個(gè)可能數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)值的電壓電平相對(duì)應(yīng)。在寫入操作過(guò)程中，每一個(gè)存儲(chǔ)單元都會(huì)接收電荷，直至達(dá)到與從可能數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)值之一選出的數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)值相對(duì)應(yīng)的模擬電壓。這個(gè)對(duì)應(yīng)的電壓通常會(huì)落入期望數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)值的分布曲線205210以內(nèi)。此外，這個(gè)對(duì)應(yīng)電壓還可以是與數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)值相對(duì)應(yīng)的目標(biāo)電壓。舉個(gè)例子，如果單元電壓位于分布207以內(nèi)，那么存儲(chǔ)在該單元中的數(shù)字值可以是02η。在讀取操作過(guò)程中，模擬電壓信號(hào)是從每個(gè)單元中檢測(cè)到的。然后，ADC136將模擬電壓信號(hào)轉(zhuǎn)換成模擬電壓信號(hào)的數(shù)字表示。之后，這個(gè)數(shù)字表示會(huì)與至少一個(gè)數(shù)字值分布曲線進(jìn)行比較，以便確定存儲(chǔ)在所讀取的存儲(chǔ)單元中的模擬電壓所代表的數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)值。數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)值分布200包括處于數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)值分布曲線205210之間的灰色區(qū)域215。在某些實(shí)施方式中，舉例來(lái)說(shuō)，當(dāng)ADC142接收到單元電壓或者檢測(cè)到位于某一個(gè)灰色區(qū)域215以內(nèi)的模擬電壓信號(hào)時(shí)，ADC142可以將單元電壓轉(zhuǎn)換成最接近的相鄰數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)值。例如，倘若ADC142接收到非常接近電壓電平220的單元電壓，那么ADC142可以將其解析成是最接近的相鄰數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)值，即FEh。在某些實(shí)施方式中，F(xiàn)DC106還可以包括備選值命令，其中該命令指示ADC142根據(jù)某些參數(shù)來(lái)解析出與最接近的相鄰值不同的備選值。在某些實(shí)施方式中，F(xiàn)DC106可以在嘗試解析頁(yè)面或數(shù)據(jù)塊值的差錯(cuò)校正處理中同時(shí)使用最接近的相鄰數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)值以及一個(gè)或多個(gè)備選值。此外，F(xiàn)DC106可以根據(jù)單元電壓在數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)值分布曲線205210或灰色區(qū)域215中的位置而將某個(gè)不確定性指定給特定的單元電壓或相應(yīng)數(shù)據(jù)值。所指定的不確定性可以供嘗試解析頁(yè)面或數(shù)據(jù)塊值的算法使用。關(guān)于這些參數(shù)的某些實(shí)例可以包括下列各項(xiàng)中的一項(xiàng)或多項(xiàng)溫度、針對(duì)該單元的讀取次數(shù)、針對(duì)該單元的寫入次數(shù)、電源電壓以及基準(zhǔn)單元130a、130b、130c中的電壓。在某些實(shí)例中，單元電壓可以降到最小單元電壓(Vmin)以下。FDC106可以通過(guò)向接收到的單元電壓添加一個(gè)偏移量來(lái)實(shí)施校正。這個(gè)偏移量既可以由模擬FE139添加，也可以由ADC142或處理器112以數(shù)字方式添加。在某些實(shí)施方式中，F(xiàn)DC106可以通過(guò)變更數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)值分布200來(lái)動(dòng)態(tài)調(diào)整灰色區(qū)域215的位置和寬度。例如，F(xiàn)DC106可以包括基于參數(shù)調(diào)整灰色區(qū)域的維護(hù)軟件代碼，其中舉例來(lái)說(shuō)，所述參數(shù)可以是一個(gè)或多個(gè)基準(zhǔn)單元電壓，存儲(chǔ)單元使用率，以及可以在NVMl54中預(yù)先加載的其他啟發(fā)(heuristics)。維護(hù)軟件代碼還可以執(zhí)行單元分辨率寄存器166的更新。例如每一個(gè)顆粒103、模擬接口135和/或MCP100都可以在制造時(shí)被表征，并且線性化表格、校正因數(shù)或其他校正調(diào)整可以存儲(chǔ)在MCP100的非易失性存儲(chǔ)器中。在某些情況下，最大和最小電壓電平(Vmax和Vmin)以及數(shù)字值分布曲線205210可以在其使用壽命中根據(jù)單元的經(jīng)驗(yàn)測(cè)試而被調(diào)整和/或再分布。如圖2B所示，該圖顯示的是單元電壓-數(shù)字值曲線圖250。該圖250包括理想電壓特性255，并且ADC142使用該特性來(lái)將模擬電壓轉(zhuǎn)換成數(shù)字值。在某些實(shí)例中，數(shù)字單元124可以根據(jù)非理想電壓特性260、265來(lái)存儲(chǔ)數(shù)字值，其中舉例來(lái)說(shuō)，所述非理想電壓特性歸因于溫度啟發(fā)、單元使用年限、電荷泵或電源電壓容差、ADC136的非線性、在存儲(chǔ)單元中檢測(cè)到的差錯(cuò)、和/或單元的讀寫次數(shù)。FDC106可以采用不同方式來(lái)補(bǔ)償電壓特性260、265，使之更接近理想特性255。例示的補(bǔ)償方法是參考圖3A、3B、4、5、6A飛C來(lái)描述的。圖3A和3B顯示的是對(duì)從NAND閃存存儲(chǔ)器讀取數(shù)據(jù)頁(yè)面的處理350和300的實(shí)例進(jìn)行描述的流程圖。處理350和300包括通常可以由處理器112執(zhí)行的操作。在某些實(shí)施方式中，處理350和300還可以由那些可以與ADC142結(jié)合的其他處理和/或控制部件來(lái)執(zhí)行、補(bǔ)充或增加。例如，在模擬接口136中可以存在一個(gè)用于執(zhí)行處理350和300中的某些或所有操作的控制器或補(bǔ)償器。圖3A描述的是將從多級(jí)存儲(chǔ)單元中檢測(cè)到的電壓電平轉(zhuǎn)換成數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)值的處理。處理350是以檢測(cè)來(lái)自多級(jí)存儲(chǔ)單元的模擬電壓電平為開始的(步驟355)。其中舉例來(lái)說(shuō)，該電壓可以由模擬接口136來(lái)檢測(cè)。模擬接口136可以包括一個(gè)能夠通過(guò)操作來(lái)接收來(lái)自閃存存儲(chǔ)顆粒103的模擬信號(hào)的輸入。閃存盤控制器106還可以包括一個(gè)控制模塊，以便選擇可供所述輸入接收模擬信號(hào)的存儲(chǔ)單元。在步驟360中，模擬電壓信號(hào)被轉(zhuǎn)換成所檢測(cè)到的模擬電壓的數(shù)字表示。這個(gè)轉(zhuǎn)換可以由ADC142來(lái)執(zhí)行。該數(shù)字表示可以具有充足的數(shù)據(jù)，以便允許ADC142或處理器112在代表數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)值的多個(gè)可能的電壓電平中區(qū)分存儲(chǔ)單元存儲(chǔ)的模擬電壓電平。這個(gè)處理可以通過(guò)讓數(shù)字表示包含的數(shù)據(jù)比特多于存儲(chǔ)單元上存儲(chǔ)的電壓所代表的數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)值來(lái)實(shí)現(xiàn)。圖2A協(xié)助描述了這個(gè)概念?？赡艿哪M單元電壓的范圍可以分成多個(gè)分段(例如用電壓電平220表不的分段),其中每一個(gè)分段都與模擬單兀電壓的數(shù)字表不相對(duì)應(yīng)。每一個(gè)數(shù)字值分布曲線205210以及每一個(gè)灰色區(qū)域215都可以包括多個(gè)此類分段，由此允許使用分辨率高于數(shù)字值分布曲線205210的數(shù)字表示，這樣做可以提供附加信息，其中舉例來(lái)說(shuō)，該附加信息涉及的是單元電壓在數(shù)字值分布曲線205210或灰色區(qū)域215中的位置。在步驟365，數(shù)字表示將會(huì)基于數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)值分布而被轉(zhuǎn)換成數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)值。所述數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)值分布可以存儲(chǔ)在單元分辨率寄存器166中，并且可以是圖2A所示的數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)值分布200。在步驟335，處理器或控制器確定是否要對(duì)更多存儲(chǔ)單元進(jìn)行讀取。如果是的話，那么處理返回到步驟355。否則，處理350結(jié)束。圖3B更詳細(xì)地描述了一個(gè)用于存儲(chǔ)所識(shí)別的數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)值以及標(biāo)記不確定的數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)值的位置的處理。舉例來(lái)說(shuō)，處理300是在處理器112從NAND閃存存儲(chǔ)顆粒103接收到檢索數(shù)據(jù)頁(yè)面的命令的時(shí)候開始的。在步驟305，處理器112從單元分辨率寄存器166中檢索某個(gè)頁(yè)面的單元分辨率信息。然后，在步驟310，處理器112從ADC142接收用于數(shù)據(jù)單元的數(shù)字輸出值。這個(gè)用于數(shù)據(jù)單元的數(shù)字輸出值是從數(shù)據(jù)單元中檢測(cè)到的電壓的數(shù)字表示。