專利名稱：用于刷新以及數(shù)據(jù)清理存儲器件的方法和裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及存儲器件的刷新和數(shù)據(jù)清理(data scrubbing),更具體地,涉及控制帶有數(shù)據(jù)清理的刷新以及不帶有數(shù)據(jù)清理的刷新，以便提高數(shù)據(jù)完整性而不過度增加功耗。
背景技術(shù)：
半導(dǎo)體存儲器件已發(fā)展成具有不斷增加的容量和速度，以便在高性能電子系統(tǒng)中使用。例如，動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲器(dynamic random access memory, DRAM)是易失性存儲 器，其根據(jù)電容器中存儲的電荷量來存儲數(shù)據(jù)。因?yàn)檫@樣存儲的電荷會隨時(shí)間泄漏，所以執(zhí)行對數(shù)據(jù)再充電的刷新操作以避免數(shù)據(jù)丟失。半導(dǎo)體存儲器件被廣泛用于諸如膝上型計(jì)算機(jī)、移動(dòng)電話等等的移動(dòng)設(shè)備。因此，期望減小半導(dǎo)體存儲器件的功耗。然而，諸如DRAM的動(dòng)態(tài)存儲器件的刷新操作增大了待機(jī)功耗。此外，DRAM中用于存儲電荷的電容隨DRAM集成度的增加而減小，這導(dǎo)致數(shù)據(jù)可靠性降低。

發(fā)明內(nèi)容
因此，執(zhí)行帶有數(shù)據(jù)清理的刷新操作以避免數(shù)據(jù)錯(cuò)誤累積。此外，還執(zhí)行不帶有數(shù)據(jù)清理的刷新操作以減少過度功耗。在根據(jù)本發(fā)明一方面的刷新存儲器件的方法中，對存儲器件的相應(yīng)部分執(zhí)行至少一次不帶有清理的刷新。此外，對存儲器件的相應(yīng)部分執(zhí)行至少一次帶有清理的刷新。根據(jù)本發(fā)明的示例實(shí)施例，對于存儲器件的一部分，以第一頻率對其執(zhí)行不帶有清理的刷新，并且以小于第一頻率的第二頻率對其執(zhí)行帶有清理的刷新。在本發(fā)明的另一個(gè)示例實(shí)施例中，不帶有清理的刷新與帶有清理的刷新在時(shí)間上交替。在本發(fā)明另外的示例實(shí)施例中，所述至少一次不帶有清理的刷新的第一數(shù)量高于所述至少一次帶有清理的刷新的第二數(shù)量。在本發(fā)明的另外的示例實(shí)施例中，每個(gè)帶有清理的刷新在多個(gè)不帶有清理的刷新之間執(zhí)行。在本發(fā)明的另外的示例實(shí)施例中，每個(gè)不帶有清理的刷新響應(yīng)于從存儲控制器生成的第一類型刷新命令而執(zhí)行。此外，每個(gè)帶有清理的刷新響應(yīng)于從存儲控制器生成的第二類型刷新命令而執(zhí)行。例如，每個(gè)不帶有清理的刷新響應(yīng)于從存儲控制器生成的自動(dòng)刷新命令或自刷新命令而執(zhí)行。并且，在該示例情況中，每個(gè)帶有清理的刷新響應(yīng)于從存儲控制器生成的特殊刷新和清理命令而執(zhí)行。在本發(fā)明的另外的示例實(shí)施例中，當(dāng)生成了特殊刷新和清理命令時(shí)，對存儲器件的至少兩個(gè)子頁中的每一個(gè)順序地執(zhí)行相應(yīng)的帶有清理的刷新。此外，在該情況中，在對存儲器件的這些子頁執(zhí)行帶有清理的刷新之后，對所述子頁執(zhí)行預(yù)充電。在本發(fā)明的另外的示例實(shí)施例中，每個(gè)不帶有清理的刷新響應(yīng)于從存儲控制器生成的第一類型刷新命令而執(zhí)行，并且每個(gè)帶有清理的刷新響應(yīng)于從刷新命令計(jì)數(shù)器生成的刷新和清理命令而執(zhí)行。在這種情況下，例如，生成刷新和清理命令的周期是生成第一類型刷新命令的周期的2"倍，其中η是自然數(shù)。
在本發(fā)明的另外的示例實(shí)施例中，每個(gè)不帶有清理的刷新響應(yīng)于自刷新命令而執(zhí)行，并且每個(gè)帶有清理的刷新根據(jù)響應(yīng)于自刷新命令生成的內(nèi)部刷新命令的計(jì)數(shù)而執(zhí)行。在本發(fā)明的另外的示例實(shí)施例中，對存儲器件執(zhí)行的至少一次不帶有清理的刷新的第一總數(shù)量大于對存儲器件執(zhí)行的至少一次帶有清理的刷新的第二總數(shù)量。在本發(fā)明的另外的示例實(shí)施例中，每個(gè)帶有清理的刷新或不帶有清理的刷新針對存儲單元的對應(yīng)頁而執(zhí)行。在本發(fā)明的另外的示例實(shí)施例中，每個(gè)不帶有清理的刷新針對存儲單元的對應(yīng)頁而執(zhí)行，并且每個(gè)帶有清理的刷新針對存儲單元的對應(yīng)子頁而執(zhí)行。根據(jù)本發(fā)明的另一方面，存儲器件中的刷新管理單元包括第一計(jì)數(shù)器和第二計(jì)數(shù)器。第一計(jì)數(shù)器用于控制對存儲器件相應(yīng)部分的至少一次不帶有清理的刷新的執(zhí)行。第二計(jì)數(shù)器用于控制對存儲器件相應(yīng)部分的至少一次帶有清理的刷新的執(zhí)行。在本發(fā)明的示例實(shí)施例中，刷新管理單元包括頁計(jì)數(shù)器和刷新命令計(jì)數(shù)器。頁計(jì)數(shù)器是第一計(jì)數(shù)器，用于生成對其執(zhí)行不帶有清理的刷新的刷新地址。刷新命令計(jì)數(shù)器是第二計(jì)數(shù)器，用于控制帶有清理的刷新和不帶有清理的刷新的定時(shí)。在本發(fā)明的另外的示例實(shí)施例中，刷新管理單元包括頁段計(jì)數(shù)器(page segmentcounter),用于生成對其執(zhí)行帶有清理的刷新的子頁的地址。例如，每個(gè)不帶有清理的刷新針對存儲單元的對應(yīng)頁而執(zhí)行，并且每個(gè)帶有清理的刷新針對存儲單元的對應(yīng)子頁而執(zhí)行。在本發(fā)明的另外的示例實(shí)施例中，頁計(jì)數(shù)器以第一頻率生成對其執(zhí)行不帶有清理的刷新的刷新地址。此外，頁段計(jì)數(shù)器以小于第一頻率的第二頻率生成對其執(zhí)行帶有清理的刷新的子頁地址。在本發(fā)明的另外的示例實(shí)施例中，每個(gè)不帶有清理的刷新響應(yīng)于自刷新命令執(zhí)行。此外，每個(gè)帶有清理的刷新根據(jù)刷新命令計(jì)數(shù)器執(zhí)行，該刷新命令計(jì)數(shù)器對響應(yīng)于自刷新命令生成的內(nèi)部刷新命令進(jìn)行計(jì)數(shù)。在本發(fā)明的另外的示例實(shí)施例中，不帶有清理的刷新與帶有清理的刷新在時(shí)間上交替。在本發(fā)明另外的示例實(shí)施例中，所述至少一次不帶有清理的刷新的第一數(shù)量高于所述至少一次帶有清理的刷新的第二數(shù)量。例如，每個(gè)帶有清理的刷新在多個(gè)不帶有清理的刷新之間執(zhí)行。在本發(fā)明的另外的示例實(shí)施例中，每個(gè)不帶有清理的刷新響應(yīng)于從存儲控制器生成的第一類型刷新命令而執(zhí)行。此外，每個(gè)帶有清理的刷新響應(yīng)于從存儲控制器生成的第二類型刷新命令而執(zhí)行。例如，每個(gè)不帶有清理的刷新響應(yīng)于從存儲控制器生成的自動(dòng)刷新命令或自刷新命令而執(zhí)行。此外，在所述情況中，每個(gè)帶有清理的刷新響應(yīng)于從存儲控制器生成的特殊刷新和清理命令而執(zhí)行。在本發(fā)明的另外的示例實(shí)施例中，當(dāng)生成了特殊刷新和清理命令時(shí)，對存儲器件的至少兩個(gè)子頁中的每一個(gè)順序地執(zhí)行相應(yīng)的帶有清理的刷新。在該情況中，在對存儲器件的這些子頁執(zhí)行帶有清理的刷新之后，對子頁執(zhí)行預(yù)充電。在本發(fā)明的另外的示例實(shí)施例中，每個(gè)不帶有清理的刷新響應(yīng)于從存儲控制器生成的第一類型刷新命令而執(zhí)行。每個(gè)帶有清理的刷新響應(yīng)于從刷新命令計(jì)數(shù)器生成的刷新和清理命令而執(zhí)行。
在本發(fā)明的另外的示例實(shí)施例中，生成刷新和清理命令的周期是生成第一類型刷新命令的周期的2"倍，其中η是自然數(shù)。在本發(fā)明的另外的示例實(shí)施例中，對存儲器件執(zhí)行的至少一次不帶有清理的刷新的第一總數(shù)量大于對存儲器件執(zhí)行的至少一次帶有清理的刷新的第二總數(shù)量。在本發(fā)明的另外的示例實(shí)施例中，每個(gè)帶有清理的刷新或不帶有清理的刷新針對存儲單元的對應(yīng)頁執(zhí)行。根據(jù)本發(fā)明的方面的存儲器件包括單元陣列以及根據(jù)本發(fā)明上述示例實(shí)施例的刷新管理單元。這樣的存儲器件可以用于存儲模塊、存儲系統(tǒng)或計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中。


當(dāng)參照附圖詳細(xì)描述本發(fā)明的示例性實(shí)施例時(shí)，本發(fā)明的上述及其他示例方面將變得更加清楚，附圖中圖I是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的具有刷新操作的半導(dǎo)體存儲器件、存儲模塊和存儲系統(tǒng)的框圖；圖2Α是根據(jù)本發(fā)明的示例實(shí)施例的圖I中的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲器(DRAM)芯片的框圖，并且圖2Β圖示了根據(jù)本發(fā)明的示例實(shí)施例的增加自動(dòng)刷新周期(auto refreshcycle)的示例；圖3是根據(jù)本發(fā)明的示例實(shí)施例的存儲系統(tǒng)的框圖，該存儲系統(tǒng)將自動(dòng)刷新周期信息存儲在至少一個(gè)DRAM芯片中；圖4是根據(jù)本發(fā)明的示例實(shí)施例的存儲系統(tǒng)的框圖，該存儲系統(tǒng)將自動(dòng)刷新周期信息存儲在存儲模塊的串行存在檢測(serial presence detect，SPD)器件中；圖5是根據(jù)本發(fā)明的示例實(shí)施例的用于根據(jù)自動(dòng)刷新周期信息執(zhí)行刷新操作的步驟的流程圖；圖6是根據(jù)本發(fā)明的示例實(shí)施例的半導(dǎo)體存儲器件的框圖，該半導(dǎo)體存儲器件具有用于刷新和清理操作的多個(gè)計(jì)數(shù)器；圖7是圖示根據(jù)本發(fā)明的示例實(shí)施例的帶有清理的刷新操作的框圖；圖8A和圖SB分別是根據(jù)本發(fā)明的示例實(shí)施例的、圖6的示例清理刷新管理單元的框圖9A是根據(jù)本發(fā)明的示例實(shí)施例的根據(jù)新定義的命令的帶有清理的刷新操作的框圖，圖9B是用于圖示該帶有清理的刷新操作的時(shí)序圖；圖10是根據(jù)本發(fā)明的示例實(shí)施例的用于在圖9A的半導(dǎo)體存儲器件中執(zhí)行帶有清理的刷新操作的步驟的流程圖；圖11是用于圖示根據(jù)本發(fā)明的示例實(shí)施例的帶有清理的刷新操作的時(shí)序圖；圖12是根據(jù)本發(fā)明的示例實(shí)施例的用于根據(jù)圖11的時(shí)序圖按子頁執(zhí)行帶有清理的刷新操作的步驟的流程圖；圖13A和圖13B分別是根據(jù)本發(fā)明的示例實(shí)施例的具有刷新管理單元的半導(dǎo)體存儲系統(tǒng)的框圖；圖14A和圖14B分別是根據(jù)本發(fā)明的示例實(shí)施例的具有刷新管理單元的半導(dǎo)體存 儲系統(tǒng)的框圖；圖15是圖示根據(jù)本發(fā)明的示例實(shí)施例的、用于修復(fù)在帶有清理的刷新操作期間檢測到的硬故障(hard fail)的步驟的流程圖；圖16和圖17分別是根據(jù)本發(fā)明的示例實(shí)施例的、執(zhí)行圖15的步驟的各個(gè)存儲器件的框圖；圖18是具有主芯片(master)和從芯片(slave)的存儲系統(tǒng)的框圖，該存儲系統(tǒng)包括本發(fā)明實(shí)施例的刷新管理單元；圖19是具有堆棧式存儲器芯片的存儲系統(tǒng)的框圖，所述存儲系統(tǒng)包括本發(fā)明實(shí)施例的刷新管理單元；圖20是具有存儲系統(tǒng)的計(jì)算系統(tǒng)的框圖，該存儲系統(tǒng)包括本發(fā)明實(shí)施例的刷新
