堆疊存儲(chǔ)器體系結(jié)構(gòu)中的單獨(dú)微通道電壓域的制作方法
【專利摘要】本文涉及堆疊存儲(chǔ)器體系結(jié)構(gòu)中的單獨(dú)微通道電壓域。存儲(chǔ)器裝置的實(shí)施例包括含有一個(gè)或更多個(gè)耦合的存儲(chǔ)器管芯的存儲(chǔ)器棧和與存儲(chǔ)器棧耦合的邏輯芯片，其中，存儲(chǔ)器棧的第一存儲(chǔ)器管芯包括多個(gè)微通道，邏輯芯片包括存儲(chǔ)器控制器。每個(gè)微通道包括單獨(dú)的電壓域，并且為多個(gè)微通道的每個(gè)微通道控制電壓電平。
【專利說明】[0001] 堆疊存儲(chǔ)器體系結(jié)構(gòu)中的單獨(dú)微通道電壓域

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0002] 本發(fā)明的實(shí)施例一般涉及電子裝置領(lǐng)域，并且更具體地說，涉及堆疊存儲(chǔ)器體系 結(jié)構(gòu)中的單獨(dú)微通道電壓域。

【背景技術(shù)】
[0003] 為了提供用于計(jì)算操作的更密集存儲(chǔ)器，已開發(fā)了涉及具有多個(gè)緊密耦合存儲(chǔ)器 元素的存儲(chǔ)器裝置(可稱為3D堆疊存儲(chǔ)器或堆疊存儲(chǔ)器）的概念。3D堆疊存儲(chǔ)器可包括 DRAM (動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）存儲(chǔ)器元素的耦合層或封裝，其可稱為存儲(chǔ)器棧。
[0004] 堆棧存儲(chǔ)器可用于在單個(gè)裝置或封裝中提供大量的計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)器，其中，裝置或 封裝也可包括某些系統(tǒng)組件，如存儲(chǔ)器控制器和CPU (中央處理單元)。
[0005] 然而，在諸如WidelO的多通道3D堆疊 DRAM體系結(jié)構(gòu)的常規(guī)實(shí)現(xiàn)中，用于數(shù)據(jù)路 徑、編解碼器和計(jì)時(shí)的電壓域(可稱為電壓Vint)跨體系結(jié)構(gòu)的多個(gè)微通道的每個(gè)微通道是 相同的。為此，不可能修改電壓電平以在存儲(chǔ)器裝置的每個(gè)微通道內(nèi)有效地操作。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0006] 在附圖中，本發(fā)明的實(shí)施例以示例方式而不是限制方式示出，圖中，相似的標(biāo)號(hào)表 示類似的元素。
[0007] 圖1是堆疊存儲(chǔ)器裝置的圖示和實(shí)施例； 圖2示出3D堆疊存儲(chǔ)器的一實(shí)施例； 圖3是具有多個(gè)電壓域的存儲(chǔ)器管芯的一實(shí)施例的圖示； 圖4A是為存儲(chǔ)器棧的每個(gè)微通道薄片提供單獨(dú)電源域的堆疊存儲(chǔ)器裝置的一實(shí)施例 的圖示； 圖4B是為存儲(chǔ)器棧的每個(gè)微通道管芯提供單獨(dú)電源域的堆疊存儲(chǔ)器裝置的一實(shí)施例 的圖示； 圖5A示出提供用于微通道的電源控制的存儲(chǔ)器設(shè)備或系統(tǒng)的一實(shí)施例； 圖5B是存儲(chǔ)器裝置的一實(shí)施例的存儲(chǔ)器控制器的圖示； 圖5C是示出在設(shè)備或系統(tǒng)的一實(shí)施例中與動(dòng)態(tài)電壓引擎的存儲(chǔ)器控制器交互的流程 圖； 圖6是堆疊存儲(chǔ)器裝置的一實(shí)施例的體系結(jié)構(gòu)的圖示； 圖7是示出包括堆疊存儲(chǔ)器裝置的移動(dòng)計(jì)算裝置的一實(shí)施例的框圖；以及 圖8示出包括堆疊存儲(chǔ)器的計(jì)算系統(tǒng)的一實(shí)施例。

【具體實(shí)施方式】
[0008] 本發(fā)明的實(shí)施例一般涉及堆疊存儲(chǔ)器體系結(jié)構(gòu)中的單獨(dú)微通道電壓域。
[0009] 在本文中使用時(shí)： "3D堆疊存儲(chǔ)器"（其中，3D指示三維）或"堆疊存儲(chǔ)器"指包括一個(gè)或更多個(gè)耦合的存 儲(chǔ)器層、存儲(chǔ)器封裝或其它存儲(chǔ)器元素的計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)器。存儲(chǔ)器(稱為存儲(chǔ)器棧）可垂直堆 疊或水平(如并排）堆疊，或者另外包含耦合在一起的存儲(chǔ)器元素。具體而言，堆疊存儲(chǔ)器 DRAM裝置或系統(tǒng)可包括具有多個(gè)DRAM層的存儲(chǔ)器裝置。堆疊存儲(chǔ)器裝置也可包括裝置中 的系統(tǒng)元素(其可稱為邏輯芯片)，其中，邏輯芯片可包括CPU (中央處理單元)、存儲(chǔ)器控制 器和其它有關(guān)系統(tǒng)元素，這些元素可包括電源主機(jī)芯片，其中，存儲(chǔ)器棧與電源主機(jī)芯片堆 疊在一起。在一些實(shí)施例中，邏輯芯片可以是應(yīng)用處理器或附圖處理單元（GPU)。3D堆疊 存儲(chǔ)器可包括但不限于WidelO存儲(chǔ)器裝置。
[0010] "微通道"是3D存儲(chǔ)器棧內(nèi)的邏輯的獨(dú)立存儲(chǔ)器通道。通常，如果3D存儲(chǔ)器棧包括 不止一個(gè)存儲(chǔ)器通道，則存儲(chǔ)器通道被稱為微通道，否則，存儲(chǔ)器棧是單通道3D存儲(chǔ)器棧。
[0011] 在諸如WidelO的多通道3D堆疊 DRAM體系結(jié)構(gòu)中，用于數(shù)據(jù)路徑、編解碼器和計(jì) 時(shí)的電壓域(可稱為電壓Vint)跨體系結(jié)構(gòu)的多個(gè)通道是相同的。每微通道的單獨(dú)電壓域 不可用，并且因此通過調(diào)整本地Vint的每微通道電源效率優(yōu)化是不可能的。
[0012] 在一些實(shí)施例中，存儲(chǔ)器控制器包括更有效地控制DRAM棧功耗的能力。在一些實(shí) 施例中，可為具有多通道DRAM棧的平臺(tái)提供更高電源效率。在一些實(shí)施例中，通過裝置的 存儲(chǔ)器控制和CPU啟用電壓控制特征。
