專利名稱：Sdram測(cè)試方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及計(jì)算機(jī)硬件技術(shù)領(lǐng)域，具體而言，涉及一種SDRAM測(cè)試方法。
背景技術(shù)：
SDRAM (同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)訪問(wèn)存儲(chǔ)器,Synchronous Dynamic Random Access Memory的縮寫)具有價(jià)格低，容量大，性能好等優(yōu)點(diǎn)，是數(shù)字集成電路中集成度最高的電路之一。目前大部分系統(tǒng)設(shè)計(jì)中，SDRAM器件被廣泛選用為系統(tǒng)存儲(chǔ)器，用于記錄系統(tǒng)的臨時(shí)數(shù)據(jù)和參數(shù)。SDRAM是否正常運(yùn)行，是決定整個(gè)系統(tǒng)能否正常工作的關(guān)鍵因素。因此為了保證系統(tǒng)正常穩(wěn)定運(yùn)行，對(duì)SDRAM進(jìn)行完整測(cè)試就顯得尤其重要。目前，針對(duì)SDRAM的測(cè)試，廣泛采用以下兩種測(cè)試方法:第一種為ICT (即在線測(cè)試，In-Circuit Test的縮寫)，是通過(guò)對(duì)在線元器件的電性能及電氣連接進(jìn)行測(cè)試來(lái)檢查生產(chǎn)制造缺陷及元器件焊接不良的一種標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試手段。它主要檢查單個(gè)元器件以及各電路網(wǎng)絡(luò)的斷、短路情況，具有操作簡(jiǎn)單、快捷迅速、故障定位準(zhǔn)確等特點(diǎn)，ICT測(cè)試重點(diǎn)是測(cè)試管腳的斷路、短路情況。本測(cè)試方法適用于低速小規(guī)模器件的測(cè)試，不適合于SDRAM這樣高速大規(guī)模集成器件，另外ICT的最大工作頻率為5MHz，所以在測(cè)試工作頻率高達(dá)上百M(fèi)Hz的SDRAM時(shí)不能很好地控制時(shí)鐘，且即使能夠控制時(shí)鐘，也很難保證測(cè)試的穩(wěn)定和結(jié)果正確。第二種為BST (邊界掃描測(cè)試，Boundary Scan Test的縮寫)，其是一種將可測(cè)試性直接設(shè)計(jì)到硅片里的方法，是針對(duì)解決芯片級(jí)到系統(tǒng)級(jí)測(cè)試、核心邏輯電路互連測(cè)試和數(shù)據(jù)電路到模擬電路或模數(shù)電路測(cè)試的一系列測(cè)試技術(shù)。本測(cè)試方法適用于低速大規(guī)模集成電路，若使用該方法對(duì)SDRAM進(jìn)行測(cè)試，需要把并行測(cè)試向量轉(zhuǎn)變成串行向量，指令周期都要延長(zhǎng)幾百倍，所以測(cè)試速度太慢，無(wú)法滿足SDRAM的刷新要求。上述測(cè)試方法大多用于生產(chǎn)測(cè)試階段，但是不適合于高速時(shí)鐘頻率下工作的SDRAM，尤其是在系統(tǒng)啟動(dòng)時(shí)的自檢測(cè)試階段。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明旨在提供一種SDRAM的測(cè)試方法，以解決現(xiàn)有測(cè)試技術(shù)無(wú)法滿足高速大容量SDRAM器件測(cè)試診斷的問(wèn)題。本發(fā)明實(shí)施例提供了一種SDRAM測(cè)試方法，包括:以SDRAM的工作時(shí)鐘作為測(cè)試時(shí)鐘，SDRAM的讀寫接口為測(cè)試接口，依次向SDRAM所有存儲(chǔ)單元寫入數(shù)據(jù)，將讀取數(shù)據(jù)與寫入數(shù)據(jù)進(jìn)行比對(duì)判斷，以診斷SDRAM的所有存儲(chǔ)單元。本發(fā)明上述方法采用SDRAM工作時(shí)鐘為測(cè)試時(shí)鐘，工作讀寫接口為測(cè)試讀寫接口，使測(cè)試環(huán)境更加接近于實(shí)際應(yīng)用環(huán)境，因此測(cè)試結(jié)果更加準(zhǔn)確。本方法解決了現(xiàn)有方法不能滿足的在線快速穩(wěn)定的問(wèn)題，可以高速穩(wěn)定地測(cè)試診斷SDRAM。