管理單元；圖21是根據(jù)本發(fā)明的示例實(shí)施例的具有刷新管理單元的存儲器件的框圖，所述刷新管理單元用于控制帶有清理的刷新操作和不帶有清理的刷新操作；圖22是根據(jù)本發(fā)明的示例實(shí)施例的、在圖21的存儲器件的操作期間的步驟的流程圖；以及圖23圖示了根據(jù)本發(fā)明的示例實(shí)施例的多個(gè)帶有清理的刷新操作以及不帶有清理的刷新操作。
具體實(shí)施例方式下文中參照附圖更充分地描述示例性實(shí)施例。然而，本發(fā)明構(gòu)思可以以許多不同的形式來具體實(shí)現(xiàn)，不應(yīng)被解釋為局限于此出闡述的示例性實(shí)施例。相反，提供這些示例性實(shí)施例是為了使本公開全面和完整，以便向本領(lǐng)域技術(shù)人員充分傳達(dá)示例性實(shí)施例的范圍。附圖中，為清楚起見，可能夸大了層和區(qū)域的大小及相對大小。盡管此處可能使用詞語第一、第二、第三等等來指示不同的元件，但這些元件不應(yīng)受到這些詞語的限制。這些詞語僅僅用于將一個(gè)元件與另一個(gè)元件區(qū)分開來。因而，第一元件也可以被稱為第二元件，這不會偏離本發(fā)明構(gòu)思的教導(dǎo)。此處使用的術(shù)語“和/或”包括一個(gè)或多個(gè)相關(guān)列出項(xiàng)目中的任意一個(gè)以及所有組合。當(dāng)一個(gè)元件被稱為“連接”或“耦接”到另一元件時(shí)，該元件可以直接連接或耦接到所述另一元件，或者也可以存在居間的元件。相反，當(dāng)一個(gè)元件被稱為“直接連接”或“直接耦接”到另一元件時(shí)，不存在居間的元件。其他用于描述元件之間關(guān)系的詞語應(yīng)以類似方式解釋(例如，“在...之間”與“直接在...之間”，“鄰近”與“直接緊鄰”等等)。此處使用的術(shù)語僅僅是出于描述具體的示例性實(shí)施例的目的，并非意圖限制本發(fā)明構(gòu)思。此處使用的單數(shù)形式“一”、“一個(gè)”意圖也包括復(fù)數(shù)形式，除非上下文明確給出相反指示。還將理解，當(dāng)在本說明書中使用詞語“包括”和/或“包含”時(shí)，表明存在所描述的特征、整體、步驟、操作、元件和/或組件，但不排除存在或附加一個(gè)或多個(gè)其他特征、整體、步驟、操作、元件、組件和/或它們的組合。除非另外定義，否則此處使用的所有術(shù)語(包括技術(shù)術(shù)語和科學(xué)術(shù)語)所具有的含義與本發(fā)明構(gòu)思所屬領(lǐng)域的普通技術(shù)人員通常理解的含義相同。還將理解，術(shù)語——如通常使用的詞典中定義的那些術(shù)語，應(yīng)該被解釋為所具有的含義與它們在相關(guān)領(lǐng)域背景中的含義一致，而不應(yīng)理想化地或過分形式化地對其進(jìn)行解釋，除非此處明確地如此定義。如在動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲器(DRAM)的規(guī)范中所指示的那樣，諸如DRAM這樣的易失性半導(dǎo)體存儲器件將數(shù)據(jù)保持有限時(shí)間段。因此，例如如在DRAM的規(guī)范中所設(shè)置的那樣， 在諸如64ms的每個(gè)刷新周期中執(zhí)行刷新操作。由于DRAM單元變得更小、電容更低，DRAM單元的數(shù)據(jù)保持時(shí)間和刷新周期也有所減小。在這種情況下，要更加頻繁地執(zhí)行刷新操作，從而功耗增加。此外，隨著DRAM單元變得越小，所產(chǎn)生的比特錯(cuò)誤數(shù)越高，從而使錯(cuò)誤可能無法被糾錯(cuò)電路(error correctioncircuit, ECC)糾正，或者物理錯(cuò)誤(例如，硬故障)的概率增大。下面描述的本發(fā)明實(shí)施例的半導(dǎo)體存儲器件提高了數(shù)據(jù)可靠性，并且具有減小的功耗和錯(cuò)誤累積。這樣的存儲器件可以在存儲模塊或存儲系統(tǒng)中形成。圖I是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的具有半導(dǎo)體存儲器件和存儲模塊的存儲系統(tǒng)100的 框圖。參照圖1，存儲系統(tǒng)100包括存儲模塊1000和存儲控制器2000。存儲模塊1000包括安裝在模塊板上的至少一個(gè)半導(dǎo)體存儲器件1100。例如，每個(gè)半導(dǎo)體存儲器件1100是一 DRAM (動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲器)芯片。DRAM芯片包括DRAM單元的存儲陣列。在下面的描述中，假設(shè)半導(dǎo)體存儲器件1100是DRAM芯片。存儲控制器2000提供用于控制存儲模塊1000中的半導(dǎo)體存儲器件1100的信號。例如，來自存儲控制器2000的這樣的信號包括命令/地址CMD/ADD和控制信號CLK，該控制信號CMD可以是存儲模塊1000的時(shí)鐘信號。存儲控制器2000與存儲模塊1000通信，以傳送去往/來自存儲模塊1000的數(shù)據(jù)DQ。每個(gè)DRAM芯片1100包括一存儲陣列，存儲陣列形成多個(gè)存儲體(bank)，每個(gè)存儲體具有多個(gè)頁。頁是在施加單個(gè)RAS有效命令(RAS active command)時(shí)從存儲體傳送到位線感測放大器(sense amplifier)的數(shù)據(jù)塊。頁可以被分成多個(gè)區(qū)域(以下稱為子頁)。圖2A是根據(jù)本發(fā)明的示例實(shí)施例的、圖I的DRAM芯片1100的框圖。圖2B圖示了根據(jù)本發(fā)明的示例實(shí)施例增加圖2A的DRAM芯片的自動(dòng)刷新周期。參照圖2A，DRAM芯片1100包括具有多個(gè)DRAM單元的存儲陣列1110、行譯碼器1121、驅(qū)動(dòng)/感測放大器1122和列譯碼器1123。為了輸入和輸出數(shù)據(jù)，DRAM芯片1100分別包括ECC (糾錯(cuò)電路)1170以及讀數(shù)據(jù)(RD)通路1181和寫數(shù)據(jù)(WD)通路1182。DRAM芯片1100還包括命令譯碼器1130、刷新控制電路1140、內(nèi)部地址生成器1151和地址緩沖器1152。此外，DRAM芯片1100包括非易失性的周期信息存儲單元1160，用于存儲諸如自動(dòng)刷新周期信息(Cycle Info)這樣的刷新周期信息。命令譯碼器1130對從外部源接收的命令CMD進(jìn)行譯碼，以生成至少一個(gè)用于驅(qū)動(dòng)DRAM芯片1100的內(nèi)部控制信號。地址緩沖器1152存儲從外部源接收的地址ADDR，并且分別向行譯碼器1121和列譯碼器1123提供用于選擇行的行地址ADD_R和用于選擇列的列地址 ADD_C。根據(jù)命令譯碼器1130的譯碼，DRAM芯片1100可以進(jìn)入自動(dòng)刷新模式或自刷新模式。刷新控制電路1140響應(yīng)于命令譯碼器1130的這種譯碼而生成刷新信號REF_S。內(nèi)部地址生成器1151響應(yīng)于刷新信號REF_S生成內(nèi)部地址ADI，以選擇將對其執(zhí)行刷新的頁，并且將該內(nèi)部地址ADI提供給地址緩沖器1152。地址緩沖器1152可以包括開關(guān)(未示出)，該開關(guān)用于選擇性地在讀/寫操作期間輸出外部地址ADDR以及在自動(dòng)刷新模式或自刷新模式中輸出內(nèi)部地址ADI。在自動(dòng)刷新操作期間，調(diào)整自動(dòng)刷新周期的時(shí)段，以減少DRAM芯片1100的功耗。 在DRAM芯片1100的測試模式期間，通過減小自動(dòng)刷新周期的時(shí)段、直到DRAM芯片1100中的一定量比特錯(cuò)誤能夠被糾正，來執(zhí)行測試。例如，當(dāng)ECC 1170使用能夠糾正單比特錯(cuò)誤的漢明碼時(shí)，自動(dòng)刷新周期的時(shí)段被減小到生成單比特錯(cuò)誤的水平。與自動(dòng)刷新周期的時(shí)段相對應(yīng)的自動(dòng)刷新周期信息存儲在周期信息存儲單元1160中。在數(shù)據(jù)讀出期間，將從存儲陣列1110讀取的數(shù)據(jù)提供給ECC1170，由ECC 1170糾正數(shù)據(jù)中的比特錯(cuò)誤。當(dāng)DRAM芯片1100工作時(shí)，在周期信息存儲單元1160中存儲的自動(dòng)刷新周期信息被提供給外部控制器(未示出)。外部控制器以自動(dòng)刷新周期信息所指示的周期，將自動(dòng)刷新命令提供給DRAM芯片1100。刷新控制單元1140響應(yīng)于這樣的自動(dòng)刷新命令執(zhí)行自動(dòng)刷新。用這樣的方式，生成能夠被糾正的單比特錯(cuò)誤，從而這樣的在從存儲陣列1110讀取的數(shù)據(jù)中產(chǎn)生的錯(cuò)誤被ECC 1170檢測和糾正，該ECC 1170經(jīng)由RD通路1182提供糾錯(cuò)后的數(shù)據(jù)。圖2A圖示了自動(dòng)刷新周期信息被存儲在非易失性存儲單元1160中、以便在DRAM芯片1100工作時(shí)被提供給外部控制器的示例。在這種情況下，外部控制器確定刷新周期的時(shí)段。圖2B圖示了 DRAM芯片1100在其中直接增大自動(dòng)刷新周期的頻率而在外部控制器一側(cè)無任何改變的示例。例如，DRAM芯片1100根據(jù)DRAM芯片1100的規(guī)范以64ms的間隔刷新所有存儲體的頁。在這種情況下，每次接收到刷新命令時(shí)，連接到特定字線的所有存儲體的頁被同時(shí)刷新。此外，由內(nèi)部計(jì)數(shù)器逐一地順序增大將被刷新的頁的地址。在圖2B中，外部控制器根據(jù)DRAM芯片1100的規(guī)范每64ms提供一個(gè)刷新命令。然而，當(dāng)接收到刷新命令時(shí)，DRAM芯片1100僅僅刷新一些存儲體，從而達(dá)到內(nèi)部增加自動(dòng)刷新周期的時(shí)段的效果。圖2B圖示了將自動(dòng)刷新周期的時(shí)段加倍的示例。在圖2B中，在刷新周期中激活和刷新一些存儲體(存儲體A和B)的頁，并且在下一個(gè)刷新周期中激活和刷新剩余存儲器(存儲體C和D)的頁。因此，所有存儲體(存儲體A、B、C和D)以兩倍于規(guī)范中的刷新周期(64ms)的周期(128ms)被刷新。