[0013] 在一些實(shí)施例中，設(shè)備、系統(tǒng)或方法規(guī)定堆疊存儲(chǔ)器裝置的每個(gè)微通道具有單獨(dú) 的本地Vint，并且每個(gè)微通道的本地Vint可調(diào)整。在一些實(shí)施例中，每個(gè)微通道的Vint由 管芯上電源發(fā)生器供應(yīng)，該發(fā)生器可以是單獨(dú)的專用電源發(fā)生管芯（電源主機(jī)芯片）的一部 分，或者電源發(fā)生器可集成到作為3D堆疊存儲(chǔ)器的一部分的邏輯芯片元素(如包括CPU的 片上系統(tǒng)）中。
[0014] 在一些實(shí)施例中，通過特定微通道的電源硅通孔（TSV)連接堆疊存儲(chǔ)器裝置的每 個(gè)Vint域軌道。在一些實(shí)施例中，在寄宿不同微通道的瓦片（tile)的每個(gè)存儲(chǔ)器管芯的 多個(gè)Vint域之間無連接。
[0015] 在一些實(shí)施例中，備選實(shí)現(xiàn)在每個(gè)DRAM管芯內(nèi)集成Vint發(fā)生器。在一些實(shí)施例 中，存儲(chǔ)器棧的每個(gè)DRAM管芯包含與DRAM管芯寄宿的微通道一樣多的單獨(dú)Vint域和發(fā)生 器。在此類實(shí)現(xiàn)中，邏輯芯片中的DVS (動(dòng)態(tài)電壓縮放）引擎生成控制每個(gè)Vint電壓發(fā)生 器的控制字，由此使能Vint域的單獨(dú)縮放。
[0016] 在一些實(shí)施例中，DVS引擎為堆疊存儲(chǔ)器裝置的每個(gè)單獨(dú)微通道計(jì)劃活動(dòng)因子。在 一些實(shí)施例中，至少部分基于活動(dòng)因子，DVS引擎動(dòng)態(tài)放大或縮小用于堆疊存儲(chǔ)器裝置的每 個(gè)微通道的Vint域，由此允許與具有單個(gè)電壓域的常規(guī)裝置相比改進(jìn)的節(jié)能策略。
[0017] 在一些實(shí)施例中，存儲(chǔ)器棧中存儲(chǔ)器管芯的常規(guī)Vint域被分割成用于相應(yīng)微通 道的瓦片（或存儲(chǔ)器管芯的其它部分)的每個(gè)薄片的單獨(dú)Vint域(管芯的每個(gè)瓦片具有獨(dú)立 于管芯的其它瓦片的Vint域)，或者可被分割成每個(gè)管芯是微通道(每個(gè)管芯具有獨(dú)立于存 儲(chǔ)器棧的其它管芯的Vint域)。在一些實(shí)施例中，通過TSV柱連接屬于相同微通道(具有存 儲(chǔ)器棧的某個(gè)薄片）的瓦片的Vint域。在一些實(shí)施例中，Vint域連接到其專用Vint發(fā)生 器或者通過從存儲(chǔ)器控制或其它控制器發(fā)送的控制字可自由調(diào)整以有效控制所有DRAM瓦 片。在一些實(shí)施例中，每CPU控制字的Vint控制提供在Vint發(fā)生器位于DRAM管芯上時(shí)可 使用的實(shí)現(xiàn)方案。在一些實(shí)施例中，通過改變模式寄存器中的特定比特，每個(gè)DRAM支持用 于調(diào)整其本地Vint電壓域值的模式。
[0018] 在一些實(shí)施例中，存儲(chǔ)器裝置包括含有一個(gè)或更多個(gè)耦合存儲(chǔ)器管芯的存儲(chǔ)器棧 和與存儲(chǔ)器棧耦合的邏輯芯片，其中，存儲(chǔ)器棧的第一存儲(chǔ)器管芯包括多個(gè)微通道，邏輯芯 片包括存儲(chǔ)器控制器。每個(gè)微通道包括單獨(dú)的電壓域，并且為多個(gè)微通道的每個(gè)微通道控 制電壓電平。
[0019] 在一些實(shí)施例中，方法包括跟蹤存儲(chǔ)器裝置的第一微通道的業(yè)務(wù)，存儲(chǔ)器裝置包 括與一個(gè)或更多個(gè)耦合的存儲(chǔ)器管芯的存儲(chǔ)器棧耦合的邏輯芯片，存儲(chǔ)器裝置包括多個(gè)微 通道，每個(gè)微通道具有電壓域；檢測(cè)第一微通道的業(yè)務(wù)模式；確定與微通道的電壓改變有 關(guān)的優(yōu)點(diǎn)；以及請(qǐng)求微通道的電壓的改變。
[0020] 圖1是堆疊存儲(chǔ)器裝置的圖示和實(shí)施例。在一些實(shí)施例中，堆疊存儲(chǔ)器裝置100 包括含有一個(gè)或更多個(gè)DRAM管芯層120的存儲(chǔ)器棧，管芯層120與諸如邏輯芯片110的系 統(tǒng)元素緊密耦合在一起，邏輯芯片110可以是SoC或其它系統(tǒng)元素。
[0021] 在一些實(shí)施例中，邏輯芯片110可包括用于存儲(chǔ)器棧120的每個(gè)微通道的電壓域 的控制。在一些實(shí)施例中，存儲(chǔ)器?；蜻壿嬓酒?10包括用于存儲(chǔ)器棧的每個(gè)微通道的單 獨(dú)電壓發(fā)生器。在一些實(shí)施例中，邏輯芯片110利用微通道電壓域的控制來控制存儲(chǔ)器裝 置100的功耗。
[0022] 圖2示出3D堆疊存儲(chǔ)器的一實(shí)施例。在此圖示中，3D堆疊存儲(chǔ)器裝置200包括 諸如邏輯芯片210的與在本文中也稱為存儲(chǔ)器棧的一個(gè)或更多個(gè)DRAM存儲(chǔ)器管芯層220 耦合的系統(tǒng)元素。在一些實(shí)施例中，存儲(chǔ)器棧220包括多個(gè)微通道。在一些實(shí)施例中，系統(tǒng) 元素210可以是片上系統(tǒng)（SoC)或其它類似元素。此圖和隨后附圖的元素是為了說明而示 出，并且未按比例繪出。每個(gè)管芯層可包括溫度補(bǔ)償自刷新（TCSR)電路以解決熱問題，其 中，TCSR和模式寄存器（MR)可以是裝置的管理邏輯的一部分，并且其中，MC可包括用于由 TCSR調(diào)整刷新率的熱偏移比特。管芯層和系統(tǒng)元素可熱耦合在一起。
[0023] 雖然圖2示出邏輯芯片210耦合在一個(gè)或更多個(gè)存儲(chǔ)器管芯層220的存儲(chǔ)器棧 下面的實(shí)現(xiàn)，但實(shí)施例不限于此布置。例如，在一些實(shí)施例中，系統(tǒng)元素210可與存儲(chǔ)器棧 220相鄰放置，并且因此可按并排布置與存儲(chǔ)器棧220耦合在一起。在一些實(shí)施例中，系統(tǒng) 元素210可包括電源主機(jī)芯片，其中，電源主機(jī)芯片可提供用于存儲(chǔ)器裝置的微通道的單 獨(dú)Vint域的電源。