ADC142根據(jù)步驟310中存儲(chǔ)的閾值來(lái)確定接收到的數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)值。在某些實(shí)施方式中，處理器112可以使用單元分辨率寄存器166中的信息來(lái)確定所使用的是哪一個(gè)閾值集合。這些閾值可以涉及在上文中結(jié)合圖2A論述的數(shù)字值分布曲線205210。例如，處理器112可以為8比特單元使用一個(gè)閾值集合，并且為2比特單元使用另一個(gè)閾值集合。在某些情況下，處理器112可以為一個(gè)8比特單元使用一個(gè)閾值集合，并且為一個(gè)不同的8比特單元使用另一個(gè)閾值集合。每一個(gè)閾值集合都可以對(duì)應(yīng)于一個(gè)可能的數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)值分布，并且可以構(gòu)成與可能的數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)值相對(duì)應(yīng)的模擬電壓的數(shù)字表示的各個(gè)范圍。在步驟320，處理器112確定用于所接收的模擬電壓值的數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)值是否是不確定的。在某些實(shí)施方式中，如果單元電壓處于數(shù)字值分布200的灰色區(qū)域215中，或者如果單元電壓接近于數(shù)字值分布曲線205210與灰色區(qū)域215之間的邊界，那么處理器112可以確定數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)值是不確定的。在某些實(shí)施方式中，可以取決于單元電壓落在數(shù)字值分布200內(nèi)的位置來(lái)指定不確定性的不同等級(jí)(例如，較高的電壓往往具有較大的不確定性，和/或?qū)^為接近灰色區(qū)域215的中部的單元電壓來(lái)說(shuō)，不確定性有可能會(huì)較高)。在步驟320，如果處理器112確定接收到的數(shù)字值并非是不確定的，那么處理器112會(huì)在步驟325中將接收到的數(shù)字值存儲(chǔ)在主機(jī)輸出緩沖器中。如果處理器112在步驟320中確定接收到的數(shù)字值是不確定的，那么在步驟330中，處理器112可以在一個(gè)掩碼表(masktable)中標(biāo)記不確定的數(shù)字值的位置，然后執(zhí)行步驟325。在某些實(shí)施方式中，還可以存儲(chǔ)一個(gè)或多個(gè)備選值，以便隨后用于解析哪些值(例如不確定的值或備選值之一)是正確的。在處理器112存儲(chǔ)了接收到的數(shù)字值之后，在步驟335，處理器112將會(huì)確定是否還要讀取更多單元。例如，處理器112可以檢查是否達(dá)到存儲(chǔ)頁(yè)面末端。如果還要讀取更多單元，那么該處理返回到步驟310。如果沒(méi)有要讀取的單元，那么處理300結(jié)束。在某些實(shí)施方式中，該處理還會(huì)在維護(hù)日志中記錄與存儲(chǔ)單元頁(yè)面或塊相關(guān)聯(lián)的不確定數(shù)據(jù)值的數(shù)量。在其他實(shí)施方式中，如果不確定的數(shù)據(jù)值的數(shù)量超過(guò)預(yù)定閾值，那么該處理將會(huì)記錄存儲(chǔ)單元頁(yè)面和/或塊的物理和/或邏輯位置。圖4顯示的是對(duì)使用從MLC閃存存儲(chǔ)器中讀取數(shù)據(jù)頁(yè)面處理400的實(shí)例進(jìn)行描述的流程圖，其中該MLC閃存存儲(chǔ)器可以是諸如NAND閃存存儲(chǔ)顆粒103，并且所述讀取使用一個(gè)校正函數(shù)來(lái)調(diào)整單元電壓與數(shù)字值的映射關(guān)系。舉例來(lái)說(shuō)，處理400可以由處理器112執(zhí)行。該處理400是在步驟405中開始的，其中該處理器112確定是否接收到讀取命令。例如，F(xiàn)DC106可以通過(guò)主機(jī)接口109接收來(lái)自主機(jī)設(shè)備的讀取命令。在步驟405，如果處理器112確定沒(méi)有接收到讀取命令，則重復(fù)執(zhí)行步驟405。如果處理器112在步驟405中確定接收到讀取命令，那么在步驟410中，處理器112將會(huì)根據(jù)溫度、存儲(chǔ)頁(yè)面中的讀寫次數(shù)、電源電壓和/或NAND閃存存儲(chǔ)顆粒103的其他工作條件來(lái)更新校正函數(shù)。在某些實(shí)施方式中，在將單元電壓轉(zhuǎn)換成數(shù)字值之前，ADC142或模擬接口136可以使用校正函數(shù)來(lái)調(diào)整在模擬前端139測(cè)得的單元電壓。在其他實(shí)施方式中，處理器112可以使用校正函數(shù)來(lái)調(diào)整映射函數(shù)中的閾值，由此ADC142可以將模擬電壓轉(zhuǎn)換成經(jīng)過(guò)調(diào)整的數(shù)字值。對(duì)不同的單元來(lái)說(shuō)，該校正函數(shù)可以是不同的。例如，對(duì)檢測(cè)到的電壓很高的存儲(chǔ)單元來(lái)說(shuō)，該單元可以因?yàn)樾Ｕ瘮?shù)而具有較大的調(diào)整。接下來(lái)，處理器112可以在步驟415中選擇基準(zhǔn)單元。例如，處理器112可以選擇基準(zhǔn)單元130a、130b或130c之一。然后，在步驟420中，處理器112讀取存儲(chǔ)在選定基準(zhǔn)單元中的基準(zhǔn)電壓。在步驟425，處理器112根據(jù)基準(zhǔn)電壓來(lái)更新校正函數(shù)。舉個(gè)例子，如果基準(zhǔn)電壓表現(xiàn)為暫降了10%，那么處理器112可以通過(guò)調(diào)整校正函數(shù)來(lái)補(bǔ)償數(shù)據(jù)中的暫降電壓。在某些實(shí)施方式中，校正功能將會(huì)以非線性方式來(lái)調(diào)整檢測(cè)到的電壓電平。與較低的檢測(cè)到的電壓電平相比，該校正函數(shù)可以對(duì)較高的檢測(cè)到的電壓電平進(jìn)行更多的調(diào)整。校正函數(shù)可以以不同的調(diào)整量或是不同的調(diào)整百分比來(lái)調(diào)整檢測(cè)到的處于不同電壓電平的電壓。在某些實(shí)施方式中，在操作過(guò)程中可以動(dòng)態(tài)實(shí)時(shí)(onthefly)調(diào)整閾值。在某些實(shí)施方式中，處理器112可以存儲(chǔ)固定數(shù)量的先前讀取的基準(zhǔn)電壓的采樣，例如一百個(gè)采樣，并且該處理器112可以使用已存儲(chǔ)的基準(zhǔn)電壓的移動(dòng)平均來(lái)更新校正函數(shù)。此外，該校正函數(shù)還可以根據(jù)其他函數(shù)來(lái)更新，這其中可以包括例如均值、中數(shù)、眾數(shù)或加權(quán)平均。舉個(gè)例子，在這里可以使用經(jīng)過(guò)加權(quán)的移動(dòng)平均。然后，在步驟430，處理器112確定是否選擇另一個(gè)基準(zhǔn)單元。舉個(gè)例子，處理器112可以確定是否有足夠信息來(lái)調(diào)整校正函數(shù)。另舉一例，處理器112可以被配置成根據(jù)讀取命令來(lái)讀取某些存儲(chǔ)塊以及某些存儲(chǔ)頁(yè)面中的所有基準(zhǔn)單兀。在步驟430，如果處理器112確定還有要讀取的其它基準(zhǔn)單元，那么處理400將會(huì)返回到步驟415。在某些實(shí)施方式中，通過(guò)讀取基準(zhǔn)單元中的電壓來(lái)調(diào)整校正函數(shù)的處理是通過(guò)檢測(cè)從存儲(chǔ)單元組檢索的數(shù)據(jù)中的差錯(cuò)來(lái)觸發(fā)的。在其他實(shí)施方式中，檢測(cè)到的差錯(cuò)將會(huì)導(dǎo)致用于確定與檢測(cè)到的電壓相關(guān)聯(lián)的數(shù)據(jù)值的閾值發(fā)生偏移。在某些實(shí)施方式中，這些閾值可以自動(dòng)向下偏移，但是在其他實(shí)施方式中，這些閾值是根據(jù)一個(gè)或多個(gè)基準(zhǔn)單元中的電壓而被調(diào)整的。該差錯(cuò)可以使用與該組存儲(chǔ)單元相關(guān)聯(lián)的ECC127來(lái)檢測(cè)。在步驟430中，如果處理器112確定沒(méi)有要讀取的其他基準(zhǔn)單元，那么在步驟435，處理器112將會(huì)根據(jù)讀取命令來(lái)選擇所要讀取的頁(yè)面。然后，在步驟440，處理器112從閃存存儲(chǔ)器中讀取所選擇的數(shù)據(jù)頁(yè)面，其中舉例來(lái)說(shuō)，所述讀取是使用處理300(圖3B)來(lái)進(jìn)行的。在步驟445，處理器112使用校正函數(shù)來(lái)校正頁(yè)面數(shù)據(jù)。例如，處理器112可以設(shè)置模擬接口136中的某些參數(shù)，以便調(diào)整映射函數(shù)。另舉一例，處理器112可以使用校正函數(shù)來(lái)調(diào)整從ADC142輸出的數(shù)字表示。接下來(lái)，在步驟450，處理器112可以執(zhí)行差錯(cuò)檢查操作，以便檢查在頁(yè)面中是否存在差錯(cuò)。在某些實(shí)施方式中，差錯(cuò)檢查操作可以通過(guò)使用硬件差錯(cuò)檢測(cè)電路而在ECC引擎148中完成。在其他實(shí)施方式中，差錯(cuò)檢查操作可以在軟件中完成，其中處理器112可以執(zhí)行存儲(chǔ)在NVM154中的差錯(cuò)檢測(cè)代碼，以便檢查頁(yè)面中的差錯(cuò)。在差錯(cuò)檢查操作之后，在步驟455，處理器112可以確定是否檢測(cè)到差錯(cuò)。如果沒(méi)有檢測(cè)到差錯(cuò)，那么在步驟460，處理器112可以將所讀取的數(shù)據(jù)傳送到主機(jī)設(shè)備。然后，處理器112可以在步驟465中確定是否還有要讀取的其它頁(yè)面。如果還有要讀取的頁(yè)面，則重復(fù)執(zhí)行步驟435。否則，處理400結(jié)束。如果在步驟455中檢測(cè)到一個(gè)或多個(gè)差錯(cuò)，那么在步驟470，處理器112可以執(zhí)行差錯(cuò)校正操作，其中該操作的一個(gè)實(shí)例是參考圖5來(lái)描述的。然后，在步驟475，處理器112可以確定差錯(cuò)校正操作是否成功。如果差錯(cuò)校正操作成功，則重復(fù)執(zhí)行步驟460。如果差錯(cuò)校正操作沒(méi)有成功，那么處理器112可以在步驟480中將差錯(cuò)信息(例如差錯(cuò)日志)存入NVM154，并且該處理可以在步驟465處繼續(xù)。