通過調(diào)整響應(yīng)于每個(gè)刷新命令而將被選擇的存儲體的數(shù)量，來確定自動(dòng)刷新周期的時(shí)段。圖3是存儲系統(tǒng)100的框圖，該存儲系統(tǒng)100在DRAM芯片1100中存儲自動(dòng)刷新周期信息。在圖3中，將在DRAM芯片測試操作期間確定的自動(dòng)刷新周期信息(Cycle Info)存儲在DRAM芯片1100內(nèi)的非易失性存儲單元1160中，該DRAM芯片1100被安裝在存儲模塊1000上。周期信息存儲單元1160被實(shí)現(xiàn)為非易失性存儲器，或者被實(shí)現(xiàn)為反熔絲(anti-fuse)或電熔絲(e-fuse)。例如，在圖3中，周期信息存儲單元1160被實(shí)現(xiàn)為電熔絲。在存儲系統(tǒng)100的初始操作期間，將自動(dòng)刷新周期信息Cycle Info從周期信息存儲單元1160提供給存儲控制器2000。存儲控制器2000以自動(dòng)刷新周期信息所指示的周期，生成自動(dòng)刷新命令CMD_ref并將其提供給存儲模塊1000。用這樣的方式，根據(jù)自動(dòng)刷新周期信息調(diào)整自動(dòng)刷新命令CMD_ref的周期，從而使DRAM芯片1100的數(shù)據(jù)中的比特錯(cuò)誤能夠被ECC (糾錯(cuò)電路，圖3中未示出)糾正。因而，在DRAM芯片1100內(nèi)的錯(cuò)誤仍然能被糾正的同時(shí)，減少了自動(dòng)刷新操作的過度功耗。圖4是根據(jù)本發(fā)明的替換實(shí)施例的存儲系統(tǒng)100的框圖，在該存儲系統(tǒng)100中， 自動(dòng)刷新周期信息存儲在存儲模塊1000的串行存在檢測(SPD)器件1300中。當(dāng)存儲模塊1000是用于服務(wù)器的帶寄存器的雙線存儲模塊(registered dual in-line memorymodule, RDIMM)等等時(shí)，存儲模塊1000包括SB)器件1300，該SB)器件1300是非易失性的，用于存儲相應(yīng)的組件信息和/或關(guān)于DRAM芯片1100的信息。例如，Sro器件1300包括非易失性存儲器(諸如EEPR0M)，該非易失性存儲器存儲關(guān)于DRAM芯片1100的各種信息(如行地址和列地址數(shù)、數(shù)據(jù)寬度、區(qū)塊(rank)的數(shù)量、每區(qū)塊的存儲密度、存儲器件的數(shù)量、每個(gè)存儲器件的存儲密度，等等)或DRAM芯片1100的自動(dòng)刷新周期信息Cycle Info0在存儲系統(tǒng)100的初始操作期間，來自STO器件1300的自動(dòng)刷新周期信息Cycle Info被提供給存儲控制器2000，存儲控制器2000以自動(dòng)刷新周期信息Cycle Info指示的周期生成自動(dòng)刷新命令CMD_ref,并將該自動(dòng)刷新命令CMD_ref提供給存儲模塊1000。在一個(gè)示例中，不為每個(gè)DRAM芯片單獨(dú)設(shè)置自動(dòng)刷新周期。而是，設(shè)置單個(gè)自動(dòng)刷新周期用于多個(gè)DRAM芯片，在測試模式期間監(jiān)視比特錯(cuò)誤的生成，從而使任何未能滿足預(yù)定條件的芯片都被確定為是有缺陷的。這種用于多個(gè)DRAM芯片的自動(dòng)刷新周期信息可以存儲在一個(gè)DRAM芯片中或者可以存儲在SPD器件中。此外，根據(jù)規(guī)范定義的自動(dòng)刷新周期信息也可以存儲在DRAM芯片中或SH)器件中。圖5是根據(jù)本發(fā)明的示例實(shí)施例在操作半導(dǎo)體存儲器件期間的步驟的流程圖。在圖5中，對諸如每個(gè)DRAM芯片的每個(gè)存儲芯片執(zhí)行測試(S11)，以確定自動(dòng)刷新周期信息(S12)，然后，該自動(dòng)刷新周期信息被存儲到DRAM芯片中的非易失性存儲單元中或存儲模塊的SH)器件中(S13)。將自動(dòng)刷新周期信息確定為使得DRAM芯片中的比特錯(cuò)誤能夠被DRAM芯片中包括的ECC糾正的水平。盡管圖5中未示出，但是在測試操作期間，不能滿足預(yù)定規(guī)范的DRAM芯片可以被認(rèn)為是有缺陷的芯片。在初始化DRAM芯片(S14)時(shí)，將自動(dòng)刷新周期信息提供給外部控制器(S15)。外部控制器以接收到的自動(dòng)刷新周期信息所指示的周期生成自動(dòng)刷新命令，并且DRAM芯片接收這樣的自動(dòng)刷新命令(S16)。DRAM芯片響應(yīng)于接收到的自動(dòng)刷新命令執(zhí)行自動(dòng)刷新操作(S17)。此外，當(dāng)從外部源接收到讀取命令時(shí)，響應(yīng)于該讀取命令執(zhí)行讀取操作(S18)。此外，對讀取的數(shù)據(jù)執(zhí)行錯(cuò)誤檢測和糾正，并且提供糾錯(cuò)后的數(shù)據(jù)(S19 )。圖6是根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的具有刷新和清理操作的半導(dǎo)體存儲器件3000的框圖。圖6將DRAM芯片圖示為半導(dǎo)體存儲器件3000，該半導(dǎo)體存儲器件3000可以在存儲模塊和/或存儲系統(tǒng)內(nèi)形成。參照圖6，DRAM芯片3000包括DRAM單元的存儲陣列3100、行譯碼器3210、列譯碼器3220、驅(qū)動(dòng)/感測放大器3230、命令譯碼器3300、地址緩沖器3400、ECC (糾錯(cuò)電路)3500以及RD (讀數(shù)據(jù))通路3610和WD (寫數(shù)據(jù))通路3620。DRAM芯片3000還包括清理刷新管理單元3700，用于控制帶有清理的刷新操作和/或不帶有清理的刷新操作。清理刷新管理單元3700包括至少一個(gè)計(jì)數(shù)器,諸如例如行計(jì)數(shù)器(row counter,RC) 3710和頁段計(jì)數(shù)器(page segment counter, PSC)。DRAM芯片3000還包括模式寄存器組(mode register set，MRS) 3800，在MRS 3800中存儲了用于設(shè)置操作方式的MRS代碼。 在DRAM芯片3000初始化期間，根據(jù)來自MRS 3800的MRS代碼設(shè)置DRAM芯片3000中各種電路塊的操作環(huán)境。圖6示出了將MRS代碼提供給ECC 3500和清理刷新管理單元3700的示例。然而，也可以根據(jù)MRS代碼來設(shè)置除了 ECC 3500和清理刷新管理單元3700之外的電路塊的操作環(huán)境。在DRAM芯片中主要使用簡單的漢明碼,這是為了最小化等待時(shí)間損失(latencypenalty)等原因。然而，只有單比特錯(cuò)誤能夠用這種簡單的漢明碼來糾正。隨著DRAM單元的大小逐漸減小，生成多比特錯(cuò)誤的概率增加，而這樣的多比特錯(cuò)誤不能利用簡單的漢明碼來糾正。因此，根據(jù)本發(fā)明的方面，DRAM芯片執(zhí)行帶有清理的刷新操作以避免多比特錯(cuò)誤累積。帶有清理的刷新操作包括執(zhí)行刷新操作和清理操作兩者。例如，帶有清理的刷新操作通過激活存儲陣列3100的頁——檢測激活的頁的數(shù)據(jù)中的錯(cuò)誤并將糾錯(cuò)后的數(shù)據(jù)回寫存儲陣列3100，導(dǎo)致進(jìn)行刷新。圖7圖示了帶有清理的刷新操作的示例。圖7圖示了存儲陣列3100的存儲體(BANK A)的每個(gè)頁具有8Kb (千比特)大小并且頁的每個(gè)子頁具有128b (比特)大小的示例。為每個(gè)子頁存儲8b (比特)的奇偶校驗(yàn)位(parity)。來自每個(gè)128b子頁的數(shù)據(jù)以及相應(yīng)的8b奇偶校驗(yàn)位被順序地讀取并被提供給ECC 3500。ECC 3500可以使用漢明碼進(jìn)行錯(cuò)誤檢測和糾正。根據(jù)本發(fā)明的示例實(shí)施例，在讀/寫操作期間使用的ECC方法和碼字長度也可以用于帶有清理的刷新操作。在本發(fā)明的示例實(shí)施例中，清理刷新管理單元3700響應(yīng)于外部命令控制帶有清理的刷新操作。例如，可以響應(yīng)于新定義的外部命令(即，特殊刷新和清理命令)或者響應(yīng)于公知的刷新命令來執(zhí)行帶有清理的刷新操作。每個(gè)命令由相應(yīng)的信號組合(例如，信號/CS、/RAS、/CAS和/WE的組合的設(shè)定)來定義。例如，可以新定義相應(yīng)的信號組合，以用于帶有清理的刷新操作(即，特殊刷新和清理命令)，其中信號/CS、/RAS, /CAS和/WE每個(gè)被設(shè)置為邏輯高電平和邏輯低電平之一，從而可以被存儲控制器和存儲器件檢測到?？商鎿Q地，可以響應(yīng)于已知的預(yù)定義的命令，如自動(dòng)刷新命令或自刷新命令，來執(zhí)行帶有清理的刷新操作。響應(yīng)于帶有清理的刷新命令，激活頁以刷新。此外為了清理頁的一些或所有子頁，來自子頁的數(shù)據(jù)以及相應(yīng)的奇偶校驗(yàn)位被讀取并被提供到ECC3500。ECC 3500對這樣的數(shù)據(jù)片段(data piece)執(zhí)行錯(cuò)誤檢測和糾正。糾錯(cuò)后的數(shù)據(jù)被回寫到存儲陣列3100上的對應(yīng)位置?？梢詧?zhí)行回寫操作而不管檢測到錯(cuò)誤還是未檢測到錯(cuò)誤?？商鎿Q地，可以僅僅在檢測到錯(cuò)誤時(shí)回寫糾錯(cuò)后的數(shù)據(jù)。RC (行計(jì)數(shù)器)3710響應(yīng)于帶有清理的刷新命令執(zhí)行計(jì)數(shù)操作，以指示將被激活的存儲陣列3100的頁(例如，第η頁)。PSC (頁段計(jì)數(shù)器)3720執(zhí)行計(jì)數(shù)操作以指示激活的頁中將被順序選擇的至少一個(gè)子頁。對所選擇的子頁執(zhí)行清理操作(利用錯(cuò)誤檢測/糾正和數(shù)據(jù)回寫)。之后，將激活的頁去激活。當(dāng)接收到另外的帶有清理的刷新命令時(shí)，根據(jù)RC3710的計(jì)數(shù)操作激活存儲陣列3100的下一個(gè)頁(例如，第(n+1)頁)。響應(yīng)于新定義的帶有清理的刷新命令(B卩，特殊刷新和清理命令)而將被執(zhí)行帶有清理的刷新的子頁的數(shù)量，可以被設(shè)置為不同于響應(yīng)于預(yù)定義的刷新命令而將被執(zhí)行帶有清理的刷新的子頁的數(shù)量。帶有清理的刷新命令可以被提供給半導(dǎo)體存儲器件，從而如存儲器件的規(guī)范中所定義的那樣，每個(gè)刷新周期(例如，64ms)將存儲陣列3100的所有頁激活至少一次。 帶有清理的刷新命令的接收周期可以被設(shè)置地足夠長，以滿足存儲器件的規(guī)范中所定義的刷新周期。帶有清理的刷新命令的接收周期越長，就允許有更高數(shù)量的子頁響應(yīng)于單個(gè)帶有清理的刷新命令而被選擇以進(jìn)行清理。另一方面，當(dāng)使用諸如自動(dòng)刷新命令的預(yù)定義的刷新命令時(shí)，自動(dòng)刷新命令的接收周期根據(jù)存儲器件的規(guī)范來定義。在該情況下，可以選擇在接收周期內(nèi)能夠被清理的子頁的數(shù)量，但是該數(shù)量受限于根據(jù)存儲器件的規(guī)范定義的時(shí)間段。例如，當(dāng)使用新定義的帶有清理的刷新命令時(shí)，響應(yīng)于單個(gè)帶有清理的刷新命令，可以對單個(gè)頁中包括的所有子頁執(zhí)行清理操作。