[0024] 在此圖示，DRAM存儲(chǔ)器管芯層包括四個(gè)存儲(chǔ)器管芯層，這些層是第一存儲(chǔ)器管芯 層230、第二存儲(chǔ)器管芯層240、第三存儲(chǔ)器管芯層250和第四存儲(chǔ)器管芯層260。然而，實(shí)施 例不限于存儲(chǔ)器棧220中任何特定數(shù)量的存儲(chǔ)器管芯層，并且可包括更多或更少數(shù)量的存 儲(chǔ)器管芯層。在其它元素中，系統(tǒng)元素210可包括用于存儲(chǔ)器棧220的存儲(chǔ)器控制器212。 在一些實(shí)施例中，每個(gè)存儲(chǔ)器管芯層(頂部或最外存儲(chǔ)器管芯層可能例外，例如這個(gè)圖示中 的第四存儲(chǔ)器管芯層260,可包括或不包括TSV)包括多個(gè)硅通孔（TSV) 205以通過存儲(chǔ)器 管芯層的硅襯底提供路徑。在一些實(shí)施例中，DRAM存儲(chǔ)器棧220可提供用于每個(gè)Vint域 的Vint電源引腳/微凸起。
[0025] 在一些實(shí)施例中，存儲(chǔ)器棧220包括多個(gè)微通道，其中，存儲(chǔ)器棧的瓦片的每個(gè)薄 片是微通道(如存儲(chǔ)器220的瓦片290的所示薄片)，或者其中，每個(gè)管芯是單獨(dú)的微通道。 在一些實(shí)施例中，每個(gè)微通道包括具有電壓Vint的單獨(dú)電壓域。在一些實(shí)施例中，用于每 個(gè)微通道的Vint可在每個(gè)管芯上生成。在一些實(shí)施例中，用于每個(gè)微通道的Vint發(fā)生器 280在諸如電源主機(jī)芯片的系統(tǒng)元素210中生成，并且在一些實(shí)施例中，用于每個(gè)微通道的 Vint發(fā)生器282定位在每個(gè)存儲(chǔ)器管芯230-260中。
[0026] 圖3是具有多個(gè)電壓域的存儲(chǔ)器管芯的一實(shí)施例的圖示。在此圖示中，DRAM管芯 300包括四個(gè)瓦片（或管芯的其它部分)。在一些實(shí)施例中，每個(gè)瓦片包含具有電壓Vint的 單獨(dú)電壓域，電壓Vint能夠獨(dú)立于另一瓦片的Vint調(diào)整。在此示例中，DRAM管芯包括具 有電壓VintO的域_0 305、具有電壓Vintl的域_1 310、具有電壓Vint2的域_2 315和具 有電壓Vint3的域_3 320。在一些實(shí)施例中，可獨(dú)立于其它Vint值控制每個(gè)電壓域。在一 些實(shí)施例中，存儲(chǔ)器棧的其它DRAM管芯具有瓦片的相同劃分，垂直棧中的瓦片形成表示特 定微通道的薄片。
[0027] 圖4A和圖4B示出兩個(gè)不同的微通道實(shí)現(xiàn)： 圖4A是為存儲(chǔ)器棧的每個(gè)微通道薄片提供單獨(dú)電源域的堆疊存儲(chǔ)器裝置的一實(shí)施例 的圖示。在圖4A所示的實(shí)現(xiàn)中，瓦片的每個(gè)薄片或列是微通道，并且因此每DRAM存儲(chǔ)器管 芯的瓦片數(shù)量等于微通道的數(shù)量。在一些實(shí)施例中，堆疊存儲(chǔ)器裝置400包括邏輯芯片410 和與邏輯芯片410耦合在一起的一個(gè)或多個(gè)存儲(chǔ)器管芯420的存儲(chǔ)器棧。在此特定圖示 中，存儲(chǔ)器棧包括4個(gè)管芯，其中每個(gè)管芯包括4個(gè)微通道（μ CH0、μ CH1、μ CH2和μ CH3)， 并且其中微通道通過多個(gè)TSV與系統(tǒng)芯片耦合。在此圖示中，有跨每個(gè)管芯的單獨(dú)Vint域 (VintO、Vintl、Vint2和Vint3)，其中存儲(chǔ)器棧中每個(gè)管芯中存在Vint域的相同分隔以形 成管芯的薄片，并且Vint域的連接通過TSV形成。在一些實(shí)施例中，堆疊存儲(chǔ)器裝置400 包括用于每個(gè)微通道的單獨(dú)電源域，具有用于每個(gè)微通道的電壓供應(yīng)或控制單元。
[0028] 在此圖示中，用于每個(gè)微通道的電壓供應(yīng)位于邏輯芯片410中，因此在襯底與 DRAM 3D棧之間，其中，邏輯芯片410可包括具有本地電壓供應(yīng)的電源主機(jī)芯片和用于每 個(gè)微通道的控制單元。在一些實(shí)施例中，位于相同列（且因此相同薄片）中的管芯的瓦片或 其它部分共享由在邏輯芯片410的控制器或CPU的相應(yīng)Vint控制單元供應(yīng)或控制的公共 Vint域。在一些實(shí)施例中，列中的管芯瓦片由通過存儲(chǔ)器棧運(yùn)行的TSV連接。在一些實(shí)施 例中，用于微通道的電壓域的電源由例如用于第一電壓域的VintO供應(yīng)或控制單元422、用 于第二電壓域的Vintl供應(yīng)或控制單元424、用于第三電壓域的Vint2供應(yīng)或控制單元426 和用于第四電壓域的Vint3供應(yīng)或控制單元428供應(yīng)或控制。
[0029] 圖4B是為存儲(chǔ)器棧的每個(gè)微通道管芯提供單獨(dú)電源域的堆疊存儲(chǔ)器裝置的一實(shí) 施例的圖示。在圖4B所示的實(shí)現(xiàn)中，每個(gè)DRAM存儲(chǔ)器管芯是單獨(dú)的微通道，并且因此管芯 的數(shù)量是微通道的數(shù)量。在一些實(shí)施例中，堆疊存儲(chǔ)器裝置401包括邏輯芯片411和與邏 輯芯片411耦合的一個(gè)或更多個(gè)存儲(chǔ)器管芯421的存儲(chǔ)器棧。在此特定圖示中，存儲(chǔ)器棧 包括四個(gè)管芯，其中，每個(gè)管芯包括單個(gè)微通道（UCHO、μΟΠ 、μ(?2或μ(?3)，以及其中， 微通道通過多個(gè)TSV與系統(tǒng)芯片耦合。在此圖示中，有跨每個(gè)管芯的單獨(dú)Vint域（VintO、 Vintl、Vint2和Vint3)，并且其中Vint域的連接通過TSV進(jìn)行。在一些實(shí)施例中，堆疊存 儲(chǔ)器裝置401包括用于每個(gè)微通道的單獨(dú)電源域，具有用于每個(gè)微通道的電壓供應(yīng)或控制 單元。
