專(zhuān)利名稱(chēng)：對(duì)非揮發(fā)存儲(chǔ)器類(lèi)產(chǎn)品進(jìn)行失效模型建模的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體失效分析方法，具體涉及一種對(duì)非揮發(fā)存儲(chǔ)器類(lèi)產(chǎn)品進(jìn)行失效模型建模的方法。
背景技術(shù)：
失效單元位圖(failure bitmap)分析方法是存儲(chǔ)器器件失效分析的常用方法。利用位圖分析，通常能夠進(jìn)行較為準(zhǔn)確的故障點(diǎn)定位。但是由于失效因素的多樣性和電路及版圖結(jié)構(gòu)的復(fù)雜性，單憑存儲(chǔ)單元位圖定位可能帶來(lái)方向性的偏差，從而為失效分析帶來(lái)困難。發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種對(duì)非揮發(fā)存儲(chǔ)器類(lèi)產(chǎn)品進(jìn)行失效模型建模的方法，它可以提供更為精確可靠的故障定位方法。
為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明對(duì)非揮發(fā)存儲(chǔ)器類(lèi)產(chǎn)品進(jìn)行失效模型建模的方法的技術(shù)解決方案為，包括以下步驟
步驟一根據(jù)非揮發(fā)存儲(chǔ)器類(lèi)產(chǎn)品存儲(chǔ)區(qū)域的電路結(jié)構(gòu)和/或版圖布局的特點(diǎn)， 通過(guò)對(duì)非揮發(fā)存儲(chǔ)器的操作過(guò)程中存儲(chǔ)器陣列內(nèi)電路節(jié)點(diǎn)狀態(tài)的分析，建立起一張“失效模型-失效表征”真值表，該真值表由潛在的失效模型、關(guān)鍵電路模擬量輸出和失效單元位圖輸出三部分特征參數(shù)進(jìn)行描述；
所述失效模型為電路級(jí)和/或版圖級(jí)失效模型。
所述非揮發(fā)存儲(chǔ)器類(lèi)產(chǎn)品的關(guān)鍵電路模擬量具有可測(cè)性。
所述關(guān)鍵電路模擬量為非揮發(fā)存儲(chǔ)器在操作過(guò)程中加載在存儲(chǔ)單元陣列中的編程電壓和/或控制電壓。
步驟二 使用該真值表實(shí)現(xiàn)真實(shí)失效模型的建模，然后使用建模結(jié)果指導(dǎo)物理分 析定位；
工序一、對(duì)存儲(chǔ)器進(jìn)行測(cè)試，獲得真值表中的失效表征信息，包括關(guān)鍵電路模擬量和失效單兀位圖 目息；
工序二、使用工序一中測(cè)量所獲得的失效表征信息作為輸入，在“失效模型-失效表征”真值表中通過(guò)查表的方法得到與輸入特征對(duì)應(yīng)的失效模型。
本發(fā)明可以達(dá)到的技術(shù)效果是
本發(fā)明在進(jìn)行物理分析定位前建立起準(zhǔn)確清晰的失效模型，能夠使失效模型的建模具有系統(tǒng)性的特點(diǎn)，并且引入關(guān)鍵電路模擬量作為失效表征參數(shù)，能夠大大提高非揮發(fā)存儲(chǔ)器故障點(diǎn)定位的邏輯嚴(yán)密性和精確度，從而提高失效分析的定位效率和成功率，減少人為判斷失誤的可能性。
本發(fā)明能夠克服在非揮發(fā)存儲(chǔ)器失效分析中單純依靠失效單元位圖分析方法的局限性，提供更為精確可靠的故障定位方法。


下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施方式
對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)的說(shuō)明
圖1是本發(fā)明對(duì)非揮發(fā)存儲(chǔ)器類(lèi)產(chǎn)品進(jìn)行失效模型建模的方法所建立的失效模 型-失效表征真值表的示意圖。
具體實(shí)施方式
本發(fā)明對(duì)非揮發(fā)存儲(chǔ)器類(lèi)產(chǎn)品進(jìn)行失效故障定位失效模型建模的方法，包括以下 步驟
步驟一根據(jù)非揮發(fā)存儲(chǔ)器類(lèi)產(chǎn)品存儲(chǔ)區(qū)域的電路結(jié)構(gòu)及版圖布局的特點(diǎn)，通過(guò) 對(duì)非揮發(fā)存儲(chǔ)器的各種操作(如擦/寫(xiě)/讀)過(guò)程中存儲(chǔ)器陣列內(nèi)電路節(jié)點(diǎn)狀態(tài)的分析，建 立起一張“失效模型_失效表征”真值表，該真值表由潛在失效模型(電路級(jí)或版圖級(jí)失效 模型)、關(guān)鍵電路模擬量輸出和失效單元位圖輸出三部分特征參數(shù)進(jìn)行描述，如圖1所示； 該真值表包含潛在失效模型與芯片特征行為關(guān)聯(lián)；
失效模型是指電路節(jié)點(diǎn)級(jí)或版圖節(jié)點(diǎn)級(jí)的失效模型，如開(kāi)路\短路等；
失效表征是指存儲(chǔ)器在進(jìn)行各種電路操作模式下，失效模型導(dǎo)致的失效單元位圖 輸出結(jié)果及關(guān)鍵電路模擬量輸出結(jié)果的集合；
該真值表的建立原理是