該差錯(cuò)信息還可以存儲(chǔ)在維護(hù)日志中。所存儲(chǔ)的差錯(cuò)信息可以用于塊管理操作，其實(shí)例是參考圖8A來(lái)描述的。在某些實(shí)施方式中，處理器112會(huì)在NVM154的維護(hù)日志中記錄存儲(chǔ)單元頁(yè)面或塊中的基準(zhǔn)單元之間的暫降變化。在其他實(shí)施方式中，如果基準(zhǔn)單元中的暫降程度滿足預(yù)定條件，那么處理器112只在維護(hù)日志中記錄存儲(chǔ)單元頁(yè)面和/或塊的物理和/或邏輯位置。舉個(gè)例子，如果基準(zhǔn)單元中的暫降超出10%，或者如果不同基準(zhǔn)單元中的暫降程度之間的差值超出10%，則可以通過(guò)在維護(hù)操作過(guò)程中將附加電荷施加于存儲(chǔ)單元或是通過(guò)完全重寫頁(yè)面來(lái)刷新存儲(chǔ)單元頁(yè)面和/或塊中存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)。關(guān)于維護(hù)操作的實(shí)例是參考圖9來(lái)描述的。圖5顯示的是描述了處理實(shí)例500的流程圖，其中該處理通過(guò)執(zhí)行差錯(cuò)校正操作來(lái)校正包含比特差錯(cuò)的數(shù)據(jù)頁(yè)面。舉例來(lái)說(shuō)，該處理500是在處理器112在從閃存存儲(chǔ)器讀取的數(shù)據(jù)頁(yè)面中檢測(cè)到比特差錯(cuò)的時(shí)候開始的，并且在步驟505，該處理器會(huì)向ECC引擎148發(fā)送一個(gè)命令，以便通過(guò)執(zhí)行硬件ECC算法來(lái)校正比特差錯(cuò)。在某些實(shí)施方式中，ECC引擎148和ADC142和/或模擬接口136可以通過(guò)協(xié)作來(lái)校正比特差錯(cuò)。接下來(lái)，在步驟510，ECC引擎148可以檢查硬件ECC算法是否成功。如果硬件ECC算法能夠校正數(shù)據(jù)頁(yè)面中的所有差錯(cuò)，那么硬件ECC算法成功。然后，在步驟515，ECC引擎148存儲(chǔ)ECC結(jié)果，例如將其存入SDRAM151。接下來(lái)，在步驟518，ECC引擎148產(chǎn)生一個(gè)用于指示“差錯(cuò)校正成功”的消息，并且該處理500結(jié)束。如果存在的差錯(cuò)比特?cái)?shù)量超出了硬件ECC算法所能校正的差錯(cuò)比特?cái)?shù)量，那么ECC引擎148會(huì)向模擬接口136發(fā)送一個(gè)消息，以便在步驟520中重新從閃存存儲(chǔ)器中讀取數(shù)據(jù)頁(yè)面。接下來(lái)，在步驟525，ECC引擎148再次執(zhí)行硬件ECC算法。在步驟530，ECC引擎148檢查硬件ECC算法是否成功。如果硬件ECC算法可以校正，那么硬件ECC算法成功，并且該處理繼續(xù)執(zhí)行步驟515。在步驟530，如果ECC引擎148確定存在的差錯(cuò)比特?cái)?shù)量超出硬件ECC算法可以校正的差錯(cuò)比特?cái)?shù)量，那么ECC引擎148執(zhí)行備選值命令，以便校正比特差錯(cuò)。關(guān)于備選值命令的例示實(shí)施方式是參考圖6A飛C來(lái)描述的。然后，ECC引擎148可以在步驟535中檢查備選值命令是否校正了比特差錯(cuò)。如果ECC引擎148確定比特差錯(cuò)已被校正，那么處理繼續(xù)執(zhí)行步驟515。如果ECC引擎148確定比特差錯(cuò)未被校正，那么ECC引擎148可以在步驟540中執(zhí)行擴(kuò)展軟件ECC算法，以便恢復(fù)數(shù)據(jù)頁(yè)面。例如，擴(kuò)展軟件ECC算法可以包括使用更多ECC比特的更深的ECC算法。舉個(gè)例子，硬件ECC算法有可能需要四個(gè)ECC比特，并且擴(kuò)展軟件ECC算法可以使用128個(gè)ECC比特。然后，ECC引擎148可以在步驟550中檢查擴(kuò)展軟件ECC算法是否成功。如果ECC引擎148確定擴(kuò)展軟件ECC算法成功，那么該處理繼續(xù)執(zhí)行步驟515。如果在步驟550，擴(kuò)展軟件ECC算法沒(méi)有成功，那么在步驟555，ECC引擎148將會(huì)產(chǎn)生一個(gè)消息“差錯(cuò)校正失敗”，并且處理500結(jié)束。圖6A顯示的是對(duì)產(chǎn)生和使用備選數(shù)據(jù)值的處理實(shí)例600進(jìn)行描述的流程圖。處理器112、ECC引擎148、閃存接口115或上述和其他部件的其他組合可以執(zhí)行處理600中的操作。在步驟605，處理器112從掩碼表中檢索信息，以便識(shí)別數(shù)據(jù)頁(yè)面中的不確定的數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)值(相關(guān)實(shí)例參見(jiàn)圖3B的步驟330)，并且在某些情況下，該處理器還會(huì)檢索與不確定程度相關(guān)的信息。然后，在步驟610，處理器112可以根據(jù)參數(shù)(例如溫度、從數(shù)據(jù)頁(yè)面讀取的次數(shù)、向數(shù)據(jù)頁(yè)面寫入的次數(shù)、單元分辨率寄存器166中的信息、電源電壓、電荷泵電壓、數(shù)據(jù)頁(yè)面中的基準(zhǔn)電壓等等)來(lái)檢索校正數(shù)據(jù)。舉個(gè)例子，處理器112可以通過(guò)計(jì)算一個(gè)校正函數(shù)來(lái)確定數(shù)據(jù)頁(yè)面的校正數(shù)據(jù)。作為補(bǔ)充或替換，在步驟615中，處理器112可以使用校正數(shù)據(jù)來(lái)為每一個(gè)不確定的數(shù)據(jù)值確定備選數(shù)字值。每一個(gè)不確定數(shù)據(jù)值的備選數(shù)字值通常包括最接近的相鄰數(shù)字值以及次接近的相鄰數(shù)字值。此外，它還可以包括與所檢測(cè)到的存儲(chǔ)單元的模擬電壓的數(shù)字表示相隔兩個(gè)數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)值的數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)值。通常，并不是每一個(gè)存儲(chǔ)單元都具有不確定的數(shù)據(jù)值。在步驟620，處理器112會(huì)在緩沖器中存儲(chǔ)所識(shí)別的備選數(shù)字值，以及為具有確定數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)值的存儲(chǔ)單元存儲(chǔ)的數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)值。在存儲(chǔ)了備選數(shù)字值之后，在步驟625，處理器112從緩沖器中選擇備選數(shù)字值的組合。對(duì)備選數(shù)字值組合來(lái)說(shuō)，其自身可以根據(jù)某種算法來(lái)選擇，其中舉例來(lái)說(shuō)，所述算法嘗試識(shí)別那些正確的可能性較大的備選數(shù)字值。這個(gè)選擇算法可以使用涉及與每一個(gè)數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)值相關(guān)聯(lián)的不確定程度的數(shù)據(jù)。此外，無(wú)論是否使用此類選擇算法，所選擇的備選數(shù)字值組合都不必包含所有可能的備選數(shù)字值。換句話說(shuō)，即使在被識(shí)別為不確定的數(shù)據(jù)值中，某些初始數(shù)據(jù)值也是可以與某些備選數(shù)據(jù)值子集一起使用的。接下來(lái)，在步驟630中，處理器112使用所選擇的備選數(shù)字值組合以及結(jié)合用足夠確定性確定的數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)值將頁(yè)面數(shù)據(jù)存入緩沖器。然后，在步驟635，處理器112對(duì)所存儲(chǔ)的頁(yè)面數(shù)據(jù)執(zhí)行ECC算法。例如，處理器112可以執(zhí)行處理500中描述的操作。在某些情況下，通過(guò)執(zhí)行ECC算法，有可能會(huì)改變一個(gè)或多個(gè)備選數(shù)字值，甚至有可能改變用某些確定性假設(shè)來(lái)確定的一個(gè)或多個(gè)數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)值。在步驟640，處理器112將會(huì)確定ECC算法是否成功。如果處理器112確定ECC算法成功，那么在步驟645，處理器112將會(huì)存儲(chǔ)具有成功的ECC結(jié)果的頁(yè)面數(shù)據(jù)，并且處理600結(jié)束。在步驟640，如果處理器112確定ECC算法沒(méi)有成功，那么在步驟650，處理器112將會(huì)確定是否可以嘗試另一個(gè)備選值組合?？赡艿膫溥x值組合的數(shù)量取決于具有不確定數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)值的存儲(chǔ)單元的數(shù)量以及所識(shí)別的備選數(shù)字值的數(shù)量。通常，大多數(shù)存儲(chǔ)單元不具有不確定的數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)值。如果處理器112確定可以嘗試使用另一個(gè)備選值組合，那么該處理將會(huì)返回到步驟625。在步驟650，如果處理器112確定已經(jīng)嘗試了所有備選組合，那么處理器112會(huì)在步驟655中產(chǎn)生一個(gè)差錯(cuò)消息，并且處理600結(jié)束。在某些實(shí)施方式中，其中還可以產(chǎn)生附加備選值和/或調(diào)整用于讀取各個(gè)數(shù)據(jù)值的電壓閾值，以及重新嘗試通過(guò)執(zhí)行ECC算法來(lái)識(shí)別頁(yè)面數(shù)據(jù)的校正值。例如，在這里可以為先前被確定成以足夠確定性代表了某個(gè)值但卻相對(duì)接近于數(shù)字值分布曲線205210之一(如在上文中參考圖2A所述)的閾值的電壓電平確定備選值。作為替換，各個(gè)數(shù)字值分布曲線205210的電壓閾值可以采用如上所述的方式來(lái)調(diào)整，并且可以重新產(chǎn)生數(shù)據(jù)值，這其中包括識(shí)別新的備選值。在某些實(shí)施方式中，步驟655中的差錯(cuò)消息被記錄在NVM154的維護(hù)日志中。然后，在如圖9所示的維護(hù)操作過(guò)程中，還可以產(chǎn)生附加備選值和/或調(diào)整用于讀取各個(gè)數(shù)據(jù)值的電壓閾值，以及重新嘗試通過(guò)執(zhí)行ECC算法來(lái)識(shí)別頁(yè)面數(shù)據(jù)的校正值。