[0030] 在此圖示中，用于每個(gè)微通道的電壓供應(yīng)位于邏輯芯片411中，因此在襯底與 DRAM 3D棧之間，其中，邏輯芯片411可包括具有本地電壓供應(yīng)的電源主機(jī)芯片和用于每個(gè) 微通道的控制單元。在一些實(shí)施例中，每個(gè)管芯具有由系統(tǒng)元素411的相應(yīng)Vint供應(yīng)或控 制單元供應(yīng)或控制的Vint域。在一些實(shí)施例中，每個(gè)管芯與通過存儲(chǔ)器棧運(yùn)行的特定TSV 連接。在一些實(shí)施例中，用于微通道的電壓域的電源由例如用于第一電壓域的VintO供應(yīng) 或控制單元423、用于第二電壓域的Vintl供應(yīng)或控制單元425、用于第三電壓域的Vint2 供應(yīng)或控制單元427和用于第四電壓域的Vint3供應(yīng)或控制單元429供應(yīng)或控制。
[0031] 圖5A示出提供用于微通道的電源控制的存儲(chǔ)器設(shè)備或系統(tǒng)的一實(shí)施例。在一些 實(shí)施例中，堆疊存儲(chǔ)器裝置500包括含有多個(gè)微通道的存儲(chǔ)器棧520和邏輯芯片510,其中， 邏輯芯片510包括存儲(chǔ)器控制器530和轉(zhuǎn)向塊512,轉(zhuǎn)向塊512提供用于存儲(chǔ)器棧520的多 個(gè)微通道的電源功率的邏輯。在一些實(shí)施例中，轉(zhuǎn)向塊512包括動(dòng)態(tài)電壓縮放引擎516,其 中，動(dòng)態(tài)電壓縮放引擎包括用于生成控制字514以控制微通道電壓域的電壓的能力。
[0032] 在一些實(shí)施例中，動(dòng)態(tài)電壓縮放引擎516包括用于確定存儲(chǔ)器棧520的每個(gè)電壓 域的電壓電平的邏輯。在一些實(shí)施例中，動(dòng)態(tài)電壓縮放引擎516至少部分基于從存儲(chǔ)器棧 520的DRAM管芯收到的反饋信息。在一些實(shí)施例中，動(dòng)態(tài)電壓縮放引擎516的操作至少部 分基于查找表，查找表接收來自觀測(cè)用于每個(gè)微通道的業(yè)務(wù)的業(yè)務(wù)監(jiān)視器的數(shù)據(jù)。在一些 實(shí)施例中，動(dòng)態(tài)電壓縮放引擎生成向Vint電源發(fā)生器發(fā)出的控制字514或類似命令，其中， 電源發(fā)生器580可共同位于邏輯管芯中（電源因而通過TSV供應(yīng))。在一些實(shí)施例中，控制 字直接饋送到棧，其中，棧包含在存儲(chǔ)器管芯上本地的Vint電源發(fā)生器580。
[0033] 圖5B是存儲(chǔ)器裝置的一實(shí)施例的存儲(chǔ)器控制器的圖示。在一些實(shí)施例中，存儲(chǔ)器 控制器530包括業(yè)務(wù)跟蹤器532以跟蹤用于堆疊存儲(chǔ)器裝置500的數(shù)據(jù)業(yè)務(wù)，其中，特定實(shí) 現(xiàn)中業(yè)務(wù)跟蹤器的使用在圖5C中示出。
[0034] 圖5C是示出在設(shè)備或系統(tǒng)的一實(shí)施例中與動(dòng)態(tài)電壓引擎的存儲(chǔ)器控制器交互的 流程圖。在一些實(shí)施例中，由諸如圖5B所示存儲(chǔ)器控制器530的業(yè)務(wù)跟蹤器532的存儲(chǔ)器 控制器業(yè)務(wù)跟蹤器540監(jiān)視到特定微通道η的業(yè)務(wù)。
[0035] 在一些實(shí)施例中，如果存儲(chǔ)器控制器檢測(cè)到某個(gè)典型的業(yè)務(wù)流模式，其中，此類模 式指示長的閑置階段542,則基于存儲(chǔ)器控制器的業(yè)務(wù)預(yù)測(cè)算法可識(shí)別用于修改Vint的功 率優(yōu)點(diǎn)，如由于為微通道544指示的長閑置狀態(tài)原因而降低微通道η的Vint。在一些實(shí)施 例中，存儲(chǔ)器控制器向動(dòng)態(tài)電壓引擎546傳送請(qǐng)求微通道η的Vint改變的請(qǐng)求，動(dòng)態(tài)電壓 引擎546可操作以修改微通道548的Vint。
[0036] 圖6是堆疊存儲(chǔ)器裝置的一實(shí)施例的體系結(jié)構(gòu)的圖示。在一些實(shí)施例中，堆疊存 儲(chǔ)器裝置的每個(gè)微通道由存儲(chǔ)器棧中的一個(gè)DRAM管芯驅(qū)動(dòng)。圖6示出包含兩個(gè)管芯和四 個(gè)管芯的存儲(chǔ)器裝置的某些體系結(jié)構(gòu)。在一些實(shí)施例中，存儲(chǔ)器?？砂總€(gè)通道的單獨(dú) C/A (命令和地址）總線。在一些實(shí)施例中，存儲(chǔ)器棧可包括所有通道的公共C/A總線。
[0037] 在此圖示中，第一體系結(jié)構(gòu)610示出具有用于每個(gè)通道的單獨(dú)C/A總路線的雙管 芯棧；第二體系結(jié)構(gòu)620示出具有用于每個(gè)通道的公共C/A總路線的雙管芯棧；第三體系 結(jié)構(gòu)630示出具有用于每個(gè)通道的單獨(dú)C/A總路線的四管芯棧；以及第四體系結(jié)構(gòu)640示 出具有用于所有通道的公共C/A總路線的四管芯棧。
[0038] 圖6示出在棧增長時(shí)跨DRAM管芯的10的不同形式的C/A總線拓?fù)浜头趾]。在一 些實(shí)施例中，對(duì)于每個(gè)此類實(shí)現(xiàn)，能夠應(yīng)用如圖4A所示Vint的域分割和控制。
[0039] 圖7是示出包括堆疊存儲(chǔ)器裝置的移動(dòng)計(jì)算裝置的一實(shí)施例的框圖。計(jì)算裝置 700表示包括移動(dòng)計(jì)算裝置的計(jì)算裝置，如膝上型或筆記本計(jì)算機(jī)、上網(wǎng)本、平板計(jì)算機(jī)(包 括具有觸摸屏而無單獨(dú)鍵盤的裝置、具有觸摸屏和鍵盤的裝置、具有稱為"即時(shí)"操作的快 速啟動(dòng)的裝置及通常在操作中連接到網(wǎng)絡(luò)，稱為"始終連接"的裝置)、移動(dòng)電話或智能電 話、啟用無線的電子閱讀器或其它無線移動(dòng)裝置。將理解的是，某些組件是概括示出，并且 并非此類裝置的所有組件均在裝置700中示出。組件可通過一個(gè)或更多個(gè)總線或其它連接 705連接。
[0040] 裝置700包括執(zhí)行裝置700的主要處理操作的處理器710。處理器710能夠包括 一個(gè)或更多個(gè)物理裝置，如微處理器、應(yīng)用處理器、微控制器、可編程邏輯裝置或其它處理 部件。處理器710執(zhí)行的處理操作包括應(yīng)用、裝置功能或兩者執(zhí)行所處的操作平臺(tái)或操作 系統(tǒng)的執(zhí)行。處理操作包括關(guān)于與人類用戶或者與其它裝置的I/O (輸入/輸出）有關(guān)的 操作、與電源管理有關(guān)的操作或與將裝置700到連接另一裝置有關(guān)的操作。處理操作也可 包括與音頻I/O、顯示器I/O或兩者有關(guān)的操作。
