專利名稱：光學(xué)記錄介質(zhì)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及光學(xué)記錄介質(zhì)(例如光盤)，更具體地涉及可以高記錄密度進(jìn)行記錄的光學(xué)記錄介質(zhì)。
背景技術(shù)：
近年來，對于高容量光盤，已經(jīng)可購買到藍(lán)光盤 (BD)(在下文中稱作“高容量光盤”)。對于記錄和再現(xiàn)用光的波長約405nm、和聚光透鏡的數(shù)值孔徑NA約0. 85的記錄和再現(xiàn)光學(xué)系統(tǒng)，高容量光盤可實現(xiàn)約25GB的記錄容量。在高容量光盤類型的光學(xué)記錄介質(zhì)中，已經(jīng)考慮各種各樣的一次寫入記錄層材料。作為常規(guī)的一次寫入光盤記錄層材料，已知有機染料。同時，為了改進(jìn)使用有機染料的 生產(chǎn)率和有關(guān)記錄信號的長期存儲穩(wěn)定性的問題，已經(jīng)考慮各種各樣的用于一次寫入記錄層材料的無機材料。例如，下文的專利文獻(xiàn)I提出具有隨著溫度升高而高速結(jié)晶并產(chǎn)生光學(xué)變化的包括Te-O等的記錄層的光學(xué)記錄介質(zhì)。專利文獻(xiàn)I :日本未審查專利申請公開2008-11255
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明要解決的問題與此同時，在上述高容量光盤型一次寫入光學(xué)記錄介質(zhì)中，為了進(jìn)一步提高容量，已經(jīng)進(jìn)行多層化。對于單層高容量光盤，規(guī)定有關(guān)記錄特性(跳動、調(diào)制度、誤差率等)的適當(dāng)范圍。也需要在多層介質(zhì)中滿足位于范圍內(nèi)的記錄特性?？紤]到上述問題，本發(fā)明的目標(biāo)是提供可以用作上述高容量光盤型一次寫入光學(xué)記錄介質(zhì)的光學(xué)記錄介質(zhì)，抑制由多層化引起的記錄特性降低，并具有可比得上單層記錄層構(gòu)造的記錄特性。解決問題的手段本發(fā)明的光學(xué)記錄介質(zhì)包括基板和兩個至四個記錄層，其中記錄層中的至少ー者或多者是特定記錄層，特定記錄層具有包含完全氧化的In、Zn、Al和Sn (也就是說，ln203、ZnO、Al2O3和SnO2)中的至少ー者、PdO,以及PdO2的組分。與特定記錄層相鄰，設(shè)置至少包含In或Al作為主要成分的In/Al氧化物層。這里的“至少包含In或Al作為主要成分”包括包含In作為主要成分的氧化物層、包含Al作為主要成分的氧化物層、或包含In和Al作為主要成分的氧化物層。如上所述，本發(fā)明的光學(xué)記錄介質(zhì)具有包括兩個至四個記錄層的多層構(gòu)造，其中至少ー個或多個記錄層是特定記錄層，特定記錄層具有包含PdO和PdO2的組分。當(dāng)利用激光照射特定記錄層時，其他穩(wěn)定的氧化物(例如In2O3和Al2O3)不反應(yīng)，但是PdO和PdO2反應(yīng)。也就是說，通過照射記錄光，產(chǎn)生反應(yīng)以使得PdO分解成Pd和O2，且PdO2分解成PdO和02。當(dāng)產(chǎn)生O2時，將提供使平坦薄膜記錄層膨脹的構(gòu)造。結(jié)果，在照射記錄光的位置上，形成記錄標(biāo)記，記錄標(biāo)記的反射率不同于周圍區(qū)域的反射率。
此外，除了 PdO和PdO2之外，特定記錄層包含完全氧化的In、Zn、Al和Sn中的至少ー者。采用這種構(gòu)造，通過調(diào)節(jié)組分比可以精確地控制透射率。例如，當(dāng)Zn的組分比增大時，透射率減小。當(dāng)Al的組分比增大時，透射率増大。當(dāng)Pd的組分比增大時，透射率顯著減小。相反，當(dāng)Pd的組分比減小時，透射率傾向于顯著増大。通過利用由組分比引起的透射率變化，可以容易且精確地有利調(diào)節(jié)記錄層的透射率。在根據(jù)本發(fā)明的光學(xué)記錄介質(zhì)中，與特定記錄層相鄰，設(shè)置至少包含In或Al作為主要成分的In/Al氧化物層。當(dāng)氧化物層設(shè)置在特定記錄層的光入射側(cè)的相反側(cè)時，記錄功率裕度變得更寬。另ー方面，當(dāng)氧化物層設(shè)置在光入射側(cè)時，通過調(diào)整氧化物層的厚度可以單獨地調(diào)節(jié)包括特定記錄層的總反射率和透射率。因此，與特定記錄層的頂部或底部相鄰，設(shè)置In/Al氧化物層，從而提供具有良好記錄特性的多層記錄介質(zhì)。這將使得高容量光盤型光學(xué)記錄介質(zhì)具有兩個至四個多層化的記錄層。
本發(fā)明的效果本發(fā)明可以提供具有多層記錄層構(gòu)造的高容量光盤一次寫入型光學(xué)記錄介質(zhì)，該多層記錄層構(gòu)造的記錄特性與單層記錄層構(gòu)造類似。


圖I是根據(jù)本發(fā)明的實施例的光學(xué)記錄介質(zhì)的示意性橫截面構(gòu)造圖。圖2是根據(jù)本發(fā)明的另ー實施例的光學(xué)記錄介質(zhì)的示意性橫截面構(gòu)造圖。圖3是根據(jù)本發(fā)明的另ー實施例的光學(xué)記錄介質(zhì)的示意性橫截面構(gòu)造圖。圖4是示出具有單層構(gòu)造中的特定記錄層的根據(jù)本發(fā)明的光學(xué)記錄介質(zhì)的第一參考實施例中的記錄特性的圖表。圖5是與對比實施例的記錄層特性相對比的、示出在單層構(gòu)造中具有特定記錄層的根據(jù)本發(fā)明的光學(xué)記錄介質(zhì)的第二參考實施例中的記錄層特性的圖表。圖6是示出具有單層構(gòu)造中的特定記錄層的根據(jù)本發(fā)明的光學(xué)記錄介質(zhì)的第三參考實施例中的記錄層特性的圖表。圖7是示出根據(jù)本發(fā)明的實施例的光學(xué)記錄介質(zhì)的多個記錄層中的特性的圖表。圖8是示出根據(jù)本發(fā)明的另ー實施例的光學(xué)記錄介質(zhì)的記錄層中的特性的圖表。圖9是示出根據(jù)本發(fā)明的另ー實施例的光學(xué)記錄介質(zhì)的記錄層中的特性的圖表。圖10是示出根據(jù)本發(fā)明的另ー實施例的光學(xué)記錄介質(zhì)的多個記錄層中的特性的圖表。圖11是示出根據(jù)本發(fā)明的另ー實施例的光學(xué)記錄介質(zhì)的記錄層(L3)中的特性的圖表。圖12是示出根據(jù)本發(fā)明的另ー實施例的光學(xué)記錄介質(zhì)的記錄層(L3)中的特性的圖表。圖13是示出根據(jù)本發(fā)明的另ー實施例的光學(xué)記錄介質(zhì)的多個記錄層中的特性的圖表。