此處所說(shuō)明的附圖用來(lái)提供對(duì)本發(fā)明的進(jìn)一步理解，構(gòu)成本申請(qǐng)的一部分，本發(fā)明的示意性實(shí)施例及其說(shuō)明用于解釋本發(fā)明，并不構(gòu)成對(duì)本發(fā)明的不當(dāng)限定。在附圖中:圖1示出了根據(jù)本發(fā)明一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例的SDRAM在線測(cè)試診斷的流程圖；圖2示出了根據(jù)本發(fā)明一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例的SDRAM數(shù)據(jù)線測(cè)試診斷流程示意圖；圖3示出了根據(jù)本發(fā)明一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例的SDRAM地址線測(cè)試診斷流程示意圖；圖4示出了根據(jù)本發(fā)明一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例的SDRAM存儲(chǔ)單元測(cè)試診斷示意圖。
具體實(shí)施例方式下面將參考附圖并結(jié)合實(shí)施例，來(lái)詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明。本發(fā)明實(shí)施例提供了一種SDRAM測(cè)試方法，包括:以SDRAM的工作時(shí)鐘作為測(cè)試時(shí)鐘，SDRAM的讀寫接口為測(cè)試接口，依次向SDRAM所有存儲(chǔ)單元寫入數(shù)據(jù)，將讀取數(shù)據(jù)與寫入數(shù)據(jù)進(jìn)行比對(duì)判斷，以診斷SDRAM的所有存儲(chǔ)單元。上述方法采用SDRAM工作時(shí)鐘為測(cè)試時(shí)鐘，工作讀寫接口為測(cè)試讀寫接口，使測(cè)試環(huán)境更加接近于實(shí)際應(yīng)用環(huán)境，因此測(cè)試結(jié)果更加準(zhǔn)確。本方法解決了現(xiàn)有方法不能滿足的在線快速穩(wěn)定的問(wèn)題，可以高速穩(wěn)定地測(cè)試診斷SDRAM。優(yōu)選地，本方法還包括:以SDRAM的工作時(shí)鐘作為測(cè)試時(shí)鐘，以SDRAM的讀寫接口為測(cè)試接口，向SDRAM的同一地址寫入讀出數(shù)據(jù)，將讀取數(shù)據(jù)與寫入數(shù)據(jù)進(jìn)行比對(duì)判斷，以診斷SDRAM的數(shù)據(jù)線。本優(yōu)選實(shí)施例在測(cè)試所有存儲(chǔ)單元的基礎(chǔ)上，可以進(jìn)一步測(cè)試數(shù)據(jù)線。優(yōu)選地，本方法還包括:以SDRAM的工作時(shí)鐘作為測(cè)試時(shí)鐘，SDRAM的讀寫接口為測(cè)試接口，遍歷SDRAM的地址，依次寫入與地址相同的數(shù)據(jù)直到最高地址，然后將讀取數(shù)據(jù)與對(duì)應(yīng)寫入數(shù)據(jù)進(jìn)行比對(duì)判斷，以診斷SDRAM的地址線。本優(yōu)選實(shí)施例在測(cè)試所有存儲(chǔ)單元的基礎(chǔ)上，可以進(jìn)一步測(cè)試地址線。從排錯(cuò)次序的角度考慮，優(yōu)選地，首先測(cè)試地址線，然后測(cè)試數(shù)據(jù)線，最后測(cè)試所有存儲(chǔ)單元。因?yàn)閿?shù)據(jù)寫入SDRAM的過(guò)程是先尋址、然后通過(guò)數(shù)據(jù)線傳送數(shù)值到存儲(chǔ)單元中，所以本優(yōu)選實(shí)施例的次序可以首先排除地址線的錯(cuò)誤、然后排除數(shù)據(jù)線的錯(cuò)誤，最后排除存儲(chǔ)單元的錯(cuò)誤。