[0041] 在一個(gè)實(shí)施例中，裝置700包括音頻子系統(tǒng)720,該子系統(tǒng)表示與提供音頻功能到 計(jì)算裝置相關(guān)聯(lián)的硬件(如音頻硬件和音頻電路)和軟件(如驅(qū)動(dòng)程序和編解碼器)組件。音 頻功能能夠包括揚(yáng)聲器、耳機(jī)或兩種此類音頻輸出及麥克風(fēng)輸入。用于此類功能的裝置能 夠集成到裝置700中，或者連接到裝置700。在一個(gè)實(shí)施例中，通過提供由處理器710接收 和處理的音頻命令，用戶與裝置700交互。
[0042] 顯示子系統(tǒng)730表示提供具有視覺、觸覺或兩種元素的顯示以便用戶與計(jì)算裝置 交互的硬件(如顯示裝置）和軟件(如驅(qū)動(dòng)程序）組件。顯示子系統(tǒng)730包括顯示接口 732， 顯示接口包括用于向用戶提供顯示的特定屏幕或硬件裝置。在一個(gè)實(shí)施例中，顯示接口 732 包括獨(dú)立于處理器710執(zhí)行與顯示有關(guān)的至少一些處理的邏輯。在一個(gè)實(shí)施例中，顯示子 系統(tǒng)730包括提供輸出和輸入到用戶的觸摸屏裝置。
[0043] I/O控制器740表示與和用戶的交互有關(guān)的硬件裝置和軟件組件。I/O控制器740 能夠用于管理作為音頻子系統(tǒng)720、顯示子系統(tǒng)730或兩種此類子系統(tǒng)的一部分的硬件。另 外，I/O控制器740示出用于連接到裝置700的另外裝置的連接點(diǎn)，用戶可能通過它與裝置 交互。例如，能夠附連到裝置700的裝置可能包括麥克風(fēng)裝置、揚(yáng)聲器或立體聲系統(tǒng)、視頻 系統(tǒng)或其它顯示裝置、鍵盤或小鍵盤裝置或用于與諸如讀卡器或其它裝置的特定應(yīng)用一起 使用的其它I/O裝置。
[0044] 如上所提及的，I/O控制器740可與音頻子系統(tǒng)720、顯示子系統(tǒng)730或兩種此類 子系統(tǒng)交互。例如，通過麥克風(fēng)或其它音頻裝置的輸入能夠提供用于裝置700的一個(gè)或更 多個(gè)應(yīng)用或功能的輸入或命令。另外，能夠作為顯示輸出的替代或附加而還提供音頻輸出。 在另一示例中，如果顯示子系統(tǒng)包括觸摸屏，則顯示裝置也充當(dāng)輸入裝置，它至少部分能夠 由I/O控制器740管理。裝置700上也能夠有另外的按鈕或開關(guān)以提供I/O控制器740管 理的I/O功能。
[0045] 在一個(gè)實(shí)施例中，I/O控制器740管理諸如加速計(jì)、相機(jī)、光傳感器或其它環(huán)境傳 感器或裝置700中能夠包括的其它硬件。輸入能夠是直接用戶交互的一部分以及提供環(huán)境 輸入到裝置以影響其操作(如過濾噪聲，為亮度檢測(cè)調(diào)整顯示器，為相機(jī)應(yīng)用閃光燈或其它 特征)。
[0046] 在一個(gè)實(shí)施例中，裝置700包括管理電池電能使用、電池的充電和與節(jié)能操作有 關(guān)的特征的電源管理750。
[0047] 在一些實(shí)施例中，存儲(chǔ)器子系統(tǒng)760包括用于在裝置700中存儲(chǔ)信息的存儲(chǔ)器裝 置。處理器710可對(duì)存儲(chǔ)器子系統(tǒng)760的元素進(jìn)行數(shù)據(jù)讀取和寫入。存儲(chǔ)器能夠包括非易 失性(具有如果到存儲(chǔ)器裝置的電源中斷而不改變的狀態(tài))、易失性(具有如果到存儲(chǔ)器裝 置的電源中斷而不確定的狀態(tài)）存儲(chǔ)器裝置或兩種此類存儲(chǔ)器。存儲(chǔ)器760能夠存儲(chǔ)應(yīng)用 數(shù)據(jù)、用戶數(shù)據(jù)、音樂、照片、文檔或其它數(shù)據(jù)及與裝置700的應(yīng)用和功能的執(zhí)行有關(guān)的裝 置數(shù)據(jù)(無論長期還是暫時(shí))。
[0048] 在一些實(shí)施例中，存儲(chǔ)器子系統(tǒng)760可包括堆疊存儲(chǔ)器裝置762,堆疊存儲(chǔ)器裝置 762包括一個(gè)或更多個(gè)存儲(chǔ)器管芯層的存儲(chǔ)器棧，并且包括具有單獨(dú)電壓域的多個(gè)微通道。 在一些實(shí)施例中，堆疊存儲(chǔ)器裝置762包括用于微通道電壓域764的控制的電源管理子系 統(tǒng)，其中，電源管理子系統(tǒng)764包括動(dòng)態(tài)電壓縮放引擎以生成調(diào)整每個(gè)微通道中的電壓電 平的號(hào)或命令。
[0049] 連接性770包括硬件裝置(例如，用于無線通信、有線通信或兩者的連接器和通信 硬件）和軟件組件(例如，驅(qū)動(dòng)程序、協(xié)議棧）以允許裝置700與外部裝置進(jìn)行通信。裝置能 夠是諸如其它計(jì)算裝置、無線接入點(diǎn)或基站的單獨(dú)裝置及諸如耳機(jī)、打印機(jī)或其它裝置的 外設(shè)。
[0050] 連接性770能夠包括多個(gè)不同類型的連接性。概括而言，裝置700示為具有蜂窩 連接性772和無線連接性774。蜂窩連接性772通常指由無線載波提供的蜂窩網(wǎng)絡(luò)連接性， 如經(jīng)4G/LTE (長期演進(jìn))、GSM (全球移動(dòng)通信系統(tǒng)）或變化或衍生、CDMA (碼分多址）或變 化或衍生、TDM (時(shí)分復(fù)用）或變化或衍生或其它蜂窩服務(wù)標(biāo)準(zhǔn)提供。無線連接性774指不 是蜂窩的無線連接性，并且能夠包括個(gè)人區(qū)域網(wǎng)絡(luò)(如藍(lán)牙)、局域網(wǎng)（如Wi-Fi)、寬域網(wǎng)（如 WiMAX)和其它無線通信。連接性可包括一個(gè)或更多個(gè)全向或定向天線776。