具體實施例方式將描述用于實施本發(fā)明的優(yōu)選實施例(在下文中稱作實施例)。
將以下列順序描述實施例。I.光學(xué)記錄介質(zhì)的構(gòu)造(具有兩層、三層和四層記錄層的構(gòu)造的實施例)2.參考實施例(僅包括ー個特定記錄層的單層構(gòu)造中的光學(xué)記錄介質(zhì)的記錄特性)3.實施例(具有兩層、三層和四層記錄層的構(gòu)造的實施例的記錄特性)〈I.光學(xué)記錄介質(zhì)的構(gòu)造〉[光學(xué)記錄介質(zhì)的組成]圖I是根據(jù)本發(fā)明的實施例的光學(xué)記錄介質(zhì)10的示意性橫截面構(gòu)造圖。如圖I所示，在光學(xué)記錄介質(zhì)10中，在基板11上形成兩個記錄層121 (LO)和122 (LI)。在多層記 錄介質(zhì)中，為方便起見，最接近基板的記錄層一般表示為L0，然后順序為L1、L2、......。當(dāng)本實施例的光學(xué)記錄介質(zhì)10構(gòu)造成上述高容量光盤(藍(lán)光盤 )類型時，使用厚度約I. Imm且外徑約120mm的盤狀基板11。在基板11的表面上(例如形成有凹凸部分作為擺動槽的表面上)形成記錄層121和122，由透光材料制成的中間層14介于記錄層121和122之間。在相應(yīng)的記錄層121和122的頂部或底部，或者與相應(yīng)的記錄層121和122在附圖中所示的頂部和底部相鄰，設(shè)置電介質(zhì)層131a和131b、132a和132b。電介質(zhì)層可以設(shè)置成與頂部或底部相鄰。至少這些記錄層121和122中的一者(優(yōu)選記錄層122)在光入射側(cè)包含PdO和Pd02。特定記錄層具有包含完全氧化的In、Zn、Al和Sn (也就是說，In203、Zn0、Al203和SnO2)中的至少ー者的組分。至少與特定記錄層的頂部和底部相鄰的電介質(zhì)層131a、131b、132a和132b中的任ー者構(gòu)造成包含In或Al作為主要成分的In/Al氧化物層。此外，在記錄層122的頂部上，形成由透光材料制成的保護(hù)層15。保護(hù)層15的厚度選擇為使得記錄層121上的層的厚度總和為約100 iim。包含基板11的總厚度為I. 2_。在高容量光盤型構(gòu)造中，記錄用光的入射側(cè)是保護(hù)層15—側(cè)。應(yīng)當(dāng)注意，本發(fā)明不限于高容量光盤型構(gòu)造?？梢允褂镁哂锌ㄆ螤畹榷皇潜P狀的基板。在基板具有盤狀的情況下基板11或保護(hù)層15的厚度以及外徑根據(jù)應(yīng)用來適當(dāng)?shù)剡x擇。圖2和圖3是根據(jù)本發(fā)明的另ー實施例的光學(xué)記錄介質(zhì)20和30的示意性橫截面構(gòu)造圖。圖2中所示的實施例示出具有三層構(gòu)造中的記錄層的光學(xué)記錄介質(zhì)20的構(gòu)造。在本實施例中，如在圖I所示的實施例中一祥，凹凸部分形成于基板21上作為擺動槽。在形成有凹凸部分的表面上，記錄層221 (LO) ,222(H)和223 (L2)從基板21側(cè)順序形成，中間層241和242介于記錄層221,222和223之間。在所示的實施例中，電介質(zhì)層231a和231b、232a和232b、以及233a和233b設(shè)置成分別與記錄層221、222和223的頂部或底部相鄰。至少記錄層221至223中任一者(優(yōu)選至少為記錄層222或223)構(gòu)造成具有上述組分的特定記錄層。此外，至少與特定記錄層的頂部和底部相鄰的電介質(zhì)層中的任ー者構(gòu)造成為In/Al氧化物層。在記錄層223(L2)的頂部上，形成保護(hù)層25。如在圖I所示的實施例中一祥，在高容量光盤型構(gòu)造中，基板21的外徑和厚度、以及保護(hù)層25的厚度優(yōu)選為與圖I所示的實施例中類似。圖3所示的實施例示出具有四層構(gòu)造中的記錄層的光學(xué)記錄介質(zhì)30的構(gòu)造。在本實施例中，如在圖I所示的實施例中一祥，凹凸部分形成于基板31上作為擺動槽。在形成有凹凸部分的表面上，記錄層321 (LO)、322 (LI)、323 (L2)和324 (L3)從基板31側(cè)順序形成，中間層341,342和343介于記錄層321、322、323和324之間。此外，電介質(zhì)層331a和331b,332a和332b,333a和333b、以及334a和334b設(shè)置成與記錄層321至324的頂部或底部相鄰。此外在這種情況下，至少記錄層321至324中任一者(優(yōu)選至少為記錄層322至324中的任一者)構(gòu)造成具有上述組分的特定記錄層。至少與特定記錄層的頂部和底部相鄰的電介質(zhì)層中的任ー者構(gòu)造成為In/Al氧化物層。在記錄層324(L3)的頂部上，形成保護(hù)層35。此外在這種情況下，如在圖I所示的實施例中一祥，在高容量光盤型構(gòu)造中，基板31的厚度和外徑、以及保護(hù)層35的厚度優(yōu)選為與圖I所示的實施例中類似。然后，將描述可應(yīng)用于根據(jù)圖I至圖3所示的每個實施例的光學(xué)記錄介質(zhì)中的基板、記錄層、中間層和保護(hù)層中的每ー者的構(gòu)造、材料等。[基板的構(gòu)造]基板11(21、31)由諸如聚碳酸酯樹脂的材料制成，并且通過注射成形等形成以從 原模(master)轉(zhuǎn)寫跟蹤用擺動槽的凹凸形狀。應(yīng)注意，在本發(fā)明的光學(xué)記錄介質(zhì)中，溝槽形狀不是主要的，可以使用能夠?qū)崿F(xiàn)跟蹤并適當(dāng)?shù)匾种朴涗涇壍乐g的串?dāng)_的任意構(gòu)造。此外，記錄軌道可以在光入射側(cè)位于溝槽上或平面(land)上，并且可以采用任意記錄模式。[記錄層的材料]在本實施例中，如上所述，記錄層中的至少ー者或多者(例如，記錄層122、223、324等)包含PdO和PdO2,并且構(gòu)造具有包含完全氧化的In、Zn、Al和Sn中的至少ー者的