然后，所識(shí)別的校正值可以用于重寫數(shù)據(jù)。圖6B顯示的是對(duì)產(chǎn)生和使用備選值的另一個(gè)處理660的實(shí)例進(jìn)行描述的流程圖。處理660具有一些與處理600—樣的步驟。在本實(shí)例中，在步驟605，在通過(guò)使用掩碼表或以其他方式識(shí)別了不確定的數(shù)據(jù)值之后，在步驟665，處理器112將會(huì)使用最接近的相鄰數(shù)字值來(lái)為每一個(gè)不確定值確定一個(gè)備選值。例如，處理器112可以使用數(shù)字值分布200(圖2A)以及選擇次接近的相鄰數(shù)字值，以此來(lái)取代與單元電壓最接近的相鄰數(shù)字值。然后，處理器112通過(guò)執(zhí)行以步驟620為開始并且結(jié)合圖6A描述的操作來(lái)繼續(xù)實(shí)施處理660。圖6C顯示的是對(duì)產(chǎn)生和使用備選值的另一個(gè)處理實(shí)例670進(jìn)行描述的流程圖。在本實(shí)例中，處理器112沒(méi)有必要從掩碼表中檢索不確定的數(shù)字值信息。在步驟672中，該處理670是在處理器112接收到對(duì)選定頁(yè)面執(zhí)行備選值識(shí)別和分析的命令的時(shí)候開始的(相關(guān)實(shí)例參見(jiàn)圖5的步驟535)。在步驟674，處理器112啟動(dòng)選定頁(yè)面的讀取。在步驟676，處理器112通過(guò)選擇頁(yè)面中的某個(gè)單元來(lái)讀取單元電壓。在步驟678，處理器112確定單元電壓是否是不確定的。例如，處理器112可以使用圖2A所示的數(shù)字值分布200來(lái)確定接收到的單元電壓是否處于某一個(gè)灰色區(qū)域220。如果處理器112確定單元電壓處于灰色區(qū)域，那么處理器112會(huì)在步驟680中使用第二最接近的數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)值來(lái)確定該單元的數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)值。在其他實(shí)施方式中，處理器112將會(huì)使用第一最接近的數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)值來(lái)確定該單元的數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)值。接下來(lái)，在步驟682，處理器112會(huì)將數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)值存儲(chǔ)在緩沖器中。在步驟678，如果處理器112確定單元電壓不在灰色區(qū)域內(nèi)，那么在步驟684，處理器112將會(huì)根據(jù)已存儲(chǔ)的閾值來(lái)確定該單元的數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)值，并且處理器112將會(huì)執(zhí)行步驟682。在步驟682之后，在步驟686中，處理器112將會(huì)確定是否讀取頁(yè)面中的另一個(gè)單元。如果處理器112確定讀取另一個(gè)單元，那么該處理返回到步驟676。如果處理器112確定沒(méi)有更多單元需要讀取，那么處理670結(jié)束。圖7A顯示的是對(duì)使用基準(zhǔn)單元130a、130b、130c而將數(shù)據(jù)寫入閃存存儲(chǔ)頁(yè)面121的處理700的實(shí)例進(jìn)行描述的流程圖。處理700通?？梢杂商幚砥?12來(lái)執(zhí)行。處理700在步驟705開始，其中處理器112接收到一個(gè)寫入命令。例如，寫入命令可以包括寫入指令、所要寫入的數(shù)據(jù)、以及將被寫入數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)地址，其中舉例來(lái)說(shuō)，所述地址可以是作為邏輯塊地址而從主機(jī)接收的。然后，根據(jù)寫入命令，處理器112會(huì)在步驟710中選擇閃存存儲(chǔ)器中的存儲(chǔ)頁(yè)面。接下來(lái)，在步驟715，處理器112可以將所要寫入的數(shù)據(jù)拷貝到SDRAM151之類的緩沖器中。該數(shù)據(jù)可以是從外部主機(jī)設(shè)備或是別的存儲(chǔ)頁(yè)面?zhèn)魉偷?。在某些?shí)施方式中，存儲(chǔ)在選定存儲(chǔ)頁(yè)面上的數(shù)據(jù)被拷貝到緩沖器中，以便再拷貝回到選定頁(yè)面中。在其他實(shí)施方式中，要寫入選定存儲(chǔ)頁(yè)面的數(shù)據(jù)不會(huì)被拷貝到緩沖器中，而是直接從數(shù)據(jù)源(從外部主機(jī)設(shè)備或是從其他存儲(chǔ)單元)寫入到選定的存儲(chǔ)頁(yè)面。然后，在步驟725，處理器112將會(huì)擦除選定頁(yè)面中存儲(chǔ)的任何數(shù)據(jù)。在步驟730，處理器112將數(shù)據(jù)從緩沖器寫入到選定的存儲(chǔ)頁(yè)面中，其中舉例來(lái)說(shuō)，所述寫入是通過(guò)將電荷施加于數(shù)據(jù)單元124和基準(zhǔn)單元130c來(lái)實(shí)施的。步驟730將根據(jù)期望數(shù)據(jù)值以及每一個(gè)單元的相應(yīng)模擬電壓電平來(lái)向存儲(chǔ)單元施加不同的電荷量。在某些實(shí)施方式中，其中可以使用電荷泵來(lái)向選定存儲(chǔ)頁(yè)面中的存儲(chǔ)單元施加電荷。然后，在步驟735，處理器讀取選定頁(yè)面中的基準(zhǔn)單元130c的基準(zhǔn)電壓。該基準(zhǔn)電壓是通過(guò)檢測(cè)基準(zhǔn)單元130c中的電壓電平而被讀取的。在步驟740，處理器112檢查基準(zhǔn)電壓是否小于目標(biāo)電壓。如果處理器112確定基準(zhǔn)電壓小于目標(biāo)電壓，那么該處理返回到步驟730，以便施加附加電荷，以及提高存儲(chǔ)在選定存儲(chǔ)頁(yè)面的單元中的電壓。所施加的附加電荷量可以根據(jù)期望電壓電平在百分比上與一個(gè)或多個(gè)基準(zhǔn)單元電壓的比較來(lái)擴(kuò)縮(舉個(gè)例子，如果檢測(cè)到的基準(zhǔn)電壓比目標(biāo)低10%，并且特定存儲(chǔ)單元應(yīng)該具有雙倍于基準(zhǔn)單元的電壓電平，那么施加于特定存儲(chǔ)單元的附加電荷量可以是施加于基準(zhǔn)單元的二倍)。在步驟740，如果處理器112確定基準(zhǔn)電壓不小于目標(biāo)電壓，那么在步驟745，處理器112將會(huì)選擇一個(gè)數(shù)據(jù)單元，并且在步驟750中讀取所選擇的數(shù)據(jù)單元的電壓。然后，在步驟755中，處理器112確定所讀取的電壓是否過(guò)高。例如，處理器112可以將所讀取的單元電壓與數(shù)字值分布相比較，并且檢查單元電壓是否處于目標(biāo)數(shù)字值的電壓范圍內(nèi)。如果處理器112確定該電壓并未過(guò)高，那么在步驟760，處理器確定是否選擇另一個(gè)數(shù)據(jù)單元。如果處理器112確定沒(méi)有必要選擇另一個(gè)數(shù)據(jù)單元，那么處理700結(jié)束。否則，處理700將會(huì)返回到步驟745，以便測(cè)試附加數(shù)據(jù)單元。在某些實(shí)施方式中，其中還可以測(cè)試在步驟745中選擇的數(shù)據(jù)單元，以便確定它們是否過(guò)低。如果是的話，那么處理700可以返回到步驟730，以便將附加電荷施加于一個(gè)或多個(gè)數(shù)據(jù)單元。在某些實(shí)施方式中，一旦完成了步驟740中關(guān)于一個(gè)或多個(gè)基準(zhǔn)單元的測(cè)試，那么在步驟745(或是步驟745的迭代重復(fù))中將可以選擇所有數(shù)據(jù)單元的電壓電平，以便確定這些電平是否過(guò)高和/或過(guò)低。這樣一來(lái)，基準(zhǔn)單元可以用于執(zhí)行頁(yè)面或塊的初始充電處理，其后跟隨的是對(duì)單元中的電壓電平進(jìn)行測(cè)試，并且可以補(bǔ)償配置(tweaking)該電壓電平。此外，在某些實(shí)施方式中，在步驟740使用的基準(zhǔn)單元的目標(biāo)電壓可以被設(shè)置成略低于期望數(shù)據(jù)值的閾值電壓，以便嘗試避免過(guò)度充電，并且其后跟隨的是檢查實(shí)際數(shù)據(jù)單元值以及將電壓電平補(bǔ)償配置成達(dá)到與實(shí)際數(shù)據(jù)單元的期望數(shù)據(jù)值相對(duì)應(yīng)的電壓電平。在步驟755，如果處理器112確定電壓過(guò)高，那么處理器112將會(huì)確定是否有必要重寫選定頁(yè)面。例如，處理器112可以將比特差錯(cuò)數(shù)量與一個(gè)閾值相比較，其中該閾值小于或等于可以使用參考圖5描述的校正算法之一來(lái)校正的差錯(cuò)數(shù)量。如果比特差錯(cuò)數(shù)量大于該閾值，則重寫選定的頁(yè)面。否則，處理器112可以確定不需要重寫選定頁(yè)面。在步驟765中，如果處理器112確定不需要重寫頁(yè)面，那么處理700將會(huì)繼續(xù)執(zhí)行步驟760。如果處理器112在步驟765中確定需要重寫頁(yè)面，那么處理700將會(huì)返回到步驟725，以便重新啟動(dòng)存儲(chǔ)頁(yè)面的寫入處理。在某些實(shí)施方式中，在步驟765之后可以逐步降低目標(biāo)電壓，以便減小過(guò)調(diào)目標(biāo)電壓的可能性。圖7B顯示的是對(duì)在主機(jī)設(shè)備與MCP100之間實(shí)現(xiàn)更高數(shù)據(jù)傳送速率的處理770的實(shí)例進(jìn)行描述的流程圖。在步驟772中，當(dāng)處理器112接收到來(lái)自主機(jī)設(shè)備的寫入命令時(shí)，該處理770開始執(zhí)行。例如，來(lái)自主機(jī)設(shè)備的寫入命令可以包括寫入指令，所要寫入的數(shù)據(jù)，以及要寫入數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)地址，其中舉例來(lái)說(shuō)，所述地址可以作為邏輯塊地址而從主機(jī)那里進(jìn)行接收。接下來(lái)，處理器112確定是否執(zhí)行快速寫入處理(例如以單等級(jí)單元分辨率或其他相對(duì)較低的分辨率來(lái)寫入)或是以更高分辨率來(lái)使用時(shí)間更長(zhǎng)、功率更大且處理器更為密集的寫入處理。在步驟774，處理器112確定是否存在來(lái)自主機(jī)接口并且要求執(zhí)行快速寫入的命令。