另一方面，當(dāng)使用自動(dòng)刷新命令時(shí)，響應(yīng)于單個(gè)刷新命令可以對單個(gè)子頁執(zhí)行清理操作。清理操作增加了 DRAM芯片3000的功耗。因而，當(dāng)無論執(zhí)行清理操作與否都不產(chǎn)生數(shù)據(jù)錯(cuò)誤時(shí)，或者當(dāng)僅僅產(chǎn)生可被糾錯(cuò)的錯(cuò)誤時(shí)，不應(yīng)當(dāng)執(zhí)行清理操作。當(dāng)除了預(yù)定義的已有刷新命令之外還產(chǎn)生新定義的帶有清理的刷新命令時(shí)，清理刷新管理單元3700響應(yīng)于新定義的帶有清理的刷新命令，順序地執(zhí)行頁激活、子頁選擇、錯(cuò)誤檢測和回寫。當(dāng)接收到預(yù)定義的已有刷新命令時(shí)，響應(yīng)于該預(yù)定義的已有刷新命令，激活頁并對其執(zhí)行刷新操作，但不執(zhí)行清理操作。因此，存儲控制器通過生成預(yù)定義的已有刷新命令而非新定義的帶有清理的刷新命令，來控制何時(shí)不執(zhí)行清理操作?？商鎿Q地，當(dāng)期望僅僅使用預(yù)定義的已有刷新命令來執(zhí)行帶有清理的刷新操作時(shí)，可以對清理操作的執(zhí)行或不執(zhí)行進(jìn)行設(shè)置。為此，MRS 3800包括與清理操作相關(guān)聯(lián)的MRS代碼，并且可以設(shè)置該代碼以指示是否將要執(zhí)行清理。例如，當(dāng)在MRS 3800中設(shè)置了清理執(zhí)行模式時(shí)，響應(yīng)于諸如存儲器件的自動(dòng)刷新命令或自刷新命令這樣的預(yù)定義的已有刷新命令，來執(zhí)行帶有清理的刷新操作。另一方面，當(dāng)在MRS 3800中設(shè)置了清理不執(zhí)行模式時(shí)，ECC3500中的清理相關(guān)電路和/或清理刷新管理單元3700被禁用，從而響應(yīng)于刷新命令對已激活的頁執(zhí)行不帶有清理的刷新。在該情況下，不執(zhí)行如上所述的與數(shù)據(jù)清理相關(guān)聯(lián)的數(shù)據(jù)誤差檢測、回寫等等。已有的刷新控制單元和/或已有的地址計(jì)數(shù)器(圖6中未示出)可以用于響應(yīng)于預(yù)定義的已有刷新命令的不帶有清理的刷新操作。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，除了已有的刷新控制單元和/或已有的地址計(jì)數(shù)器之外，還包括圖6的清理刷新管理單元3700。清理刷新管理單元3700響應(yīng)于新定義的帶有清理的刷新命令進(jìn)行操作，或者，清理刷新管理單元3700根據(jù)MRS 3800中設(shè)置的MRS代碼而被使能或禁用。圖8A和圖8B分別是根據(jù)本發(fā)明的示例實(shí)施例的、圖6的清理刷新管理單元3700的框圖。圖8A圖示了根據(jù)MRS代碼設(shè)置清理刷新模式的清理刷新管理單元3700。在圖8A和圖8B中，清理刷新管理單元3700包括控制信號發(fā)生器3730和檢測信號接收器3740，控制信號發(fā)生器3730生成用于管理清理刷新操作的控制信號，檢測信號接收器3740接收來自ECC的錯(cuò)誤檢測結(jié)果。如上所述，清理刷新管理單元3700還包括RC 3710和PSC 3720。控制信號發(fā)生器3730接收內(nèi)部控制信號CTRL_INT、諸如時(shí)鐘信號的控制信號CLK等等，并且生成用于執(zhí)行帶有清理的刷新操作的各種控制信號SIG_SCREF。當(dāng)接收到用于帶有清理的刷新操作的外部命令時(shí)，控制信號發(fā)生器3730響應(yīng)于內(nèi)部控制信號CTRL_INT控制RC 3710和PSC 3720的計(jì)數(shù)操作。 內(nèi)部控制信號CTRL_INT是通過對外部命令譯碼產(chǎn)生的?？刂菩盘柊l(fā)生器3730生成各種控制信號SIG_SCREF，以控制與帶有清理的刷新操作相關(guān)聯(lián)的組件——如ECC——的操作。由分別由RC 3710和PSC 3720輸出的計(jì)數(shù)信號CNT_R0W和CNT_CLM指定存儲陣列上將對其執(zhí)行帶有清理的刷新操作的數(shù)據(jù)讀取操作或數(shù)據(jù)回寫操作的位置。根據(jù)帶有清理的刷新操作，對從存儲陣列讀取。數(shù)據(jù)執(zhí)行錯(cuò)誤檢測，并且將錯(cuò)誤檢測的結(jié)果提供給檢測信號接收器3740。根據(jù)錯(cuò)誤檢測的結(jié)果，糾錯(cuò)后的數(shù)據(jù)被回寫到存儲陣列。在圖8A中，在半導(dǎo)體存儲器件的初始化期間通過MRS代碼MRS_Code指示清理刷新模式的設(shè)置。MRS代碼MRS_Code被提供給控制信號發(fā)生器3730、檢測信號接收器3740、PSC 3720等等。檢測信號接收器3740和PSC 3720可以根據(jù)MRS代碼MRS_Code而被禁用，并且控制信號發(fā)生器3730根據(jù)MRS代碼MRS_Code執(zhí)行控制操作。當(dāng)設(shè)定帶有清理的刷新模式時(shí)，清理刷新管理單元3700響應(yīng)于外部命令(例如，預(yù)定義的刷新命令，如自動(dòng)刷新命令或自刷新命令)執(zhí)行如上所述的帶有清理的刷新操作。另一方面，當(dāng)未設(shè)定清理刷新模式時(shí)，清理刷新管理單元3700不執(zhí)行清理操作。例如，當(dāng)在那種情況下接收到刷新命令時(shí)，根據(jù)行計(jì)數(shù)器3710的計(jì)數(shù)操作，頁被激活以進(jìn)行刷新操作。此外，在那種情況下，一系列清理操作(如用于數(shù)據(jù)清理的數(shù)據(jù)誤差檢測和糾正以及已糾正數(shù)據(jù)的回寫，等等)被跳過。在圖8A中，清理操作可以根據(jù)MRS代碼MRS_Code被使能或禁用。相反，在圖8B中，清理操作的使能或禁用可以根據(jù)從外部源接收的命令的類型來確定。圖9A和圖9B示出了根據(jù)新定義的命令執(zhí)行帶有清理的刷新操作的存儲器件3000的框圖和時(shí)序圖。參照圖9A，命令譯碼器3300從外部源接收并譯碼帶有清理的刷新命令CMD_SCREF以生成內(nèi)部命令，該內(nèi)部命令被提供給清理刷新管理單元3700。響應(yīng)于內(nèi)部命令執(zhí)行RC 3710和PSC 3720的計(jì)數(shù)操作，并且所述計(jì)數(shù)操作的結(jié)果被分別提供給行譯碼器3210和列譯碼器3220。圖9A中，RC 3710和PSC 3720響應(yīng)從命令譯碼器3300接收的內(nèi)部命令。然而，如上所述，本發(fā)明也可以被實(shí)現(xiàn)為，RC 3710和PSC3720由清理刷新管理單元3700中的其他組件(例如，由控制信號發(fā)生器3730)進(jìn)行控制。
外部地址ADD或內(nèi)部生成的地址ADD經(jīng)由地址緩沖器3400被提供給行譯碼器3210和列譯碼器3220。存儲陣列3100的數(shù)據(jù)和奇偶校驗(yàn)位經(jīng)由驅(qū)動(dòng)/感測放大器3230被提供給ECC 3500，并且順序地經(jīng)歷數(shù)據(jù)錯(cuò)誤檢測/糾正以及回寫操作。參照圖9B，每次接收到帶有清理的刷新命令SCREF時(shí)對頁進(jìn)行激活和刷新(ACT0)。此外，順序地選擇被激活的頁的多個(gè)子頁。例如，選擇激活的頁的第一子頁，對第一子頁的數(shù)據(jù)執(zhí)行錯(cuò)誤檢測/糾正，并且將相應(yīng)的糾錯(cuò)后的數(shù)據(jù)回寫到存儲陣列3100(WR0)。之后，當(dāng)為每個(gè)頁定義了 64個(gè)子頁時(shí)，對第二到第六十四子頁順序地執(zhí)行數(shù)據(jù)錯(cuò)誤檢測/糾正操作和回寫操作(WRl到WR63)。當(dāng)與帶有清理的刷新命令SCREF相對應(yīng)的對頁的數(shù)據(jù)錯(cuò)誤檢測/糾正操作和回寫操作完成時(shí)，通過對頁預(yù)充電(PRE)來去激活該頁。
隨后，當(dāng)接收到下一個(gè)帶有清理的刷新命令SCREF時(shí)，另一頁被激活和刷新(ACT1)。此外，對所述激活的頁的相應(yīng)的64個(gè)子頁執(zhí)行清理操作。當(dāng)存儲陣列3100包括多個(gè)存儲體時(shí)，對所有存儲體的相應(yīng)頁的帶有清理的刷新操作可以同時(shí)執(zhí)行。圖9B示出了響應(yīng)于單個(gè)帶有清理的刷新命令SCREF對單個(gè)頁的所有子頁順序執(zhí)行清理操作。然而，本發(fā)明也可以被實(shí)現(xiàn)為，響應(yīng)于單個(gè)帶有清理的刷新命令SCREF，僅僅對單個(gè)頁的一些子頁執(zhí)行清理操作。在圖9A和圖9B中，使用的是新定義的帶有清理的刷新命令?？梢钥紤]功耗和避免誤差累積之間的折衷來設(shè)置生成帶有清理的刷新命令的頻率。圖10是根據(jù)本發(fā)明的示例實(shí)施例的、在圖9A的半導(dǎo)體存儲器件3000的操作期間的步驟的流程圖。參照圖9A和圖10，DRAM芯片3000從外部控制器接收帶有清理的刷新命令(S21)。響應(yīng)于帶有清理的刷新命令，激活并刷新存儲陣列3100的頁(例如，第η頁)(S22)。讀取第η頁的數(shù)據(jù)(S23)，并且對讀取的數(shù)據(jù)執(zhí)行錯(cuò)誤檢測/糾正操作(S24)。根據(jù)錯(cuò)誤檢測的結(jié)果將糾錯(cuò)后的數(shù)據(jù)回寫到存儲陣列3100 (S25)。如上所述，當(dāng)激活的頁包括多個(gè)子頁時(shí)，響應(yīng)于單個(gè)帶有清理的刷新命令，可以對所有子頁、或者僅僅對一些子頁順序地執(zhí)行清理操作。可以根據(jù)生成帶有清理的刷新命令的周期來確定被清理的子頁的數(shù)量。所述生成帶有清理的刷新命令的周期可以在存儲器件3000的測試期間考慮功耗和避免誤差累積之間的折衷進(jìn)行設(shè)置。圖11是響應(yīng)于諸如例如自動(dòng)刷新命令或自刷新命令的預(yù)定義的已有刷新命令執(zhí)行帶有清理的刷新操作的時(shí)序圖。圖11圖示了自動(dòng)刷新命令REF被用作刷新命令的示例。然而，本發(fā)明也可以被實(shí)現(xiàn)為利用自刷新命令。例如，自刷新命令不是從外部源提供的，而是以預(yù)定周期在半導(dǎo)體存儲器件內(nèi)部生成的。當(dāng)從外部提供的命令具有預(yù)定的信號組合時(shí)，半導(dǎo)體存儲器件進(jìn)入自刷新模式，并且在自刷新模式中，在半導(dǎo)體存儲器件中內(nèi)部地生成用于執(zhí)行自刷新操作的自刷新命令。參照圖11，每次接收到所述自動(dòng)刷新命令REF時(shí)激活和刷新頁(ACT0)。此外，選擇被激活的頁的子頁，如第一子頁。對第一子頁的數(shù)據(jù)執(zhí)行錯(cuò)誤檢測/糾正，并且將糾錯(cuò)后的數(shù)據(jù)回寫到存儲陣列3100(WR0)。當(dāng)響應(yīng)于當(dāng)前自動(dòng)刷新命令REF的回寫操作WRO完成時(shí)，第一頁被去激活和預(yù)充電(PREO)。換句話說，響應(yīng)于自動(dòng)刷新命令REF，整個(gè)激活的第一頁被刷新，但是只對被選擇的第一子頁利用錯(cuò)誤檢測/糾正和回寫操作進(jìn)行了清理。