圖1示出了根據(jù)本發(fā)明一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例的SDRAM數(shù)據(jù)線測(cè)試診斷流程示意圖，包括以下步驟:步驟SI，以SDRAM工作時(shí)鐘作為測(cè)試時(shí)鐘，SDRAM讀寫接口為測(cè)試接口，對(duì)SDRAM進(jìn)行初始化，突發(fā)讀寫長(zhǎng)度設(shè)置為I ;步驟S2，以SDRAM工作時(shí)鐘作為測(cè)試時(shí)鐘，SDRAM讀寫接口為測(cè)試接口，向SDRAM同一地址寫入讀出一定規(guī)律的‘0’ ‘I’數(shù)據(jù)，并將讀取數(shù)據(jù)與寫入數(shù)據(jù)進(jìn)行比對(duì)判斷，進(jìn)而測(cè)試診斷SDRAM數(shù)據(jù)線；步驟S3，以SDRAM工作時(shí)鐘作為測(cè)試時(shí)鐘，SDRAM讀寫接口為測(cè)試接口，SDRAM地址遞增變化，依次寫入與地址相同的數(shù)據(jù)直到最高地址，然后將讀取數(shù)據(jù)與對(duì)應(yīng)寫入數(shù)據(jù)進(jìn)行比對(duì)判斷，進(jìn)而測(cè)試診斷SDRAM地址線。若地址線連接正常，則繼續(xù)測(cè)試診斷，若地址線連接存在故障，則直接輸出測(cè)試診斷報(bào)告；步驟S4，以SDRAM工作時(shí)鐘作為測(cè)試時(shí)鐘，SDRAM讀寫接口為測(cè)試接口，依次向SDRAM所有存儲(chǔ)單元寫入讀出一定規(guī)律的‘0’ ‘I’數(shù)據(jù)，并將讀取數(shù)據(jù)與寫入數(shù)據(jù)進(jìn)行比對(duì)判斷，進(jìn)而測(cè)試診斷SDRAM的所有存儲(chǔ)單元。優(yōu)選地，寫入讀取數(shù)據(jù)包括:對(duì)存儲(chǔ)單元的每一位寫入0，并讀出；對(duì)存儲(chǔ)單元的每一位寫入1，并讀出；對(duì)存儲(chǔ)單元的各位寄存器從最低位開(kāi)始交錯(cuò)地寫入O和1，并讀出；對(duì)存儲(chǔ)單元的各位寄存器從最低位開(kāi)始交錯(cuò)地寫入00和11，并讀出。本優(yōu)選實(shí)施例設(shè)置了寫入‘0’ ‘I’數(shù)據(jù)的規(guī)律，因此可以診斷SDRAM的斷路、短路和互連故障。優(yōu)選地，在診斷SDRAM的所有存儲(chǔ)單元時(shí)，如果存儲(chǔ)單元的一位寄存器讀出結(jié)果始終為0，則該寄存器斷路，如果存儲(chǔ)單元的一位寄存器讀出結(jié)果始終為1，則該寄存器短路，如果存儲(chǔ)單元的兩位寄存器的讀出結(jié)果均為對(duì)方的寫入結(jié)果，則這兩位寄存器互連。優(yōu)選地，在診斷SDRAM的地址線時(shí)，如果存儲(chǔ)單元的一位寄存器讀出結(jié)果始終為0，則地址線中對(duì)應(yīng)該寄存器的線斷路，如果存儲(chǔ)單元的一位寄存器讀出結(jié)果始終為1，則地址線中對(duì)應(yīng)該寄存器的線短路，如果存儲(chǔ)單元的兩位寄存器的讀出結(jié)果均為對(duì)方的寫入結(jié)果，則地址線中對(duì)應(yīng)這兩位寄存器的線互連。優(yōu)選地，在診斷SDRAM的數(shù)據(jù)線時(shí)，如果存儲(chǔ)單元的一位寄存器讀出結(jié)果始終為0，則數(shù)據(jù)線中對(duì)應(yīng)該寄存器的線斷路，如果存儲(chǔ)單元的一位寄存器讀出結(jié)果始終為1，則數(shù)據(jù)線中對(duì)應(yīng)該寄存器的線短路，如果存儲(chǔ)單元的兩位寄存器的讀出結(jié)果均為對(duì)方的寫入結(jié)果，則數(shù)據(jù)線中對(duì)應(yīng)這兩位寄存器的線互連。下面的實(shí)施例中，以MT48LC32M16A2芯片為SDRAM樣本進(jìn)行說(shuō)明。每個(gè)SDRAM有4個(gè)BANK，2個(gè)管腳進(jìn)行選擇；每個(gè)BANK有8192行、1024列，地址線寬度為13 ;數(shù)據(jù)線寬度為16 ;每個(gè)SDRAM的刷新間隔為64ms。優(yōu)選地，如圖2所示，步驟S2的主要目的就是測(cè)試診斷SDRAM的數(shù)據(jù)線是否連接正常。向SDRAM同一地址(即地址線不變)寫入讀出一定規(guī)律的‘0’ ‘I’數(shù)據(jù)，并將讀取數(shù)據(jù)與寫入數(shù)據(jù)進(jìn)行比對(duì)判斷，進(jìn)而測(cè)試診斷SDRAM數(shù)據(jù)線。