在某些實(shí)施方式中，主機(jī)設(shè)備還可以規(guī)定快速寫入的分辨率。如果主機(jī)設(shè)備未規(guī)定快速寫入，那么處理器112可以獨(dú)立確定是否保證了快速寫入。然后，步驟776將會(huì)確定MCP100或者與MCP100相連的主機(jī)設(shè)備是否滿足預(yù)定電源條件。在所顯示的實(shí)施方式中，步驟776確定是否為主機(jī)設(shè)備供應(yīng)AC電源。在其他實(shí)施方式中，步驟776改為確定是否將一個(gè)為主機(jī)設(shè)備供電的電池充電至預(yù)定電荷。在某些實(shí)施方式中，步驟776將會(huì)確定是否將一個(gè)為主機(jī)設(shè)備供電的電池充電至最大容量或是至少90%的容量。然后，步驟778確定處理器112是否具有滿足預(yù)定帶寬條件的過(guò)剩帶寬。在某些實(shí)施方式中，不同的是，如果處理器112空閑，則滿足步驟778。在其他實(shí)施方式中，如果未使用預(yù)定百分比的處理器112的帶寬，則滿足步驟778。如果同時(shí)滿足步驟776和778，那么在步驟780，處理將會(huì)使用處理700而以高分辨率寫入存儲(chǔ)單元。如果不滿足條件776和778之一或是這二者，那么該處理將會(huì)執(zhí)行快速寫入過(guò)程。在快速寫入過(guò)程中，在步驟782處理器112從主機(jī)設(shè)備中選擇一個(gè)或多個(gè)可用存儲(chǔ)單元頁(yè)面，以便將數(shù)據(jù)寫入其中。在某些實(shí)施方式中，處理器可以將數(shù)據(jù)從主機(jī)設(shè)備拷貝到SDRAM151之類的緩沖器。在其他實(shí)施方式中，來(lái)自主機(jī)設(shè)備的數(shù)據(jù)并沒(méi)有被拷貝到緩沖器中，而是在步驟725和784之后在步驟786中被直接寫入到選定的存儲(chǔ)頁(yè)面。在步驟725，處理器擦除存儲(chǔ)在一個(gè)或多個(gè)選定頁(yè)面中的任何數(shù)據(jù)。在步驟774，處理器112將與選定的一個(gè)或多個(gè)存儲(chǔ)頁(yè)面相關(guān)聯(lián)的任何單元分辨率寄存器更新為低分辨率。在某些實(shí)施方式中，低分辨率將會(huì)是每存儲(chǔ)單元I比特的分辨率。在其他實(shí)施方式中，低分辨率是每單元2、3或4比特。由于在為每一個(gè)存儲(chǔ)單元充電的時(shí)候需要較低精度，因此，在將數(shù)據(jù)從主機(jī)設(shè)備拷貝到MCP100的時(shí)候，以較低分辨率寫入將會(huì)提高數(shù)據(jù)傳輸速率，由此，在寫入存儲(chǔ)單元時(shí)需要的電壓調(diào)整的關(guān)注度和總量可以減小。在以低分辨率將數(shù)據(jù)寫入一個(gè)或多個(gè)存儲(chǔ)單元之后，步驟784將會(huì)記錄一個(gè)維護(hù)日志條目來(lái)指示在維護(hù)處理過(guò)程(處理900)中應(yīng)該以較高分辨率來(lái)重新寫入存儲(chǔ)在選定存儲(chǔ)頁(yè)面中的數(shù)據(jù)。圖8A顯示的是對(duì)調(diào)整存儲(chǔ)頁(yè)面的單元分辨率的處理800的實(shí)例進(jìn)行描述的流程圖。舉例來(lái)說(shuō)，當(dāng)處理器112通過(guò)執(zhí)行維護(hù)程序來(lái)更新單元分辨率寄存器166時(shí)，該處理800可以執(zhí)行處理800中的操作。在步驟805，處理800是在處理器112在步驟805中讀取所存儲(chǔ)的差錯(cuò)信息的時(shí)候開始的。該差錯(cuò)信息可以在讀取出錯(cuò)或?qū)懭氤鲥e(cuò)的過(guò)程中被存儲(chǔ)，例如以圖4步驟480描述的方式被存儲(chǔ)。接下來(lái)，在步驟810中，處理器112將會(huì)選擇一個(gè)頁(yè)面。在步驟815，處理器112確定選定頁(yè)面的差錯(cuò)計(jì)數(shù)是否大于閾值。如果選定頁(yè)面的差錯(cuò)計(jì)數(shù)不大于該閾值，那么處理器112在步驟820中檢查是否還有更多頁(yè)面需要檢查。如果處理器112確定沒(méi)有更多頁(yè)面需要檢查，那么處理800結(jié)束。在步驟820，如果處理器112確定還有更多頁(yè)面需要檢查，那么該處理將會(huì)返回到步驟810。在某些實(shí)施方式中，處理器112可以檢查帶有差錯(cuò)的所有存儲(chǔ)頁(yè)面。在其他實(shí)施方式中，處理器112可以只檢查帶有在差錯(cuò)信息中記錄的新差錯(cuò)的存儲(chǔ)頁(yè)面。在步驟815，如果選定頁(yè)面的差錯(cuò)計(jì)數(shù)大于閾值，那么在步驟825，處理器112會(huì)將數(shù)據(jù)頁(yè)面從選定頁(yè)面拷貝到緩沖器中。接下來(lái)，處理器112將會(huì)更新單元分辨率寄存器166，以便降低選定頁(yè)面的單元分辨率。例如，閃存接口115可以檢查單元分辨率寄存器166，以便發(fā)現(xiàn)單元分辨率減小，然后，閃存接口115可以使用新的減小的單元分辨率來(lái)讀取和寫入選定頁(yè)面。然后，在步驟835中，處理器112可以為所拷貝的數(shù)據(jù)指定物理地址。取決于可用存儲(chǔ)頁(yè)面，處理器112可以指定一個(gè)、兩個(gè)、四個(gè)或其他數(shù)量的物理存儲(chǔ)頁(yè)面，以便存儲(chǔ)所拷貝的數(shù)據(jù)。接下來(lái)，處理器112在步驟840中更新邏輯地址表，以便與所指定的物理地址相對(duì)應(yīng)。該邏輯地址表可以用于將邏輯頁(yè)面映射到一個(gè)或多個(gè)物理頁(yè)面。邏輯地址表在存儲(chǔ)器存取操作過(guò)程中的例示使用是參考圖10來(lái)描述的。在步驟845中，處理器112將所拷貝的數(shù)據(jù)從緩沖器移動(dòng)到處于指定物理地址的頁(yè)面。接下來(lái)，在步驟820中，處理器112確定是否還有更多頁(yè)面需要檢查。如果是的話，那么處理800返回到步驟810。否則，處理800結(jié)束。圖8B描述的是與圖8A中的處理相類似的處理，其中該處理關(guān)注的是一組降級(jí)的存儲(chǔ)單元頁(yè)面或塊，以及在邏輯上將該組視為具有初始分辨率的存儲(chǔ)單元的單個(gè)頁(yè)面或塊。在圖8B中，處理860還會(huì)讀取已存儲(chǔ)的差錯(cuò)信息805，選擇頁(yè)面810，并且確定與頁(yè)面相關(guān)聯(lián)的差錯(cuò)計(jì)數(shù)是否超出閾值815。如果與頁(yè)面相關(guān)聯(lián)的差錯(cuò)計(jì)數(shù)超出閾值，則將存儲(chǔ)在頁(yè)面中的數(shù)據(jù)拷貝到緩沖器825，并且通過(guò)更新與該頁(yè)面相關(guān)聯(lián)的一個(gè)或多個(gè)單元分辨率寄存器來(lái)降低頁(yè)面的分辨率830。但是，在圖SB描述的實(shí)施方式中，處理器還會(huì)選擇單元分辨率降低的另一個(gè)數(shù)據(jù)頁(yè)面855，并且將會(huì)更新塊管理代碼和/或邏輯尋址代碼，以便將這兩個(gè)頁(yè)面配對(duì)。然后，這兩個(gè)單元分辨率降低的頁(yè)面在邏輯上將被視為具有較高初始分辨率的單個(gè)頁(yè)面。該處理可以將兩個(gè)以上的存儲(chǔ)單元頁(yè)面集中在一起。在某些實(shí)施方式中，該處理將會(huì)降級(jí)整個(gè)存儲(chǔ)單元塊，并對(duì)其進(jìn)行配對(duì)或以其他方式來(lái)將其關(guān)聯(lián)。在某些實(shí)施方式中，每一個(gè)配對(duì)頁(yè)面都具有相同的下調(diào)單元分辨率，并且包含了相同數(shù)量的存儲(chǔ)單元。例如，從每一個(gè)存儲(chǔ)單元存儲(chǔ)8比特?cái)?shù)據(jù)降級(jí)到每一個(gè)存儲(chǔ)單元存儲(chǔ)4比特?cái)?shù)據(jù)的存儲(chǔ)單元頁(yè)面將會(huì)與每一個(gè)存儲(chǔ)單元存儲(chǔ)4比特?cái)?shù)據(jù)的另一存儲(chǔ)單元頁(yè)面一起組成組。然后，這兩個(gè)存儲(chǔ)單元頁(yè)面的組合在邏輯上被閃存盤控制器視為在每個(gè)存儲(chǔ)單元上存儲(chǔ)8比特?cái)?shù)據(jù)的單個(gè)頁(yè)面(或是單個(gè)塊)。這些配對(duì)的存儲(chǔ)單元頁(yè)面沒(méi)有必要處于相同的塊，并且有可能處于不同的閃存存儲(chǔ)顆粒上。接下來(lái)，處理860將會(huì)執(zhí)行步驟820中確定是否還有更多存儲(chǔ)頁(yè)面需要檢查的處理，并且將會(huì)按照?qǐng)D8A描述的相同方式來(lái)進(jìn)行。圖9是描述了維護(hù)處理900的流程圖。對(duì)維護(hù)處理900來(lái)說(shuō)，它的一個(gè)可能的功能是以相對(duì)較高的分辨率來(lái)重寫那些以相對(duì)較低的分辨率存儲(chǔ)在閃存存儲(chǔ)器中的數(shù)據(jù)(相關(guān)實(shí)例參見(jiàn)圖7B)。舉例來(lái)說(shuō)，該維護(hù)處理可以用于最大化主機(jī)設(shè)備的電池壽命，同時(shí)最大化數(shù)據(jù)存儲(chǔ)容量。在某些實(shí)施方式中，維護(hù)處理900是由處理器作為按照慣例調(diào)度的維護(hù)操作的一部分來(lái)觸發(fā)的。此外，在某些實(shí)施方式，維護(hù)處理900是由來(lái)自主機(jī)設(shè)備并且表明主機(jī)設(shè)備是用AC電源供電的信號(hào)觸發(fā)的。在其他實(shí)施方式中，其他條件也可以使主機(jī)設(shè)備或處理器112觸發(fā)維護(hù)處理900，例如空閑處理器112。處理900是以步驟905為開始的，其中該步驟可以確定MCP100是否是在預(yù)定電源條件(powercondition)下工作的。在某些實(shí)施方式中,這個(gè)電源條件是通過(guò)主機(jī)設(shè)備接收AC電源來(lái)滿足的。在某些實(shí)施方式中，這個(gè)電源條件是通過(guò)主機(jī)設(shè)備電池滿足預(yù)定電荷總量、例如電池電量完全充滿來(lái)滿足的。充滿電的電池可以表明主機(jī)設(shè)備正在用AC電源供電。如果MCP100沒(méi)有滿足預(yù)定電源條件，那么處理900結(jié)束。接下來(lái)，在步驟910，處理器112可以確定該處理器112是否具有足夠帶寬來(lái)完全執(zhí)行維護(hù)處理900。在某些實(shí)施方式中，維護(hù)操作僅僅是作為需要最小帶寬的后臺(tái)進(jìn)程來(lái)運(yùn)行的。在某些實(shí)施方式中，維護(hù)操作需要一個(gè)空閑處理器112。