當(dāng)存儲陣列3100包括多個(gè)存儲體時(shí)，可以對所有存儲體的相應(yīng)頁同時(shí)執(zhí)行類似的帶有清理的刷新操作。圖11示出了響應(yīng)于單個(gè)自動(dòng)刷新命令對激活的頁的一個(gè)子頁執(zhí)行的清理操作。然而，本發(fā)明也可以實(shí)踐為，取決于生成自動(dòng)刷新命令REF的周期，對激活的頁的至少兩個(gè)子頁執(zhí)行清理操作。之后，當(dāng)接收到下一個(gè)自動(dòng)刷新命令REF時(shí)，激活并刷新第二頁，并且選擇第二頁的第一子頁。第二頁的被選擇的第一子頁的數(shù)據(jù)經(jīng)歷錯(cuò)誤檢測/糾正，并且糾錯(cuò)后的數(shù)據(jù)被回寫到存儲陣列3100(WR1)。當(dāng)回寫操作WRl完成時(shí)，第二頁被去激活和預(yù)充電(PRE1)。在存儲陣列3100的所有頁都完成了激活和刷新、并且對相應(yīng)的第一子頁執(zhí)行了上述清理之后，在下一個(gè)刷新周期中，順序地選擇激活的頁的相應(yīng)的第二子頁以進(jìn)行清理。類似地，在存儲陣列3100的所有頁都完成了激活和刷新、并且對相應(yīng)的第二子頁執(zhí)行了上述清理之后，在下一個(gè)刷新周期中，順序地選擇激活的頁的相應(yīng)的第三子頁以進(jìn)行清理。 圖11圖示了刷新周期tREF被定義為64ms、在該刷新周期tREF期間激活和刷新存儲體的所有頁的示例。圖11還圖示了單個(gè)頁包括64個(gè)子頁的示例。此外,在圖11中，每個(gè)自動(dòng)刷新命令對單個(gè)子頁執(zhí)行錯(cuò)誤檢測/糾正操作和回寫操作。在那種情況下，在64X64ms內(nèi)執(zhí)行對存儲體的所有頁的所有子頁的清理。數(shù)據(jù)清理不需要執(zhí)行得像存儲陣列的刷新那樣頻繁，因此數(shù)據(jù)清理可以利用更多的時(shí)間來執(zhí)行。在圖11中，DRAM芯片本身執(zhí)行帶有清理的刷新操作而無需特殊的新的刷新和清理命令。圖12是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的在半導(dǎo)體存儲器件中執(zhí)行圖11的帶有清理的刷新操作的步驟的流程圖。參照圖11和圖12，諸如DRAM芯片的半導(dǎo)體存儲器件從外部控制器接收刷新命令(S31)。響應(yīng)于刷新命令，激活并刷新存儲陣列的頁(例如，第η頁)(S32)。讀取第η頁中包括的多個(gè)子頁中被選擇的一個(gè)子頁的數(shù)據(jù)(S33)，并且對這些讀取數(shù)據(jù)執(zhí)行錯(cuò)誤檢測/糾正操作(S34)。根據(jù)錯(cuò)誤檢測的結(jié)果將相應(yīng)的糾錯(cuò)后的數(shù)據(jù)回寫到存儲陣列(S35)。當(dāng)對激活的第η頁的一個(gè)或多個(gè)子頁的清理完成時(shí)，第η頁被去激活(S36)。圖13Α和圖13Β是根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例的存儲系統(tǒng)4000的框圖。圖13Α和圖13Β圖示了在DRAM芯片4210內(nèi)形成清理刷新管理單元4211、并且在控制器4100中形成糾錯(cuò)電路的實(shí)施例。參照圖13Α，存儲系統(tǒng)4000包括控制器4100和具有至少一個(gè)DRAM芯片4210的存儲模塊4200?？刂破?100包括ECC (糾錯(cuò)電路)4110，其從存儲模塊4200接收數(shù)據(jù)和/或奇偶校驗(yàn)位，并且對數(shù)據(jù)執(zhí)行錯(cuò)誤檢測和糾正。此外，每個(gè)DRAM芯片4210包括用于管理帶有清理的刷新操作的清理刷新管理單元4211。如上面參照先前的實(shí)施例所描述的，可以在每個(gè)DRAM芯片4210中包括附加的ECC(圖13Α和13Β中未示出)，以便在帶有清理的刷新操作期間對被選擇的子頁的數(shù)據(jù)執(zhí)行清理操作。圖13Α圖示了作為用于服務(wù)器的RDIMM的存儲模塊4200的示例，該存儲模塊4200具有安裝在存儲模塊4200的模塊板上的寄存器4220和鎖相環(huán)(PLL) 4230?？刂破?110和存儲模塊4200通過經(jīng)由各種系統(tǒng)總線交換數(shù)據(jù)DQ、命令/地址CA以及時(shí)鐘信號CLK來相互通信。數(shù)據(jù)DQ經(jīng)由模塊板上的數(shù)據(jù)總線(未示出)被提供給每個(gè)DRAM芯片4210，并且寄存器4220緩沖命令/地址CA并將其提供給每個(gè)DRAM芯片4210。PLL 4230接收時(shí)鐘信號CLK，通過調(diào)整原始時(shí)鐘信號CLK的相位生成一個(gè)或多個(gè)時(shí)鐘信號CLKs,并且將經(jīng)過相位調(diào)整的時(shí)鐘信號CLKs提供給每個(gè)DRAM芯片4210。圖13B是具有多個(gè)DRAM芯片4210和單個(gè)ECC芯片4240的存儲模塊4200的框圖。ECC芯片4240可以被實(shí)現(xiàn)為DRAM芯片，并且存儲用于錯(cuò)誤檢測和糾正的奇偶校驗(yàn)位。從DRAM芯片4210讀取的數(shù)據(jù)以及從ECC芯片4240讀取的奇偶校驗(yàn)位被提供給控制器4110，并且控制器4110檢測和糾正讀取的數(shù)據(jù)中的錯(cuò)誤。為了進(jìn)行帶有清理的刷新操作，從控制器4110向存儲模塊4200提供新定義的帶有清理的刷新命令或預(yù)定義的已有刷新命令。DRAM芯片4210響應(yīng)于所述命令執(zhí)行帶有清理的刷新操作。為了實(shí)現(xiàn)這一點(diǎn)，將從每個(gè)DRAM芯片4210的存儲陣列(未示出)讀取的數(shù)據(jù)和/或奇偶校驗(yàn)位提供給每個(gè)DRAM芯片4210中包括的ECC。根據(jù)錯(cuò)誤檢測的結(jié)果，當(dāng)數(shù)據(jù)中包括錯(cuò)誤比特時(shí)，錯(cuò)誤比特被糾正，以生成糾錯(cuò)后的數(shù)據(jù)，并且糾錯(cuò)后的數(shù)據(jù)被回寫到存儲陣列。在圖13A和圖13B中，用于帶有清理的刷新的錯(cuò)誤檢測/糾正操作與用于糾正讀取數(shù)據(jù)的單比特錯(cuò)誤的錯(cuò)誤檢測/糾正操作分離。在這種情況下，帶有清理的刷新操作不 影響等待時(shí)間，從而使帶有清理的刷新操作提供了更強(qiáng)的錯(cuò)誤檢測/糾正。例如，可以在帶有清理的刷新操作期間糾正多比特錯(cuò)誤，而在數(shù)據(jù)讀取操作期間由控制器4110糾正單比特錯(cuò)誤。圖14A和圖14B是根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)不例實(shí)施例的具有聞級存儲緩沖器(advanced memory buffer,AMB)5220的存儲系統(tǒng)5000的框圖。圖14A和圖14B圖不了帶有清理的刷新操作在DRAM芯片內(nèi)執(zhí)行、而對讀取的數(shù)據(jù)的糾錯(cuò)在控制器5100中執(zhí)行的另一個(gè)示例。圖14A的存儲模塊5200被實(shí)現(xiàn)為全緩沖DIMM(fully-buffered DIMM，F(xiàn)BDIMM)。參照圖14A，存儲系統(tǒng)5000包括控制器5100和存儲模塊5200，該存儲模塊5200具有至少一個(gè)DRAM芯片5210和高級存儲緩沖器(AMB) 5220。FBDIMM (全緩沖DIMM)類型的存儲模塊5200與控制器5100串行通信，該控制器5100以點(diǎn)對點(diǎn)方式連接到AMB 5220。因此，為了實(shí)現(xiàn)存儲系統(tǒng)5000的大容量，可以增加連接到存儲系統(tǒng)5000的存儲模塊5200的數(shù)量。此外，F(xiàn)BDIMM 5200可以使用分組協(xié)議高速工作?？刂破?100包括ECC (糾錯(cuò)電路)5110，其從存儲模塊5200接收數(shù)據(jù)和/或奇偶校驗(yàn)位，并且對數(shù)據(jù)執(zhí)行錯(cuò)誤檢測和糾正。此外，每個(gè)DRAM芯片5210包括用于執(zhí)行帶有清理的刷新操作的清理刷新管理單元5211。如上面參照先前的實(shí)施例所描述的，可以在每個(gè)DRAM芯片5210中包括用于錯(cuò)誤檢測/糾正的ECC (圖14A和14B中未示出)，以用于在帶有清理的刷新操作期間對所選擇的子頁執(zhí)行清理操作。圖14B是圖14A的存儲模塊5200的示例實(shí)現(xiàn)方式的框圖。參照圖14B，存儲模塊5200包括多個(gè)DRAM芯片5210和AMB 5220。在數(shù)據(jù)讀取期間，從DRAM芯片5210讀取的數(shù)據(jù)和/或奇偶校驗(yàn)位經(jīng)由AMB 5220被提供給控制器5100，并且控制器5100的ECC 5110檢測并糾正讀取的數(shù)據(jù)中的單比特錯(cuò)誤。此外，DRAM芯片5210響應(yīng)于來自控制器5100的新定義的帶有清理的刷新命令或預(yù)定義的已有刷新命令執(zhí)行帶有清理的刷新操作。在帶有清理的刷新操作期間，將從每個(gè)DRAM芯片5210的存儲陣列(未示出)讀取的數(shù)據(jù)和/或奇偶校驗(yàn)位提供給每個(gè)DRAM芯片5210中包括的ECC。根據(jù)錯(cuò)誤檢測的結(jié)果，當(dāng)在數(shù)據(jù)中檢測到錯(cuò)誤比特時(shí)，錯(cuò)誤比特被糾正，以生成糾錯(cuò)后的數(shù)據(jù)，并且糾錯(cuò)后的數(shù)據(jù)被回寫到存儲陣列。在圖14A和圖14B的實(shí)施例中，用于帶有清理的刷新的錯(cuò)誤檢測/糾正操作與用于糾正讀取數(shù)據(jù)的單比特錯(cuò)誤的錯(cuò)誤檢測/糾正操作分離。例如，多比特錯(cuò)誤可以在帶有清理的刷新操作期間糾正，而單比特錯(cuò)誤在數(shù)據(jù)讀取操作期間由控制器4110糾正。因而，可以避免因DRAM單元的大小減小而產(chǎn)生不可糾正的錯(cuò)誤(例如，多比特錯(cuò)誤)。圖13A、圖13B、圖14A和圖14B圖示了存儲模塊是RDIMM或FBDIMM之一。然而，本發(fā)明不局限于這樣的示例存儲模塊類型。上面描述的本發(fā)明實(shí)施例的帶有清理的刷新操作可以應(yīng)用于各種類型的半導(dǎo)體存儲器、存儲模塊、系統(tǒng)等等，如不同類型的存儲模塊，包括單列存儲模塊(single in-line memory module, SIMM)、雙列存儲模塊(dualin-line memory module, DIMM)、小外形 DIMM (small-outline DIMM, SO-DIMM)、無緩沖DIMM (unbuffered DIMM，UDIMM)、區(qū)塊緩沖 DIMM (rank-buffered DIMM，RBDIMM)、迷你 DIMM(mini-DIMM)或微 DIMM (micro-DIMM)。