特定記錄層。當(dāng)用例如中心波長在405nm附近的激光照射特定記錄層時，PdO分解成Pd和O2,PdO2分解成PdO和02。當(dāng)產(chǎn)生O2時,發(fā)生結(jié)構(gòu)膨脹。結(jié)果,形成記錄標(biāo)記，記錄標(biāo)記的反射率不同于周圍區(qū)域的反射率。特定記錄層應(yīng)當(dāng)包含完全氧化的In、Zn、Al和Sn中的至少ー者，即，In2O3> ZnO>Al2O3和SnO2中的至少ー者。如上所述，當(dāng)Zn的組分比增大時,透射率減小。當(dāng)Al的組分比增大時，透射率増大。當(dāng)Pd的組分比增大時，透射率顯著減小。相反，當(dāng)Pd的組分比減小時，透射率傾向于顯著増大。通過利用由組分比引起的透射率變化，可以容易且精確地調(diào)節(jié)記錄層的透射率。因此，當(dāng)記錄層具有多層構(gòu)造時，任意ー個記錄層是特定記錄層，從而提供具有良好記錄特性的高容量光盤型多層光學(xué)記錄介質(zhì)。也就是說，特定記錄層不需要應(yīng)用于全部的兩個至四個多層化的記錄層。具體地，特定記錄層優(yōu)選設(shè)置在光入射側(cè)的ー個或多個記錄層上。例如，在兩層構(gòu)造中，僅第二記錄層122 (LI)可以是特定記錄層。在三層構(gòu)造中，第二記錄層222或第三記錄層223中任一者、或者第二記錄層222與第三記錄層223可以是特定記錄層。在四層構(gòu)造中，第二記錄層322、第三記錄層323和第四記錄層324中的任一者可以是特定記錄層。此外，第二記錄層322和第三記錄層323、或者第三記錄層323和第四記錄層324可以是特定記錄層。此外，第二記錄層322至第四記錄層324全體可以都是特定記錄層。另ー方面，在高容量光盤中光入射側(cè)的相反側(cè)的記錄層(即，最接近基板11(21、31)設(shè)置的記錄層121(或221或321，LO))可以不構(gòu)造成特定記錄層，并且可以由其他材料制成。其他材料的非限制性示例包括可以提供具有良好記錄特性的多層記錄層構(gòu)造中的記錄層的任意材料。例如，還可以形成由其他一次寫入記錄材料或可重寫記錄材料制成的記錄層，或者形成只讀記錄層。此外，特定記錄層可以包含不完全氧化物，該不完全氧化物包括除完全氧化的In、Zn、Al或Sn中包括的元素之外的其他元素。在任一種情況下，在生產(chǎn)率方面，優(yōu)選的是記錄層可以由利用形成裝置的共同的膜的材料來形成。對于可應(yīng)用于排除特定記錄層之外的記錄層的材料，例如，可以考慮包括PdO和PdO2的記錄層材料。在這種情況下 ,優(yōu)選至少包括Zn、In和Sn中的任一者。此外,可以包括 Zn-In-Pd-0、Zn-Sn-Pd-0、In_Sn-Pd-0、Zn-In-Sn-Pd-O 中的任一者。在任意情況下，透射率較少受到影響，在記錄特性中沒有產(chǎn)生顯著變化。0利用的量大于完全氧化的Zn、In或Sn (Zn0>In2O3^SnO2)的化學(xué)計量組分。如上所述，這使得記錄層能夠包括PdO或Pd02。可以提供具有良好記錄特性的高容量光盤型構(gòu)造。可以使用形成用于上述特定記錄層的裝置的共同的膜來形成記錄層，這在生產(chǎn)率方面是有利的。應(yīng)當(dāng)注意，這里的“元素-0”表示包含元素和氧的材料，并且包括包含元素和氧的化合物以及元素的氧化物(不需要完全氧化)。此外，設(shè)置成與特定記錄層的頂部和/或底部相鄰的In/Al氧化物層可以包括其他電介質(zhì)材料。其他材料的示例包括氧化物(不限于完全氧化物)，例如，Zn-0、Sn-0、Ga-0、Si-0、TトO、V-0、Cr-0, Nb-0, Zr-0, Hf-0, Ta-O 和 Bi-O0 此外，可以包含氮化物(例如 SiN和AlN)和碳化物(SiC)。In或Al的組分比對除O、N和C之外的其他元素(即，Zn、Sn、Ga、Si、Ti、V、Cr、Nb、Zr、Hf、Ta、Bi等)的組分比超過,優(yōu)選SOatm1^或更大。當(dāng)包含In和Al兩者時，組分比的總和可超過30atm%,優(yōu)選為50atm%或更大。當(dāng)具有這種組分的氧化物層設(shè)置成與特定記錄層相鄰時，可以增強特定記錄層的耐久性。此外，對于多層構(gòu)造，可以提供良好的記錄特性。具有這種構(gòu)造的In/Al氧化物層可以設(shè)置成與特定記錄層的頂部和/或底部相鄰。當(dāng)In/Al氧化物層形成于頂部(S卩，在光入射側(cè))時，通過調(diào)整其厚度可以精確地控制反射率和透射率。當(dāng)In/Al氧化物層形成于底部(即，在光入射側(cè)的相反側(cè))時，可以使記錄功率裕度變寬。相應(yīng)地，通過將In/Al氧化物層設(shè)置成與頂部或底部相鄰(優(yōu)選為與頂部和底部都相鄰)，多層記錄層構(gòu)造中的特定記錄層可以保持良好的記錄特性。此外，與相鄰地設(shè)置由其他材料制成的電介質(zhì)層的情況類似，也可以有利地增強耐久性。作為In/Al氧化物層的電介質(zhì)層131a和131b (231a、231b等)可以具有幾nm至幾十nm的厚度,優(yōu)選為3nm至50nm。如果厚度小于3nm,很難保持膜厚度的精度，并且很難提供透射率和反射率的優(yōu)選范圍。另ー方面，如果厚度超過50nm，不能再提供其他優(yōu)點，并且膜形成時間變成，這影響生產(chǎn)率。因此，膜厚度優(yōu)選為3nm至50nm。特別是當(dāng)包括設(shè)置為與特定記錄層的頂部或底部相鄰的氧化物層的電介質(zhì)層由In-Sn-O層(IT0層)、In-Si-Zr-O層等制成時，可以增強存儲可靠性。當(dāng)未設(shè)置包括In/Al氧化物層的電介質(zhì)層時，用作保護(hù)層的包括其他材料的電介質(zhì)層可以設(shè)置成與未設(shè)置電介質(zhì)層的特定記錄層相鄰。在這種情況下，可以使用幾nm至幾十nm的透光電介質(zhì)材料。可應(yīng)用材料的示例包括氧化物，例如In-0、Zn-O> A1_0、Sn-O>Ga-O、Si-0、Ti-0、V-0、Cr-O、Nb-O、Zr-O、Hf-O、Ta-O 和 Bi-O。此外，可以使用氮化物(SiN和AlN)和碳化物(例如SiC)。當(dāng)使用這些材料時，可以增強記錄層的耐久性。