在其他實(shí)施方式中，處理900并未確定是否處理器112具有足夠帶寬。在某些實(shí)施方式中，帶寬需要將會(huì)根據(jù)對(duì)于維護(hù)操作的需要而改變，其中所述需要可以用成功維護(hù)處理之間的時(shí)間或是閃存存儲(chǔ)器上的可用空間量來(lái)量度。如果處理器112不具有足夠帶寬，那么處理900結(jié)束。如果滿足預(yù)定電源條件，并且處理器112具有足夠帶寬，那么在步驟915，處理900可以讀取已存儲(chǔ)的維護(hù)日志。在某些實(shí)施方式中，已存儲(chǔ)的維護(hù)日志被存儲(chǔ)在NVM154中。在某些實(shí)施方式中，已存儲(chǔ)的維護(hù)日志指示的是可能的維護(hù)操作的優(yōu)先級(jí)。此外，在某些實(shí)施方式中，已存儲(chǔ)的維護(hù)日志被用于確定是否可以在簡(jiǎn)化操作中執(zhí)行任何維護(hù)步驟(例如步驟920、925、930和935)。例如，維護(hù)日志可以指示降級(jí)特定存儲(chǔ)單元頁(yè)面并重寫同一存儲(chǔ)單元頁(yè)面上的數(shù)據(jù)的需要。在其他實(shí)施方式中，維護(hù)操作是一個(gè)預(yù)定序列，其中舉例來(lái)說(shuō)，該序列包括重寫以較高分辨率傳送的數(shù)據(jù)(步驟920);下調(diào)單元分辨率以及對(duì)頁(yè)面組進(jìn)行配對(duì)，其中舉例來(lái)說(shuō)，所述配對(duì)可以通過(guò)執(zhí)行處理800和850來(lái)實(shí)施(步驟925);重寫滿足預(yù)定差錯(cuò)條件的數(shù)據(jù)(例如使用處理700)(步驟930);使用磨損管理軟件代碼157來(lái)交換最頻繁存取的數(shù)據(jù)與最不頻繁使用的數(shù)據(jù)(步驟935);為每一個(gè)將數(shù)據(jù)從一個(gè)物理位置移動(dòng)到另一個(gè)物理位置的維護(hù)操作更新邏輯尋址軟件代碼163(例如使用處理1000)(步驟940);以及通過(guò)將附加電荷施加于存儲(chǔ)單元頁(yè)面來(lái)刷新那些超過(guò)閾值量的電壓暫降的數(shù)據(jù)頁(yè)面(步驟945)。同樣可以使用其他那些包含了某些、所有或附加操作的序列。在某些實(shí)施方式中，處理900會(huì)在每一個(gè)維護(hù)步驟920、925、930、935或945之間重復(fù)執(zhí)行步驟905和/或步驟910，如果條件905或910中有任何一個(gè)改變，那么該處理可以結(jié)束。然后，處理900將會(huì)結(jié)束。圖10是描述在FDC106中執(zhí)行邏輯尋址處理1000的實(shí)例的流程圖。例如，F(xiàn)DC106可以將接收到的帶有邏輯地址的讀取或?qū)懭朊钣成涞揭粋€(gè)或多個(gè)物理頁(yè)面。在某些實(shí)施方式中，F(xiàn)DC106可以動(dòng)態(tài)地將邏輯頁(yè)面映射到一個(gè)或多個(gè)可變物理頁(yè)面。例如，F(xiàn)DC106可以改變映射關(guān)系，以便平衡物理存儲(chǔ)頁(yè)面的負(fù)載。在某些實(shí)施方式中，邏輯頁(yè)面與物理頁(yè)面之間的映射可以存儲(chǔ)在邏輯地址表中。在某些實(shí)施方式中，在處理器112執(zhí)行邏輯尋址代碼163的時(shí)候，處理1000可以由處理器112來(lái)執(zhí)行。處理1000是在FDC接收來(lái)自主機(jī)設(shè)備的要求存取(例如讀取、寫入或擦除)存儲(chǔ)頁(yè)面的命令的時(shí)候開始的。然后，在步驟1005，處理器112接收一個(gè)邏輯頁(yè)面地址，以便存取閃存存儲(chǔ)器中的頁(yè)面。接下來(lái)，在步驟1010中，處理器112確定與接收到的邏輯地址相關(guān)聯(lián)的一個(gè)或多個(gè)物理頁(yè)面地址。在一個(gè)實(shí)例中，接收到的邏輯頁(yè)面地址可以只與一個(gè)物理頁(yè)面地址相關(guān)聯(lián)。在另一個(gè)實(shí)例中，接收到的邏輯頁(yè)面地址可以與兩個(gè)或更多物理頁(yè)面相關(guān)聯(lián)，這是因?yàn)槲锢眄?yè)面具有少于正常分辨率的單元分辨率，或者物理頁(yè)面在閃存存儲(chǔ)器中是不連續(xù)的，亦或是它們處于不同塊內(nèi)或在不同顆粒上。然后，在步驟1015中，處理器112選擇第一個(gè)已確定的物理頁(yè)面地址。在步驟1020中，處理器112在選定的物理地址上讀取頁(yè)面數(shù)據(jù)。然后，在步驟1025，處理器112將頁(yè)面數(shù)據(jù)存入主機(jī)輸出緩沖器。在步驟1030，處理器112確定是否有必要存取另一個(gè)存儲(chǔ)頁(yè)面。舉個(gè)例子，如果有一個(gè)以上的物理頁(yè)面地址與邏輯頁(yè)面地址相關(guān)聯(lián)，那么處理器112可以存取另一個(gè)存儲(chǔ)頁(yè)面。在步驟1030中，如果處理器112確定有必要存取另一個(gè)存儲(chǔ)頁(yè)面，那么在步驟1035，處理器將會(huì)選擇下一個(gè)已確定物理頁(yè)面地址，并且該處理將會(huì)返回到步驟1020。否則，處理1000將會(huì)結(jié)束。圖11顯示的是包含了多個(gè)NAND閃存存儲(chǔ)顆粒103和FDC106的例示系統(tǒng)1100。FDC106包括處于模擬接口115內(nèi)的復(fù)用器(MUX)1105以及電荷泵1110。雖然系統(tǒng)1100被顯示成使用了NAND閃存存儲(chǔ)顆粒103，但是在系統(tǒng)1100中使用的某些技術(shù)同樣適用于NOR閃存存儲(chǔ)顆粒，或是NAND與NOR顆粒的組合。系統(tǒng)1100可以使用分立的IC來(lái)實(shí)施，或者它也可以部分或者完全集成到單個(gè)組件中。FDC106通過(guò)模擬接口115接收來(lái)自NAND閃存存儲(chǔ)顆粒103的模擬數(shù)據(jù)。在本實(shí)例中，MUXl105接收多個(gè)模擬輸入。在某些實(shí)施方式中，MUXl105接收來(lái)自多個(gè)閃存存儲(chǔ)顆粒103的多個(gè)模擬輸入。模擬接口115可以控制MUX1105，以便選擇將要傳送至ADC142的一個(gè)模擬輸入。例如，模擬接口115可以根據(jù)接收到的讀取命令來(lái)控制MUXl105。在寫操作過(guò)程中，F(xiàn)DC106使用電荷泵1110來(lái)將電荷施加于其中一個(gè)NAND閃存存儲(chǔ)顆粒103的存儲(chǔ)單元。在某些實(shí)施方式中，電荷泵1110被適配成向多個(gè)閃存存儲(chǔ)顆粒103上的存儲(chǔ)單元提供電荷。例如，F(xiàn)DC106可以發(fā)送一個(gè)選擇指定存儲(chǔ)顆粒的控制信號(hào)，以便接收來(lái)自電荷泵1110的電荷。然后，當(dāng)電荷泵1110施加電荷時(shí)，所選擇的存儲(chǔ)顆粒將會(huì)接收電荷。通過(guò)在多個(gè)顆粒103之間共享ADCl105和電荷泵1110，可以增大存儲(chǔ)顆粒103的存儲(chǔ)大小。此外，閃存存儲(chǔ)顆粒103可以在沒(méi)有ADC142和電荷泵1110的情況下以很低的成本來(lái)制造。在某些實(shí)施方式中，電荷泵1110可以集成在帶有FDC106的顆粒上，或者單獨(dú)安裝在不同顆?；虿煌咨希绨惭b在印刷電路板上。為了便于使用被適配成與多個(gè)閃存存儲(chǔ)顆粒103—起使用的ADCl105和電荷泵1110，某些閃存存儲(chǔ)顆粒103可以包括被適配成接收來(lái)自外部供電節(jié)點(diǎn)的編程電荷(programmingcharge)的輸入。由此，閃存存儲(chǔ)顆粒103不需要包含附加電路來(lái)改變或調(diào)整所供應(yīng)的編程電荷。此外，閃存存儲(chǔ)顆粒103還可以包括被適配成向閃存盤控制器106發(fā)送模擬電壓信號(hào)的輸出。在某些實(shí)施方式中，F(xiàn)DC106還可以包括一種用于向存儲(chǔ)顆粒103中寫入數(shù)據(jù)的電荷泵交織方法。圖12顯示了一個(gè)例示系統(tǒng)1200，其中該系統(tǒng)描述的是單獨(dú)向NAND閃存存儲(chǔ)顆粒103提供編程和邏輯級(jí)功率(logical-levelpower)的架構(gòu)。系統(tǒng)1200包括電荷泵1110和低信號(hào)丟失(dropout)調(diào)節(jié)器(LDO)1205，其中該調(diào)節(jié)器接收來(lái)自電源1210的功率。如所示，NAND閃存存儲(chǔ)顆粒103包括兩個(gè)功率輸入，即用于電荷泵電壓(Vep)的功率輸入和用于邏輯電壓(V1()gi。)的功率輸入。在某些實(shí)例中，Vct可以遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于V1()gi。。舉個(gè)例子，Vep可以是大約1220V或是大約1230V，并且Vltjgi?？梢允谴蠹s13V。在某些實(shí)施方式中，Vct的調(diào)整和當(dāng)前需要有可能與V1()gi。的調(diào)整和當(dāng)前需要有很大區(qū)別。例如，NAND閃存存儲(chǔ)顆粒103有可能需要V1()gi。在低邏輯電壓上具有密集調(diào)整(例如O.5%，I.0%，5%)的電壓容限，以便將功耗、切換時(shí)間等等減至最小。此外，邏輯電壓有可能在低電壓電平上需要高頻旁路電容。相比之下，電荷泵供電調(diào)整需求可以介于約5%與10%之間，并且其需要很低頻率和較高電壓容限。為了向圖12的系統(tǒng)提供便利，閃存存儲(chǔ)顆粒103可以包括第一接口，用于接收有選擇地對(duì)每一個(gè)閃存存儲(chǔ)單元進(jìn)行編程的功率，以及第二接口，用于接收提供給邏輯級(jí)電路的功率，以便選擇在寫操作過(guò)程中將要為之供應(yīng)來(lái)自第一輸入的功率的閃存存儲(chǔ)單元。閃存盤控制器106可以包括用于以編程電壓來(lái)向第一接口供電的第一電源，以及向第二接口供應(yīng)邏輯級(jí)功率的第二電源。所述第一和第二電源可以位于閃存存儲(chǔ)顆粒103的外部。雖然在這里描述了各種處理和技術(shù)的實(shí)施方式，但是其他實(shí)施方式也可以按不同的序列執(zhí)行各步驟或是經(jīng)過(guò)修改的裝置，以便實(shí)現(xiàn)相同的主要功能。此外，雖然有時(shí)將不同處理中的操作描述成是由特定設(shè)備或元件來(lái)執(zhí)行的，但是這些設(shè)備或元件僅僅是實(shí)例，并且在某些實(shí)施方式中，這些操作可以使用備選設(shè)備或元件來(lái)執(zhí)行。在某些實(shí)例中，NAND閃存存儲(chǔ)顆粒103還可以具有任何實(shí)際比特?cái)?shù)量的分辨率，例如6、7、10、12比特的分辨率。