具體來(lái)講是指，首先向SDRAM的固定地址(例如O地址)寫入數(shù)據(jù)0x0000，然后讀出并與數(shù)據(jù)0x0000進(jìn)行比對(duì)，即步驟101 ;若數(shù)據(jù)相等，則繼續(xù)，否則進(jìn)行數(shù)據(jù)線故障診斷105 ;向SDRAM的固定地址(例如O地址)寫入上次數(shù)據(jù)的反數(shù)據(jù)OxFFFF，然后讀出并與反數(shù)據(jù)OxFFFF進(jìn)行比對(duì)，即步驟102 ;若數(shù)據(jù)相等，則繼續(xù)，否則進(jìn)行數(shù)據(jù)線故障診斷105 ;步驟101和102是對(duì)數(shù)據(jù)線的短路和斷路進(jìn)行測(cè)試診斷。向SDRAM的固定地址(例如O地址)寫入數(shù)據(jù)0x5555，然后讀出并與數(shù)據(jù)0x5555進(jìn)行比對(duì)，即步驟103 ;若數(shù)據(jù)相等，則繼續(xù)，否則進(jìn)行數(shù)據(jù)線故障診斷105 ;向SDRAM的固定地址(例如O地址)寫入上次數(shù)據(jù)的反數(shù)據(jù)OxAAAA，然后讀出并與反數(shù)據(jù)OxAAAA進(jìn)行比對(duì)，即步驟104 ;若數(shù)據(jù)相等，則繼續(xù)，否則進(jìn)行數(shù)據(jù)線故障診斷105。步驟103和104對(duì)數(shù)據(jù)線的互連故障進(jìn)行測(cè)試診斷。通過(guò)以上測(cè)試和數(shù)據(jù)比對(duì)，若寫入數(shù)據(jù)與讀出數(shù)據(jù)相等，則數(shù)據(jù)線連接正常；否則根據(jù)‘0’變‘I’錯(cuò)誤和‘I’變‘0’錯(cuò)誤進(jìn)行SDRAM數(shù)據(jù)線短路、斷路、互連的故障診斷，然后輸出測(cè)試診斷報(bào)告。優(yōu)選地，如圖3所示，步驟S3的主要目的就是測(cè)試診斷SDRAM的地址線是否連接正常。SDRAM地址從O遞增變化，依次寫入與地址相同的數(shù)據(jù)直到最高地址，然后將讀取數(shù)據(jù)與對(duì)應(yīng)寫入數(shù)據(jù)進(jìn)行比對(duì)判斷，進(jìn)而測(cè)試診斷SDRAM地址線。若地址線連接正常，則繼續(xù)測(cè)試診斷，若地址線連接存在故障，則直接輸出測(cè)試診斷報(bào)告；具體來(lái)講是指，將[BA1，BAO, A12-0]地址線組成一個(gè)地址ADDR來(lái)描述，首先向SDRAM的ADDR地址O，即BAO、BA 1、AO 12 —直保持‘0’電平，寫入數(shù)據(jù)0x0000 ;再向SDRAM地址I寫入地址0x0001 ;依次遞增，直至寫到SDRAM的最大地址；即將所有的BANK和列中的一個(gè)存儲(chǔ)單元寫入了對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)。然后讀取SDRAM的ADDR地址O的數(shù)據(jù)，即BAO、BAUAO 12 —直保持‘0’電平，該地址單元存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)；再讀取SDRAM地址I存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)；直至讀到SDRAM的最大地址單元，即將所有之前寫入的數(shù)據(jù)全部讀取出來(lái)；以上操作為圖3中的步驟201。步驟202，最后將對(duì)應(yīng)地址寫入數(shù)據(jù)和讀取數(shù)據(jù)進(jìn)行比對(duì)判斷，若相等則SDRAM地址線連接正常；否則從開(kāi)始出現(xiàn)比對(duì)錯(cuò)誤的地址，則存在短路、斷路、互連的連接故障，然后輸出測(cè)試診斷報(bào)告。優(yōu)選地，如圖4所示，步驟S4的主要目的就是測(cè)試診斷SDRAM的每個(gè)存儲(chǔ)單元是否正常工作。SDRAM所有存儲(chǔ)單元寫入讀取一定規(guī)律變化的數(shù)據(jù)，并將讀取數(shù)據(jù)與寫入數(shù)據(jù)進(jìn)行比對(duì)判斷，進(jìn)而測(cè)試診斷SDRAM的所有存儲(chǔ)單元。