[0051] 外設(shè)連接780包括硬件接口和連接器以及形成外設(shè)連接的軟件組件(例如，驅(qū)動(dòng) 程序、協(xié)議棧)。將理解的是，裝置700能夠到是其它計(jì)算裝置的外設(shè)裝置（"到"782)以及 具有與其連接的外設(shè)裝置("來自"784)。裝置700可通常包括"對(duì)接"連接器以連接到其它 計(jì)算裝置，用于諸如管理(例如，下載，上載，改變或同步）裝置700上的內(nèi)容的目的。另外， 對(duì)接連接器能夠允許裝置700連接到某些外設(shè)，這些外設(shè)允許裝置700控制例如到視聽或 其它系統(tǒng)的內(nèi)容輸出。
[0052] 除專有對(duì)接連接器或其它專有連接硬件外，裝置700能夠經(jīng)普通或基于標(biāo)準(zhǔn)的連 接器形成外設(shè)連接780。普通類型能夠包括通用串行總線（USB)連接器(它能夠包括多個(gè)不 同硬件接口的任何接口）、包括MiniDisplayPort (MDP)的DisplayPort、高清晰多媒體接口 (HDMI)、Firewire 或其它類型。
[0053] 圖8示出包括堆疊存儲(chǔ)器的計(jì)算系統(tǒng)的一實(shí)施例。在此圖示，未示出與所述描述 有關(guān)的某些標(biāo)準(zhǔn)和熟知的組件。計(jì)算系統(tǒng)可包括計(jì)算機(jī)、服務(wù)器、游戲控制臺(tái)或其它計(jì)算設(shè) 備。在一些實(shí)施例中，計(jì)算裝置800包括互連或交叉805或其它通信部件用于數(shù)據(jù)的傳送。 計(jì)算系統(tǒng)800可包括諸如與互連805耦合以便處理信息的一個(gè)或更多個(gè)處理器810的處理 部件。處理器810可包括一個(gè)或更多個(gè)物理處理器和一個(gè)或更多個(gè)邏輯處理器。為簡明起 見，互連805被示為單個(gè)互連，但可表示多個(gè)不同互連或總線，并且到此類互連的組件連接 可不同。圖8所示互連805是表示任何一個(gè)或更多個(gè)單獨(dú)物理總線、點(diǎn)到點(diǎn)連接或通過適 當(dāng)橋接器、適配器或控制器連接的兩者的抽象名稱。
[0054] 在一些實(shí)施例中，計(jì)算系統(tǒng)800還包括作為用于存儲(chǔ)信息和要由處理器810執(zhí)行 的指令的主存儲(chǔ)器814的隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（RAM)或其它動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)裝置或元素。RAM存儲(chǔ)器 包括要求刷新存儲(chǔ)器內(nèi)容的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（DRAM)和不要求刷新內(nèi)容但成本增大的 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（SRAM)。在一些實(shí)施例中，主存儲(chǔ)器可包括應(yīng)用的活動(dòng)的存儲(chǔ)裝置，應(yīng) 用包括由計(jì)算系統(tǒng)的用戶在網(wǎng)絡(luò)瀏覽活動(dòng)中使用的瀏覽器應(yīng)用。DRAM存儲(chǔ)器可包括同步動(dòng) 態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（SDRAM)(包括時(shí)鐘信號(hào)以控制信號(hào)）和擴(kuò)展數(shù)據(jù)輸出動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存 儲(chǔ)器（EDO DRAM)。在一些實(shí)施例中，系統(tǒng)的存儲(chǔ)器可包括某些寄存器或其它專用存儲(chǔ)器。
[0055] 在一些實(shí)施例中，主存儲(chǔ)器814包括堆疊存儲(chǔ)器815,其中，堆疊存儲(chǔ)器包括多個(gè) 微通道，每個(gè)微通道包括可由堆疊存儲(chǔ)器的控制器控制的單獨(dú)電壓域。堆疊存儲(chǔ)器815可 包括如圖1-6所示的存儲(chǔ)器。
[0056] 計(jì)算系統(tǒng)800也可包括只讀存儲(chǔ)器（ROM) 816或其它靜態(tài)存儲(chǔ)裝置以便存儲(chǔ)用于 處理器810的靜態(tài)信息和指令。計(jì)算系統(tǒng)800可包括用于某些元素的存儲(chǔ)的一個(gè)或更多個(gè) 非易失性存儲(chǔ)器元素818。
[0057] 在一些實(shí)施例中，計(jì)算系統(tǒng)800包括一個(gè)或更多個(gè)輸入裝置830,其中，輸入裝置 包括鍵盤、鼠標(biāo)、觸摸墊、話音命令識(shí)別、手勢(shì)識(shí)別或用于提供輸入到計(jì)算系統(tǒng)的其它裝置 中的一項(xiàng)或更多項(xiàng)。
[0058] 計(jì)算系統(tǒng)800也可經(jīng)互連805耦合到輸出顯示器840。在一些實(shí)施例中，顯示器 840可包括液晶顯示器（LCD)或用于向用戶顯示信息或內(nèi)容的任何其它顯示技術(shù)。在一些 環(huán)境中，顯示器840可包括也用作輸入裝置的至少一部分的觸摸屏。在一些環(huán)境中，顯示器 840可以是或者可以包括音頻裝置，如用于提供音頻信息的揚(yáng)聲器。
[0059] -個(gè)或更多個(gè)傳送器或接收器845也可耦合到互連805。在一些實(shí)施例中，計(jì)算系 統(tǒng)800可包括用于接收或傳送數(shù)據(jù)的一個(gè)或更多個(gè)端口 850。計(jì)算系統(tǒng)800可還包括用于 經(jīng)無線電信號(hào)接收數(shù)據(jù)的一個(gè)或更多個(gè)全向或定向天線855。
[0060] 計(jì)算系統(tǒng)800也可包括電源裝置或系統(tǒng)860,電源裝置或系統(tǒng)860可包括電源、電 池、太陽能電池、燃料電池或用于提供電力或發(fā)電的其它系統(tǒng)或裝置。電源裝置或系統(tǒng)860 提供的電力可根據(jù)需要分布到計(jì)算系統(tǒng)800的元素。