包括透光材料的中間層14(241、242、341至343)形成于相應(yīng)的記錄層之間(即，圖I所示的記錄層121和記錄層122之間)。對于中間層14(例如241)的材料，可以使用不影響記錄特性的充分光透過性并且具有將層之間的串?dāng)_抑制在預(yù)定值以內(nèi)的厚度的任意材料?？蓱?yīng)用的材料的示例包括紫外線可固化樹脂等。[制造方法]可以通過氣相沉積、濺射等形成包括特定記錄層的相應(yīng)記錄層121 (122,221等)。例如，當(dāng)通過濺射形成特定記錄層吋，使用Pd靶材以及包括ln203、Zn0、Al203和SnO的ー個或多個靶材?？商鎿Q地，可以使用具有期望組分比的合金靶材。在使Ar氣與N2氣與O2氣一起流動的同時通過濺射來形成膜。這時，通過特別是使用N2氣來形成特定記錄層，可以控制Pd和氧之間的鍵合狀態(tài)。因此可以將特定記錄層的透射率和反射率控制在期望范圍內(nèi)。具體地，特定記錄層可以具有高透射率和低反射率。
如上所述,特定記錄層包括PdO和Pd02。當(dāng)通過僅適用O2氣和Ar氣的派射來形成包括PdO和PdO2的記錄層，通過控制記錄層中的Pd和氧的鍵合狀態(tài)可以控制記錄層的
透射率。相反，當(dāng)通過使用氮氣以及氧氣的濺射來形成膜時，通過控制記錄層中的Pd和氧的鍵合狀態(tài)可以進(jìn)ー步増大記錄層的透射率。當(dāng)?shù)獨馀c氧氣一起流動時，存在鍵合到ー個氧原子的Pd原子(PdO)増加的數(shù)量大于鍵合到兩個氧原子的Pd原子(PdO2)。相應(yīng)地，當(dāng)特別在光入射側(cè)上形成特定記錄層時，通過使用N2氣以及O2氣的濺射來優(yōu)選地形成膜。應(yīng)注意，氧氣和氮氣的流率可以是任意的。優(yōu)選地，氧氣的流率在IOsccm到IOOsccm的范圍內(nèi)，氮氣的流率在2sccm到50sccm的范圍內(nèi)。當(dāng)形成相應(yīng)的電介質(zhì)層131a、131b、......、334a、334b時,可以使用相應(yīng)電介質(zhì)層
的材料的靶材通過濺射來類似地形成膜。對于中間層14(例如241)的材料，可以使用光固化樹脂(例如紫外線可固化樹脂)、熱固性樹脂等。在這種情況下，通過旋轉(zhuǎn)涂覆方法等來涂覆樹脂然后利用光進(jìn)行加熱或照射來形成中間層14。設(shè)置在記錄用光的入射側(cè)上的保護(hù)層13(23、33)可以由熱固性或光固化樹脂材料形成。通過旋轉(zhuǎn)涂覆方法等來涂覆材料來形成膜，然后通過加熱、光照射(例如利用紫外線)來固化該膜?？商鎿Q地，可以使用由紫外線可固化樹脂等和聚碳酸酯制成的樹脂板、或者由結(jié)合層和聚碳酸酯制成的樹脂板來形成保護(hù)層13。盡管未示出，但是應(yīng)當(dāng)注意，在保護(hù)層13(23、33)的表面(激光照射表面)上可以設(shè)置用于保護(hù)信息信號的記錄和再現(xiàn)質(zhì)量不受到例如機械沖擊、缺陷、由用戶操作引起的灰塵、粘附的指印等影響的硬涂層。硬涂層可以包括用于增強機械強度的硅膠細(xì)粉末、以及基于溶劑或無溶劑的紫外線可固化樹脂。為了具有機械強度、拒水性和拒油性，厚度優(yōu)選為Ium至約幾U mo根據(jù)具有這種構(gòu)造的光學(xué)記錄介質(zhì)10(20、30)，如在之后描述的試驗中所示，可以提供優(yōu)異的記錄和再現(xiàn)特性。例如，高容量光盤可以在再現(xiàn)信號的反射率、透射率、記錄靈敏性、記錄裕度等方面具有充分的特性?！?.參考實施例(具有僅包括ー個特定記錄層的單層構(gòu)造的光學(xué)記錄介質(zhì)的記錄特性)>在檢驗具有特定記錄層的多層光學(xué)記錄介質(zhì)的記錄特性之前，檢驗具有僅包括一個特定記錄層的單層構(gòu)造的光學(xué)記錄介質(zhì)的記錄特性。在第一參考實施例中，光學(xué)記錄介質(zhì)的基板由聚碳酸酯形成為外徑120mm且厚度I. Imm的盤狀。在基板上，形成厚度為15nm的In-Zn-O底部電介質(zhì)層、厚度為40nm的In-Zn-Sn-Al-Pd-O特定記錄層、以及厚度為15nm的In-Zn-O頂部電介質(zhì)層。此外，包括紫外線可固化樹脂的厚度為100 的保護(hù)層在記錄用光的入射側(cè)上形成為作為的最外表面
覆蓋層。使用相應(yīng)的靶材來形成相應(yīng)的層。In2O3和ZnO靶材用于形成底部和頂部電介質(zhì)層，In203、Zn0、Sn0、Al203和Pd靶材用于形成特定記錄層。通過控制相應(yīng)靶材的濺射電功率，調(diào)節(jié)相應(yīng)層的組分。頂部和底部電介質(zhì)層的組分比是In : Zn = S : 2。也就是說，它們由 包含In作為主要成分的氧化物組成。特定記錄層中的組分比是In Zn Sn Al Pd=48 : 16 : 4 : 12 : 20。氣體的流率是在電介質(zhì)層的派射膜形成時Ar為70sccm且O2為30sccm,在記錄層的派射膜形成時Ar為70sccm、O2為30sccm且N2為lOsccm。使用用于評價藍(lán)光盤 的裝置在如此產(chǎn)生的光學(xué)記錄介質(zhì)中以Ix速度(66MHz的時鐘，4. 92m/s的線速度)連續(xù)地記錄五個軌道，以測量在中央軌道中的跳動。在評價裝置中，存在對于記錄用光的波長405nm且聚光透鏡的數(shù)值孔徑NA 0. 85實現(xiàn)每ー層約25GB的記錄容量的記錄模式。結(jié)果，跳動底值有利地為4.4%。圖4示出光學(xué)記錄介質(zhì)的跳動的記錄特性。應(yīng)理解，在光學(xué)記錄介質(zhì)的記錄層中，通過記錄層的組分和膜厚度以及設(shè)置成與頂部和底部相鄰的電介質(zhì)層的膜厚度可以控制反射率。此外，主要通過記錄層的組分可以控制透射率。例如，當(dāng)増加Al的添加量増大吋，透射率可以逐漸増大。相反地，當(dāng)Zn的添加量增大時，透射率可以逐漸減小。相反，當(dāng)Pd的添加量增大時，透射率顯著減小。當(dāng)Pd的添加量減小時，透射率顯著増大。上述第一參考實施例中的光學(xué)記錄介質(zhì)的記錄層具有6. 0%的反射率和65%的透射率。例如，記錄層被有利地用作在具有兩層構(gòu)造的光學(xué)記錄介質(zhì)中的記錄用光的入射側(cè)上的第二記錄層122 (LI)、用作在具有三層構(gòu)造的光學(xué)記錄介質(zhì)中的第二記錄層222或第三記錄層223 (LI或L2)、或用作具有四層構(gòu)造的光學(xué)記錄介質(zhì)中的第二記錄層322 (LI)。否則，通過改變組分或厚度，第一參考實施例中的記錄層可以用作其他記錄層。在第二參考實施例中，與在第一參考實施例中一祥，光學(xué)記錄介質(zhì)的基板由聚碳酸酯形成為外徑120mm且厚度I. Imm的盤狀。在基板上，形成厚度為8nm的In-Sn-O底部電介質(zhì)層、厚度為30nm的Zn-W-Pd-O特定記錄層、以及厚度為15nm的In-Sn-O頂部電介質(zhì)層。此外，包括紫外線可固化樹脂的厚度為100 的保護(hù)層在記錄用光的入射側(cè)上形成為作為的最外表面覆蓋層。使用相應(yīng)的靶材來形成相應(yīng)的層。In2O3和SnO靶材用于形成底部和頂部電介質(zhì)層，ZnO、W和Pd靶材用于形成特定記錄層。通過控制相應(yīng)靶材的濺射電功率，調(diào)節(jié)相應(yīng)層的組分。頂部和底部電介質(zhì)層的組分比是In Sn = 9 I。也就是說,它們由包含In作為主要成分的氧化物組成。特定記錄層中的組分比是Zn W Pd = 60 25 15。