具體來(lái)講是指，首先步驟301，向SDRAM的最低地址0，寫入數(shù)據(jù)0x0000，然后讀出并與數(shù)據(jù)0x0000進(jìn)行比對(duì)，即步驟301 ;然后SDRAM的地址依次遞增直到最高地址，寫入的數(shù)據(jù)全為0x0000，然后讀出來(lái)并與數(shù)據(jù)0x0000進(jìn)行比對(duì)，即步驟302 ；向SDRAM的最低地址0，寫入數(shù)據(jù)OxFFFF，然后讀出并與數(shù)據(jù)OxFFFF進(jìn)行比對(duì)，即步驟303 ;然后SDRAM的地址依次遞增直到最高地址，寫入的數(shù)據(jù)為OxFFFF，然后讀出來(lái)并與數(shù)據(jù)OxFFFF進(jìn)行比對(duì)，即步驟 304。與上述步驟相同，向SDRAM的最低地址0，寫入數(shù)據(jù)0x5555，然后讀出并與數(shù)據(jù)0x5555進(jìn)行比對(duì)；然后SDRAM的地址依次遞增直到最高地址，寫入的數(shù)據(jù)為0x5555，然后讀出來(lái)并與數(shù)據(jù)0x5555進(jìn)行比對(duì)；向SDRAM的最低地址0，寫入數(shù)據(jù)OxAAAA，然后讀出并與數(shù)據(jù)OxAAAA進(jìn)行比對(duì)；然后SDRAM的地址依次遞增直到最高地址，寫入的數(shù)據(jù)為OxAAAA，然后讀出來(lái)并與數(shù)據(jù)OxAAAA進(jìn)行比對(duì)。步驟S305，最后將寫入數(shù)據(jù)和讀取數(shù)據(jù)進(jìn)行比對(duì)判斷，若相等則SDRAM全部存儲(chǔ)單元工作正常；否則對(duì)應(yīng)地址的存儲(chǔ)單元不能正常存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，然后輸出測(cè)試診斷報(bào)告。從以上的描述中可以看出，本發(fā)明上述方法采用SDRAM工作時(shí)鐘為測(cè)試時(shí)鐘，工作讀寫接口為測(cè)試讀寫接口，使測(cè)試環(huán)境更加接近于實(shí)際應(yīng)用環(huán)境，因此測(cè)試結(jié)果更加準(zhǔn)確。本方法解決了現(xiàn)有方法不能滿足的在線快速穩(wěn)定的問(wèn)題，達(dá)到了系統(tǒng)啟動(dòng)時(shí)高速穩(wěn)定測(cè)試診斷功能。顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)該明白，上述的本發(fā)明的各模塊或各步驟可以用通用的計(jì)算裝置來(lái)實(shí)現(xiàn)，它們可以集中在單個(gè)的計(jì)算裝置上，或者分布在多個(gè)計(jì)算裝置所組成的網(wǎng)絡(luò)上，可選地，它們可以用計(jì)算裝置可執(zhí)行的程序代碼來(lái)實(shí)現(xiàn)，從而，可以將它們存儲(chǔ)在存儲(chǔ)裝置中由計(jì)算裝置來(lái)執(zhí)行，或者將它們分別制作成各個(gè)集成電路模塊，或者將它們中的多個(gè)模塊或步驟制作成單個(gè)集成電路模塊來(lái)實(shí)現(xiàn)。這樣，本發(fā)明不限制于任何特定的硬件和軟件結(jié)合。以上所述僅為本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例而已，并不用于限制本發(fā)明，對(duì)于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，本發(fā)明可以有各種更改和變化。凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種SDRAM測(cè)試方法，其特征在于，包括: 以SDRAM的工作時(shí)鐘作為測(cè)試時(shí)鐘，SDRAM的讀寫接口為測(cè)試接口，依次向SDRAM所有存儲(chǔ)單元寫入數(shù)據(jù)，將讀取數(shù)據(jù)與寫入數(shù)據(jù)進(jìn)行比對(duì)判斷，以診斷SDRAM的所有存儲(chǔ)單元。