逐一假設(shè)存儲(chǔ)器中的電路節(jié)點(diǎn)級(jí)或版圖節(jié)點(diǎn)級(jí)發(fā)生失效的可能情形(即潛在失 效模型)，則每一失效模型會(huì)出現(xiàn)對(duì)應(yīng)的失效表征，即表現(xiàn)出相應(yīng)的失效單元位圖輸出結(jié)果 及關(guān)鍵電路模擬量輸出結(jié)果；
所述非揮發(fā)存儲(chǔ)器類(lèi)產(chǎn)品的關(guān)鍵電路模擬量具有可測(cè)性，即需要在產(chǎn)品電路設(shè)計(jì) 階段實(shí)現(xiàn)關(guān)鍵電路模擬量輸出的可測(cè)性設(shè)計(jì)；
關(guān)鍵電路模擬量可以是非揮發(fā)存儲(chǔ)器在操作過(guò)程中加載在存儲(chǔ)單元陣列中的編 程電壓和/或控制電壓，如編程正高壓(VPOS)、編程負(fù)高壓(VNEG)。
步驟二 使用該真值表實(shí)現(xiàn)真實(shí)失效模型的建模，然后使用建模結(jié)果指導(dǎo)物理分 析定位；
具體方法是
工序一、通過(guò)電測(cè)試方法對(duì)存儲(chǔ)器進(jìn)行測(cè)試，獲得真值表中的失效表征信息，如關(guān) 鍵電路模擬量和失效單元位圖(Failure Bitmap)信息；
工序二、使用工序一中測(cè)量獲得的失效表征信息作為輸入，在“失效模型-失效表 征”真值表中通過(guò)查表的方法得到與輸入特征對(duì)應(yīng)的失效模型(電路級(jí)及版圖級(jí))。
權(quán)利要求
1.一種對(duì)非揮發(fā)存儲(chǔ)器類(lèi)產(chǎn)品進(jìn)行失效故障定位失效模型建模的方法，其特征在于， 包括以下步驟步驟一根據(jù)非揮發(fā)存儲(chǔ)器類(lèi)產(chǎn)品存儲(chǔ)區(qū)域的電路結(jié)構(gòu)和/或版圖布局的特點(diǎn)，通過(guò)對(duì)非揮發(fā)存儲(chǔ)器的操作過(guò)程中存儲(chǔ)器陣列內(nèi)電路節(jié)點(diǎn)狀態(tài)的分析，建立起一張“失效模型-失效表征”真值表，該真值表由潛在的失效模型、關(guān)鍵電路模擬量輸出和失效單元位圖輸出三部分特征參數(shù)進(jìn)行描述；步驟二 使用該真值表實(shí)現(xiàn)真實(shí)失效模型的建模，然后使用建模結(jié)果指導(dǎo)物理分析定位；工序一、對(duì)存儲(chǔ)器進(jìn)行測(cè)試，獲得真值表中的失效表征信息，包括關(guān)鍵電路模擬量和失效單元位圖信息；工序二、使用工序一中測(cè)量所獲得的失效表征信息作為輸入，在“失效模型-失效表征”真值表中通過(guò)查表的方法得到與輸入特征對(duì)應(yīng)的失效模型。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的對(duì)非揮發(fā)存儲(chǔ)器類(lèi)產(chǎn)品進(jìn)行失效故障定位失效模型建模的方法，其特征在于，所述失效模型為電路級(jí)和/或版圖級(jí)失效模型。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的對(duì)非揮發(fā)存儲(chǔ)器類(lèi)產(chǎn)品進(jìn)行失效故障定位失效模型建模的方法，其特征在于，所述非揮發(fā)存儲(chǔ)器類(lèi)產(chǎn)品的關(guān)鍵電路模擬量具有可測(cè) 性。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的對(duì)非揮發(fā)存儲(chǔ)器類(lèi)產(chǎn)品進(jìn)行失效故障定位失效模型建模的方法，其特征在于，所述關(guān)鍵電路模擬量為非揮發(fā)存儲(chǔ)器在操作過(guò)程中加載在存儲(chǔ)單元陣列中的編程電壓和/或控制電壓。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種對(duì)非揮發(fā)存儲(chǔ)器類(lèi)產(chǎn)品進(jìn)行失效模型建模的方法，包括以下步驟步驟一根據(jù)非揮發(fā)存儲(chǔ)器類(lèi)產(chǎn)品存儲(chǔ)區(qū)域的電路結(jié)構(gòu)和/或版圖布局的特點(diǎn)，通過(guò)對(duì)非揮發(fā)存儲(chǔ)器的操作過(guò)程中存儲(chǔ)器陣列內(nèi)電路節(jié)點(diǎn)狀態(tài)的分析，建立起一張“失效模型-失效表征”真值表，該真值表由潛在的失效模型、關(guān)鍵電路模擬量輸出和失效單元位圖輸出三部分特征參數(shù)進(jìn)行描述；步驟二使用該真值表實(shí)現(xiàn)真實(shí)失效模型的建模，然后使用建模結(jié)果指導(dǎo)物理分析定位。本發(fā)明在進(jìn)行物理分析定位前建立起失效模型，能夠使失效模型的建模具有系統(tǒng)性的特點(diǎn)，并且大大提高非揮發(fā)存儲(chǔ)器故障點(diǎn)定位的邏輯嚴(yán)密性和精確度，從而提高失效分析的定位效率和成功率。
文檔編號(hào)G11C29/04GK103000227SQ201110265040
公開(kāi)日2013年3月27日 申請(qǐng)日期2011年9月8日 優(yōu)先權(quán)日2011年9月8日
發(fā)明者曾志敏 申請(qǐng)人:上海華虹Nec電子有限公司