氣體的流率是在電介質(zhì)層的派射膜形成時Ar為50sccm且O2為5sccm,在記錄層的派射膜形成時Ar為30sccm且O2為30sccm。因此，制成第二參考實施例中的光學(xué)記錄介質(zhì)。與第二參考實施例類似地制成對比光學(xué)記錄介質(zhì)，只是僅形成ー個特定記錄層而不設(shè)置頂部和底部In-Sn-O電介質(zhì)層。使用與第一參考實施例中使用的評價裝置類似的評價裝置在如此產(chǎn)生的光學(xué)記錄介質(zhì)中以2x速度(132MHz的時鐘，7. 68m/s的線速度)連續(xù)地記錄五個軌道，以測量在中央軌道中的i-MLSE。圖5示出第二參考實施例和對比實施例中 的光學(xué)記錄介質(zhì)的i-MLSE(最大可能序列估計，用于新一代光盤的評價指標(biāo))的記錄特性。在圖5中，白圈表示第二參考實施例的結(jié)果，黑圈表示對比實施例的結(jié)果。如圖5所示，在In-Sn-O設(shè)置在特定記錄層的頂部和底部上的第二參考實施例中，與對比特定記錄單層相比，獲得顯著増大的i-MLSE值和功率裕度。相應(yīng)地，ZnffPdO特定記錄層通過設(shè)置包括In的電介質(zhì)層可以提供優(yōu)異的特性，SP，優(yōu)異的i-MLSE值和記錄功率裕度。在第三參考實施例中，與第二參考實施例類似地制成光學(xué)記錄介質(zhì)，只是Zn-W-Pd-O特定記錄層具有40nm厚度、組分比為Zn W Pd = 70 20 10、且In-Sn-O底部電介質(zhì)層具有IOnm厚度。氣體的流率是在電介質(zhì)層的派射膜形成時Ar為50sccm且O2為5sccm,在記錄層的派射膜形成時Ar為30sccm且O2為30sccm。使用與在第一參考實施例中使用的評價裝置類似的評價裝置，針對誤差率對第三參考實施例中的光學(xué)記錄介質(zhì)的特定記錄層進(jìn)行檢驗。圖6示出誤差率的結(jié)果。如圖6所示，結(jié)果是誤差率足夠低且功率裕度優(yōu)異。盡管特定記錄層包括ZnWPdO而不包括In，但是在第二參考實施例和第三參考實施例中的光學(xué)記錄介質(zhì)中可提供良好的結(jié)果。相應(yīng)地，這表明即使特定記錄層不包括In，通過將In-Sn-O電介質(zhì)層設(shè)置成與特定記錄層相鄰也可以提供優(yōu)異的記錄特性。例如，第二參考實施例和第三參考實施例中的光學(xué)記錄介質(zhì)中的記錄層被有利地用作在具有兩層構(gòu)造的光學(xué)記錄介質(zhì)中的記錄用光的入射側(cè)上的第二記錄層122 (LI)、用作在具有三層構(gòu)造的光學(xué)記錄介質(zhì)中的第二記錄層222或第三記錄層223 (LI或L2)、或用作具有四層構(gòu)造的光學(xué)記錄介質(zhì)中的第二記錄層322 (LI)。此外，通過改變組分或厚度，記錄層可以用作其他記錄層。〈3.實施例(具有兩層、三層和四層記錄層的構(gòu)造的實施例的記錄特性)〉然后，具有包括上述特定記錄層的兩個至四個層的光學(xué)記錄介質(zhì)被制造并針對記錄特性進(jìn)行檢查。在每個實施例中，光學(xué)記錄介質(zhì)的基板由聚碳酸酯形成為外徑120_且厚度I. Imm的盤狀。中間層由丙烯酸紫外線固化樹脂形成。對于所謂的覆蓋層，在記錄用光的入射側(cè)上的最外表面保護(hù)層由丙烯酸紫外線固化樹脂形成。從第一記錄層至保護(hù)層的總厚度構(gòu)造成100 ym，以使得整體厚度為I. 2_。通過旋轉(zhuǎn)涂覆方法來形成中間層和保護(hù)層，中間層和保護(hù)層然后被紫外線照射井固化。在此之后，將詳細(xì)描述各個實施例。
(I)實施例I (兩層構(gòu)造，參見圖I)在具有上述構(gòu)造的基板11上，形成如下所述的第一記錄層121 (LO)、中間層14、第ニ記錄層122 (LI)和保護(hù)層15。與相應(yīng)的記錄層121和122的頂部和底部相鄰，形成在這種情況下包括以In作為主要成分的氧化物的底部電介質(zhì)層131a和132a以及頂部電介質(zhì)層131b和電介質(zhì)層132b，作為In/Al氧化物。多個層的材料和的厚度如下(第一記錄層L0):底部電介質(zhì)層In-Zn-Sn-O(厚度5nm)/記錄層In-Zn-Sn-Pd-O (厚度 40nm)/ 頂部電介質(zhì)層 In-Zn-Sn-O (厚度 5nm)(第二記錄層LI):底部電介質(zhì)層In-Zn-Sn-O(厚度IOnm)/記錄層In-Zn-Sn-Pd-O (厚度 40nm)/ 頂部電介質(zhì)層 In-Zn-Sn-O (厚度 15nm)。使用相應(yīng)的靶材來形成相應(yīng)的層。氣體的流率是在相應(yīng)電介質(zhì)層的膜形成時Ar為70sccm且O2為30sccm,在記錄層LO的膜形成時Ar為70sccm且O2為30sccm,在記錄層 LI的膜形成時Ar為70sccm且O2為30sccm且N2為lOsccm。以原子百分比為單位由比例表示的多個層的組分如下(L0頂部和底部電介質(zhì)層)In Zn Sn = 70 20 10(L0 記錄層)In Zn Sn Pd = 25 35 5 35(LI頂部和底部電介質(zhì)層)In Zn Sn = 70 20 10(LI 記錄層)In Zn Sn Pd = 35 35 10 20應(yīng)當(dāng)注意，第一記錄層121 (LO)具有7. 7%的反射率，第二記錄層122 (LI)具有