在這里可以使用各種實(shí)施方式來(lái)執(zhí)行結(jié)合閃存存儲(chǔ)器的ECC操作，其中所述閃存存儲(chǔ)器可以包括NAND閃存存儲(chǔ)器、NOR閃存存儲(chǔ)器、或是這些或其他非易失性存儲(chǔ)器的組合。在MCP100中可以按彼此相鄰的方式來(lái)堆疊和/或安裝一種或多種閃存存儲(chǔ)顆粒。本領(lǐng)域普通技術(shù)人員將會(huì)了解，這里描述的某些技術(shù)實(shí)例還可以很有利地適用于NAND閃存技術(shù)，并且這里描述的某些方法通常還可以應(yīng)用于NAND和/或NOR閃存之類的非易失性存儲(chǔ)器。在這里參考上圖描述了可以是便攜式的系統(tǒng)實(shí)例，但是其他實(shí)施方式也可以部署在臺(tái)式機(jī)和聯(lián)網(wǎng)安裝之類的其他處理應(yīng)用中。雖然在這里描述了特定的架構(gòu)特征，但是也可以引入其他特征，以便改進(jìn)性能。例如，在FDC106中可以使用高速緩存(例如LI、L2、……)技術(shù)。此外，舉例來(lái)說(shuō)，通過(guò)包含隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，可以提供便箋式存儲(chǔ)器和/或加載存儲(chǔ)在閃存存儲(chǔ)器中的可執(zhí)行代碼或參數(shù)信息，以便在運(yùn)行時(shí)操作中使用。此外，通過(guò)提供其他硬件和軟件，還可以執(zhí)行如下操作，例如使用了一種或多種協(xié)議的網(wǎng)絡(luò)或其他通信、無(wú)線(例如紅外)通信、已存儲(chǔ)工作能量和電源供應(yīng)(例如電池)、切換和/或線性供電電路，軟件維護(hù)(例如自檢測(cè)、升級(jí)等等)等等。在支持?jǐn)?shù)據(jù)存儲(chǔ)和相關(guān)操作的過(guò)程中，其中還可以提供一個(gè)或多個(gè)通信接口。在某些實(shí)施方式中，可以使用一種方法或是方法組合來(lái)提高數(shù)據(jù)完整性。例如，通過(guò)將閾值和/或重寫單元調(diào)整至少一次，可以尋址單元電壓差錯(cuò)。單元重寫可以響應(yīng)于與理想單元電壓的偏差和/或作為后臺(tái)活動(dòng)來(lái)執(zhí)行。舉個(gè)例子，通過(guò)重寫多級(jí)單元電壓，可以刷新頁(yè)面中的一個(gè)或多個(gè)有損單元的電壓。對(duì)于那些被表征為傾向于隨著時(shí)間的流逝而會(huì)喪失電壓的單元來(lái)說(shuō)，這些單元所要充電的電壓電平可以被升壓，以便接近于每一個(gè)單元范圍的上限，由此補(bǔ)償這些單元中隨著時(shí)間的流逝所導(dǎo)致的預(yù)期電荷損失。所升壓的電壓電平在初始時(shí)可以位于預(yù)定范圍的上限的附近或是其上，其中所述上限可以位于范圍之間的灰色區(qū)域。根據(jù)所估計(jì)或確定的損失速率，在這里可以足夠頻繁地重寫數(shù)據(jù)，以便將單元電壓基本保持在期望范圍以內(nèi)。相似的補(bǔ)償可以用于補(bǔ)償那些被表征成具有上漂移的單元。作為例示，這些重寫過(guò)程可以作為低優(yōu)先級(jí)的后臺(tái)進(jìn)程來(lái)執(zhí)行，其中所述后臺(tái)進(jìn)程是在資源可用的時(shí)候執(zhí)行的。對(duì)于那些被識(shí)別為高值數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)來(lái)說(shuō)，在這里可以將重寫處理調(diào)度成足夠頻繁地發(fā)生，以便將單元電壓保持在期望范圍以內(nèi)，其中該頻率是以預(yù)期電壓漂移速率以及與每一個(gè)比特電平相關(guān)聯(lián)的電壓范圍大小為基礎(chǔ)的。在某些實(shí)施方式中，當(dāng)便攜設(shè)備與外部電源耦合、例如在其與源自電力網(wǎng)的電源相耦合的時(shí)候，重寫處理可以被配置成更頻繁地執(zhí)行。重寫操作也可以響應(yīng)于與此類電源的耦合而被執(zhí)行。此外，重寫處理還可以被配置成在某些情況下不那么頻繁地執(zhí)行，例如在節(jié)電模式、在低電池條件下、或者在存儲(chǔ)持續(xù)時(shí)間短或是不重要的數(shù)據(jù)(例如流式音頻/視頻)的時(shí)候。某些系統(tǒng)可以作為一個(gè)能與本發(fā)明的實(shí)施方式結(jié)合使用的計(jì)算機(jī)系統(tǒng)來(lái)實(shí)施。例如，各個(gè)實(shí)施方式可以包括數(shù)字和/或模擬電路、計(jì)算機(jī)硬件、固件、軟件或是其組合。裝置可以在有形地具體化為信息載體、例如在具體化為機(jī)器可讀存儲(chǔ)設(shè)備或傳播信號(hào)的計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品中實(shí)施，其中舉例來(lái)說(shuō)，該產(chǎn)品是由可編程處理器來(lái)執(zhí)行的；此外，這里的方法可以由可編程處理器來(lái)執(zhí)行，其中該處理器作用于輸入數(shù)據(jù)并且產(chǎn)生輸出，以便通過(guò)執(zhí)行指令程序來(lái)實(shí)施本發(fā)明的功能。非常有利的是，本發(fā)明可以在一個(gè)或多個(gè)計(jì)算機(jī)程序中運(yùn)行，其中該程序可以在包含在至少一個(gè)可編程處理器的可編程系統(tǒng)上執(zhí)行，并且該處理器被耦合成從數(shù)據(jù)存儲(chǔ)系統(tǒng)、至少一個(gè)輸入設(shè)備和/或至少一個(gè)輸出設(shè)備接收數(shù)據(jù)和指令，并且向其傳送數(shù)據(jù)和指令。計(jì)算機(jī)程序是一組指令，該指令可以直接或間接地在計(jì)算機(jī)中使用，以便執(zhí)行某些活動(dòng)或是產(chǎn)生某個(gè)結(jié)果。計(jì)算機(jī)程序可以用任何形式的編程語(yǔ)言編寫，包括編譯或解釋語(yǔ)言，并且它可以用任何形式來(lái)部署，包括獨(dú)立程序或模塊、組件、子例程或是適合在計(jì)算環(huán)境中使用的其他單元。例如，用于執(zhí)行指令程序的適當(dāng)處理器包括通用和專用微處理器，這些處理器可以包括單個(gè)處理器或是任何類型的計(jì)算機(jī)的多個(gè)處理器之一。通常，處理器接收來(lái)自只讀存儲(chǔ)器、隨機(jī)存取存儲(chǔ)器或是這二者的指令和數(shù)據(jù)。計(jì)算機(jī)的基本部件是用于執(zhí)行指令的處理器，以及用于存儲(chǔ)指令和數(shù)據(jù)的一個(gè)或多個(gè)存儲(chǔ)器。一般來(lái)說(shuō)，計(jì)算機(jī)還包括或者以可操作方式耦合成與用于存儲(chǔ)數(shù)據(jù)文件的一個(gè)或多個(gè)大容量存儲(chǔ)設(shè)備進(jìn)行通信；此類設(shè)備包括磁盤，例如內(nèi)部硬盤和可移除盤；磁光盤；以及光盤。適合有形地具體化計(jì)算機(jī)程序指令和數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)設(shè)備包括所有形式的非易失性存儲(chǔ)器，其中舉例來(lái)說(shuō)，該存儲(chǔ)器可以是半導(dǎo)體存儲(chǔ)設(shè)備，例如EPROM、EEPROM和閃存存儲(chǔ)設(shè)備；磁盤，例如內(nèi)部硬盤和可移除盤；磁光盤，以及⑶-ROM和DVD-ROM盤。處理器和存儲(chǔ)器可以由ASIC(專用集成電路)補(bǔ)充或是集成在其內(nèi)。在某些實(shí)施方式中，每一個(gè)系統(tǒng)100都可以用相同或相似信息編程，和/或使用存儲(chǔ)在易失性和/或非易失性存儲(chǔ)器中的基本相同的信息來(lái)初始化。例如，在與恰當(dāng)主機(jī)設(shè)備、例如與臺(tái)式計(jì)算機(jī)或服務(wù)器相耦合時(shí)，一個(gè)數(shù)據(jù)接口可以被配置成執(zhí)行自動(dòng)配置、自動(dòng)下載和/或自動(dòng)更新功能。在某些實(shí)施方式中，一個(gè)或多個(gè)用戶界面特征可以被定制配置成執(zhí)行具體功能。本發(fā)明可以在包含圖形用戶界面和/或因特網(wǎng)瀏覽器的計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中實(shí)施。為了提供與用戶的交互，某些實(shí)施方式可以在這樣一種計(jì)算機(jī)上實(shí)施，其中該種計(jì)算機(jī)具有向用戶顯示信息的CRT(陰極射線管)或LCD(液晶顯示器)監(jiān)視器之類的顯示設(shè)備、鍵盤、以及可供用戶向計(jì)算機(jī)提供輸入的鼠標(biāo)或軌跡球之類的指示設(shè)備。在各個(gè)實(shí)施方式中，系統(tǒng)100可以使用適當(dāng)?shù)耐ㄐ欧椒?、儀器和技術(shù)來(lái)進(jìn)行通信。舉個(gè)例子，系統(tǒng)100可以使用點(diǎn)對(duì)點(diǎn)通信來(lái)與兼容設(shè)備(例如能夠傳送往來(lái)于系統(tǒng)100的數(shù)據(jù)的設(shè)備)，其中在點(diǎn)對(duì)點(diǎn)通信中，數(shù)據(jù)是直接從信源經(jīng)由專用物理鏈路(例如光纖鏈路、點(diǎn)對(duì)點(diǎn)布線、菊花鏈(daisychain))而被傳送到接收機(jī)。該系統(tǒng)的組件可以通過(guò)模擬或者數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)通信的任何形式或者介質(zhì)來(lái)交換信息，包括通信網(wǎng)絡(luò)上基于分組的消息。通信網(wǎng)絡(luò)的實(shí)例包括LAN(局域網(wǎng))、WAN(廣域網(wǎng))、MAN(城域網(wǎng))、無(wú)線和/或光學(xué)網(wǎng)絡(luò)，以及形成因特網(wǎng)的計(jì)算機(jī)和網(wǎng)絡(luò)。其他實(shí)施方式可以通過(guò)將消息廣播至所有設(shè)備或者基本上廣播給通過(guò)通信網(wǎng)絡(luò)耦合在一起的所有設(shè)備來(lái)運(yùn)送數(shù)據(jù)，例如，可以使用全向射頻(RF)信號(hào)來(lái)廣播。其他實(shí)施方式可以傳送表征為具有高方向性的消息，例如使用定向(也就是窄波束)天線或紅外信號(hào)傳送的RF信號(hào)，其中作為選擇，該信號(hào)可以與聚焦光學(xué)器件結(jié)合使用。