圖15是圖示根據(jù)本發(fā)明示例實(shí)施例的用于修復(fù)在帶有清理的刷新操作期間檢測到的硬故障的步驟的流程圖。當(dāng)連續(xù)地執(zhí)行帶有清理的刷新操作時(shí)，可以獲得存儲陣列的總誤差統(tǒng)計(jì)。具體來說，可以檢測因緣于物理缺陷的硬故障而非軟故障所致的數(shù)據(jù)錯(cuò)誤，從而通過修復(fù)存儲陣列中具有硬故障的行和/或列來避免將來的錯(cuò)誤。參照圖15，在從外部控制器接收到新定義的帶有清理的刷新命令或預(yù)定義的已有刷新命令之后，帶有清理的刷新操作開始(S41)。因此，執(zhí)行對存儲陣列的數(shù)據(jù)讀取操作以便進(jìn)行數(shù)據(jù)清理(S42)，并且對這些讀取數(shù)據(jù)執(zhí)行錯(cuò)誤檢測操作(S43)。當(dāng)沒有檢測到錯(cuò)誤時(shí)，對下一個(gè)讀取的數(shù)據(jù)再次執(zhí)行錯(cuò)誤檢測操作(S43)。另一方面，如果檢測到錯(cuò)誤，則從檢測到錯(cuò)誤的位置再次讀取數(shù)據(jù)(S44)，并且對再次讀取的數(shù)據(jù)執(zhí)行錯(cuò)誤檢測操作(S45)。當(dāng)在相同位置沒有再次檢測到錯(cuò)誤時(shí)，對下一個(gè)讀取的數(shù)據(jù)再次執(zhí)行錯(cuò)誤檢測操作(S43)。另一方面，當(dāng)在相同位置再次檢測到錯(cuò)誤時(shí)(S45)，確定錯(cuò)誤是因硬故障所致，并且向外部控制器輸出請求停止當(dāng)前操作的保持信號(S46)。在圖15中，當(dāng)在相同位置兩次檢測到錯(cuò)誤時(shí)，確定錯(cuò)誤出現(xiàn)是因硬故障所致。然而，本發(fā)明也可以被實(shí)現(xiàn)為以不同的標(biāo)準(zhǔn)來確定硬故障的出現(xiàn)。之后，執(zhí)行用于將存儲陣列中具有硬故障的有缺陷區(qū)域(例如，行和/或列區(qū)域)替換為冗余區(qū)域的操作。首先，確定用于這種替換的冗余資源的可用性(S47)。如果存在冗余資源，則將具有硬故障的有缺陷區(qū)域的數(shù)據(jù)移到存儲陣列的另一個(gè)區(qū)域(S48)。之后，用冗余資源替換有缺陷的區(qū)域，并且通過將數(shù)據(jù)移動(dòng)到冗余資源而修復(fù)數(shù)據(jù)(S49)。隨后，輸出請求外部控制器繼續(xù)保持操作(held operation)的請求信號(S50)。另一方面,如果不存在冗余資源，則具有硬故障的相應(yīng)的DRAM芯片被確定為是故障的(S51)。上述帶有清理的刷新操作可以同樣地或類似地應(yīng)用于圖15的本實(shí)施例。例如，盡管圖15中未示出，但是當(dāng)在從讀取的數(shù)據(jù)中檢測錯(cuò)誤的步驟S43檢測到錯(cuò)誤時(shí)，可以糾正該錯(cuò)誤，并且可以將糾錯(cuò)后的數(shù)據(jù)回寫到存儲陣列中的相同位置。之后，對回寫的數(shù)據(jù)執(zhí)行再次讀取操作(S44)，并且對再次讀取操作的結(jié)果執(zhí)行錯(cuò)誤再檢測操作(S45)，以確定是否存在硬故障。圖16是根據(jù)本發(fā)明的示例實(shí)施例的執(zhí)行圖15的步驟的DRAM芯片6000的框圖。DRAM芯片6000包括DRAM單元的存儲陣列6100、行譯碼器6210、列譯碼器6220、驅(qū)動(dòng)/感測放大器6230、命令譯碼器6300、地址緩沖器6400、ECC (糾錯(cuò)電路)6500以及RD (讀數(shù)據(jù))通路6610和WD (寫數(shù)據(jù))通路6620。為了檢測硬故障和修復(fù)操作，DRAM芯片6000還包括用于管理帶有清理的刷新操作的清理刷新管理單元6700、用于檢測硬故障的存在的硬故障檢測器6800、以及用于修復(fù)硬故障的修復(fù)邏輯單元6900。存儲陣列6100還可以包括用于替換具有硬故障的有缺陷區(qū)域的冗余區(qū)域。清理刷新管理單元6700包括至少一個(gè)計(jì)數(shù)器，如RC (行計(jì)數(shù)器)6710和PSC (頁段計(jì)數(shù)器)6720。硬故障檢測器6800包括用于對產(chǎn)生錯(cuò)誤的次數(shù)計(jì)數(shù)的錯(cuò)誤計(jì)數(shù)器6810。圖16的DRAM芯片6000中與先前實(shí)施例相同或類似的組件與先前實(shí)施例中的那些組件類似地工作，因此這里省略對它們的詳細(xì)描述。當(dāng)從外部控制器接收到新定義的帶有清理的刷新命令或預(yù)定義的已有刷新命令 時(shí)，在DRAM芯片6000內(nèi)執(zhí)行帶有清理的刷新操作。清理刷新管理單元6700響應(yīng)于所述接收的命令執(zhí)行計(jì)數(shù)操作。根據(jù)RC 6710的計(jì)數(shù)結(jié)果，在存儲陣列6100中選擇將對其執(zhí)行刷新的頁。此外，根據(jù)PSC 6720計(jì)數(shù)的結(jié)果，從所選擇的頁中選擇將對其執(zhí)行清理的子頁。所選擇的子頁的數(shù)據(jù)被提供給ECC 6500，并且錯(cuò)誤檢測結(jié)果被提供給硬故障檢測器6800。當(dāng)檢測到錯(cuò)誤時(shí)，對存儲陣列6100上的相同位置執(zhí)行數(shù)據(jù)再次讀取操作。再次讀取的數(shù)據(jù)也被提供給ECC 6500，并且錯(cuò)誤檢測的結(jié)果被提供給硬故障檢測器6800。硬故障檢測器6800對從讀取自相同位置的數(shù)據(jù)中檢測到錯(cuò)誤的次數(shù)進(jìn)行計(jì)數(shù)。當(dāng)計(jì)數(shù)的數(shù)量等于或大于預(yù)定閾值時(shí)，硬故障檢測器6800確定在存儲陣列6100的相同位置中產(chǎn)生了硬故障。檢測的結(jié)果被提供給修復(fù)邏輯單元6900，修復(fù)邏輯單元6900將存儲陣列6100中具有硬故障的有缺陷區(qū)域替換為冗余區(qū)域。該置換可以通過將具有硬故障的有缺陷區(qū)域的地址與冗余區(qū)域的地址進(jìn)行交換來執(zhí)行。修復(fù)邏輯單元6900利用這樣的地址交換來將具有硬故障的有缺陷區(qū)域替換為冗余區(qū)域。圖17是根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)示例實(shí)施例的、執(zhí)行圖15的步驟的DRAM芯片7000的框圖。DRAM芯片7000包括DRAM單元的存儲陣列7100、行譯碼器7210、列譯碼器7220、驅(qū)動(dòng)/感測放大器7230、命令譯碼器7300、地址緩沖器7400、ECC (糾錯(cuò)電路)7500以及RD(讀數(shù)據(jù))通路7610和WD (寫數(shù)據(jù))通路7620。為了檢測硬故障和修復(fù)操作，DRAM芯片7000還包括用于管理帶有清理的刷新操作的清理刷新管理單元7700、用于檢測硬故障的硬故障檢測器7800、以及陣列電壓生成器7900。清理刷新管理單元7700包括至少一個(gè)計(jì)數(shù)器，如RC (行計(jì)數(shù)器)7710和PSC (頁段計(jì)數(shù)器)7720。硬故障檢測器7800包括用于對錯(cuò)誤出現(xiàn)的次數(shù)進(jìn)行計(jì)數(shù)的錯(cuò)誤計(jì)數(shù)器7810。當(dāng)從外部控制器接收到新定義的帶有清理的刷新命令或預(yù)定義的已有刷新命令時(shí)，在DRAM芯片7000內(nèi)執(zhí)行帶有清理的刷新操作。從存儲陣列7100讀取將對其執(zhí)行清理的數(shù)據(jù)，并將其提供給ECC 7500。錯(cuò)誤檢測的結(jié)果被提供給硬故障檢測器7800，并且根據(jù)錯(cuò)誤檢測的結(jié)果執(zhí)行針對存儲陣列7100的相同位置的數(shù)據(jù)再次讀取操作。針對再次讀取的數(shù)據(jù)的錯(cuò)誤檢測結(jié)果被提供給硬故障檢測器7800，硬故障檢測器7800向陣列電壓生成器7900提供代表在相同位置的錯(cuò)誤檢測結(jié)果的結(jié)果信號。該結(jié)果信號是控制信號，用于改變陣列電壓生成器7900生成的陣列電壓的電平，以便在存儲陣列7100上應(yīng)用。換句話說，硬故障檢測器7800在帶有清理的刷新操作期間監(jiān)視存儲陣列7100中的故障率，以便根據(jù)監(jiān)視結(jié)果生成用于增大或降低陣列電壓的電平的控制信號?？商鎿Q地，可以以其他形式實(shí)現(xiàn)對存儲陣列中的硬故障的修復(fù)操作。例如，可以監(jiān)視在存儲陣列7100中產(chǎn)生還是未產(chǎn)生硬故障，并且可以根據(jù)硬故障檢測結(jié)果執(zhí)行糾正，以減少在數(shù)據(jù)讀取操作期間的錯(cuò)誤出現(xiàn)率。錯(cuò)誤出現(xiàn)率信息可以被提供給外部控制器，外部控制器通過調(diào)整例如刷新周期來減少錯(cuò)誤。圖18是根據(jù)此處描述的本發(fā)明的實(shí)施例的具有帶有清理的刷新的存儲系統(tǒng)8000A的框圖。存儲系統(tǒng)8000A包括存儲控制器8100A和存儲模塊8200A。存儲模塊8200A包括安裝在模塊板上的主芯片8210A和至少一個(gè)從芯片8220A。例如，在圖18中，在模塊板上安裝了一個(gè)主芯片8210A和η個(gè)從芯片8220Α。 主芯片8210Α向存儲控制器8100Α傳送/從存儲控制器8100Α接收諸如時(shí)鐘信號這樣的控制信號CLK、命令/地址信號CA和數(shù)據(jù)DQ。主芯片8210Α包括用于與存儲控制器8100Α接口的接口電路(未示出)。主芯片8210Α將來自存儲控制器8100Α的信號經(jīng)由接口電路傳送到從芯片8220Α，并且將來自從芯片8220Α的信號傳送到存儲控制器8100Α。為了執(zhí)行帶有清理的刷新操作，主芯片8210Α包括清理刷新管理單元8211Α，該清理刷新管理單元8211Α響應(yīng)于來自存儲控制器8100Α的新定義的帶有清理的刷新命令或預(yù)定義的已有刷新命令而工作。在帶有清理的刷新操作期間，主芯片8210Α和/或從芯片8220Α的數(shù)據(jù)被提供給主芯片8210Α的ECC (糾錯(cuò)電路，未示出)，以便根據(jù)錯(cuò)誤檢測結(jié)果執(zhí)行糾錯(cuò)和回寫操作。此外，在帶有清理的刷新操作期間可以監(jiān)視主芯片8210Α和從芯片8220Α的錯(cuò)誤統(tǒng)計(jì)，以便修復(fù)主芯片82IOA中的硬故障。盡管圖18中未示出，但是用于帶有清理的刷新操作的ECC操作可以與用于讀/寫操作的ECC操作分離，或者可以不與用于讀/寫操作的ECC操作分離。例如，如果這些ECC操作都在主芯片8210Α內(nèi)，則用于讀/寫操作的ECC操作在主芯片8210Α內(nèi)執(zhí)行，并且在主芯片8210Α內(nèi)糾正讀取的數(shù)據(jù)的單比特錯(cuò)誤。另一方面，如果這些ECC操作相互分離，則用于帶有清理的刷新操作的ECC操作在主芯片8210Α內(nèi)執(zhí)行，并且用于讀/寫操作的ECC操作在控制器8100Α內(nèi)執(zhí)行。圖19是根據(jù)此處描述的本發(fā)明的實(shí)施例的具有帶有清理的刷新的存儲系統(tǒng)8000Β的框圖。存儲系統(tǒng)8000Β包括存儲控制器8100Β和存儲模塊8200Β。存儲模塊8200Β包括安裝在模塊板的多個(gè)半導(dǎo)體存儲器件8210Β，每個(gè)半導(dǎo)體存儲器件8210Β具有多個(gè)堆疊的DRAM芯片。每個(gè)DRAM芯片8210Β包括至少一個(gè)主芯片8211Β和至少一個(gè)從芯片8212Β，所述至少一個(gè)主芯片8211Β和至少一個(gè)從芯片8212Β經(jīng)由貫穿娃通孔(through siliconvia, TSV)相互發(fā)送和接收至少一個(gè)信號。