7.5%的反射率和56%的透射率。使用與上述參考實施例中使用的評價裝置類似的評價裝置在實施例I的光學(xué)記錄介質(zhì)中以Ix速度(66MHz的時鐘,4. 92m/s的線速度)連續(xù)地記錄五個軌道，以測量在中央軌道中的跳動。在這種情況下，記錄模式實現(xiàn)每ー層約25GB的記錄容量。結(jié)果，跳動底值有利地在第一記錄層121 (LO)中為4. 6%且在第二記錄層122 (LI)中為5.2%。圖7示出光學(xué)記錄介質(zhì)的跳動的記錄特性。在圖7中，實線al和a2分別表示第一記錄層121和第二記錄層122的結(jié)果。在這種情況下，第一記錄層121和第二記錄層122是特定記錄層,包括In/Al氧化物層的電介質(zhì)層131a、131b、132a和132b形成在特定記錄層的頂部和底部上。盡管電介質(zhì)層131a和131b分別由與電介質(zhì)層132a和132b相同的材料形成，但是在頂部和底部層中可以使用不同的材料和組分比，即便如此，也可以提供優(yōu)異的記錄特性。(2)實施例2 (三層構(gòu)造，參見圖2)在具有上述構(gòu)造的基板21上，形成如下所述的第一記錄層221 (LO)、中間層241、第二記錄層222 (LI)、中間層242、第三記錄層223 (L2)和保護(hù)層25。在本實施例中，相應(yīng)的記錄層221至223都是特定記錄層,通過In/Al氧化物來構(gòu)造在記錄層的頂部和底部上
的電介質(zhì)層231a、231b、......、233a、233b，在這種情況下，該氧化物包括In作為主要成分。
多個層的材料和的厚度如下(第一記錄層L0):底部電介質(zhì)層In-Sn-O(厚度IOnm)/記錄層In-Zn-Sn-Al-Pd-O (厚度 40nm)/ 頂部記錄層 In-Sn-O (厚度 15nm)(第二記錄層LI):底部電介質(zhì)層In-Zn-Ga-O(厚度IOnm)/記錄層In-Zn-Sn-Al-Pd-O (厚度 40nm)/ 頂部電介質(zhì)層 In-Zn-Ga-O (厚度 25nm)
(第三記錄層L2):底部電介質(zhì)層In-Si-Zr-O(厚度IOnm)/記錄層In-Zn-Sn-Al-Pd-O (厚度 40nm)/ 頂部記錄層 In-Si_Zr-0(厚度 30nm)。使用相應(yīng)的靶材來形成相應(yīng)的層。氣體的流率是在相應(yīng)電介質(zhì)層的膜形成時Ar為70sccm且O2為30sccm,在記錄層LO的膜形成時Ar為70sccm且O2為30sccm,在記錄層LI和L2的膜形成時Ar為70sccm且O2為30sccm且N2為lOsccm。以原子百分比為單位由比例表示的多個層的組分如下(LO頂部和底部電介質(zhì)層)In : Sn = 90 : 10(LO 記錄層)In Zn Sn Al Pd = 48 16 4 12 20(LI頂部和底部電介質(zhì)層)In Zn Ga = 86 7 7 (LI 記錄層)In Zn Sn Al Pd = 55 15 5 13 12(L2頂部和底部電介質(zhì)層)In Si Zr = 50 20 30(L2 記錄層)In : Zn : Sn : Al : Pd = 55 : 15 : 5 : 15 : 10。應(yīng)當(dāng)注意，第一記錄層221 (LO)具有3. I %的反射率，第二記錄層222 (LI)具有
2.7%的反射率和75%的透射率。第三記錄層223(L2)具有3. 0%的反射率和80%的透射率。使用與上述參考實施例和實施例I中使用的評價裝置類似的評價裝置在實施例2的光學(xué)記錄介質(zhì)中以2x速度(132MHz的時鐘,7. 36m/s的線速度)連續(xù)地記錄五個軌道，以測量在中央軌道中的i-MLSE(最大可能序列估計，用于新一代光盤的評價指標(biāo))。這種情況下，記錄模式實現(xiàn)姆ー層約33. 4GB的記錄容量。結(jié)果，i-MLSE值有利地在第一記錄層221 (LO)中為9. 7%，在第二記錄層222 (LI)中為10. 0%，在第三記錄層223 (L2)中為10.2%。圖8示出光學(xué)記錄介質(zhì)的i-MLSE的記錄特性。在圖8中，實線bl至b3分別表示第一記錄層221、第二記錄層222和第三記錄層223的結(jié)果。在這種情況下,第一至第三記錄層221至223是特定記錄層,包括In/Al氧化物層的電介質(zhì)層231a、231b、……、233a、233b形成在特定記錄層的頂部和底部上。盡管將特定記錄層夾在中間的電介質(zhì)層231a和231b、……、233a和233b由相同的材料形成，但是在頂部和底部層中可以使用不同的材料和組分比，即便如此，也可以提供優(yōu)異的記錄特性。(3)實施例3 (四層構(gòu)造，參見圖3)在具有上述構(gòu)造的基板31上，形成如下所述的第一記錄層321 (LO)、中間層341、第二記錄層322 (LI)、中間層342、第三記錄層322 (L2)。此外，在其上形成中間層343、第四記錄層324(L3)和保護(hù)層35。在本實施例中，相應(yīng)的記錄層321至324都是特定記錄層，通過In/Al氧化物來構(gòu)造在記錄層的頂部和底部上的電介質(zhì)層33la、33lb、……、334a、334b，在這種情況下，該氧化物包括In作為主要成分。多個層的材料和的厚度如下(第一記錄層L0):底部電介質(zhì)層In-Zn-Sn-O(厚度5nm)/記錄層In-Zn-Sn-Pd-O (厚度 40nm)/ 頂部電介質(zhì)層 In-Zn-Sn-O (厚度 5nm)(第二記錄層LI):底部電介質(zhì)層In-Zn-O (厚度IOnm) /記錄層In-Zn-Sn-Al-Pd-O膜(厚度40nm)/頂部電介質(zhì)層In-Zn-O (厚度15nm)(第三記錄層L2):底部電介質(zhì)層In-Zn-Ga-O(厚度IOnm)/記錄層In-Zn-Sn-Al-Pd-O 膜(厚度 40nm)/ 頂部電介質(zhì)層 In-Zn-Ga-O (厚度 25nm)(第四記錄層L3):底部電介質(zhì)層In-Zn-Al-O(厚度IOnm)/記錄層In-Zn-Sn-Al-Pd-O 膜(厚度 40nm)/ 頂部電介質(zhì)層 In-Zn-Al-O (厚度 30nm)。使用相應(yīng)的靶材來形成相應(yīng)的層。氣體的流率是在相應(yīng)電介質(zhì)層的膜形成時Ar為70sccm且O2為30sccm,在記錄層LO的膜形成時Ar為70sccm且O2為30sccm,在記錄層LI至L3的膜形成時Ar為70sccm且O2為30sccm且N2為lOsccm。以原子百分比為單位由比例表示的多個層的組分如下(LO頂部和底部電介質(zhì)層)In Zn Sn = 70 20 10(LO 記錄層)In Zn Sn Pd = 25 35 5 35(LI頂部和底部電介質(zhì)層)In . Zn = 80 . 20(LI 記錄層)In Zn Sn Al Pd = 48 16 4 12 20 (L2頂部和底部電介質(zhì)層)In Zn Ga = 86 7 7(L2 記錄層)In Zn Sn Al Pd = 55 15 5 13 12(L3頂部和底部電介質(zhì)層)In Zn Al = 50 10 40(L3 記錄層)In : Zn : Sn : Al : Pd = 55 : 15 : 5 : 15 : 10。應(yīng)當(dāng)注意，第一記錄層321 (LO)具有2. 5%的反射率，第二記錄層322 (LI)具有