此外，其他那些使用恰當(dāng)接口和協(xié)議的實(shí)施方式也是可以實(shí)現(xiàn)的，例如，該接口包括但不限于=USB2.O、火線、ATA/IDE、RS-232、RS-422、RS485、802.lla/b/g、Wi_Fi、以太網(wǎng)、IrDA，F(xiàn)DDI(光纖分布式數(shù)據(jù)接口)、令牌環(huán)網(wǎng)、或是基于頻分、時(shí)分或碼分的復(fù)用技術(shù)。作為選擇，某些實(shí)施方式可以引入如下特征，例如用于數(shù)據(jù)完整性的差錯(cuò)檢查和校正(ECC)，或是諸如加密(例如WEP)和密碼保護(hù)之類的安全量度。在這里描述了本發(fā)明的眾多實(shí)施方式。但是應(yīng)該理解，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍的情況下，各種修改都是可行的。例如，如果所公開技術(shù)的步驟是以不同的序列執(zhí)行的，如果所公開系統(tǒng)中的元件是以不同方式組合的，或者如果使用了其他元件來(lái)替換或補(bǔ)充這些元件，那么也將會(huì)實(shí)現(xiàn)有利的結(jié)果。這些功能和處理(包括算法)可以在硬件、軟件或軟硬件組合中實(shí)施，并且某些實(shí)施方式可以在與這里描述的模塊或硬件不相等同的模塊或硬件上執(zhí)行。權(quán)利要求1.一種管理多級(jí)閃存存儲(chǔ)設(shè)備(103)的方法，所述閃存存儲(chǔ)設(shè)備包括多個(gè)存儲(chǔ)單元(124，127)，所述方法包括檢測(cè)(355)來(lái)自第一存儲(chǔ)單元的電壓電平，所述第一存儲(chǔ)單元存儲(chǔ)達(dá)到代表數(shù)據(jù)值的電壓電平的電荷；確定(365)電壓電平所代表的數(shù)據(jù)值，其中所述數(shù)據(jù)值是至少部分基于與第一存儲(chǔ)單元相對(duì)應(yīng)的分辨率寄存器條目來(lái)確定的；其中與第一存儲(chǔ)單元相對(duì)應(yīng)的分辨率寄存器(166)條目指示的是第一分辨率，所述第一分辨率對(duì)應(yīng)于第一可能數(shù)據(jù)值數(shù)量；將電荷施加(730)于所述多個(gè)存儲(chǔ)單元(124，127)中的至少一個(gè)，以便達(dá)到代表數(shù)據(jù)值的目標(biāo)電壓，其中所述目標(biāo)電壓是至少部分基于與所述多個(gè)存儲(chǔ)單元中的所述至少一個(gè)相對(duì)應(yīng)的分辨率寄存器條目來(lái)確定的；從主機(jī)設(shè)備接收一個(gè)信號(hào)，以便以第二分辨率寫入，所述第二分辨率對(duì)應(yīng)于第二可能數(shù)據(jù)值數(shù)量，來(lái)自主機(jī)設(shè)備的所述信號(hào)指示該主機(jī)設(shè)備的電源條件；以及更新與所述多個(gè)存儲(chǔ)單元中的所述至少一個(gè)相對(duì)應(yīng)的分辨率寄存器(166)條目，以便指示第二分辨率，其中目標(biāo)電壓基于第二分辨率。2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的方法，其中第一可能數(shù)據(jù)值數(shù)量大于第二可能數(shù)據(jù)值數(shù)量，并且其中所述多個(gè)存儲(chǔ)單元(124，127)中的所述至少一個(gè)包括從所述多個(gè)存儲(chǔ)單元中選出的多于一個(gè)的存儲(chǔ)單元。3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的方法，其中第一可能數(shù)據(jù)值數(shù)量等于第二可能數(shù)據(jù)值數(shù)量，并且其中所述多個(gè)存儲(chǔ)單元(124，127)中的所述至少一個(gè)包括與第一存儲(chǔ)單元不同的存儲(chǔ)單元。4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的方法，其中第二可能數(shù)據(jù)值數(shù)量超過(guò)第一可能數(shù)據(jù)值數(shù)量。5.一種管理多級(jí)閃存存儲(chǔ)設(shè)備(103)的方法，所述閃存存儲(chǔ)設(shè)備包括多個(gè)存儲(chǔ)單元(124，127)，所述方法包括檢測(cè)來(lái)自第一存儲(chǔ)單元的電壓電平，所述第一存儲(chǔ)單元存儲(chǔ)達(dá)到代表數(shù)據(jù)值的電壓電平的電荷；確定電壓電平所代表的數(shù)據(jù)值，其中所述數(shù)據(jù)值是至少部分基于與第一存儲(chǔ)單元相對(duì)應(yīng)的分辨率寄存器條目來(lái)確定的；其中與第一存儲(chǔ)單元相對(duì)應(yīng)的分辨率寄存器(166)條目指示的是第一分辨率，所述第一分辨率對(duì)應(yīng)于第一可能數(shù)據(jù)值數(shù)量；將電荷施加于所述多個(gè)存儲(chǔ)單元中的至少一個(gè)，以便達(dá)到代表數(shù)據(jù)值的目標(biāo)電壓，其中所述目標(biāo)電壓是至少部分基于與所述多個(gè)存儲(chǔ)單元(124，127)中的所述至少一個(gè)相對(duì)應(yīng)的分辨率寄存器(166)條目來(lái)確定的；從主機(jī)設(shè)備接收指示該主機(jī)設(shè)備的電源條件的信號(hào)；響應(yīng)于接收到來(lái)自該主機(jī)設(shè)備的信號(hào)，更新與第一存儲(chǔ)單元相關(guān)聯(lián)的分辨率寄存器(166)條目，以便指示第二分辨率，所述第二分辨率對(duì)應(yīng)于第二可能數(shù)據(jù)值數(shù)量，其中第一可能數(shù)據(jù)值數(shù)量大于第二可能數(shù)據(jù)值數(shù)量；以及以第二分辨率將第二數(shù)據(jù)值寫入第一存儲(chǔ)單元。6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其中更新與第一存儲(chǔ)單元相關(guān)聯(lián)的分辨率寄存器(166)條目和以第二分辨率寫入第一存儲(chǔ)單元是由與存儲(chǔ)單元頁(yè)面相關(guān)聯(lián)的差錯(cuò)條件觸發(fā)的，其中存儲(chǔ)單元頁(yè)面包括第一存儲(chǔ)單元。7.根據(jù)權(quán)利要求I和4-6中任一所述的方法，其中第一可能數(shù)據(jù)值數(shù)量不超過(guò)4比特。8.根據(jù)權(quán)利要求I和4-7中任一所述的方法，其中第一可能數(shù)據(jù)值數(shù)量是2比特。9.根據(jù)權(quán)利要求I和4-7中任一所述的方法，其中第一可能數(shù)據(jù)值數(shù)量是I比特。10.根據(jù)權(quán)利要求I和4-9中任一所述的方法，其中第二可能數(shù)據(jù)值數(shù)量至少是4比特。11.根據(jù)權(quán)利要求I和4-10中任一所述的方法，其中第二可能數(shù)據(jù)值數(shù)量至少是8比特。12.根據(jù)權(quán)利要求I和4-11中任一所述的方法，其中以第一分辨率存儲(chǔ)在第一存儲(chǔ)單元中的數(shù)據(jù)值是寫入操作的結(jié)果，在該操作中，從主機(jī)設(shè)備接收的數(shù)據(jù)被寫入到閃存存儲(chǔ)設(shè)備(103)中。13.—種管理多級(jí)閃存存儲(chǔ)設(shè)備(103)的方法，所述閃存存儲(chǔ)設(shè)備包括多個(gè)存儲(chǔ)單元(124，127)，所述方法包括檢測(cè)(355)來(lái)自第一存儲(chǔ)單元的電壓電平，所述第一存儲(chǔ)單元存儲(chǔ)達(dá)到代表數(shù)據(jù)值的電壓電平的電荷；確定(365)電壓電平所代表的數(shù)據(jù)值，其中所述數(shù)據(jù)值是至少部分基于與第一存儲(chǔ)單元相對(duì)應(yīng)的分辨率寄存器條目來(lái)確定的；將電荷施加(730)于所述多個(gè)存儲(chǔ)單元(124，127)中的至少一個(gè)，以便達(dá)到代表數(shù)據(jù)值的目標(biāo)電壓，其中所述目標(biāo)電壓是至少部分基于與所述多個(gè)存儲(chǔ)單元中的所述至少一個(gè)相對(duì)應(yīng)的分辨率寄存器條目來(lái)確定的；接收來(lái)自主機(jī)設(shè)備的信號(hào)，以便將從主機(jī)設(shè)備接收的數(shù)據(jù)寫入閃存存儲(chǔ)設(shè)備，所述信號(hào)指示該主機(jī)設(shè)備的電源條件；以第一分辨率將從主機(jī)設(shè)備接收的數(shù)據(jù)值寫入第一存儲(chǔ)單元，所述第一分辨率對(duì)應(yīng)于第一可能數(shù)據(jù)值數(shù)量；將第一分辨率記錄在與第一存儲(chǔ)單兀相對(duì)應(yīng)的分辨率寄存器中；接收一個(gè)信號(hào)，以便以第二分辨率寫入，所述第二分辨率對(duì)應(yīng)于第二可能數(shù)據(jù)值數(shù)量，其中所述第二可能數(shù)據(jù)值數(shù)量超過(guò)第一可能數(shù)據(jù)值數(shù)量；以及更新與所述多個(gè)存儲(chǔ)單元中的至少一個(gè)相對(duì)應(yīng)的分辨率寄存器(166)，以便指示第二分辨率，其中目標(biāo)電壓基于第二分辨率。全文摘要本發(fā)明涉及多級(jí)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)單元的維護(hù)操作。包括計(jì)算機(jī)軟件的用于從閃存存儲(chǔ)單元(124)中讀取數(shù)據(jù)的系統(tǒng)和方法涉及檢測(cè)來(lái)自存儲(chǔ)單元組的電壓。該組存儲(chǔ)單元具有用于差錯(cuò)檢測(cè)(605)的相關(guān)元數(shù)據(jù)，并且每一個(gè)存儲(chǔ)單元都存儲(chǔ)了一個(gè)電壓，該電壓代表的是從多個(gè)可能數(shù)據(jù)值中選出的一個(gè)數(shù)據(jù)值。每一個(gè)可能的數(shù)據(jù)值都與多個(gè)非重疊模擬電壓范圍中的一個(gè)范圍相對(duì)應(yīng)。具有不確定數(shù)據(jù)值的存儲(chǔ)單元是根據(jù)檢測(cè)到的電壓來(lái)識(shí)別的(610)。對(duì)于具有不確定數(shù)據(jù)值的存儲(chǔ)單元來(lái)說(shuō)，其備選數(shù)據(jù)值將被確定(615)。備選數(shù)據(jù)值的組合將被選擇(625)，并且使用與存儲(chǔ)單元相關(guān)聯(lián)的元數(shù)據(jù)以及選定的備選數(shù)據(jù)值組合來(lái)執(zhí)行差錯(cuò)檢查(635)。文檔編號(hào)G11C16/34GK102779554SQ20121021247公開日2012年11月14日申請(qǐng)日期2007年5月14日優(yōu)先權(quán)日2006年5月15日發(fā)明者C·P·杜得特,M·J·康威爾申請(qǐng)人:蘋果公司