主芯片821IB向存儲控制器8100B傳送并且從存儲控制器8100B接收諸如時(shí)鐘信號這樣的控制信號CLK、命令/地址信號CA和數(shù)據(jù)DQ。主芯片8211B還經(jīng)由TSV向從芯片8212B傳送外部信號，并且將來自從芯片8212B的信號提供給存儲控制器8100B。為了執(zhí)行帶有清理的刷新操作，主芯片8210B包括清理刷新管理單元，該清理刷新管理單元響應(yīng)于來自存儲控制器8100B的新定義的帶有清理的刷新命令或預(yù)定義的已有刷新命令而工作。在帶有清理的刷新操作期間，將相應(yīng)半導(dǎo)體存儲器件8210B中的數(shù)據(jù)和/或奇偶校驗(yàn)位提供給主芯片8211B，并且根據(jù)錯(cuò)誤檢測的結(jié)果對數(shù)據(jù)執(zhí)行糾錯(cuò)和回寫操作。如在前述實(shí)施例中描述的，在帶有清理的刷新操作期間可以監(jiān)視主芯片8211B和從芯片8212B的錯(cuò)誤統(tǒng)計(jì)，以便執(zhí)行主芯片821IB中的硬故障的修復(fù)。圖20是根據(jù)此處描述的本發(fā)明的實(shí)施例的計(jì)算系統(tǒng)9000的框圖，在該計(jì)算系統(tǒng)9000上安裝了存儲系統(tǒng)，該存儲系統(tǒng)具有帶有清理的刷新。RAM (隨機(jī)存取存儲器)9200被安裝在諸如移動(dòng)設(shè)備或臺式計(jì)算機(jī)的信息處理系統(tǒng)中。根據(jù)此處描述的本發(fā)明的實(shí)施例，RAM 9200可以作為半導(dǎo)體存儲器件或者在存儲模塊中具有帶有清理的刷新。RAM 9200可以包括存儲器件和存儲控制器。計(jì)算系統(tǒng)9000包括各自電連接到總線9500的CPU 9100、RAM 9200、用戶接口9300和非易失性存儲器9400。非易失性存儲器9400可以是大容量存儲設(shè)備，如SSD(固態(tài)驅(qū)動(dòng)器)或HDD (硬盤驅(qū)動(dòng)器)。 在計(jì)算系統(tǒng)9000中，RAM 9200包括多個(gè)DRAM芯片(未示出)，該DRAM芯片具有用于存儲數(shù)據(jù)的DRAM單元。每個(gè)DRAM芯片被配置成根據(jù)此處描述的本發(fā)明實(shí)施例執(zhí)行帶有清理的刷新操作。例如，RAM 9200中包括的每個(gè)DRAM芯片被配置為響應(yīng)于來自控制器的命令，順序地執(zhí)行數(shù)據(jù)讀取、錯(cuò)誤檢測/糾正和數(shù)據(jù)回寫操作。因此，可以避免錯(cuò)誤在存儲于DRAM芯片中的數(shù)據(jù)中累積，從而可以從DRAM芯片讀取可靠的數(shù)據(jù)以在計(jì)算系統(tǒng)9000中使用。圖21是根據(jù)本發(fā)明的示例實(shí)施例的具有刷新管理單元3700的半導(dǎo)體存儲器件3000A的框圖，所述刷新管理單元3700用于控制帶有清理的刷新操作和不帶有清理的刷新操作。類似于圖6的半導(dǎo)體存儲器件3000，圖21的半導(dǎo)體存儲器件3000A包括刷新管理單元3700、命令譯碼器(CMDDEC) 3300、列譯碼器(COL DEC) 3220、行譯碼器(ROW DEC) 3210和糾錯(cuò)電路(ECC)單元3500。此外，類似于圖6的半導(dǎo)體存儲器件3000，圖21的刷新管理單元3700包括至少一個(gè)計(jì)數(shù)器，如行計(jì)數(shù)器(RC) 3710 (即，頁計(jì)數(shù)器)和頁段計(jì)數(shù)器(PSO 3720。然而，圖21的刷新管理單元3700還包括M+N比特刷新命令計(jì)數(shù)器3715。圖22是根據(jù)本發(fā)明的示例實(shí)施例的、在圖21的半導(dǎo)體存儲器件3000A操作期間的步驟的流程圖。此外，圖23圖示了根據(jù)本發(fā)明的示例實(shí)施例的、由圖21的半導(dǎo)體存儲器件3000A執(zhí)行的多個(gè)帶有清理的刷新操作和不帶有清理的刷新操作。參照圖21和圖22，諸如例如在半導(dǎo)體存儲器件3000A上電時(shí)，刷新管理單元3700的計(jì)數(shù)器3710、3715和3720被初始化(步驟S61 )。命令譯碼器3300從例如外存儲控制器接收刷新命令(步驟S62)。刷新命令可以是來自控制器的新定義的帶有清理的刷新命令(即，特殊刷新和清理命令)或預(yù)定義的已有刷新命令(如自動(dòng)刷新命令或自刷新命令)。刷新命令計(jì)數(shù)器3715受到命令譯碼器300的控制，以便在每次命令譯碼器3300接收到這樣的刷新命令時(shí)遞增刷新命令計(jì)數(shù)(步驟S63)。在本發(fā)明的示例實(shí)施例中，刷新命令計(jì)數(shù)器3715是M+N比特計(jì)數(shù)器。當(dāng)刷新命令計(jì)數(shù)器3715第一次計(jì)數(shù)且遞增到最低有效的N比特時(shí)(步驟S64 :否)，刷新命令計(jì)數(shù)器3715對行計(jì)數(shù)器3710進(jìn)行控制，以便執(zhí)行不帶有清理的刷新操作(S66)。例如，控制行計(jì)數(shù)器3710生成行地址，從而使存儲陣列存儲單元的相應(yīng)頁(即，行)被激活以便進(jìn)行刷新而不在該行內(nèi)進(jìn)行任何數(shù)據(jù)清理?？商鎿Q地，控制行計(jì)數(shù)器3710順序地生成多個(gè)行地址，從而使存儲陣列的相應(yīng)頁(即，列)被激活以進(jìn)行刷新而不在所述頁內(nèi)進(jìn)行任何
數(shù)據(jù)清理。在刷新命令計(jì)數(shù)器3715從最低有效的N比特遞增至最高有效的M比特之后(步驟S64 :是)，刷新命令計(jì)數(shù)器3715S控制行計(jì)數(shù)器3710和頁段計(jì)數(shù)器3720從而執(zhí)行帶有清理的刷新操作(S65)。例如，控制行計(jì)數(shù)器3710生成行地址，從而使存儲陣列的相應(yīng)頁(SP，行)被激活以便進(jìn)行刷新。此外，控制頁段計(jì)數(shù)器3720生成至少一個(gè)頁段地址，從而對該頁內(nèi)的至少一個(gè)相應(yīng)頁段執(zhí)行數(shù)據(jù)清理。這樣的數(shù)據(jù)清理包括從所述頁段讀取數(shù)據(jù)，錯(cuò)誤檢測/糾正，為所述頁段回寫糾錯(cuò)后的數(shù)據(jù)。 可替換地，在步驟S65，控制行計(jì)數(shù)器3710順序地生成多個(gè)行地址，從而使存儲陣列的相應(yīng)頁(即，列)被激活以進(jìn)行刷新。此外，在那種情況下，控制頁段計(jì)數(shù)器3720生成至少一個(gè)頁段地址，從而對所述行中的每一行內(nèi)的至少一個(gè)相應(yīng)頁段執(zhí)行數(shù)據(jù)清理。參照圖23，以這種方式，多個(gè)帶有清理的刷新操作(R+S)中的每一個(gè)在多個(gè)不帶有清理的刷新(R)操作之間執(zhí)行。例如，在圖23中，每個(gè)帶有清理的刷新操作(R+S)在刷新命令計(jì)數(shù)器3715所計(jì)數(shù)的每個(gè)第四個(gè)刷新命令處執(zhí)行。因而，以第一頻率對存儲陣列的頁執(zhí)行刷新，并且以小于第一頻率的第二頻率對存儲陣列的頁執(zhí)行清理。例如，如圖23中所示，刷新頁的第一頻率是對頁進(jìn)行數(shù)據(jù)清理的第二頻率的四倍。此外，在圖23中，帶有清理的刷新(R+S)與三個(gè)不帶有清理的刷新(R)在時(shí)間上交替。因而，對存儲陣列執(zhí)行的不帶有清理的刷新操作的第一數(shù)量高于對存儲陣列執(zhí)行的帶有清理的刷新操作的第二數(shù)量。在本發(fā)明的替換實(shí)施例中，圖23中的每個(gè)不帶有清理的刷新(R)操作響應(yīng)于從存儲控制器生成的、諸如自動(dòng)刷新命令或自刷新命令(第一類型刷新命令)的預(yù)定義的已有刷新命令而執(zhí)行。此外，在圖23中，在那種情況下，每個(gè)帶有清理的刷新(R+S)操作響應(yīng)于從存儲控制器生成的新定義的特殊刷新和清理命令(即，第二類型刷新命令)而執(zhí)行。在本發(fā)明的另外的實(shí)施例中，當(dāng)新定義的特殊刷新和清理命令被生成時(shí)，對諸如例如圖9B中圖示的至少兩個(gè)子頁中的每一個(gè)順序地執(zhí)行帶有清理的刷新。之后，在對至少兩個(gè)子頁執(zhí)行所述帶有清理的刷新之后，通過對具有所述子頁的頁預(yù)充電來將該頁去激活。在本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例中，生成刷新和清理命令(R+S)的周期是在刷新和清理命令之間生成的不帶有清理的刷新命令(R)的周期的2η倍，其中，η是自然數(shù)，例如在圖23的示例中η是2。在本發(fā)明的替換實(shí)施例中，每個(gè)不帶有清理的刷新(圖23中的R)響應(yīng)于自刷新命令而執(zhí)行。此外，在那種情況下，每個(gè)帶有清理的刷新(圖23中的R+S)根據(jù)響應(yīng)于自刷新命令而生成的內(nèi)部刷新命令的計(jì)數(shù)而執(zhí)行。在這種情況下，刷新命令計(jì)數(shù)器3715接收所述響應(yīng)于自刷新命令生成的內(nèi)部刷新命令,并對該內(nèi)部刷新命令計(jì)數(shù)。通過這樣的方式，對存儲器件執(zhí)行的不帶有清理的刷新(R)的第一總數(shù)量大于對存儲器件執(zhí)行的帶有清理的刷新(R+S)的第二總數(shù)量。數(shù)據(jù)清理會增加存儲器件的功耗，因此不需要像存儲器件的刷新那樣頻繁地執(zhí)行。因而，通過以低于數(shù)據(jù)刷新的頻率執(zhí)行數(shù)據(jù)清理，可以使過度功耗最小化，同時(shí)也使數(shù)據(jù)錯(cuò)誤累積最小化。
雖然已經(jīng)參照本發(fā)明的示例性實(shí)施例具體示出和描述了本發(fā)明，但將會理解，可以對其進(jìn)行形式上和細(xì)節(jié)上的各種改變而不會脫離權(quán)利要求所限定的本發(fā)明的精神和范圍。
權(quán)利要求
1.一種刷新存儲器件的方法，包括 對存儲器件的相應(yīng)部分執(zhí)行至少一次不帶有清理的刷新；以及 對存儲器件的相應(yīng)部分執(zhí)行至少一次帶有清理的刷新。
2.如權(quán)利要求I所述的方法，其中，以第一頻率對存儲器件的一部分執(zhí)行不帶有清理的刷新，并且以小于所述第一頻率的第二頻率對存儲器件的所述部分執(zhí)行帶有清理的刷新。
3.如權(quán)利要求I所述的方法，其中，所述不帶有清理的刷新與所述帶有清理的刷新在時(shí)間上交替。
4.如權(quán)利要求I所述的方法，其中，所述至少一次不帶有清理的刷新的第一數(shù)量高于所述至少一次帶有清理的刷新的第二數(shù)量。
5.如權(quán)利要求4所述的方法，其中，每個(gè)帶有清理的刷新在多個(gè)不帶有清理的刷新之間執(zhí)行。
6.如權(quán)利要求I所述的方法，其中，每個(gè)不帶有清理的刷新響應(yīng)于從存儲控制器生成的第一類型刷新命令而執(zhí)行，并且其中，每個(gè)帶有清理的刷新響應(yīng)于從存儲控制器生成的第二類型刷新命令而執(zhí)行。