3.3%的反射率和65%的透射率。第三記錄層323 (L2)具有3. 2%的反射率和75%的透射率，第四記錄層324 (L3)具有3. 6%的反射率和80%的透射率。使用與上述參考實施例和實施例I和2中使用的評價裝置類似的評價裝置在實施例3的光學(xué)記錄介質(zhì)中以Ix速度(66MHz的時鐘,4. 92m/s的線速度)連續(xù)地記錄五個軌道，以測量在中央軌道中的跳動。在這種情況下，記錄模式實現(xiàn)每ー層約25GB的記錄容量。結(jié)果，跳動底值有利地在第一記錄層321 (LO)中為5. 1%，在第二記錄層322 (LI)中為5. 1%，在第三記錄層323(L2)中為4.7%，在第四記錄層324(L3)中為4.7%。圖9示出光學(xué)記錄介質(zhì)的跳動的記錄特性。在圖9中，實線Cl至c4分別表示第一記錄層321至第四記錄層324的結(jié)果。使用類似的評價裝置以2x速度(132MHz的時鐘，7. 36m/s的線速度)連續(xù)地記錄五個軌道，以測量在中央軌道中的i-MLSE。這種情況下，記錄模式實現(xiàn)每ー層約32GB的記錄容量。結(jié)果，i-MLSE值有利地在第一記錄層321 (LO)中為9. 3%，在第二記錄層322 (LI)中為8.4%，在第三記錄層323 (L2)中為8. 8%，在第四記錄層324 (L3)中為8.8%。圖10示出光學(xué)記錄介質(zhì)的i-MLSE的記錄特性。在圖10中，實線dl至d4分別表示第一記錄層321至第四記錄層324的結(jié)果。圖11和圖12示出第四記錄層324 (L3)的誤差率和調(diào)制度。此外在這種情況下，第一至第四記錄層321至324是特定記錄層，包括In/Al氧化物層的電介質(zhì)層331a、331b、……、334a、334b形成在特定記錄層的頂部和底部上。盡管將
特定記錄層夾在中間的電介質(zhì)層331a和331b、......、334a和334b由相同的材料形成,但
是在頂部和底部層中可以使用不同的材料和組分比。包括這些實施例，具有每ー層約25GB或約32GB的記錄容量的記錄模式可以提供優(yōu)異的記錄特性。(4)實施例4 (四層構(gòu)造，實施例3的替換實施例)如在實施例3中一祥制造光學(xué)記錄介質(zhì)，只是僅第一記錄層321不是特定記錄層并由其他材料制成，并對記錄特性進(jìn)行測量。這種情況下第一記錄層321的材料和厚度如下此外，在基板31和第一記錄層321之間，形成厚度IOOnm的Ag反射層。
(第一記錄層L0):底部電介質(zhì)層InSnO(厚度IOnm)/記錄層ZnS-SiO2(厚度IOnm) /記錄層Sb-ZnS-SiO2 (厚度20nm)/頂部電介質(zhì)層InSnO (厚度20nm)。在記錄層的各個層中的組分比如下(In—Sn—O 層)In : Sn = 90 : 10(ZnS-SiO2 層)ZnS SiO2 = 80 20(Sb-ZnS-SiO2 層)Sb ZnS-SiO2 = 4 6(In respect to ZnS-SiO2, ZnS : SiO2 = 80 : 20)。此外在具有第一記錄層321的這種構(gòu)造中，使用與上述實施例中使用的評價裝置類似的評價裝置以2x速度(132MHz的時鐘，7. 36m/s的線速度)連續(xù)地記錄五個軌道，以測 量在中央軌道中的i-MLSE。在這種情況下，記錄模式實現(xiàn)每ー層約25GB的記錄容量。結(jié)果，i-MLSE 值是 9.8%。在上述實施例I至4中的每ー者中，跳動和i-MLSE的值非常小，充分地提供記錄功率裕度，因此可以提供優(yōu)異的記錄特性。具體地，發(fā)現(xiàn)在記錄容量為每ー層33. 4GB的具有三層構(gòu)造的實施例2中和各自記錄容量為每ー層32GB的具有四層構(gòu)造的實施例3和4中可以提供優(yōu)異的記錄特性。(5)實施例5 (四層構(gòu)造)在具有上述構(gòu)造的基板31上，形成如下所述的第一記錄層321 (LO)、中間層341、第二記錄層322 (LI)、中間層342、第三記錄層322 (L2)。此外，在其上形成中間層343、第四記錄層324(L3)和保護(hù)層35。在本實施例中，相應(yīng)的記錄層321至324都是特定記錄層，通過In/Al氧化物來構(gòu)造在記錄層的頂部和底部上的電介質(zhì)層33la、33lb、……、334a、334b，在這種情況下，該氧化物包括In作為主要成分。多個層的材料和的厚度如下(第一記錄層L0):底部電介質(zhì)層In-Sn-O(厚度IOnm) /記錄層Zn-Pd-O膜(厚度30nm) /頂部電介質(zhì)層In-Sn-O (厚度5nm)(第二記錄層LI):底部電介質(zhì)層In-Sn-O(厚度IOnm) /記錄層Zn-W-Pd-O膜(厚度30nm)/頂部電介質(zhì)層In-Sn-O (厚度15nm)(第三記錄層L2):底部電介質(zhì)層In-Sn-O(厚度IOnm) /記錄層Zn-W-Pd-O膜(厚度30nm)/頂部電介質(zhì)層In-Sn-O (厚度22nm)(第四記錄層L3):底部電介質(zhì)層In-Si-Zr-O(厚度IOnm)/記錄層Zn-W-Pd-O膜(厚度30nm)/頂部電介質(zhì)層In-Si-Zr-O (厚度30nm)。使用相應(yīng)的革巴材來形成相應(yīng)的層。當(dāng)形成電介質(zhì)層時，使用In203、Sn0、Si02和ZrO2革巴材。當(dāng)形成特定記錄層時，使用ZnO、W和Pd祀材。氣體的流率是在In-Sn-O電介質(zhì)層的膜形成時Ar為50sccm且O2為5sccm,在In-Si-Zr-O電介質(zhì)層的膜形成時Ar為50sccm且O2為Isccm,在各個記錄層的膜形成時Ar為30sccm且O2為30sccm。以原子百分比為單位由比例表示的多個層的組分如下(L0頂部和底部電介質(zhì)層)In . Sn = 9 . I(L0 記錄層)Zn : Pd = 60 : 40(LI頂部和底部電介質(zhì)層)In . Sn = 9 . I(LI 記錄層)Zn W Pd = 60 20 20(L2頂部和底部電介質(zhì)層)In . Sn = 9 . I