[0061] 在上面的描述中，為了解釋，陳述了許多細(xì)節(jié)以便提供本發(fā)明的詳盡理解。然而， 本領(lǐng)域的技術(shù)人員將明白，本發(fā)明可在沒有這些特定細(xì)節(jié)中的一些細(xì)節(jié)的情況下實(shí)施。在 其它情況下，熟知的結(jié)構(gòu)和裝置以框附圖式示出。所示組件之間可以有中間結(jié)構(gòu)。本文中 所述或所示組件可具有未示出或描述的另外輸入或輸出。
[0062] 各種實(shí)施例可包括各種過程。這些過程可由硬件組件執(zhí)行，或者可在計(jì)算機(jī)程序 或機(jī)器可執(zhí)行指令中實(shí)施，計(jì)算機(jī)程序或機(jī)器可執(zhí)行指令可用于促使用指令編程的通用或 專用處理器或邏輯電路執(zhí)行過程。備選地，過程可由硬件和軟件的組合執(zhí)行。
[0063] 各種實(shí)施例的部分可提供為計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品，計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品可包括其上存儲(chǔ)有 計(jì)算機(jī)程序指令的計(jì)算機(jī)可讀媒體，計(jì)算機(jī)程序指令可用于將計(jì)算機(jī)(或其它電子裝置）編 程以便由一個(gè)或更多個(gè)處理器執(zhí)行以執(zhí)行根據(jù)某些實(shí)施例的過程。計(jì)算機(jī)可讀媒體可包括 但不限于軟盤、光盤、壓縮盤只讀存儲(chǔ)器（⑶-ROM)和磁光盤、只讀存儲(chǔ)器（ROM)、隨機(jī)存取 存儲(chǔ)器（RAM)、可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器（EPROM)、電可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器（EEPROM)、 磁卡或光卡、閃存或適合用于存儲(chǔ)電子指令的其它類型的計(jì)算機(jī)可讀媒體。另外，實(shí)施例也 可作為計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品下載，其中，程序可從遠(yuǎn)程計(jì)算機(jī)傳送到請(qǐng)求計(jì)算機(jī)。
[0064] 許多方法以其最基本形式進(jìn)行描述，但過程可添加到任何方法或從其刪除，并且 信息能夠添加到任何所述消息或從中減除而不脫離本發(fā)明的基本范圍。本領(lǐng)域技術(shù)人員將 明白，能夠進(jìn)行許多其它修改和適應(yīng)。特定實(shí)施例不是提供用于限制本發(fā)明而是用于說明 本發(fā)明。本發(fā)明的實(shí)施例的范圍不由上面提供的特定示例確定，而只由隨附的權(quán)利要求確 定。
[0065] 如果說，元素"A"耦合到元素"B"或與其耦合，則元素 A可直接耦合到元素 B，或者 通過例如元素 C間接耦合。說明書或權(quán)利要求陳述組件、特征、結(jié)構(gòu)、過程或特性A "促使" 組件、特征、結(jié)構(gòu)、過程或特性B時(shí)，它表示"A"至少是"B"的部分原因，但也可以有幫助促 使"B"的至少另一組件、特征、結(jié)構(gòu)、過程或特性。如果說明書陳述"可"、"可能"或"能夠" 包括某個(gè)組件、特征、結(jié)構(gòu)、過程或特性，則該組件、特征、結(jié)構(gòu)、過程或特性不要求包括。如 果說明書或權(quán)利要求提及"一"元素，則這不表示只有一個(gè)所述元素。
[〇〇66] 實(shí)施例是本發(fā)明的實(shí)現(xiàn)或示例。說明書中提到的"一實(shí)施例"、"一個(gè)實(shí)施例"、"一 些實(shí)施例"或"其它實(shí)施例"表示結(jié)合實(shí)施例所述的特定特征、結(jié)構(gòu)或特性包括在至少一些 實(shí)施中，但不必是所有實(shí)施例中。出現(xiàn)的各種"一實(shí)施例"、"一個(gè)實(shí)施例"或"一些實(shí)施例" 不一定全部指相同的實(shí)施例。類似地，應(yīng)領(lǐng)會(huì)的是，在本發(fā)明的示范實(shí)施例的以上描述中， 本發(fā)明的各種特征有時(shí)組合在單個(gè)實(shí)施例、附圖或其描述中以便簡化公開內(nèi)容和幫助理解 各種發(fā)明方面的一個(gè)或多個(gè)方面。然而，本公開的此方法不是要理解為反映要求保護(hù)的發(fā) 明需要比每個(gè)權(quán)利要求明確闡述的更多特性的意圖。而是，如隨附權(quán)利要求所反映的，發(fā)明 的方面依賴比單個(gè)上述公開實(shí)施例所有特性更少的特性。因此，權(quán)利要求據(jù)此明確合并到 此說明書中，其中每個(gè)權(quán)利要求獨(dú)立作為本發(fā)明的單獨(dú)實(shí)施例。
【權(quán)利要求】
1. 一種存儲(chǔ)器裝置，包括： 存儲(chǔ)器棧，包括一個(gè)或更多個(gè)耦合的存儲(chǔ)器管芯，其中所述存儲(chǔ)器棧包括多個(gè)微通道； 以及 與所述存儲(chǔ)器棧耦合的邏輯芯片，所述邏輯芯片包括存儲(chǔ)器控制器； 其中所述多個(gè)微通道的每個(gè)微通道包括單獨(dú)的電壓域；以及 其中單獨(dú)為所述多個(gè)微通道的每個(gè)微通道控制電壓電平。
2. 如權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器裝置，其中所述一個(gè)或更多個(gè)存儲(chǔ)器管芯的每個(gè)存儲(chǔ) 器管芯包括多個(gè)瓦片，以及其中存儲(chǔ)器管芯的每個(gè)瓦片是獨(dú)立于所述存儲(chǔ)器管芯的其它瓦 片的微通道。
3. 如權(quán)利要求2所述的存儲(chǔ)器裝置，其中所述存儲(chǔ)器棧包括多個(gè)存儲(chǔ)器管芯，以及 其中第一存儲(chǔ)器管芯的第一瓦片和第二存儲(chǔ)器管芯的第一瓦片通過第一微通道的硅通孔 (TSV)連接。
4. 如權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器裝置，其中每個(gè)所述存儲(chǔ)器管芯是獨(dú)立于所述其它存 儲(chǔ)器管芯的微通道。
5. 如權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器裝置，其中所述邏輯芯片包括提供命令以控制所述多 個(gè)微通道的每個(gè)微通道中的所述電壓電平的動(dòng)態(tài)電壓引擎。