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，還包括: 以SDRAM的工作時(shí)鐘作為測(cè)試時(shí)鐘，以SDRAM的讀寫接口為測(cè)試接口，向SDRAM的同一地址寫入讀出數(shù)據(jù)，將讀取數(shù)據(jù)與寫入數(shù)據(jù)進(jìn)行比對(duì)判斷，以診斷SDRAM的數(shù)據(jù)線。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，還包括: 以SDRAM的工作時(shí)鐘作為測(cè)試時(shí)鐘，SDRAM的讀寫接口為測(cè)試接口，遍歷SDRAM的地址，依次寫入與地址相同的數(shù)據(jù)直到最高地址，然后將讀取數(shù)據(jù)與對(duì)應(yīng)寫入數(shù)據(jù)進(jìn)行比對(duì)判斷，以診斷SDRAM的地址線。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，首先測(cè)試SDRAM的地址線，然后測(cè)試SDRAM的數(shù)據(jù)線，最后測(cè)試SDRAM的所有存儲(chǔ)單元。
5.根據(jù)權(quán)利要4所述的方法，其特征在于，寫入讀取數(shù)據(jù)包括: 對(duì)存儲(chǔ)單元的每一位寫入O，并讀出； 對(duì)存儲(chǔ)單元的每一位寫入1，并讀出； 對(duì)存儲(chǔ)單元的各位寄存器從最低位開(kāi)始交錯(cuò)地寫入O和1，并讀出； 對(duì)存儲(chǔ)單元的各位寄存器從最低位開(kāi)始交錯(cuò)地寫入OO和11，并讀出。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，在診斷SDRAM的所有存儲(chǔ)單元時(shí)，如果存儲(chǔ)單元的一位寄存器讀出結(jié)果始終為0，則該寄存器斷路，如果存儲(chǔ)單元的一位寄存器讀出結(jié)果始終為1，則該寄存器短路，如果存儲(chǔ)單元的兩位寄存器的讀出結(jié)果均為對(duì)方的寫入結(jié)果，則這兩位寄存器互連。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，在診斷SDRAM的地址線時(shí)，如果存儲(chǔ)單元的一位寄存器讀出結(jié)果始終為0，則地址線中對(duì)應(yīng)該寄存器的線斷路，如果存儲(chǔ)單元的一位寄存器讀出結(jié)果始終為1，則地址線中對(duì)應(yīng)該寄存器的線短路，如果存儲(chǔ)單元的兩位寄存器的讀出結(jié)果均為對(duì)方的寫入結(jié)果，則地址線中對(duì)應(yīng)這兩位寄存器的線互連。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，在診斷SDRAM的數(shù)據(jù)線時(shí)，如果存儲(chǔ)單元的一位寄存器讀出結(jié)果始終為0，則數(shù)據(jù)線中對(duì)應(yīng)該寄存器的線斷路，如果存儲(chǔ)單元的一位寄存器讀出結(jié)果始終為1，則數(shù)據(jù)線中對(duì)應(yīng)該寄存器的線短路，如果存儲(chǔ)單元的兩位寄存器的讀出結(jié)果均為對(duì)方的寫入結(jié)果，則數(shù)據(jù)線中對(duì)應(yīng)這兩位寄存器的線互連。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種SDRAM測(cè)試方法，包括以SDRAM的工作時(shí)鐘作為測(cè)試時(shí)鐘，SDRAM的讀寫接口為測(cè)試接口，依次向SDRAM所有存儲(chǔ)單元寫入數(shù)據(jù)，將讀取數(shù)據(jù)與寫入數(shù)據(jù)進(jìn)行比對(duì)判斷，以診斷SDRAM的所有存儲(chǔ)單元。本發(fā)明可以高速穩(wěn)定地測(cè)試診斷SDRAM。
文檔編號(hào)G11C29/12GK103137212SQ20111040134
公開(kāi)日2013年6月5日 申請(qǐng)日期2011年12月5日 優(yōu)先權(quán)日2011年12月5日
發(fā)明者李真花, 劉小威 申請(qǐng)人:北大方正集團(tuán)有限公司, 北京大學(xué), 北京北大方正電子有限公司