(L2 記錄層)Zn : W : Pd = 60 : 30 : 10(L3頂部和底部電介質(zhì)層)In Si Zr = 50 25 25(L3 記錄層)Zn : W : Pd = 60 : 30 : 10。使用與上述參考實施例和實施例I至4中使用的評價裝置類似的評價裝置在實施例5的光學(xué)記錄介質(zhì)中以2x速度(132MHz的時鐘，7. 68m/s的線速度)連續(xù)地記錄五個軌道，以測量在中央軌道中的i-MLSE。這種情況下，記錄模式實現(xiàn)每ー層約32GB的記錄容量。結(jié)果，i-MLSE值有利地在第一記錄層321 (LO)中為9. 5%，在第二記錄層322 (LI)中為9. 1%，在第三記錄層323(L2)中為9. 3%，在第四記錄層324(L3)中為9.0%。圖13示出光學(xué)記錄介質(zhì)的i-MLSE的記錄特性。在圖13中，實線el至e4分別表示第一記錄層321至第四記錄層324的結(jié)果。
在實施例5中，InSnO層(IT0層)和InSnZrO層被用干與特定記錄層相鄰的電介質(zhì)層中。對于實施例I至4中的特定記錄層的材料和其他特定記錄層的材料,這些InSnO層(IT0層)和InSnZrO層還可以用作與特定記錄層相鄰電介質(zhì)層。應(yīng)當(dāng)注意，本發(fā)明的光學(xué)記錄介質(zhì)不限于上述每個實施例中的構(gòu)造。當(dāng)僅設(shè)置一個特定記錄層時，也可以提供優(yōu)異的記錄特性。此外，設(shè)置成與特定記錄層相鄰的In/Al氧化物層不限于上述每個實施例中的構(gòu)造，可以僅被設(shè)置在頂層或底層，或者在頂部和底部具有不同材料。此外，當(dāng)設(shè)置多個特定記錄層、且In/Al氧化物層設(shè)置成與頂部和底部或ー側(cè)相鄰時，在上述每個實施例中設(shè)置成與相應(yīng)的特定記錄層相鄰的In/Al氧化物層具有不同的組分。另ー方面，設(shè)置成與相應(yīng)的特定記錄層相鄰的In/Al氧化物可以都具有相同組分，并且僅膜厚度被改變。應(yīng)當(dāng)注意，本發(fā)明不限于上述實施例?？梢栽诓幻撾x本發(fā)明的范圍的情況下進(jìn)行各種修改和替換。附圖標(biāo)記列表10,20,30 光學(xué)記錄介質(zhì)11，21，31 基板121，122，221，222，223，321，322，323，324 記錄層131a,131b,132a,132b,231a,231b,232a,232b,233a,233b,331a,331b,332a,332b, 333a, 333b, 334a, 334b 電介質(zhì)層14，241，242，341，342，343 中間層15，25，35 保護(hù)層
權(quán)利要求
1.一種光學(xué)記錄介質(zhì)，其包括 基板， 兩個至四個記錄層，其中 所述記錄層中的到少一者或多者是特定記錄層，所述特定記錄層具有包含完全氧化的In、Zn、Al和Sn中的到少一者、PdO、以及PdO2的組分，并且其中 與所述特定記錄層相鄰，設(shè)置至少包含In或Al作為主要成分的In/Al氧化物層。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的光學(xué)記錄介質(zhì)，其中，所述In/Al氧化物層設(shè)置成與所述特定記錄層中的底層和頂層兩者都相鄰。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的光學(xué)記錄介質(zhì)，其中，除了與記錄用光的入射側(cè)相反側(cè)的一層之外，所述記錄層中的一者或多者是所述特定記錄層。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的光學(xué)記錄介質(zhì)，其中，對于記錄用光的波長405nm、聚光透鏡的數(shù)值孔徑NA 0. 85的光學(xué)系統(tǒng)，所述記錄層具有每層25GB或更大的記錄容量。
5.根據(jù)權(quán)利要求I所述的光學(xué)記錄介質(zhì)，其中，所述記錄層是三個或更多個，并且其中，對于記錄用光的波長405nm、聚光透鏡的數(shù)值孔徑NA 0.85的光學(xué)系統(tǒng)，所述記錄層具有每層30GB或更大的記錄容量。
6.根據(jù)權(quán)利要求I所述的光學(xué)記錄介質(zhì)，其中，所述In/Al氧化物層是InSnO層或InSiZrO 層。
7.根據(jù)權(quán)利要求I所述的光學(xué)記錄介質(zhì)，其中，所述特定記錄層包含Zn和W，并且其中，包含In作為主要成分的氧化物層被設(shè)置成與所述特定記錄層相鄰。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的光學(xué)記錄介質(zhì)，其中，與所述特定記錄層相鄰的所述包含In作為主要成分的氧化物層是InSnO層或InSiZrO層。
全文摘要
本發(fā)明的目的是提供可以應(yīng)用于具有約每一層25GB的高容量的一次寫入光學(xué)記錄介質(zhì)、且在提供多層化的記錄層構(gòu)造時具有良好記錄特性的光學(xué)記錄介質(zhì)。該光線記錄介質(zhì)包括基板21和兩個到四個記錄層221和222。這些記錄層221和222中的至少一者或多者是特定記錄層，特定記錄層具有包含完全氧化的In、Zn、Al和Sn(也就是說，In2O3、ZnO、Al2O3和SnO2)中的至少一者、PdO、以及PdO2的組分。與特定記錄層相鄰，設(shè)置至少包含In或Al作為主要成分的In/Al氧化物層的電介質(zhì)層232a和232b。
文檔編號G11B7/2433GK102859596SQ20118001893
公開日2013年1月2日 申請日期2011年4月6日 優(yōu)先權(quán)日2010年4月19日
發(fā)明者三木剛, 宮脅真奈美, 田內(nèi)?；?申請人:索尼公司, 株式會社神戶制鋼所