7.如權(quán)利要求6所述的方法，其中，每個(gè)不帶有清理的刷新響應(yīng)于從存儲控制器生成的自動(dòng)刷新命令或自刷新命令而執(zhí)行。
8.如權(quán)利要求7所述的方法，其中，每個(gè)帶有清理的刷新響應(yīng)于從存儲控制器生成的特殊刷新和清理命令而執(zhí)行。
9.如權(quán)利要求8所述的方法，其中，當(dāng)特殊刷新和清理命令被生成時(shí)，該方法包括如下步驟 對存儲器件的至少兩個(gè)子頁中的每一個(gè)順序地執(zhí)行對應(yīng)的帶有清理的刷新。
10.如權(quán)利要求9所述的方法，還包括 在對存儲器件的所述至少兩個(gè)子頁執(zhí)行所述帶有清理的刷新之后，對存儲器件的所述至少兩個(gè)子頁預(yù)充電。
11.如權(quán)利要求I所述的方法，其中，每個(gè)不帶有清理的刷新響應(yīng)于從存儲控制器生成的第一類型刷新命令而執(zhí)行，并且其中，每個(gè)帶有清理的刷新響應(yīng)于從刷新命令計(jì)數(shù)器生成的刷新和清理命令而執(zhí)行。
12.如權(quán)利要求11所述的方法，其中，生成刷新和清理命令的周期是生成第一類型刷新命令的周期的2n倍，其中η是自然數(shù)。
13.如權(quán)利要求I所述的方法，其中，每個(gè)不帶有清理的刷新響應(yīng)于自刷新命令而執(zhí)行，并且其中，每個(gè)帶有清理的刷新根據(jù)響應(yīng)于自刷新命令生成的內(nèi)部刷新命令的計(jì)數(shù)而執(zhí)行。
14.如權(quán)利要求I所述的方法，其中，對存儲器件執(zhí)行的所述至少一次不帶有清理的刷新的第一總數(shù)量大于對存儲器件執(zhí)行的所述至少一次帶有清理的刷新的第二總數(shù)量。
15.如權(quán)利要求I所述的方法，其中，每個(gè)帶有清理的刷新或每個(gè)不帶有清理的刷新針對存儲單元的對應(yīng)頁執(zhí)行。
16.如權(quán)利要求I所述的方法，其中，每個(gè)不帶有清理的刷新針對存儲單元的對應(yīng)頁執(zhí)行，并且其中，每個(gè)帶有清理的刷新針對存儲單元的對應(yīng)子頁執(zhí)行。
17.一種存儲器件中的刷新管理單元，所述刷新管理單元包括 第一計(jì)數(shù)器，用于控制對存儲器件的相應(yīng)部分的至少一次不帶有清理的刷新的執(zhí)行；以及 第二計(jì)數(shù)器，用于控制對存儲器件的相應(yīng)部分的至少一次帶有清理的刷新的執(zhí)行。
18.如權(quán)利要求17所述的刷新管理單元，還包括 作為第一計(jì)數(shù)器的頁計(jì)數(shù)器，用于生成對其執(zhí)行所述不帶有清理的刷新的刷新地址；以及 作為第二計(jì)數(shù)器的刷新命令計(jì)數(shù)器，用于控制所述帶有清理的刷新和所述不帶有清理的刷新的定時(shí)。
19.如權(quán)利要求18所述的刷新管理單元，還包括 頁段計(jì)數(shù)器，用于生成對其執(zhí)行所述帶有清理的刷新的子頁的地址。
20.如權(quán)利要求19所述的刷新管理單元，其中，每個(gè)不帶有清理的刷新針對存儲單元的對應(yīng)頁執(zhí)行，并且其中，每個(gè)帶有清理的刷新針對存儲單元的對應(yīng)子頁執(zhí)行。
21.如權(quán)利要求19所述的刷新管理單元，其中，所述頁計(jì)數(shù)器以第一頻率生成對其執(zhí)行不帶有清理的刷新的刷新地址，并且其中，所述頁段計(jì)數(shù)器以小于第一頻率的第二頻率生成對其執(zhí)行帶有清理的刷新的子頁地址。
22.如權(quán)利要求18所述的刷新管理單元，其中，每個(gè)不帶有清理的刷新響應(yīng)于自刷新命令而執(zhí)行，并且其中，每個(gè)帶有清理的刷新根據(jù)刷新命令計(jì)數(shù)器而執(zhí)行，該刷新命令計(jì)數(shù)器對響應(yīng)于自刷新命令生成的內(nèi)部刷新命令進(jìn)行計(jì)數(shù)。
23.如權(quán)利要求17所述的刷新管理單元，其中，所述至少一次不帶有清理的刷新與所述至少一次帶有清理的刷新在時(shí)間上交替。
24.如權(quán)利要求17所述的刷新管理單元，其中，所述至少一次不帶有清理的刷新的第一數(shù)量高于所述至少一次帶有清理的刷新的第二數(shù)量。
25.如權(quán)利要求24所述的刷新管理單元，其中，每個(gè)帶有清理的刷新在多個(gè)不帶有清理的刷新之間執(zhí)行。
26.如權(quán)利要求17所述的刷新管理單元，其中，每個(gè)不帶有清理的刷新響應(yīng)于從存儲控制器生成的第一類型刷新命令而執(zhí)行，并且其中，每個(gè)帶有清理的刷新響應(yīng)于從存儲控制器生成的第二類型刷新命令而執(zhí)行。
27.如權(quán)利要求17所述的刷新管理單元，其中，每個(gè)不帶有清理的刷新響應(yīng)于從存儲控制器生成的自動(dòng)刷新命令或自刷新命令而執(zhí)行。
28.如權(quán)利要求27所述的刷新管理單元，其中，每個(gè)帶有清理的刷新響應(yīng)于從存儲控制器生成的特殊刷新和清理命令而執(zhí)行。
29.如權(quán)利要求28所述的刷新管理單元，其中，當(dāng)特殊刷新和清理命令被生成時(shí)，對所述存儲器件的至少兩個(gè)子頁中的每一個(gè)順序地執(zhí)行對應(yīng)的帶有清理的刷新。
30.如權(quán)利要求29所述的刷新管理單元，其中，在對所述存儲器件的所述至少兩個(gè)子頁執(zhí)行所述帶有清理的刷新之后，所述存儲器件的所述至少兩個(gè)子頁被預(yù)充電。
31.如權(quán)利要求17所述的刷新管理單元，其中，每個(gè)不帶有清理的刷新響應(yīng)于從存儲控制器生成的第一類型刷新命令而執(zhí)行，并且其中，每個(gè)帶有清理的刷新響應(yīng)于從刷新命令計(jì)數(shù)器生成的刷新和清理命令而執(zhí)行。
32.如權(quán)利要求31所述的刷新管理單元，其中，生成刷新和清理命令的周期是生成第一類型刷新命令的周期的2η倍，其中η是自然數(shù)。
33.如權(quán)利要求17所述的刷新管理單元，其中，對存儲器件執(zhí)行的所述至少一次不帶有清理的刷新的第一總數(shù)量大于對存儲器件執(zhí)行的所述至少一次帶有清理的刷新的第二總數(shù)量。
34.如權(quán)利要求17所述的刷新管理單元，其中，每個(gè)帶有清理的刷新或每個(gè)不帶有清理的刷新針對存儲單元的對應(yīng)頁執(zhí)行。
35.一種存儲器件，包括 單元陣列；以及 刷新管理單元，其包括 第一計(jì)數(shù)器，用于控制對單元陣列的相應(yīng)部分的至少一次不帶有清理的刷新的執(zhí)行；以及 第二計(jì)數(shù)器，用于控制對單元陣列的相應(yīng)部分的至少一次帶有清理的刷新的執(zhí)行。
36.如權(quán)利要求35所述的存儲器件，其中，所述刷新管理單元還包括 作為第一計(jì)數(shù)器的頁計(jì)數(shù)器，用于生成對其執(zhí)行所述不帶有清理的刷新的刷新地址；以及 作為第二計(jì)數(shù)器的刷新命令計(jì)數(shù)器，用于控制所述帶有清理的刷新和所述不帶有清理的刷新的定時(shí)。
37.如權(quán)利要求36所述的存儲器件，其中，所述刷新管理單元還包括 頁段計(jì)數(shù)器，用于生成對其執(zhí)行所述帶有清理的刷新的子頁的地址。
38.如權(quán)利要求37所述的存儲器件，其中，每個(gè)不帶有清理的刷新針對存儲單元的對應(yīng)頁執(zhí)行，并且其中，每個(gè)帶有清理的刷新針對存儲單元的對應(yīng)子頁執(zhí)行。
39.如權(quán)利要求37所述的存儲器件，其中，所述頁計(jì)數(shù)器以第一頻率生成對其執(zhí)行不帶有清理的刷新的刷新地址，并且其中，所述頁段計(jì)數(shù)器以小于第一頻率的第二頻率生成對其執(zhí)行帶有清理的刷新的子頁地址。
40.如權(quán)利要求36所述的存儲器件，其中，每個(gè)不帶有清理的刷新響應(yīng)于自刷新命令而執(zhí)行，并且其中，每個(gè)帶有清理的刷新根據(jù)刷新命令計(jì)數(shù)器而執(zhí)行，該刷新命令計(jì)數(shù)器對響應(yīng)于自刷新命令生成的內(nèi)部刷新命令進(jìn)行計(jì)數(shù)。
41.如權(quán)利要求35所述的存儲器件，其中，所述至少一次不帶有清理的刷新與所述至少一次帶有清理的刷新在時(shí)間上交替。
42.如權(quán)利要求35所述的存儲器件，其中，所述至少一次不帶有清理的刷新的第一數(shù)量高于所述至少一次帶有清理的刷新的第二數(shù)量。
43.如權(quán)利要求42所述的存儲器件，其中，每個(gè)帶有清理的刷新在多個(gè)不帶有清理的刷新之間執(zhí)行。
44.如權(quán)利要求35所述的存儲器件，其中，每個(gè)不帶有清理的刷新響應(yīng)于從存儲控制器生成的第一類型刷新命令而執(zhí)行，并且其中，每個(gè)帶有清理的刷新響應(yīng)于從存儲控制器生成的第二類型刷新命令而執(zhí)行。
45.如權(quán)利要求35所述的存儲器件，其中，每個(gè)不帶有清理的刷新響應(yīng)于從存儲控制器生成的自動(dòng)刷新命令或自刷新命令而執(zhí)行。
46.如權(quán)利要求45所述的存儲器件，其中，每個(gè)帶有清理的刷新響應(yīng)于從存儲控制器生成的特殊刷新和清理命令而執(zhí)行。
47.如權(quán)利要求46所述的存儲器件，其中，當(dāng)特殊刷新和清理命令被生成時(shí)，對所述存儲器件的至少兩個(gè)子頁中的每一個(gè)順序地執(zhí)行對應(yīng)的帶有清理的刷新。
48.如權(quán)利要求47所述的存儲器件，其中，在對所述存儲器件的所述至少兩個(gè)子頁執(zhí)行所述帶有清理的刷新之后，所述存儲器件的所述至少兩個(gè)子頁被預(yù)充電。
49.如權(quán)利要求35所述的存儲器件，其中，每個(gè)不帶有清理的刷新響應(yīng)于從存儲控制器生成的第一類型刷新命令而執(zhí)行，并且其中，每個(gè)帶有清理的刷新響應(yīng)于從刷新命令計(jì)數(shù)器生成的刷新和清理命令而執(zhí)行。
50.如權(quán)利要求49所述的存儲器件，其中，生成刷新和清理命令的周期是生成第一類型刷新命令的周期的2η倍，其中η是自然數(shù)。
51.如權(quán)利要求35所述的存儲器件，其中，對存儲器件執(zhí)行的所述至少一次不帶有清理的刷新的第一總數(shù)量大于對存儲器件執(zhí)行的所述至少一次帶有清理的刷新的第二總數(shù)量。
52.如權(quán)利要求35所述的存儲器件，其中，每個(gè)帶有清理的刷新或每個(gè)不帶有清理的刷新針對存儲單元的對應(yīng)頁執(zhí)行。
全文摘要
以第一頻率對存儲器件的相應(yīng)部分執(zhí)行至少一次不帶有清理的刷新。此外，以小于第一頻率的第二頻率對存儲器件的相應(yīng)部分執(zhí)行至少一次帶有清理的刷新。從而，執(zhí)行帶有數(shù)據(jù)清理的刷新操作以避免數(shù)據(jù)錯(cuò)誤累積。此外，還執(zhí)行不帶有數(shù)據(jù)清理的刷新操作以減少因數(shù)據(jù)清理所致的過度功耗。
文檔編號G11C11/406GK102820049SQ20121018781
公開日2012年12月12日 申請日期2012年6月8日 優(yōu)先權(quán)日2011年6月9日
發(fā)明者姜郁成, 柳鶴洙, 樸哲佑 申請人:三星電子株式會社