6. 如權(quán)利要求5所述的存儲(chǔ)器裝置，其中所述動(dòng)態(tài)電壓引擎接收來自每個(gè)微通道的 反饋。
7. 如權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器裝置，其中所述存儲(chǔ)器控制器包括業(yè)務(wù)跟蹤器，所述存 儲(chǔ)器控制器至少部分基于數(shù)據(jù)的業(yè)務(wù)模式來確定微通道的電壓改變。
8. 如權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器裝置，還包括用于每個(gè)所述微通道的電壓發(fā)生器。
9. 如權(quán)利要求8所述的存儲(chǔ)器裝置，其中用于所述多個(gè)微通道的所述電壓發(fā)生器位 于所述邏輯芯片中。
10. 如權(quán)利要求9所述的存儲(chǔ)器裝置，其中此處所述邏輯元素是電源主機(jī)芯片。
11. 如權(quán)利要求8所述的存儲(chǔ)器裝置，其中用于所述多個(gè)微通道的所述電壓發(fā)生器位 于所述存儲(chǔ)器棧的所述一個(gè)或更多個(gè)存儲(chǔ)器管芯中。
12. -種方法，包括： 跟蹤存儲(chǔ)器裝置的第一微通道的業(yè)務(wù)，所述存儲(chǔ)器裝置包括與一個(gè)或更多個(gè)耦合的存 儲(chǔ)器管芯的存儲(chǔ)器棧耦合的邏輯芯片，所述存儲(chǔ)器裝置包括多個(gè)微通道，每個(gè)微通道具有 電壓域； 檢測(cè)所述第一微通道的業(yè)務(wù)模式； 確定與所述微通道的電壓改變有關(guān)的優(yōu)點(diǎn)；以及 請(qǐng)求所述微通道的所述電壓的改變。
13. 如權(quán)利要求12所述的方法，其中請(qǐng)求所述微通道的所述電壓的改變包括生成要 引導(dǎo)到用于所述微通道的電源發(fā)生器的控制字。
14. 如權(quán)利要求13所述的方法，其中用于所述微通道的所述電源發(fā)生器位于所述邏 輯芯片中。
15. 如權(quán)利要求14所述的方法，其中所述邏輯元素是電源主機(jī)芯片。
16. 如權(quán)利要求12所述的方法，其中用于所述微通道的所述電壓發(fā)生器是所述存儲(chǔ) 器棧的存儲(chǔ)器管芯。
17. 如權(quán)利要求12所述的方法，其中所述一個(gè)或更多個(gè)存儲(chǔ)器管芯的每個(gè)存儲(chǔ)器管 芯包括多個(gè)瓦片，以及其中存儲(chǔ)器管芯的每個(gè)瓦片是獨(dú)立于所述存儲(chǔ)器管芯的其它瓦片的 微通道。
18. 如權(quán)利要求12所述的方法，其中電壓改變的請(qǐng)求將由所述控制芯片的動(dòng)態(tài)電壓 引擎作出。
19. 一種系統(tǒng)，包括： 處理器，用于處理所述系統(tǒng)的數(shù)據(jù)； 傳送器、接收器或兩者，與全向天線耦合以傳送數(shù)據(jù)，接收數(shù)據(jù)或兩者；以及 用于存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)器，所述存儲(chǔ)器包括堆疊存儲(chǔ)器裝置，所述堆疊存儲(chǔ)器裝置包 括： 存儲(chǔ)器棧，包括一個(gè)或更多個(gè)耦合的存儲(chǔ)器管芯，其中所述存儲(chǔ)器棧包括多個(gè)微通道； 以及 與所述存儲(chǔ)器棧耦合的邏輯芯片，所述邏輯芯片包括存儲(chǔ)器控制器； 其中所述多個(gè)微通道的每個(gè)微通道包括單獨(dú)的電壓域；以及 其中單獨(dú)為所述多個(gè)微通道的每個(gè)微通道控制電壓電平。
20. 如權(quán)利要求19所述的系統(tǒng)，其中所述一個(gè)或更多個(gè)存儲(chǔ)器管芯的每個(gè)管芯包括 多個(gè)瓦片，以及其中存儲(chǔ)器管芯的每個(gè)瓦片是獨(dú)立于所述存儲(chǔ)器管芯的其它瓦片的微通 道。
21. 如權(quán)利要求20所述的系統(tǒng)，其中所述存儲(chǔ)器棧包括多個(gè)存儲(chǔ)器管芯，以及其中第 一存儲(chǔ)器管芯的第一瓦片和第二存儲(chǔ)器管芯的第一瓦片通過第一微通道的娃通孔（TSV) 連接。
22. 如權(quán)利要求19所述的系統(tǒng)，其中每個(gè)所述存儲(chǔ)器管芯是獨(dú)立于所述其它存儲(chǔ)器 管芯的微通道。
23. 如權(quán)利要求19所述的系統(tǒng)，其中所述存儲(chǔ)器裝置還包括用于每個(gè)所述微通道的 電壓發(fā)生器。
24. 如權(quán)利要求23所述的系統(tǒng)，其中用于所述多個(gè)微通道的所述電壓發(fā)生器位于所 述邏輯芯片中。
25. 如權(quán)利要求24所述的系統(tǒng)，其中所述邏輯芯片是電源主機(jī)芯片。
26. 如權(quán)利要求23所述的系統(tǒng)，其中用于所述多個(gè)微通道的所述電壓發(fā)生器位于所 述存儲(chǔ)器棧的所述一個(gè)或更多個(gè)存儲(chǔ)器管芯中。
27. -種其上存儲(chǔ)有表示指令序列的數(shù)據(jù)的非暫時(shí)性計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)媒體，所述指令 序列在由處理器執(zhí)行時(shí)促使所述處理器執(zhí)行包括以下的操作： 跟蹤存儲(chǔ)器裝置的第一微通道的業(yè)務(wù)，所述存儲(chǔ)器裝置包括與一個(gè)或更多個(gè)耦合的存 儲(chǔ)器管芯的存儲(chǔ)器棧耦合的邏輯芯片，所述存儲(chǔ)器裝置包括多個(gè)微通道，每個(gè)微通道具有 電壓域； 檢測(cè)所述第一微通道的業(yè)務(wù)模式； 確定與所述微通道的電壓改變有關(guān)的優(yōu)點(diǎn)；以及 請(qǐng)求所述微通道的所述電壓的改變。
【文檔編號(hào)】G11C11/4074GK104115226SQ201180076440
【公開日】2014年10月22日 申請(qǐng)日期:2011年12月23日 優(yōu)先權(quán)日:2011年12月23日
【發(fā)明者】A.謝菲爾, R.薩拉斯瓦特 申請(qǐng)人:英特爾公司